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41. 发明申请

WO01090446A2 METHOD AND APPARATUS TO OVERCOME ANOMALIES IN COPPER SEED LAYERS AND TO TUNE FOR FEATURE SIZE AND ASPECT RATIO 审中-公开
标题翻译：方法和装置可以覆盖铜层中的异常，并调整特征尺寸和纵横比
公开(公告)号：WO01090446A2
公开(公告)日：2001-11-29
申请号：PCT/US2001/015200
申请日：2001-05-10
IPC分类号： C25D5/10 , C25D5/18 , C25D7/12 , H01L21/28 , H01L21/288 , H05K3/42 , C25D
CPC分类号： H01L21/76843 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/76868 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H05K3/423
摘要： A method and apparatus for electrochemically depositing a metal into a high aspect ratio structure on a substrate are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including positioning a substrate having a first conductive material disposed thereon in a processing chamber containing an electrochemical bath, depositing a second conductive material on the first conductive material as the conductive material is contacted with the electrochemical bath by applying a plating bias to the substrate while immersing the substrate into the electrochemical bath, and depositing a third conductive material in situ on the second conductive material by an electrochemical deposition technique to fill the feature. The bias may include a charge density between about 20 mA sec/cm and about 160 mA sec/cm . The electrochemical deposition technique may include a pulse modulation technique.
摘要翻译：提供了一种在基板上将金属电化学沉积成高纵横比结构的方法和装置。在一个方面，提供了一种用于处理衬底的方法，包括在包含电化学浴的处理室中定位其上具有第一导电材料的衬底，当第一导电材料与第一导电材料接触时，将第二导电材料沉积在第一导电材料上通过在将基板浸入电化学浴中的同时将衬底施加电镀偏压并通过电化学沉积技术在第二导电材料上原位沉积第三导电材料来填充该特征，从而进行电化学浴。该偏压可以包括约20mA / sec 2 / cm 2和约160mA / sec / cm 2之间的电荷密度。电化学沉积技术可以包括脉冲调制技术。

42. 发明申请

WO2013100894A1 METHOD OF FORMING LOW RESISTIVITY TANX/TA DIFFUSION BARRIERS FOR BACKEND INTERCONNECTS 审中-公开
标题翻译：形成低电阻TANX / TA扩展障碍的方法用于后置互连
公开(公告)号：WO2013100894A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/US2011/067342
申请日：2011-12-27
申请人： INTEL CORPORATION , JEZEWSKI, Christopher , BOYANOV, Boyan , CLARKE, James J. , FABER, Jacob J.
发明人： JEZEWSKI, Christopher , BOYANOV, Boyan , CLARKE, James J. , FABER, Jacob J.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/76846 , C23C14/0036 , C23C14/165 , C23C14/35 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53261 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present disclosure relates diffusion barrier layers for backend interconnects and their methods of manufacturing.A TaN x /Ta diffusion barrier layer used for backend interconnect is formed at a temperature between about 150-450°C, wherein the Ta film exhibits a body-centered-cubic (BCC) structure and a lower electrical resistivity. Other embodiments are described and claimed.
摘要翻译：本公开涉及用于后端互连的扩散阻挡层及其制造方法。在用于后端互连的TaNx / Ta扩散阻挡层在约150-450℃之间的温度下形成，其中Ta膜表现出以体为中心的 - 立方（BCC）结构和较低的电阻率。描述和要求保护其他实施例。

43. 发明申请

WO2012040732A3 METHODS AND ARCHITECTURES FOR BOTTOMLESS INTERCONNECT VIAS 审中-公开
标题翻译：无缝互连六角形的方法和结构
公开(公告)号：WO2012040732A3
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/US2011053318
申请日：2011-09-26
申请人： INTEL CORP , LAVOIE ADRIEN R
发明人： LAVOIE ADRIEN R
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76844 , H01L21/2855 , H01L21/32131 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An apparatus includes an interconnect in a recess. The interconnect includes a liner structure and the liner structure in the recess. The liner structure is breached at the recess bottom feature and a bottom interconnect makes a single-interface contact with a subsequent interconnect through the breach.
摘要翻译：一种装置包括在凹槽中的互连。互连件包括衬垫结构和凹部中的衬垫结构。衬垫结构在凹陷底部特征处被破坏，并且底部互连件通过突破而与随后的互连件进行单接口接触。

