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1. 发明申请

WO2015199111A1 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开
标题翻译：基板处理装置，程序和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2015199111A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/JP2015/068132
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：中村　吉延 , 前田　喜世彦 , ▲ひろせ▼　義朗 , 笹島　亮太 , 橋本　良知
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02247 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：　表面に酸化膜が形成された基板を準備する工程と、酸化膜の表面を前処理する工程と、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うか、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して炭素および窒素を含むガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うか、基板に対して炭素を含む原料ガスを供給する工程と、基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前処理後の酸化膜の表面上に、炭素を含む窒化膜を形成する工程と、を有する。
摘要翻译：本发明具有制备在其表面上形成有氧化膜的基板的步骤，用于预处理氧化膜表面的步骤和在预处理氧化膜的表面上形成含碳氮化物膜的步骤通过：执行预定次数的非同时进行向基板供给原料气体的步骤的循环，向基板供给含碳气体的步骤，以及供给基板的步骤含氮气体至基体; 执行预定次数的非同时进行向基板供给原料气体的工序的循环，以及向所述基板供给含有碳和氮的气体的工序; 或者执行预定次数的非同时进行用于向基板供给含碳原料气体的步骤的循环，以及向所述基板供给含氮气体的工序。

2. 发明申请

WO2015077118A1 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF FILMS COMPRISING SILICON, CARBON AND NITROGEN USING HALOGENATED SILICON PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：原子层沉积包含硅，碳和氮的薄膜使用氢化硅前驱体
公开(公告)号：WO2015077118A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/US2014/065421
申请日：2014-11-13
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： NGUYEN, Victor , LI, Ning , BALSEANU, Mihaela , XIA, Li-Qun , SALY, Mark , THOMPSON, David
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/22
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/45536 , C23C16/4554 , C23C16/45542
摘要： Provided are methods for the deposition of films comprising SiCN. Certain methods involve exposing a substrate surface to a silicon precursor, wherein the silicon precursor is halogenated with CI, Br or I, and the silicon precursor comprises a halogenated silane, a halogenated carbosilane, an halogenated aminosilane or a halogenated carbo-sillyl amine. Then, the substrate surface can be exposed to a nitrogen-containing plasma or a nitrogen precursor and densification plasma.
摘要翻译：提供沉积包含SiCN的膜的方法。某些方法包括将衬底表面暴露于硅前体，其中硅前体被CI，Br或I卤化，硅前体包含卤代硅烷，卤代碳硅烷，卤化氨基硅烷或卤代碳硅烷基胺。然后，可以将衬底表面暴露于含氮等离子体或氮前体和致密化等离子体。

3. 发明申请

WO2013155432A2 PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD 审中-公开
标题翻译：等离子体增强原子层沉积法
公开(公告)号：WO2013155432A2
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/US2013/036398
申请日：2013-04-12
申请人： VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人： SAMAL, Nigamananda
IPC分类号： B05D3/14
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/45542
摘要： A cyclic PE-ALD process (Fig. 3) includes four steps in two phases; in a first phase (TDMAT), a TDMAT pulse (e.g. 1 sec) is perfornned followed by a purge (e.g. 1.5 sec), and in a second phase (H 2 /Plasma), an H 2 pulse (e.g. 2.5 sec) and RF power for a plasma pulse (e.g. 1 sec) are concurrently performed, followed by a purge. Cycles of this process build layers of TiN on the substrate that are highly conformal and not subject to H 2 inclusions to nearly the same extent as prior art processes. The film quality is further improved by the application of RF power for plasma from beneath the substrate.
摘要翻译：循环PE-ALD过程（图3）包括两个阶段的四个步骤：在第一阶段（TDMAT）中，TDMAT脉冲（例如1秒）被完成，然后进行清洗（例如1.5秒），在第二阶段（H2 /等离子体）中，H2脉冲（例如2.5秒）和RF功率同时执行等离子体脉冲（例如1秒），然后进行清洗。该工艺的循环在衬底上构建高度保形并且不受H2夹杂物几乎与现有技术工艺相同程度的TiN层。通过从衬底下面对等离子体施加RF功率，进一步提高了电影质量。

