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21. 发明申请

WO2008071518A1 AMPLIFICATEUR LASER A CASCADES QUANTIQUES EQUIPE D'UN REVETEMENT ANTI-REFLECHISSANT COMPORTANT UNE STRATE REALISEE EN FLUORURE D'YTTRIUM 审中-公开
标题翻译：具有防反射涂层的数量级激光放大器，包括一层氟化物
公开(公告)号：WO2008071518A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/EP2007/062549
申请日：2007-11-20
申请人： ALPES LASERS S.A. , MAULINI, Richard , BLASER, Stéphane , FAIST, Jérôme
发明人： MAULINI, Richard , BLASER, Stéphane , FAIST, Jérôme
IPC分类号： G02B1/11 , H01S5/028
CPC分类号： G02B1/115 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/3401
摘要： L'invention concerne un amplificateur laser (12) à cascades quantiques qui comporte une zone active (20) qui est formée par un empilement de couches de matériaux semi-conducteurs crues de manière épitaxiale sur une couche d'un substrat (16) de phosphure d'indium (InP) ou d'arsenure de gallium (GaAs) qui porte la zone active (20), et un revêtement vertical anti-réfléchissant (34) qui recouvre une face de sortie (28) du rayonnement laser, constitué de matérieux d'indices de réfraction données et d'épaisseurs déterminées de manière à laisser passer la totalité du rayonnement laser à travers la face de sortie; le revêtement anti-réfléchissant (34) comportant une première strate (36) ayant un premier indice de réfraction (n 1 ) inférieur à l'indice de réfraction déterminé (n D ), et au moins une deuxième strate (38) ayant un deuxième indice de réfraction (n 2 ) supérieur à l'indice de réfraction déterminé (n D ), caractérisé en ce que la première strate (36) du revêtement anti-réfléchissant (34) est réalisée en fluorure d'yttrium (YF 3 ).
摘要翻译：本发明涉及一种定量级联激光放大器（12），其具有有源区（20），该有源区包括在铟磷化物（InP）或镓的衬底层（16）上以外延方式形成的半导体材料的原始层的叠层具有活性区（20）的砷化物（GaAs）和覆盖由具有给定折射率和预定厚度的材料制成的激光辐射的出口面（28）的垂直防反射涂层（34），使得整个激光辐射可以流过出口面。防反射涂层（34）包括具有低于预定折射率（n> D ）的第一预定折射率（n <1> 1）的第一层（36）以及至少第二层（38），其具有高于所述预定折射率（n> D ）的第二折射率（n≥2），其特征在于，所述第一层防反射涂层（34）的表面（36）由氟化钇（YF 3 3）制成。

22. 发明申请

WO2008015900A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008015900A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064004
申请日：2007-07-13
申请人：松下電器産業株式会社 , 安杖尚美 , 菅原岳 , 長谷川義晃 , 石橋明彦 , 横川俊哉
发明人：安杖尚美 , 菅原岳 , 長谷川義晃 , 石橋明彦 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2304/04
摘要：　本発明の半導体発光素子は、ｎ型不純物を含有し、炭化珪素または窒化物半導体から形成されたＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の主面上に配置された積層構造１０と、積層構造１０の上に形成されたｐ電極１７と、ＧａＮ基板１の裏面の全体を実質的に覆う第１のｎ電極１８と、第１のｎ電極１８の周辺部のうちの少なくとも一部を露出するように第１のｎ電極１８上に配置された第２のｎ電極２０とを含む。
摘要翻译：半导体发光元件包括含有n型杂质并由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN衬底（1）布置在所述GaN衬底（1）的主平面上的多层结构（10）; 形成在层叠结构（10）上的p电极（17）; 基本上覆盖GaN衬底（1）的整个后面的第一n电极（18）; 以及布置在第一n电极（18）上以暴露第一n电极（18）的至少一部分周边的第二n电极（20）。

