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1. 发明申请

WO2009016979A1 無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物及びその製造方法审中-公开
标题翻译：具有通过无电镀形成的金属薄膜的电镀及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016979A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063023
申请日：2008-07-18
申请人：日鉱金属株式会社 , 矢部淳司 , 伊藤順一 , 日角義幸 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：矢部淳司 , 伊藤順一 , 日角義幸 , 関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： C23C18/18 , C23C14/38 , C23C14/42 , C23C28/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/165 , C23C14/584 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D5/02 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10T428/12639 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12875 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12986 , Y10T428/265 , H01L2924/00
摘要：　無電解めっきにより超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚で形成したシード層を有するめっき物であり、しかもシード層を形成する前にバリア層と触媒金属層の二層を形成する煩雑さを解消することができるめっき物、およびそのめっき物の製造方法。　基材上に、無電解めっきの触媒活性を有する金属（Ａ）と、無電解めっき液に含まれる金属イオンと置換めっきが可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が形成され、その上に無電解置換および還元めっきにより金属薄膜が形成されためっき物であって、該触媒活性を有する金属（Ａ）と該置換めっき可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が、該金属（Ａ）を５原子％以上、４０原子％以下とする組成であり、該無電解置換および還元めっきにより形成された金属薄膜が厚さ１０ｎｍ以下で抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であるめっき物。前記金属（Ｂ）は、金属薄膜の金属に対してバリア機能を有することが好ましい。
摘要翻译：具有通过无电镀形成能够形成超细布线的薄而均匀的膜厚度的晶种层的电镀对象，并且在形成晶种层之前，阻挡层和一种能够解决形成两层催化金属层的复杂情况的电镀产品，以及一种制造电镀产品的方法。在基板上形成具有化学镀的催化活性的金属（A）和能够用无电镀溶液中所含的金属离子置换镀的金属（B）的合金薄膜，其中金属薄膜通过电解置换和还原电镀以及具有催化活性的金属（A）和可取代的可镀金属的金属（B）的合金薄膜形成，并且通过无电取代和还原镀形成的金属薄膜是厚度为10nm或更小并且电阻率为10μΩ·cm或更小的金属薄膜。金属（B）优选对金属薄膜的金属具有阻挡功能。

2. 发明申请

WO2009016980A1 無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物およびその製造方法审中-公开
标题翻译：通过电镀镀层形成的金属薄膜的镀覆材料及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016980A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063024
申请日：2008-07-18
申请人：日鉱金属株式会社 , 矢部淳司 , 伊藤順一 , 日角義幸 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：矢部淳司 , 伊藤順一 , 日角義幸 , 関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： C23C18/18 , C23C14/34 , C23C18/32 , C23C18/44 , C23C28/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/165 , C23C14/584 , C23C18/1879 , C23C18/31 , C23C18/54 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , Y10T428/12493 , Y10T428/12507 , Y10T428/12514 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
摘要：　無電解めっきにより超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚で形成したシード層を有するめっき物であり、しかもシード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層の二つの層形成の煩雑さを解消することができるめっき物、およびそのめっき物を製造する方法。　基板上に、無電解めっきの触媒活性を有する金属（Ａ）と、無電解めっき液に含まれる金属イオンと置換めっきが可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が形成され、その上に無電解置換および還元めっきにより金属薄膜が形成されためっき物であって、該触媒活性を有する金属（Ａ）と該置換めっき可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が、該金属（Ａ）を５原子％以上、４０原子％以下とする組成であり、該無電解置換及び還元めっきにより形成された金属薄膜が厚さ１０ｎｍ以下で抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であるめっき物。前記金属（Ｂ)は、金属薄膜の金属に対してバリア機能を有することが好ましい。
摘要翻译：公开了一种电镀材料，其上可以通过化学镀形成超细线，其具有均匀厚度的薄种子层，并且可以消除形成两层的复杂性（即阻挡层和催化剂金属层）在形成种子层之前。还公开了一种生产电镀材料的方法。具体公开了一种电镀材料，其包括：基材; 形成在基体上的合金薄膜，其中所述合金由具有用于无电解电镀的催化活性的金属（A）和能够在化学镀溶液中包含的金属离子移位镀覆的金属（B）制成; 以及通过无电位移和还原电镀在合金薄膜上形成的金属薄膜。由具有催化活性的金属（A）和能够移动的金属（B）制成的合金薄膜含有5〜40原子％（含）金属（A）。通过无电位移和还原电镀形成的金属薄膜的厚度为10nm以下，电阻率为10μΩcm以下。优选地，金属（B）对金属薄膜中所含的金属具有阻挡作用。

