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1. 发明申请

WO2009012206A1 AMORPHOUS METAL-METALLOID ALLOY BARRIER LAYER FOR IC DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于IC器件的非晶金属 - 金属合金障碍层
公开(公告)号：WO2009012206A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/US2008/069943
申请日：2008-07-14
申请人： INTEL CORPORATION , PLOMBON, John J. , SIMKA, Harsono , LAVOIE, Adrien R. , DOMINGUEZ, Juan E.
发明人： PLOMBON, John J. , SIMKA, Harsono , LAVOIE, Adrien R. , DOMINGUEZ, Juan E.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28562 , H01L21/76828 , Y10T428/24545
摘要： A method for fabricating an amorphous metal-metalloid alloy layer for use in an IC device comprises providing a substrate in a reactor that includes a dielectric layer having a trench, pulsing a metal precursor into the reactor to deposit within the trench, wherein the metal precursor is selected from the group consisting of CpTa(CO) 4 , PDMAT, TBTDET, TaCl 5 , Cp 2 Co, Co-amidinates, Cp 2 Ru, Ru-diketonates, and Ru(CO) 4 , purging the reactor after the metal precursor pulse, pulsing a metalloid precursor into the reactor to react with the metal precursor and form an amorphous metal-metalloid alloy layer, wherein the metalloid precursor is selected from the group consisting of BH 3 , BCl 3 , catechol borane, AlMe 3 , methylpyrrolidinealane, AlCl 3 , SiH 4 , SiH 2 Cl 2 , SiCl 4 , tetraalkylsilanes, GeH 4 , GeH 2 Cl 2 , GeCl 4 , SnCl 4 , trialkylantimony, SbMe 3 , SbEt 3 , arsine, and trimethylarsine, purging the reactor after the metalloid precursor pulse, and annealing the amorphous metal-metalloid layer at a temperature between 50°C and 700°C for 5 to 1200 seconds.
摘要翻译：一种用于制造用于IC器件的非晶金属 - 准金属合金层的方法包括在反应器中提供衬底，该反应器包括具有沟槽的电介质层，将金属前体脉冲入反应器以沉积在沟槽内，其中金属前体选自CpTa（CO）4，PDMAT，TBTDET，TaCl5，Cp2Co，Co-脒基物，Cp2Ru，Ru-二酮酸酯和Ru（CO）4），在金属前体脉冲之后进行反应，脉冲准金属前体进入反应器以与金属前体反应并形成无定形金属 - 准金属合金层，其中准金属前体选自BH3，BCl3，儿茶酚硼烷，AlMe3，甲基吡咯烷烃，AlCl3，SiH4，SiH2Cl2，SiCl4，四烷基硅烷，GeH 4，GeH 2 Cl 2，GeCl 4，SnCl 4，三烷基锑，SbMe 3，SbEt 3，胂和三甲基胂，在准金属前体脉冲之后吹扫反应器，并在温度下降退火无定形金属 - 在50℃和700℃下烘5〜1200秒。

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