44. 发明申请

WO2012040732A2 METHODS AND ARCHITECTURES FOR BOTTOMLESS INTERCONNECT VIAS 审中-公开
标题翻译：无底联网VIAS的方法和架构
公开(公告)号：WO2012040732A2
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/US2011/053318
申请日：2011-09-26
申请人： INTEL CORPORATION , LAVOIE, Adrien R.
发明人： LAVOIE, Adrien R.
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76844 , H01L21/2855 , H01L21/32131 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An apparatus includes an interconnect in a recess. The interconnect includes a liner structure and the liner structure in the recess. The liner structure is breached at the recess bottom feature and a bottom interconnect makes a single-interface contact with a subsequent interconnect through the breach.
摘要翻译：一种设备包括凹槽中的互连。互连件包括衬里结构和凹槽中的衬里结构。衬底结构在凹陷底部特征处被破坏，并且底部互连通过该裂口与后续互连形成单界面接触。

45. 发明申请

WO2010019490A1 CONFORMAL ADHESION PROMOTER LINER FOR METAL INTERCONNECTS 审中-公开
标题翻译：用于金属互连的一致粘合促进剂衬里
公开(公告)号：WO2010019490A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/US2009/053256
申请日：2009-08-10
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , CHENG, Tien-Jen , LI, Zhengwen, O. , WONG, Keith, Kwong Hon , ZHU, Huilong
发明人： CHENG, Tien-Jen , LI, Zhengwen, O. , WONG, Keith, Kwong Hon , ZHU, Huilong
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76868 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A dielectric layer (10) is patterned with at least one line trough and/or at least one via cavity (15). A metallic nitride liner (20) is formed on the surfaces of the patterned dielectric layer (10). A metal liner (30) is formed on the surface of the metallic nitride liner (20). A conformal copper nitride layer (40) is formed directly on the metal liner (30) by atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD). A Cu seed layer (50) is formed directly on the conformal copper nitride layer (40). The at least one line trough and/or the at least one via cavity (15) are filled with an electroplated material (60). The direct contact between the conformal copper nitride layer (40) and the Cu seed layer (50) provides enhanced adhesion strength. The conformal copper nitride layer (40) may be annealed to covert an exposed outer portion into a contiguous Cu layer, which may be employed to reduce the thickness of the Cu seed layer (50).
摘要翻译：电介质层（10）被图案化为具有至少一个线槽和/或至少一个通孔（15）。在图案化电介质层（10）的表面上形成金属氮化物衬垫（20）。金属衬垫（30）形成在金属氮化物衬垫（20）的表面上。通过原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）在金属衬垫（30）上直接形成共形氮化铜层（40）。在适形的氮化铜层（40）上直接形成Cu籽晶层（50）。所述至少一个线槽和/或所述至少一个通孔腔（15）填充有电镀材料（60）。保形氮化铜层（40）和Cu籽晶层（50）之间的直接接触提供了增强的粘合强度。可以将共形的氮化铜层（40）退火以将暴露的外部部分翻转成连续的Cu层，其可用于减小Cu籽晶层（50）的厚度。

46. 发明申请

WO2009078255A1 基板、及びその製造方法审中-公开
标题翻译：基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2009078255A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/071453
申请日：2008-11-26
申请人：日鉱金属株式会社 , 伊藤順一 , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：伊藤順一 , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　高温加熱時におけるバリア性に優れる、バリア能と触媒能を有する銅拡散防止用バリア膜を有する基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。　基材上に、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、ルテニウム、ロジウム、及びイリジウム等の無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素と、前記タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素との窒化物の形態で含有される窒素からなる銅拡散防止用バリア膜を有することを特徴とする基板。前記銅拡散防止用バリア膜は、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、前記無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素から選択した１種以上の金属元素とを含有するターゲットを用いて、窒素雰囲気中でスパッタリングすることにより製造される。
摘要翻译：公开了具有防止铜扩散的阻挡膜的基板，其具有阻挡能力和催化能力，同时在高温下加热时的阻隔性优异。还公开了一种用于制造这种基板的方法。具体公开了一种基材，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散的阻挡膜，其由选自钨，钼和铌的一种或多种金属元素，诸如钌，铑或铱的金属元素组成，其具有化学镀的催化能力以及选自钨，钼和铌中的一种或多种金属元素的氮化物形式的氮。用于防止铜扩散的阻挡膜是通过使用含有一种或多种选自钨，钼和铌的金属元素的靶和在选自具有催化能力的金属元素中的一种或多种金属元素在氮气气氛中进行溅射工艺来制造的用于化学镀。