4. 发明申请

WO2012047812A2 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON NITRIDE USING DUAL-SOURCE PRECURSOR AND INTERLEAVED PLASMA 审中-公开
标题翻译：氮化硅原子层沉积用双源前体和交错等离子体
公开(公告)号：WO2012047812A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/US2011054635
申请日：2011-10-03
申请人： APPLIED MATERIALS INC , MALLICK ABHIJIT BASU
发明人： MALLICK ABHIJIT BASU
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： Atomic layer deposition using precursor having both nitrogen and silicon components is described. Deposition precursor contains molecules which supply both nitrogen and silicon to growing film of silicon nitride. Silicon-nitrogen bonds may be present in precursor molecule, but hydrogen and/or halogens may also be present. Growth substrate may be terminated in a variety of ways and exposure to deposition precursor displaces species from outer layer of growth substrate, replacing them with an atomic-scale silicon-and-nitrogen-containing layer. The silicon-and-nitrogen-containing layer grows until one complete layer is produced and then stops (self-limiting growth kinetics). Subsequent exposure to a plasma excited gas modifies the chemical termination of the surface so growth step may be repeated. Presence of both silicon and nitrogen in deposition precursor molecule increases the deposition per cycle thereby reducing the number of precursor exposures to grow a film of same thickness.
摘要翻译：描述了使用具有氮和硅组分的前体的原子层沉积。沉积前体含有向氮化硅生长膜提供氮和硅的分子。硅 - 氮键可以存在于前体分子中，但是氢和/或卤素也可以存在。生长底物可以以各种方式终止，并且暴露于沉积前体从生长底物的外层置换物质，用原子尺度含硅和氮的层代替它们。含硅和氮的层生长直至产生一个完整的层，然后停止（自限生长动力学）。随后暴露于等离子体激发的气体会改变表面的化学终止，因此可以重复生长步骤。沉积前体分子中硅和氮两者的存在增加了每个循环的沉积，从而减少前体曝光的数量以生长相同厚度的膜。

5. 发明申请

WO2011041255A1 VAPOR DEPOSITION REACTOR FOR FORMING THIN FILM ON CURVED SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于在弯曲表面形成薄膜的蒸气沉积反应器
公开(公告)号：WO2011041255A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/US2010/050358
申请日：2010-09-27
申请人： SYNOS TECHNOLOGY, INC. , LEE, Sang, In
发明人： LEE, Sang, In
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/00 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45574 , C23C16/4558 , C23C16/545
摘要： A vapor deposition reactor and a method for forming a thin film. The vapor deposition reactor includes first to third portions arranged along an arc of a circle. The first portion includes at least one first injection portion for injecting a material to a recess in the first portion. The second portion is adjacent to the first portion and has a recess communicatively connected to the recess of the first portion. The third portion is adjacent to the second portion and has a recess communicatively connected to the recess of the second portion and an exhaust portion for discharging the material from the vapor deposition reactor.
摘要翻译：蒸镀反应器及薄膜形成方法。气相沉积反应器包括沿圆弧排列的第一至第三部分。第一部分包括用于将材料注射到第一部分中的凹部中的至少一个第一注射部分。第二部分与第一部分相邻，并具有与第一部分的凹部通信连接的凹部。第三部分与第二部分相邻并且具有与第二部分的凹部连通的凹部和用于从气相沉积反应器排出材料的排气部分。

6. 发明申请

WO2011026064A1 IMPROVED PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS 审中-公开
标题翻译：改进的等离子体增强原子层沉积过程
公开(公告)号：WO2011026064A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/US2010/047213
申请日：2010-08-31
申请人： THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION , JACKSON, Thomas , MOUREY, Devin, A. , ZHAO, Dalong
发明人： JACKSON, Thomas , MOUREY, Devin, A. , ZHAO, Dalong
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/45542
摘要： Improved systems, methods and compositions for plasma enhanced atomic layer deposition are herein disclosed. According to one embodiment, a method includes exposing a substrate to a first process material to form a film comprising at least a portion of the first process material at a surface of the substrate. The substrate is exposed to a second process material and the second process material is activated into plasma to initiate a reaction between at least a portion of the first process material and at least a portion of the second process material at the surface of the substrate.
摘要翻译：本文公开了用于等离子体增强的原子层沉积的改进的系统，方法和组合物。根据一个实施例，一种方法包括将衬底暴露于第一工艺材料以形成在衬底的表面上包含第一工艺材料的至少一部分的膜。衬底暴露于第二工艺材料，第二工艺材料被激活成等离子体以引发第一工艺材料的至少一部分与第二工艺材料的至少部分在衬底表面处的反应。

7. 发明申请

WO2009062882A3 METHOD FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL WITH A SURFACE-PASSIVATING DIELECTRIC DOUBLE LAYER, AND CORRESPONDING SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：用于生产太阳电池一个表面钝化DIELEKTRIKUMDOPPELSCHICHT及相关太阳能电池
公开(公告)号：WO2009062882A3
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/EP2008065067
申请日：2008-11-06
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , SCHMIDT JAN
发明人： SCHMIDT JAN
IPC分类号： H01L31/0216 , C23C16/455 , H01L21/316
CPC分类号： H01L31/02168 , C23C16/403 , C23C16/45542 , Y02E10/50
摘要： A solar cell with a dielectric double layer and a method for the manufacture thereof are described. Sequential vapour-phase deposition is used to produce a first dielectric layer (3), which contains aluminium oxide or comprises aluminium oxide, and a second, hydrogenous dielectric layer (5), which allows very good passivation of the surface of solar cells to be achieved.
摘要翻译：我们将描述一个Dielektrikumdoppelschicht的太阳能电池及其制备方法。它是由连续的汽相沉积构造，（5）中产生的第一电介质层（3）含有氧化铝或由氧化铝制成，而第二含氢介电层，由此能够实现太阳能电池的表面的优异的钝化。