23. 发明申请

WO2007022334A3 ACTIVE OPTICAL ANTENNA 审中-公开
标题翻译：主动光学天线
公开(公告)号：WO2007022334A3
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/US2006032086
申请日：2006-08-16
申请人： HARVARD COLLEGE , CAPASSO FEDERICO , CROZIER KEN , CUBUKCU ERTUGRUL , KORT ERIC , YU NANFANG , SMYTHE ELIZABETH
发明人： CAPASSO FEDERICO , CROZIER KEN , CUBUKCU ERTUGRUL , KORT ERIC , YU NANFANG , SMYTHE ELIZABETH
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S3/06791 , B82Y20/00 , G01N21/648 , G01N21/658 , G01N21/7703 , G01N2021/0346 , G02B6/262 , H01S3/067 , H01S5/028 , H01S5/0286 , H01S5/22 , H01S5/3401 , H01S2301/18
摘要： A new class of photonic devices called active optical antennas, which consist of metallic structures directly integrated on to the facet of a semiconductor lasers, and of instalments based on such antennas are disclosed The structures consist of metallic elements which function as antennas at optical wavelengths by spatially concentrating laser radiation of wavelength in the range from the UV to the mid- infrared into spots (with sizes in the range 10-100 nm) in the so called near field zone, that is at subwavelength distances from the facet Various antenna designs are considered depending on the laser under consideration and applications This invention has wide ranging applications such as new microscopes for high-resolution spatially resolved imaging and spectroscopy, new probes for biology, laser assisted processing and repair of devices, circuits and masks, as well new optical tweezers and phased array devices Microscopes and other systems based on this invention are discussed
摘要翻译：公开了一类称为有源光天线的新型光子器件，其由直接集成在半导体激光器的面上的金属结构和基于这样的天线的装置组成。这些结构由金属元件组成，其在光波长下作为天线在所谓的近场区域中，从UV到中红外范围的波长的空间聚焦激光辐射到点（尺寸在10-100nm范围内），即距离面的亚波长距离各种天线设计是根据所考虑的激光和应用考虑本发明具有广泛的应用，例如用于高分辨率空间分辨成像和光谱的新显微镜，用于生物学的新探针，激光辅助处理和器件修复，电路和掩模，以及新的光学镊子和相控阵器件展示了基于本发明的显微镜和其他系统

24. 发明申请

WO2006105259A3 SYSTEM AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR LASER SOURCES FOR DISPLAYS 审中-公开
标题翻译：用于驱动显示器的半导体激光源的系统和方法
公开(公告)号：WO2006105259A3
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/US2006011580
申请日：2006-03-30
申请人： NOVALUX INC , MOORADIAN ARAM , SHCHEGROV ANDREI V , WATSON JASON P
发明人： MOORADIAN ARAM , SHCHEGROV ANDREI V , WATSON JASON P
IPC分类号： G03B21/00
CPC分类号： G03B21/2033 , G03B21/204 , H01S3/08072 , H01S3/109 , H01S5/0224 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/141 , H01S5/18308 , H01S5/18388 , H01S5/423 , H04N9/3111 , H04N9/3129 , H04N9/315
摘要： A light engine includes a multi-color laser source having a set of semiconductor lasers. A controller synchronizes the operation of the laser source to operate in a color sequential order with a spatial modulator.
摘要翻译：光引擎包括具有一组半导体激光器的多色激光源。控制器使激光源的操作与空间调制器以彩色顺序的顺序同步。

25. 发明申请

WO2006015192A1 APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR JUNCTION ISOLATION OF ARRAYS OF SURFACE EMITTING LASERS 审中-公开
标题翻译：用于表面发射激光阵列的连接分离的装置，系统和方法
公开(公告)号：WO2006015192A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/US2005/026934
申请日：2005-07-29
申请人： NOVALUX, INC. , MOORADIAN, Aram , LEWIS, Alan , WATSON, Jason, P. , CANTOS, Brad , CAREY, Glen, P. , HITCHENS, William, R.
发明人： MOORADIAN, Aram , LEWIS, Alan , WATSON, Jason, P. , CANTOS, Brad , CAREY, Glen, P. , HITCHENS, William, R.
IPC分类号： H01S3/08
CPC分类号： H01S5/423 , G03B21/2033 , G03B21/208 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0261 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/18305 , H01S5/18394 , H01S5/4018 , H01S5/4087 , H04N9/3111 , H04N9/3129 , H04N9/315
摘要： An array (250) of surface emitting laser diodes has a series electrical (245) connection of laser diodes (255). Junction isolation is used to isolate laser diodes in the array (250).
摘要翻译：表面发射激光二极管的阵列（250）具有激光二极管（255）的串联电（245）连接。结隔离用于隔离阵列中的激光二极管（250）。

