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1. 发明专利

TW201318292A 氮化物半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TW201318292A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101136387
申请日：2012-10-02
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：京野孝史 , KYONO, TAKASHI , 鹽谷陽平 , ENYA, YOHEI , 上野昌紀 , UENO, MASAKI , 梁島克典 , YANASHIMA, KATSUNORI , 田才邦彥 , TASAI, KUNIHIKO , 中島博 , NAKAJIMA, HIROSHI , 風田川統之 , FUTAGAWA, NORIYUKI
IPC分类号： H01S5/22 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
摘要：本發明可提供一種具有可減少來自半導體隆脊之載子之橫向擴散之構造的氮化物半導體發光元件。{20-21}面上之半導體雷射係藉由該異質接面而於電洞帶上生成二維電洞氣。於生成二維電洞氣之異質接面自半導體隆脊位置偏離時，該二維電洞氣係於p側之半導體區域內引起載子之橫向擴散。另一方面，c面上之半導體雷射係不會藉由該異質接面而於電洞帶上生成二維電洞氣。於異質接面HJ包含於半導體隆脊時，在自半導體隆脊流出之載子中，不存在因二維電洞氣之作用引起之橫向擴散。
简体摘要：本发明可提供一种具有可减少来自半导体隆嵴之载子之横向扩散之构造的氮化物半导体发光组件。{20-21}面上之半导体激光系借由该异质接面而于电洞带上生成二维电洞气。于生成二维电洞气之异质接面自半导体隆嵴位置偏离时，该二维电洞气系于p侧之半导体区域内引起载子之横向扩散。另一方面，c面上之半导体激光系不会借由该异质接面而于电洞带上生成二维电洞气。于异质接面HJ包含于半导体隆嵴时，在自半导体隆嵴流出之载子中，不存在因二维电洞气之作用引起之横向扩散。

2. 发明专利

TW201314945A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201314945A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130546
申请日：2012-08-22
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：倉本大 , KURAMOTO, MASARU , 幸田倫太郎 , KODA, RINTARO , 渡邊秀輝 , WATANABE, HIDEKI
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/141 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/209 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/309 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要：本發明係提供一種可出射具有單一模式之光束之高輸出之發光元件。該發光元件具備：積層結構體20，其係於基體20'上依序積層有第1化合物半導體層21、活性層23及第2化合物半導體層22而成；第2電極32；以及第1電極31。第1化合物半導體層21係自基體側具有第1包覆層121A及第1光導層121B之積層結構，積層結構體係具有包含第2化合物半導體層22、活性層23、及第1光導層之厚度方向之一部分121B'之脊狀條紋結構20A。於第1光導層121B之厚度設為t1，構成脊狀條紋結構20A之第1光導層之部分121B之厚度設為t1'時，滿足6×10-7 m
简体摘要：本发明系提供一种可出射具有单一模式之光束之高输出之发光组件。该发光组件具备：积层结构体20，其系于基体20'上依序积层有第1化合物半导体层21、活性层23及第2化合物半导体层22而成；第2电极32；以及第1电极31。第1化合物半导体层21系自基体侧具有第1包覆层121A及第1光导层121B之积层结构，积层结构体系具有包含第2化合物半导体层22、活性层23、及第1光导层之厚度方向之一部分121B'之嵴状条纹结构20A。于第1光导层121B之厚度设为t1，构成嵴状条纹结构20A之第1光导层之部分121B之厚度设为t1'时，满足6×10-7 m