3. 发明申请

WO2005038087A1 無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法审中-公开
标题翻译：电镀铜镀层解决方案和电镀铜镀层的方法
公开(公告)号：WO2005038087A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/JP2004/014049
申请日：2004-09-17
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹 , 藤平善久
发明人：矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹 , 藤平善久
IPC分类号： C23C18/40
CPC分类号： C23C18/405 , H01L21/288
摘要：　めっき反応が起こりにくい半導体ウェハー等の鏡面上等で無電解銅めっきを行う際に、より低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。還元剤として第一の還元剤とともに、第二の還元剤として次亜リン酸または次亜リン酸塩を使用し、さらに銅析出抑制用安定剤を同時に使用することを特徴とする無電解銅めっき液。第一の還元剤としては、ホルマリン、グリオキシル酸等が挙げられ、次亜リン酸塩としては、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸アンモニウム等が挙げられる。銅析出抑制用安定剤としては２，２'−ビピリジル、イミダゾール、ニコチン酸、チオ尿素、２−メルカプトベンゾチアゾール、シアン化ナトリウム、チオグリコール酸等が挙げられる。
摘要翻译：一种化学镀铜溶液，其特征在于将次亚磷酸或次磷酸盐与第一还原剂一起用作第二还原剂，并且同时使用用于抑制铜沉淀的稳定剂。第一还原剂包括福尔马林和乙醛酸，次磷酸盐包括次磷酸钠，次磷酸钾和次磷酸铵。用于抑制铜沉淀的稳定剂包括2,2'-联苯基，咪唑，烟酸，硫脲，2-巯基苯并噻唑，氰化钠和巯基乙酸。化学镀铜溶液允许在降低的温度下，在诸如半导体晶片等的反射镜表面上的无电镀铜等中均匀镀，其不易受电镀反应的影响。

4. 发明申请

WO2005038086A1 無電解銅めっき液审中-公开
标题翻译：电镀铜镀层的镀液
公开(公告)号：WO2005038086A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/JP2004/011327
申请日：2004-07-30
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹 , 藤平善久
发明人：矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹 , 藤平善久
IPC分类号： C23C18/40
CPC分类号： C23C18/40
摘要：　めっき膜の密着性を向上させるのに好適な無電解銅めっき液、また、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供する。無電解銅めっき液中に水溶性窒素含有ポリマーを含むことを特徴とする無電解銅めっき液であり、さらに前記無電解銅めっき液中に還元剤としてグリオキシル酸、及びホスフィン酸を含有することが好ましい。また、前記水溶性窒素含有ポリマーとしては、ポリアクリルアミドまたはポリエチレンイミンが好ましく、その重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上、かつＭｗ／Ｍｎが１０．０以下であることが好ましい。
摘要翻译：一种用于化学镀铜的电镀液，适用于提高沉积膜的粘附性，并可在低温下形成均匀的沉积物。用于无电镀铜的电镀液的特征在于在其中含有水溶性含氮聚合物。用于无电镀铜的电镀液优选还含有乙醛酸和次膦酸作为还原剂。水溶性含氮聚合物优选聚丙烯酰胺或聚乙烯亚胺，各自优选具有100,000或更高的重均分子量（Mw）和10.0或更低的Mw / Mn。

5. 发明申请

WO2004108986A1 無電解めっき方法及び金属めっき物审中-公开
标题翻译：电镀和金属制品的方法
公开(公告)号：WO2004108986A1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/JP2004/004674
申请日：2004-03-31
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 伊森徹 , 関口淳之輔 , 矢部淳司 , 藤平善久
发明人：伊森徹 , 関口淳之輔 , 矢部淳司 , 藤平善久
IPC分类号： C23C18/18
CPC分类号： C23C18/18 , C23C18/1865 , C23C18/1879 , C23C18/1882 , C23C18/1893 , C23C18/2033 , C23C18/2066 , C23C18/2086 , C23C18/30
摘要：　難めっき材へ密着力よく金属めっきする方法を提供することを目的とする。　本発明は、一分子中に金属補足能を持つ官能基を有するシランカップリング剤で被めっき材を表面処理し、１５０℃以上の高温で熱処理し、貴金属化合物を含む溶液で表面処理をし、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法である。又は、一分子中に金属補足能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物をあらかじめ混合もしくは反応させた液で被めっき材を表面処理し、１５０℃以上の高温で熱処理し、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法である。
摘要翻译：一种金属电镀方法，其特征在于，其包括使用具有在其分子中具有表现出捕获金属的能力的官能团的硅烷偶联剂使被镀物品进行表面处理，将所得物品以高温150℃以上，用含有贵金属化合物的溶液进行表面处理，进行无电镀; 以及一种金属电镀方法，其特征在于，它包括使用通过混合或反应其分子中具有表现出捕获能力的官能团的硅烷偶联剂获得的流体对待镀制品进行表面处理金属和贵金属化合物，并在150℃或更高的高温下处理所得制品，从而进行无电镀。上述方法允许对制品具有良好粘合性的金属电镀难以进行金属电镀。