26. 发明申请

WO2006008269A1 SINGLE MODE LASER 审中-公开
标题翻译：单模激光
公开(公告)号：WO2006008269A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/EP2005/053392
申请日：2005-07-14
申请人： EBLANA PHOTONICS LTD. , PATCHELL, John , KELLY, Brian , O'GORMAN, James
发明人： PATCHELL, John , KELLY, Brian , O'GORMAN, James
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/028
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/028 , H01S5/0654 , H01S5/1228
摘要： A laser comprising a lasing cavity, having a lasing medium and primary optical feedback means in the form of a facet at either end of the cavity is described. The laser includes secondary optical feedback means in the form of one or more effective refractive index perturbaticns in the lasing cavity with at least one of the facets configured to preferentially reflects a specific wavelength or band of wavelengths. A method of manufacturing such a laser is also described as is a method of suppressing side modes in a lasing device.
摘要翻译：描述了包括激光腔的激光器，其具有激光介质和在腔的任一端处具有小面形式的主光学反馈装置。该激光器包括激光腔中的一个或多个有效折射率扰动形式的二次光学反馈装置，其中至少一个面被配置为优先反射特定的波长或波长带。制造这种激光器的方法也被描述为抑制激光装置中的侧面模式的方法。

27. 发明申请

WO2005107026A2 MULTI-LEVEL INTEGRATED PHOTONIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：多级集成光电器件
公开(公告)号：WO2005107026A2
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/US2005/012413
申请日：2005-04-14
申请人： BINOPTICS CORPORATION , BEHFAR, Alex, A. , GREEN, Malcolm, R. , SCHREMER, Alfred, T.
发明人： BEHFAR, Alex, A. , GREEN, Malcolm, R. , SCHREMER, Alfred, T.
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
摘要： A laser and electroabsorption modulator (EAM) are monolithically integrated through an etched facet process. Epitaxial layers on a wafer include a first layer for a laser structure and a second layer for an EAM structure. Strong optical coupling between the laser and the EAM is realized by using two 45-degree turning mirrors to route light vertically from the laser waveguide to the EAM waveguide. A directional angled etch process is used to form the two angled facets.
摘要翻译：激光和电吸收调制器（EAM）通过蚀刻小面工艺整体地集成。晶片上的外延层包括用于激光结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光与EAM之间的强光耦合通过使用两个45度的转向镜将光从激光波导垂直传播到EAM波导来实现。使用定向角蚀刻工艺来形成两个成角度的小平面。

28. 发明申请

WO2005055382A1 TILTED CAVITY SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：倾斜腔半导体光电器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005055382A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/EP2004/013570
申请日：2004-11-30
申请人： NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH , LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich
发明人： LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01L33/105 , H01S5/0028 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/06253 , H01S5/0654 , H01S5/1071 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/162 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/204 , H01S5/2231 , H01S5/50
摘要： A novel class of semiconductor light-emitting devices, or "tilted cavity light- emitting devices" is disclosed. The device includes at least one active element, generally placed, within a cavity, with an active region (505) generating an optical gain by injection of a current (513) and two mirrors (502, 506). The device generates optical modes (520) that propagate in directions, which are tilted with respect to both the p-n junction plane and the direction normal to this plane. A light-emitting diode is also disclosed, where the cavity and the mirrors are designed such that transmission of generated optical power within a certain spectral range and within a certain interval of angles to the substrate is minimized. Transmission of optical power within a certain spectral range, which corresponds to the emission range of the light-emitting active medium and within a certain interval of angles out of the device, is optimized to achieve a required output power level (523).
摘要翻译：公开了一类新颖的半导体发光器件或“倾斜腔发光器件”。该装置包括通常放置在空腔内的至少一个有源元件，有源区域（505）通过注入电流（513）和两个反射镜（502,506）产生光学增益。该装置产生在相对于p-n结平面和垂直于该平面的方向倾斜的方向上传播的光学模式（520）。还公开了一种发光二极管，其中空腔和反射镜被设计成使得在特定光谱范围内并且在与衬底的一定角度范围内的所产生的光功率的传输最小化。对与发光有源介质的发射范围相对应的特定光谱范围内的光功率的传输在设备外的一定角度范围内被优化以实现所需的输出功率电平（523）。

