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1. 发明专利

TWI609541B 半導體雷射裝置有权
简体标题：半导体激光设备
公开(公告)号：TWI609541B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW106113946
申请日：2017-04-26
申请人：聯亞光電工業股份有限公司 , LAND MARK OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：邱舒偉 , CHIU, SHU WEI , 馬英傑 , MA, YIN JIE , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/3211 , H01S5/164 , H01S5/20 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/222 , H01S5/227 , H01S5/32

2. 发明专利

TWI599131B 半導體雷射元件有权
简体标题：半导体激光组件
公开(公告)号：TWI599131B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW101124299
申请日：2012-07-05
申请人：日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
发明人：舛井真吾 , MASUI, SHINGO , 川田康博 , KAWATA, YASUHIRO , 藤本英之 , FUJIMOTO, HIDEYUKI , 道上敦生 , MICHIUE, ATSUO
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176

3. 发明专利

TWI586060B 光電半導體本體及光電元件有权
简体标题：光电半导体本体及光电组件
公开(公告)号：TWI586060B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101121027
申请日：2012-06-13
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN , 迪尼迪米崔 , DINI, DIMITRI , 皮仲卡伊尼斯 , PIETZONKA, INES
IPC分类号： H01S5/34 , H01L33/12
CPC分类号： H01S5/22 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/205

5. 发明专利

TWI426674B 光電組件及光電組件之製造方法失效
简体标题：光电组件及光电组件之制造方法
公开(公告)号：TWI426674B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW098103997
申请日：2009-02-09
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN , 艾克勒克里斯托夫 , EICHLER, CHRISTOPH , 史楚斯威 , STRAUSS, UWE , 哈勒韋克 , HAERLE, VOLKER
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/125 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/0424 , H01S5/12 , H01S5/18308 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI418106B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI418106B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW095100042
申请日：2006-01-02
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：蔵本恭介 , KYOSUKE KURAMOTO
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/34333

7. 发明专利

TWI416602B 氮化物半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：氮化物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI416602B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW097141563
申请日：2008-10-29
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：塩沢勝臣 , KATSUOMI SHIOZAWA , 金本恭三 , KYOZO KANAMOTO , 黑川博志 , HIROSHI KUROKAWA , 德田安紀 , YASUNORI TOKUDA , 蔵本恭介 , KYOSUKE KURAMOTO , 佐久間仁 , HITOSHI SAKUMA
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI383554B 半導體雷射元件及其製造方法有权
简体标题：半导体激光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI383554B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW096147677
申请日：2007-12-13
申请人：日本奧蘭若股份有限公司 , OCLARO JAPAN, INC.
发明人：川中敏 , KAWANAKA, SATOSHI , 中村厚 , NAKAMURA, ATSUSHI , 萩元將人 , HAGIMOTO, MASATO , 原英樹 , HARA, HIDEKI , 山本昌克 , YAMAMOTO, MASAKATSU
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34326 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S2301/18

9. 发明专利

TWI379479B 具有奈米圖案的雷射二極體及其製造方法 LASER DIODE HAVING NANO PATTERNS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有奈米图案的激光二极管及其制造方法 LASER DIODE HAVING NANO PATTERNS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI379479B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW097128686
申请日：2008-07-29
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , 德島大學
发明人：酒井士郎
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/12 , H01S5/34333 , Y10S977/72
摘要：一種具有奈米圖案的雷射二極體。此雷射二極體具有一基板。第一導電類型覆層設置於基板上，且第二導電類型覆層設置於第一導電類型覆層上。主動層介於第一和第二導電類型覆層之間。柱形奈米圖案週期性地配置於第二導電類型覆層的表面上。因此，提供了一種用於波長為重要參數的應用中的雷射二極體，例如分佈式回授雷射二極體。
简体摘要：一种具有奈米图案的激光二极管。此激光二极管具有一基板。第一导电类型覆层设置于基板上，且第二导电类型覆层设置于第一导电类型覆层上。主动层介于第一和第二导电类型覆层之间。柱形奈米图案周期性地配置于第二导电类型覆层的表面上。因此，提供了一种用于波长为重要参数的应用中的激光二极管，例如分布式回授激光二极管。

10. 发明专利

TWI373182B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI373182B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW096136740
申请日：2007-10-01
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 川崎和重
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：〔課題〕穩定地在導波管肋狀物之上表面防止半導體層與電極層之接觸面積的減少，防止位於此半導體層蝕刻損傷。
〔解決手段〕在半導體層之上疊積金屬覆蓋層75而形成導波管肋狀物40，並以SiO2膜78覆蓋之且塗布光阻後，導波管肋狀物40頂部之SiO2膜78之表面外露，且形成利用光阻膜而埋設通道38之SiO2膜78的光阻圖案82，其中此光阻膜具有較導波管肋狀物40之金屬覆蓋層75表面高且較導波管肋狀物40之SiO2膜78表面低的表面。之後，以光阻圖案82為硬罩幕並藉由蝕刻而將SiO2膜78除去，而且，藉由濕蝕刻而將金屬覆蓋層75除去，並使導波管肋狀物40之p-GaN層74表面外露而形成電極層46。
简体摘要：〔课题〕稳定地在导波管肋状物之上表面防止半导体层与电极层之接触面积的减少，防止位于此半导体层蚀刻损伤。〔解决手段〕在半导体层之上叠积金属覆盖层75而形成导波管肋状物40，并以SiO2膜78覆盖之且涂布光阻后，导波管肋状物40顶部之SiO2膜78之表面外露，且形成利用光阻膜而埋设信道38之SiO2膜78的光阻图案82，其中此光阻膜具有较导波管肋状物40之金属覆盖层75表面高且较导波管肋状物40之SiO2膜78表面低的表面。之后，以光阻图案82为硬罩幕并借由蚀刻而将SiO2膜78除去，而且，借由湿蚀刻而将金属覆盖层75除去，并使导波管肋状物40之p-GaN层74表面外露而形成电极层46。

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