3. 发明专利

TW201306307A ＩＩＩ族氮化物半導體發光元件、及ＩＩＩ族氮化物半導體發光元件之製作方法审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族氮化物半导体发光组件、及ＩＩＩ族氮化物半导体发光组件之制作方法
公开(公告)号：TW201306307A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101116536
申请日：2012-05-09
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：米村卓巳 , YONEMURA, TAKUMI , 京野孝史 , KYONO, TAKASHI , 鹽谷陽平 , ENYA, YOHEI
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0035 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要：本發明提供一種順向電壓降低之III族氮化物半導體雷射元件。p型包覆層中，係以p型包覆層中之p型摻雜劑之濃度大於n型雜質之濃度之方式而含有p型摻雜劑及n型雜質。由使用有較p型包覆層之帶隙更大之激發光之測定而獲得的光致發光(PL)光譜具有頻帶端發光及施體受體對發光之波峰。該PL光譜之頻帶端發光峰值之能量E(BAND)與該PL光譜之施體受體對發光峰值之能量E(DAP)之差(E(BAND)-E(DAP))係與該III族氮化物半導體雷射元件11之順向驅動電壓(Vf)相關。當該能量差(E(BAND)-E(DAP))為0.42 eV以下時，III族氮化物半導體發光元件之順向電壓施加時之驅動電壓降低。
简体摘要：本发明提供一种顺向电压降低之III族氮化物半导体激光组件。p型包覆层中，系以p型包覆层中之p型掺杂剂之浓度大于n型杂质之浓度之方式而含有p型掺杂剂及n型杂质。由使用有较p型包覆层之带隙更大之激发光之测定而获得的光致发光(PL)光谱具有频带端发光及施体受体对发光之波峰。该PL光谱之频带端发光峰值之能量E(BAND)与该PL光谱之施体受体对发光峰值之能量E(DAP)之差(E(BAND)-E(DAP))系与该III族氮化物半导体激光组件11之顺向驱动电压(Vf)相关。当该能量差(E(BAND)-E(DAP))为0.42 eV以下时，III族氮化物半导体发光组件之顺向电压施加时之驱动电压降低。

4. 发明专利

TW201301698A 氮化鎵系半導體雷射元件及氮化鎵系半導體雷射元件之製造方法审中-公开
简体标题：氮化镓系半导体激光组件及氮化镓系半导体激光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201301698A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101113842
申请日：2012-04-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：熊野哲彌 , KUMANO, TETSUYA , 上野昌紀 , UENO, MASAKI , 京野孝史 , KYONO, TAKASHI , 鹽谷陽平 , ENYA, YOHEI , 梁島克典 , YANASHIMA, KATSUNORI , 田才邦彥 , TASAI, KUNIHIKO , 中島博 , NAKAJIMA, HIROSHI
IPC分类号： H01S5/22 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S2304/04
摘要：本發明提供一種閾值電流得以降低之氮化鎵系半導體雷射元件及氮化鎵系半導體雷射元件之製造方法。上述氮化鎵系半導體雷射元件包括n型包覆層15b、n側光導層29、活性層27、p側光導層31及p型包覆層23，活性層27之振盪波長為400 nm以上且550 nm以下，n型包覆層15b為InxAlyGa1-x-yN(0
简体摘要：本发明提供一种阈值电流得以降低之氮化镓系半导体激光组件及氮化镓系半导体激光组件之制造方法。上述氮化镓系半导体激光组件包括n型包覆层15b、n侧光导层29、活性层27、p侧光导层31及p型包覆层23，活性层27之振荡波长为400 nm以上且550 nm以下，n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0

5. 发明专利

TW201205863A 用於基於半極性平面三族氮化物半導體之發光二極體及雷射二極體之氮化鋁鎵障壁及分離侷限式異構（ＳＣＨ）層 ALUMINUM GALLIUM NITRIDE BARRIERS AND SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE (SCH) LAYERS FOR SEMIPOLAR PLANE III-NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED LIGHT EMITTING DIODES AND LASER DIODES 审中-公开
简体标题：用于基于半极性平面三族氮化物半导体之发光二极管及激光二极管之氮化铝镓障壁及分离局限式异构（ＳＣＨ）层 ALUMINUM GALLIUM NITRIDE BARRIERS AND SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE (SCH) LAYERS FOR SEMIPOLAR PLANE III-NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED LIGHT EMITTING DIODES AND LASER DIODES
公开(公告)号：TW201205863A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100111936
申请日：2011-04-06
申请人：美國加利福尼亞大學董事會
发明人：林佑達 , 太田裕朗 , 中村修二 , 丹包爾斯史蒂芬P , 史佩克詹姆士S
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01S2304/04
摘要：本發明係關於基於半極性平面三族氮化物半導體之雷射二極體或發光二極體,其包含半極性含銦發光多量子井且具有含鋁量子井障壁,其中該含銦多量子井及含鋁障壁係在半極性平面上以半極性定向生長。
简体摘要：本发明系关于基于半极性平面三族氮化物半导体之激光二极管或发光二极管,其包含半极性含铟发光多量子井且具有含铝量子井障壁,其中该含铟多量子井及含铝障壁系在半极性平面上以半极性定向生长。