8. 发明申请

WO2007117797A3 METHOD OF FORMING A METAL CARBIDE OR METAL CARBONITRIDE FILM HAVING IMPROVED ADHESION 审中-公开
标题翻译：形成具有改善粘合性的金属碳化物或金属碳化物膜的方法
公开(公告)号：WO2007117797A3
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/US2007063488
申请日：2007-03-07
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , ISHIZAKA TADAHIRO
发明人： ISHIZAKA TADAHIRO
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： C23C16/32 , C23C16/36 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5096
摘要： A method for forming a metal carbide or metal carbonitride film on a substrate using a vapor deposition process. The method includes comprises introducing a first process material, such as a film precursor, to the substrate followed by introducing a second process material, such as a film reducing agent, to the substrate, whereby plasma can be formed during the introduction of the second process material in order to assist reduction of the first process material on the substrate. Additionally, the temperature of the substrate is elevated to a value approximately equal to or greater than the decomposition temperature of the first process material in order to improve adhesion properties for the metal carbide or metal carbonitride film.
摘要翻译：使用蒸镀法在基板上形成金属碳化物或金属碳氮化物膜的方法。该方法包括将诸如膜前体的第一处理材料引入到基板，然后将诸如薄膜还原剂的第二处理材料引入到基板上，由此在引入第二工艺期间可以形成等离子体材料，以帮助减少基材上的第一工艺材料。此外，为了提高金属碳化物或金属碳氮化物膜的粘合性，将基板的温度升高到等于或大于第一处理材料的分解温度的值。

9. 发明申请

WO2007083651A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007083651A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2007/050571
申请日：2007-01-17
申请人：株式会社日立国際電気 , 宮博信 , 浅井優幸 , 水野謙和
发明人：宮博信 , 浅井優幸 , 水野謙和
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/402 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：　半導体装置の製造方法は、表面にタングステン膜が形成された少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する工程と、前記基板を４００°Cに加熱しながら、シリコン原子を含む第１の反応物質を前記処理室内に供給する工程と、前記基板を４００°Cに加熱しながら、第２の反応物質である水と、水素とを、前記水素に対する前記水の比率を２×１０－１以下として前記処理室内に供給する工程と、を交互に複数回繰り返して、前記タングステン膜を含む基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、を備える。
摘要翻译：公开了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括将至少一个基板在其表面上形成钨膜的工艺室中的步骤，以及在该基板的表面上形成氧化硅膜的步骤具有钨膜的步骤中，其中将含有硅原子的第一反应物的子步骤在400℃下加热基板的同时被供给到处理室中，并且其中将作为第二反应物的水和氢作为第二反应物供入到在400℃下加热基板的同时，水与氢的比例为2×10 -1以下的处理室交替重复多次。

10. 发明申请

WO2006104863A2 A PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：等离子体增强原子层沉积系统
公开(公告)号：WO2006104863A2
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/US2006010682
申请日：2006-03-22
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , ISHIZAKA TADAHIRO , MATSUDA TSUKASA , CERIO JR FRANKM , YAMAMOTO KAORU
发明人： ISHIZAKA TADAHIRO , MATSUDA TSUKASA , CERIO JR FRANKM , YAMAMOTO KAORU
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/5096
摘要： A plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) system includes a first chamber component coupled to a second chamber component to provide a processing chamber defining an isolated processing space within the processing chamber. A substrate holder is provided within the processing chamber and configured to support a substrate, a first process material supply system is configured to supply a first process material to the processing chamber and a second process material supply system is configured to supply a second process material to the processing chamber. A power source is configured to couple electromagnetic power to the processing chamber, and a sealing assembly interposed between the first and second chamber components. The sealing assembly includes a plurality of sealing members configured to reduce the amount of external contaminants permeating through an interface of the first and second components into the isolated processing space of the processing chamber, wherein the film is formed on the substrate by altematingly introducing the first process material and the second process material.
摘要翻译：等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统包括耦合到第二室部件的第一室部件，以提供限定处理室内的隔离处理空间的处理室。衬底保持器设置在处理室内并且被配置为支撑衬底，第一处理材料供应系统被配置为将第一处理材料供应到处理室，第二处理材料供应系统被配置为将第二处理材料供应到处理室。电源被配置为将电磁功率耦合到处理室，以及插入在第一和第二室部件之间的密封组件。密封组件包括多个密封构件，其被配置为将渗透通过第一和第二部件的界面的外部污染物的量减少到处理室的隔离处理空间中，其中通过替代地将第一工艺材料和第二工艺材料。

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