29. 发明申请

WO2005053124A1 分布帰還型半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザアレイ及び光モジュール审中-公开
标题翻译：分布式反馈半导体激光器，分布式反馈半导体激光阵列和光学模块
公开(公告)号：WO2005053124A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/JP2004/016838
申请日：2004-11-12
申请人：日本電気株式会社 , 工藤耕治 , 水谷健二 , 佐藤健二 , 加藤友章
发明人：工藤耕治 , 水谷健二 , 佐藤健二 , 加藤友章
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：　変調速度１０Ｇｂ／ｓを越える直接変調光源で（１）低閾値電流特性、（２）高単一モード特性、（３）高ｆｒ特性、（４）高温度特性、（５）広い波長域への対応が可能な、利得発生領域が極短い分布帰還型半導体レーザを提供する。　レーザ光の利得を発生させる利得発生領域３０と、利得発生領域３０の内部に形成された回折格子１３と、を備える分布帰還型半導体レーザ１である。利得発生領域３０を挟む前後２つの端面のうち前端面１ａの反射率は１％以下に設定されているとともに、後端面１ｂ側から前側を見た反射率は３０％以上に設定されている。回折格子１３の結合係数をκ、利得発生領域３０の長さをＬとすると、κは１００ｃｍ −１以上に、Ｌは１５０μｍ以下に、それぞれ設定されている。モード間利得差をΔα、閾値利得をｇth＝（内部損失αi＋ミラー損失αm）とすると、Δα／ｇthが１以上となるκとＬの組み合わせを用いる。
摘要翻译：作为具有（1）低阈值电流特性的调制速率超过10Gb / s的直接调制光源的分布反馈半导体激光器，（2）高单模特性，（3）高fr特性，（ 4）高温特性，（5）适应宽波段和非常短的增益产生区域。激光器（1）包括用于产生激光束的增益的增益产生区域（30）和形成在增益产生区域（30）中的衍射光栅（13）。在夹着增益产生区域（30）的两个前端面和后端表面之中，前端面（1a）的反射率为1％以下，后端面（1b）的反射率为30％以上当从后端面（1b）向前方观察时。衍射光栅（13）的耦合系数kapp为100cm -1以上，增益产生区域（30）的长度L为150μm以下。当Deltaalpha是模式之间的增益差异时，使用Deltaalpha / gth为1以上的kappa和L的组合，而gth =（内部损耗alphai +镜像损耗alpham）是阈值增益。

30. 发明申请

WO2004095086A3 CONFORMAL COATINGS FOR MICRO-OPTICAL ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：适用于微光元件的涂层
公开(公告)号：WO2004095086A3
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/US2004008762
申请日：2004-03-22
申请人： PLANAR SYSTEMS INC , MAULA JARMO ILMARI , TOERNQVIST RUNAR OLOF IVAR
发明人： MAULA JARMO ILMARI , TOERNQVIST RUNAR OLOF IVAR
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , G02B1/10 , H01S5/028 , B32B1/00 , C23C16/00 , C23C16/30
CPC分类号： G02B1/10 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , H01S5/028 , Y10T428/24612
摘要： A micro-optical element is produced through vapor deposition techniques, such as atomic layer deposition. An optical structure (90) having a surface with uneven structures is exposed one or more precursor vapors to create a self-limiting film growth on the surface of the optical structure. The film thickness may be increased and controlled by subsequent exposures. The resulting film (92) conforms to surface structures having varying complex dimensions.
摘要翻译：通过诸如原子层沉积的气相沉积技术制造微光学元件。具有不均匀结构的表面的光学结构（90）暴露一个或多个前体蒸气，以在光学结构的表面上产生自限制膜生长。可以通过随后的曝光来增加和控制膜厚度。所得膜（92）符合具有变化的复杂尺寸的表面结构。

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