47. 发明申请

WO2009016980A1 無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物およびその製造方法审中-公开
标题翻译：通过电镀镀层形成的金属薄膜的镀覆材料及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016980A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063024
申请日：2008-07-18
申请人：日鉱金属株式会社 , 矢部淳司 , 伊藤順一 , 日角義幸 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：矢部淳司 , 伊藤順一 , 日角義幸 , 関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： C23C18/18 , C23C14/34 , C23C18/32 , C23C18/44 , C23C28/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/165 , C23C14/584 , C23C18/1879 , C23C18/31 , C23C18/54 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , Y10T428/12493 , Y10T428/12507 , Y10T428/12514 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
摘要：　無電解めっきにより超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚で形成したシード層を有するめっき物であり、しかもシード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層の二つの層形成の煩雑さを解消することができるめっき物、およびそのめっき物を製造する方法。　基板上に、無電解めっきの触媒活性を有する金属（Ａ）と、無電解めっき液に含まれる金属イオンと置換めっきが可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が形成され、その上に無電解置換および還元めっきにより金属薄膜が形成されためっき物であって、該触媒活性を有する金属（Ａ）と該置換めっき可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が、該金属（Ａ）を５原子％以上、４０原子％以下とする組成であり、該無電解置換及び還元めっきにより形成された金属薄膜が厚さ１０ｎｍ以下で抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であるめっき物。前記金属（Ｂ)は、金属薄膜の金属に対してバリア機能を有することが好ましい。
摘要翻译：公开了一种电镀材料，其上可以通过化学镀形成超细线，其具有均匀厚度的薄种子层，并且可以消除形成两层的复杂性（即阻挡层和催化剂金属层）在形成种子层之前。还公开了一种生产电镀材料的方法。具体公开了一种电镀材料，其包括：基材; 形成在基体上的合金薄膜，其中所述合金由具有用于无电解电镀的催化活性的金属（A）和能够在化学镀溶液中包含的金属离子移位镀覆的金属（B）制成; 以及通过无电位移和还原电镀在合金薄膜上形成的金属薄膜。由具有催化活性的金属（A）和能够移动的金属（B）制成的合金薄膜含有5〜40原子％（含）金属（A）。通过无电位移和还原电镀形成的金属薄膜的厚度为10nm以下，电阻率为10μΩcm以下。优选地，金属（B）对金属薄膜中所含的金属具有阻挡作用。

48. 发明申请

WO2007142690A2 APPARATUS AND PROCESS FOR PLASMA-ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：等离子体增强原子层沉积的装置和方法
公开(公告)号：WO2007142690A2
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/US2006/060559
申请日：2006-11-06
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , MA, Paul , SHAH, Kavita , WU, Dien-yeh , GANGULI, Seshadri , MARCADAL, Christophe , WU, Frederick, C. , CHU, Schubert, S.
发明人： MA, Paul , SHAH, Kavita , WU, Dien-yeh , GANGULI, Seshadri , MARCADAL, Christophe , WU, Frederick, C. , CHU, Schubert, S.
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/18 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01L21/28562 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Embodiments of the invention provide an apparatus configured to form a material during an atomic layer deposition (ALD) process, such as a plasma-enhanced ALD (PE-ALD) process. In one embodiment, a process chamber is configured to expose a substrate to a sequence of gases and plasmas during a PE-ALD process. The process chamber comprises components that are capable of being electrically insulated, electrically grounded or RF energized. In one example, a chamber body and a gas manifold assembly are grounded and separated by electrically insulated components, such as an insulation cap, a plasma screen insert and an isolation ring. A showerhead, a plasma baffle and a water box are positioned between the insulated components and become RF hot when activated by a plasma generator. Other embodiments of the invention provide deposition processes to form layers of materials within the process chamber.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种被配置为在诸如等离子体增强型ALD（PE-ALD）工艺的原子层沉积（ALD）工艺期间形成材料的装置。在一个实施例中，处理室被配置为在PE-ALD过程期间将衬底暴露于一系列气体和等离子体。处理室包括能够被电绝缘，电接地或RF通电的部件。在一个示例中，室主体和气体歧管组件由诸如绝缘盖，等离子体屏幕插件和隔离环之类的电绝缘部件接地并分离。一个喷头，等离子体挡板和水箱位于绝缘部件之间，当被等离子体发生器激活时变为RF热。本发明的其它实施例提供沉积工艺以在处理室内形成材料层。