6. 发明申请

WO2009078254A1 基板、及びその製造方法审中-公开
标题翻译：基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2009078254A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/071452
申请日：2008-11-26
申请人：日鉱金属株式会社 , 伊藤順一 , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：伊藤順一 , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/288 , C23C14/0036 , C23C14/165 , C23C18/1601 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , C23C18/54 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　高温加熱時におけるバリア性に優れる、バリア能と触媒能を有する銅拡散防止用バリア膜を有する基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。　基材上に、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、白金、金、銀、パラジウム等の無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素と、前記タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素との窒化物の形態で含有される窒素からなる銅拡散防止用バリア膜を有することを特徴とする基板。前記銅拡散防止用バリア膜は、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、前記無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素から選択した１種以上の金属元素とを含有するターゲットを用いて、窒素雰囲気中でスパッタリングすることにより製造される。
摘要翻译：公开了具有防止铜扩散的阻挡膜的基板，其具有阻挡能力和催化能力，同时在高温下加热时的阻隔性优异。还公开了一种用于制造这种基板的方法。具体公开了一种基材，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散的阻挡膜，其由选自钨，钼和铌的一种或多种金属元素，金，铂，金，银或钯等金属元素构成，具有化学镀的催化能力，以及选自钨，钼和铌中的一种或多种金属元素的氮化物形式的氮。用于防止铜扩散的阻挡膜是通过使用含有一种或多种选自钨，钼和铌的金属元素的靶和在选自具有催化能力的金属元素中的一种或多种金属元素在氮气气氛中进行溅射工艺来制造的用于化学镀。

7. 发明申请

WO2009078255A1 基板、及びその製造方法审中-公开
标题翻译：基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2009078255A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/071453
申请日：2008-11-26
申请人：日鉱金属株式会社 , 伊藤順一 , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：伊藤順一 , 矢部淳司 , 関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　高温加熱時におけるバリア性に優れる、バリア能と触媒能を有する銅拡散防止用バリア膜を有する基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。　基材上に、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、ルテニウム、ロジウム、及びイリジウム等の無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素と、前記タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素との窒化物の形態で含有される窒素からなる銅拡散防止用バリア膜を有することを特徴とする基板。前記銅拡散防止用バリア膜は、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、前記無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素から選択した１種以上の金属元素とを含有するターゲットを用いて、窒素雰囲気中でスパッタリングすることにより製造される。
摘要翻译：公开了具有防止铜扩散的阻挡膜的基板，其具有阻挡能力和催化能力，同时在高温下加热时的阻隔性优异。还公开了一种用于制造这种基板的方法。具体公开了一种基材，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散的阻挡膜，其由选自钨，钼和铌的一种或多种金属元素，诸如钌，铑或铱的金属元素组成，其具有化学镀的催化能力以及选自钨，钼和铌中的一种或多种金属元素的氮化物形式的氮。用于防止铜扩散的阻挡膜是通过使用含有一种或多种选自钨，钼和铌的金属元素的靶和在选自具有催化能力的金属元素中的一种或多种金属元素在氮气气氛中进行溅射工艺来制造的用于化学镀。