6. 发明专利

TW201112550A 半導體雷射裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 失效
简体标题：半导体激光设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
公开(公告)号：TW201112550A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099108313
申请日：2010-03-22
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：史屈格里斯馬克 , 雷爾阿佛列 , 迪尼迪米崔 , 艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , 艾克勒克里斯托夫 , 夸倫迪西瑞 , 勒莫特瑞沙
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要：一種半導體雷射裝置(1),包括:第一區(2);第二區,其具有一平坦區(4f)和一由該平坦區突出的突出區(4g);以及活性區(3),其配置在該第一區(2)和該第二區之間,其中覆蓋層(5,5a,5b)包含一種半導體材料或透明的導電氧化物,且至少以區域方式直接配置在該突出區(4g)上以及在橫向中由該突出區(4g)突出。
简体摘要：一种半导体激光设备(1),包括:第一区(2);第二区,其具有一平坦区(4f)和一由该平坦区突出的突出区(4g);以及活性区(3),其配置在该第一区(2)和该第二区之间,其中覆盖层(5,5a,5b)包含一种半导体材料或透明的导电氧化物,且至少以区域方式直接配置在该突出区(4g)上以及在横向中由该突出区(4g)突出。

7. 发明专利

TW200929622A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200929622A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097141337
申请日：2008-10-28
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大塚健一 KENICHI OHTSUKA , 樽井陽一郎 YOICHIRO TARUI , 鈴木洋介 YOSUKE SUZUKI , 勝臣 KATSUOMI SHIOZAWA , 金本恭三 KYOZO KANAMOTO , 大石敏之 TOSHIYUKI OISHI , 德田安紀 YASUNORI TOKUDA , 大森達夫 TATSUO OMORI
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
摘要：【課題】本發明係為能夠得到不會招致裝置性能惡化,並且可以達到長期穩定動作之具有氮化鎵系半導體構造的半導體裝置之製造方法。【解決手段】本發明係在脊部的表面上以外形成絕緣膜8後,藉由供給O2、O3、NO、N2O、NO2等含氧氣體,從表面氧化p型GaN接觸層7,在p型GaN接觸層7的表面形成氧化膜9。接著,在氧化膜9及絕緣膜8上利用蒸鍍或濺鍍形成取得對p型GaN接觸層7的接觸之p型電極10。其後,藉由在氮、NH3等含氮氣體或Ar、He等鈍性氣體中,利用400-700℃進行熱處理。
简体摘要：【课题】本发明系为能够得到不会招致设备性能恶化,并且可以达到长期稳定动作之具有氮化镓系半导体构造的半导体设备之制造方法。【解决手段】本发明系在嵴部的表面上以外形成绝缘膜8后,借由供给O2、O3、NO、N2O、NO2等含氧气体,从表面氧化p型GaN接触层7,在p型GaN接触层7的表面形成氧化膜9。接着,在氧化膜9及绝缘膜8上利用蒸镀或溅镀形成取得对p型GaN接触层7的接触之p型电极10。其后,借由在氮、NH3等含氮气体或Ar、He等钝性气体中,利用400-700℃进行热处理。