49. 发明申请

WO2007044305A3 PLATING SEED LAYER INCLUDING AN OXYGEN/NITROGEN TRANSITION REGION FOR BARRIER ENHANCEMENT 审中-公开
标题翻译：包括氧/氮转换区在内的电镀层用于屏障增强
公开(公告)号：WO2007044305A3
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/US2006038475
申请日：2006-10-03
申请人： IBM , YANG CHIH-CHAO , GAUDET SIMON , LAVOIE CHRISTIAN , PONOTH SHOM , SPOONER TERRY A
发明人： YANG CHIH-CHAO , GAUDET SIMON , LAVOIE CHRISTIAN , PONOTH SHOM , SPOONER TERRY A
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An interconnect structure which includes a plating seed layer that has enhanced conductive material, preferably, Cu, diffusion properties is provided that eliminates the need for utilizing separate diffusion and seed layers. Specifically, the present invention provides an oxygen/nitrogen transition region within a plating seed layer for interconnect metal diffusion enhancement. The plating seed layer may include Ru, Ir or alloys thereof, and the interconnect conductive material may include Cu, Al, AlCu, W, Ag, Au and the like. Preferably, the interconnect conductive material is Cu or AlCu. In more specific terms, the present invention provides a single seeding layer which includes an oxygen/nitrogen transition region sandwiched between top and bottom seed regions. The presence of the oxygen/nitrogen transition region within the plating seed layer dramatically enhances the diffusion barrier resistance of the plating seed.
摘要翻译：提供了一种互连结构，该互连结构包括具有增强的导电材料（优选Cu）扩散性质的镀敷种子层，其消除了使用单独的扩散层和种子层的需要。具体而言，本发明提供用于互连金属扩散增强的镀敷种子层内的氧/氮过渡区。电镀种子层可以包括Ru，Ir或其合金，互连导电材料可以包括Cu，Al，AlCu，W，Ag，Au等等。优选地，互连导电材料是Cu或AlCu。更具体地说，本发明提供了包括夹在顶部和底部种子区之间的氧/氮过渡区的单种晶层。电镀种子层内氧/氮过渡区的存在显着增强了电镀种子的扩散阻挡性。

50. 发明申请

WO2007119123A2 INTERCONNECTS AND HEAT DISSIPATORS BASED ON NANOSTRUCTURES 审中-公开
标题翻译：基于纳米结构的互连和散热器
公开(公告)号：WO2007119123A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/IB2006/004279
申请日：2006-08-28
申请人： SMOLTEK AB , KABIR, Mohammad, Shafiqul
发明人： KABIR, Mohammad, Shafiqul
CPC分类号： B82Y30/00 , B01J23/755 , B01J23/76 , B82Y10/00 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01L21/76876 , H01L21/76885 , H01L23/53276 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L2221/1089 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention provides for nanostnictures grown on a conducting or insulating substrate, and a method of making the same. The nanostructures grown according to the claimed method are suitable for interconnects and/or as heat dissipators in electronic devices.
摘要翻译：本发明提供在导电或绝缘基板上生长的纳米图案及其制造方法。根据要求保护的方法生长的纳米结构适用于电子器件中的互连和/或散热器。

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