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    • 1. 发明申请
    • AMPLIFICATEUR LASER A CASCADES QUANTIQUES EQUIPE D'UN REVETEMENT ANTI-REFLECHISSANT COMPORTANT UNE STRATE REALISEE EN FLUORURE D'YTTRIUM
    • 具有防反射涂层的数量级激光放大器,包括一层氟化物
    • WO2008071518A1
    • 2008-06-19
    • PCT/EP2007/062549
    • 2007-11-20
    • ALPES LASERS S.A.MAULINI, RichardBLASER, StéphaneFAIST, Jérôme
    • MAULINI, RichardBLASER, StéphaneFAIST, Jérôme
    • G02B1/11H01S5/028
    • G02B1/115B82Y20/00H01S5/028H01S5/3401
    • L'invention concerne un amplificateur laser (12) à cascades quantiques qui comporte une zone active (20) qui est formée par un empilement de couches de matériaux semi-conducteurs crues de manière épitaxiale sur une couche d'un substrat (16) de phosphure d'indium (InP) ou d'arsenure de gallium (GaAs) qui porte la zone active (20), et un revêtement vertical anti-réfléchissant (34) qui recouvre une face de sortie (28) du rayonnement laser, constitué de matérieux d'indices de réfraction données et d'épaisseurs déterminées de manière à laisser passer la totalité du rayonnement laser à travers la face de sortie; le revêtement anti-réfléchissant (34) comportant une première strate (36) ayant un premier indice de réfraction (n 1 ) inférieur à l'indice de réfraction déterminé (n D ), et au moins une deuxième strate (38) ayant un deuxième indice de réfraction (n 2 ) supérieur à l'indice de réfraction déterminé (n D ), caractérisé en ce que la première strate (36) du revêtement anti-réfléchissant (34) est réalisée en fluorure d'yttrium (YF 3 ).
    • 本发明涉及一种定量级联激光放大器(12),其具有有源区(20),该有源区包括在铟磷化物(InP)或镓的衬底层(16)上以外延方式形成的半导体材料的原始层的叠层 具有活性区(20)的砷化物(GaAs)和覆盖由具有给定折射率和预定厚度的材料制成的激光辐射的出口面(28)的垂直防反射涂层(34),使得整个激光 辐射可以流过出口面。 防反射涂层(34)包括具有低于预定折射率(n> D )的第一预定折射率(n <1> 1)的第一层(36) 以及至少第二层(38),其具有高于所述预定折射率(n> D )的第二折射率(n≥2),其特征在于,所述第一层 防反射涂层(34)的表面(36)由氟化钇(YF 3 3)制成。