8. 发明专利

TW200824205A 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TW200824205A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096123034
申请日：2007-06-26
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：志賀俊彥 TOSHIHIKO SHIGA , 佐久間仁 HITOSHI SAKUMA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要： [課題]提供能安定地在導波路瘠上表面,防止半導體層與電極層間之接觸面積減少,且良率高的製造方法。[解決手段]本發明的LD10之製造方法,係在已積層著半導體層的晶圓上形成導波路瘠40,並在晶圓整面上形成SiO2膜78,形成使在導波路瘠40頂部上所形成的SiO2膜78表面裸露出,且導波路瘠40所鄰接通道38的SiO2膜78,利用具有表面較高於導波路瘠40的p-GaN層74表面,且較低於導波路瘠40頂部上的SiO2膜78表面之光阻膜,進行埋設的第2光阻圖案82,以第2光阻圖案82為遮罩,將SiO2膜78去除,使導波路瘠40的p-GaN層74表面裸露出,並在其上面形成電極層46。
简体摘要： [课题]提供能安定地在导波路瘠上表面,防止半导体层与电极层间之接触面积减少,且良率高的制造方法。[解决手段]本发明的LD10之制造方法,系在已积层着半导体层的晶圆上形成导波路瘠40,并在晶圆整面上形成SiO2膜78,形成使在导波路瘠40顶部上所形成的SiO2膜78表面裸露出,且导波路瘠40所邻接信道38的SiO2膜78,利用具有表面较高于导波路瘠40的p-GaN层74表面,且较低于导波路瘠40顶部上的SiO2膜78表面之光阻膜,进行埋设的第2光阻图案82,以第2光阻图案82为遮罩,将SiO2膜78去除,使导波路瘠40的p-GaN层74表面裸露出,并在其上面形成电极层46。

9. 发明专利

TW200822480A 半導體發光元件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES 审中-公开
简体标题：半导体发光组件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200822480A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096133228
申请日：2007-09-06
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大野彰仁 AKIHITO OHNO , 竹見政義 MASAYOSHI TAKEMI , 田信之 NOBUYUKI TOMITA
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01S5/0021 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3077 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： [課題]提供初期劣化率小且長壽命之半導體發光元件。[解決手段]半導體雷射元件101,係具有夾在n型包層104與p型包層109之間之活性層106。p型包層109係包含鎂作為雜質,在活性層106與p型包層109之間,設有以InxAlyGa1-x-yN(x≧0,y≧0,x+y
简体摘要： [课题]提供初期劣化率小且长寿命之半导体发光组件。[解决手段]半导体激光组件101,系具有夹在n型包层104与p型包层109之间之活性层106。p型包层109系包含镁作为杂质,在活性层106与p型包层109之间,设有以InxAlyGa1-x-yN(x≧0,y≧0,x+y<1)来表示之n型扩散防止层107。在n型扩散防止层107中n型杂质之掺杂浓度为5�1017cm-3以上5�1019cm-3以下为佳。

10. 发明专利

TW538443B 氮化鎵系之化合物半導體發光裝置失效
简体标题：氮化镓系之化合物半导体发光设备
公开(公告)号：TW538443B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW086112511
申请日：1997-09-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：小野村正明 , 板谷和彥 , 波多腰玄一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3063 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要：一種具有高可靠度之氮化鎵系之化合物半導體發光裝置，可以一低閥值電流與一低工作電壓來操作而不會發生變質。此裝置包括一P型半導體構造，具有高載體濃度，且係可易於形成一低電阻P側電極，並可高效率地將載體植至一活性層者。一有鎂添加於其上的P電極接觸層用來作為一P型半導體層。至少一Gax2Iny2Alz2N(x2＋y2＋z2＝1，0≦x2，z2≦1，0≦ y2≦1)平滑層形成在活性層上而非P型接觸層上。於 P型接觸層上形成一依序具有一Pt層、一含有TiN之 Ti層與一Ti層之層狀構造。一由Pt一半導體形成之合金形成於P型接觸層與Pt層之間。
简体摘要：一种具有高可靠度之氮化镓系之化合物半导体发光设备，可以一低阀值电流与一低工作电压来操作而不会发生变质。此设备包括一P型半导体构造，具有高载体浓度，且系可易于形成一低电阻P侧电极，并可高效率地将载体植至一活性层者。一有镁添加于其上的P电极接触层用来作为一P型半导体层。至少一Gax2Iny2Alz2N(x2＋y2＋z2＝1，0≦x2，z2≦1，0≦ y2≦1)平滑层形成在活性层上而非P型接触层上。于 P型接触层上形成一依序具有一Pt层、一含有TiN之 Ti层与一Ti层之层状构造。一由Pt一半导体形成之合金形成于P型接触层与Pt层之间。

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