8. 发明申请

WO2004011437A1 新規イミダゾールアルコール化合物及びその製造方法並びにそれを用いる表面処理剤审中-公开
标题翻译：新咪唑醇化合物，其制造方法和包括其的表面处理剂
公开(公告)号：WO2004011437A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009072
申请日：2003-07-16
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 伊森徹 , 矢部淳司 , 関口淳之輔
发明人：伊森徹 , 矢部淳司 , 関口淳之輔
IPC分类号： C07D233/60
CPC分类号： C23F11/149 , C07D231/12 , C07D233/54 , C07D233/56 , C07D249/08 , Y10T428/31678
摘要： A novel imidazole alcohol compound which is strongly adsorbed onto the surface of metals, especially copper, aluminum, and steel products, and which has an excellent rust-preventive effect even in a thin film form; and a surface-treating agent comprising the compound. The novel imidazole alcohol compound, which has a rust-preventive effect, is represented by the following general formula (1): (1) wherein R , R , and R each represents hydrogen, vinyl, or C1-20 alkyl, provided that R and R in combination may form an aromatic ring; X represents hydrogen, C1-6 alkyl, or a substituent optionally containing nitrogen or oxygen; m is an integer of 0 to 20; and n is an integer of 1 to 3. The imidazole alcohol compound can be produced by reacting an imidazole compound with an epoxy alcohol compound.
摘要翻译：一种新颖的咪唑醇化合物，其强烈吸附在金属，特别是铜，铝和钢制品的表面上，即使在薄膜形式中也具有优异的防锈效果; 和包含该化合物的表面处理剂。具有防锈效果的新型咪唑醇化合物由以下通式（1）表示：（1）其中R 1，R 2和R 3各自表示氢，乙烯基，或C 1-20烷基，条件是R 2和R 3组合可以形成芳环; X表示氢，C 1-6烷基或任选含有氮或氧的取代基; m为0〜20的整数。 n为1〜3的整数。咪唑醇化合物可以通过使咪唑化合物与环氧醇化合物反应来制造。

9. 发明申请

WO2003091476A1 無電解めっき方法及び金属めっき層が形成された半導体ウエハー审中-公开
标题翻译：具有金属镀层的电解镀层和半导体晶片的方法
公开(公告)号：WO2003091476A1
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/JP2003/003707
申请日：2003-03-26
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 伊森徹 , 関口淳之輔 , 矢部淳司
发明人：伊森徹 , 関口淳之輔 , 矢部淳司
IPC分类号： C23C18/28
CPC分类号： H01L21/76874 , C23C18/1844 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L2221/1089
摘要： A method of electroless plating, which comprises applying a silane coupling agent having a functional group capable of capturing a metal, further applying a solution in an organic solvent of a palladium compound such as palladium chloride, and then performing an electroless plating. The method allows the preparation of a semiconductor wafer having an electroless plating layer which is thin, uniform and smooth, is formed with good adhesiveness, and further is suitable also as a seed layer. Specifically, a semiconductor wafer having a film thickness of 70 to 500 Å and an average surface roughness (Ra) of 10 to 100 Å can be prepared.
摘要翻译：一种无电解电镀方法，其包括使用具有能够捕获金属的官能团的硅烷偶联剂，进一步在钯化合物如氯化钯的有机溶剂中溶解，然后进行化学镀。该方法允许制备具有薄，均匀和光滑的化学镀层的半导体晶片，其具有良好的粘附性，并且还适合作为种子层。具体地说，可以制备膜厚为70〜500，平均表面粗糙度（Ra）为10〜100的半导体晶片。

10. 发明申请

WO2009116347A1 基材上にバリア兼シード層が形成された電子部材审中-公开
标题翻译：电子元件在基座上形成障碍物层
公开(公告)号：WO2009116347A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2009/052917
申请日：2009-02-19
申请人：日鉱金属株式会社 , 関口淳之輔 , 伊森徹
发明人：関口淳之輔 , 伊森徹
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , C25D7/12 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C14/185 , C25D7/123 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、より簡易な方法によりＵＬＳＩ微細銅配線を形成する技術を提供することを目的とする。　基材上に、ＵＬＳＩ微細銅配線のバリア兼シード層として使用するタングステンと貴金属との合金薄膜が形成された電子部材であって、該合金薄膜がタングステンを５０原子％以上、貴金属を５原子％以上５０原子％以下とする組成である電子部材。前記貴金属としては、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選ばれる１種または２種以上の金属が好ましい。
摘要翻译：公开了通过更简单的工艺形成ULSI精细铜线的技术。具体公开了一种电子部件，其中在基底上形成用作ULSI细铜布线的阻挡种子层的钨和贵金属的合金薄膜。电子部件的特征在于，该合金薄膜具有含有不低于50原子％的钨且不小于5原子％但不大于50原子％的贵金属的组成。贵金属优选由选自钌，铑和铱的一种或多种金属组成。

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