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1. 发明专利

TW201808505A 雷射加工方法以及一種利用多區段聚焦透鏡切割或裁切晶圓之系統审中-公开
简体标题：激光加工方法以及一种利用多区段聚焦透镜切割或裁切晶圆之系统
公开(公告)号：TW201808505A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106119212
申请日：2017-06-09
申请人：艾維納科技有限責任公司 , EVANA TECHNOLOGIES, UAB
发明人：瓦那加斯艾基迪宙斯 , VANAGAS, EGIDIJUS , 金巴拉斯迪基加斯 , KIMBARAS, DZIUGAS , 巴希爾維西斯卡洛利斯季維納斯 , BAZILEVICIUS, KAROLIS ZILVINAS
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/08 , B23K26/402 , B23K26/53 , H01S5/02
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/0057 , B23K26/0624 , B23K26/0648 , B23K26/0738 , B23K26/53 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01S5/0202
摘要：本發明提供一種用於切割/刻劃/劈裂/裁切之雷射加工方法，即分離厚脆材質之硬質晶圓或玻璃板，其可單為板材或其上具有微電子或微機電裝置。該方法包含調變脈衝雷射光束之步驟，該步驟包含使用具多區段透鏡之整型及聚焦元件；該多區段透鏡產生複數個光束收斂區，更具體地說，為複數個焦點，呈干涉的尖峰形焦點強度分布高該工件材質之光學破壞閾值；呈干涉的尖峰形強度分布位於該工件內部。在前述步驟將產生一改變區。該雷射加工方法進一步包含藉由相對於該雷射光束焦點相對平移該工件，在一預定之破裂線或以曲型軌跡產生多個該破壞結構。
简体摘要：本发明提供一种用于切割/刻划/噼裂/裁切之激光加工方法，即分离厚脆材质之硬质晶圆或玻璃板，其可单为板材或其上具有微电子或微机电设备。该方法包含调制脉冲激光光束之步骤，该步骤包含使用具多区段透镜之整型及聚焦组件；该多区段透镜产生复数个光束收敛区，更具体地说，为复数个焦点，呈干涉的尖峰形焦点强度分布高该工件材质之光学破坏阈值；呈干涉的尖峰形强度分布位于该工件内部。在前述步骤将产生一改变区。该激光加工方法进一步包含借由相对于该激光光束焦点相对平移该工件，在一预定之破裂线或以曲型轨迹产生多个该破坏结构。

2. 发明专利

TW201246737A 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件及第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之製造方法审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件及第ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201246737A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101102619
申请日：2012-01-20
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , 新力股份有限公司
发明人：京野孝史 , 高木慎平 , 住友隆道 , 善積祐介 , 鹽谷陽平 , 上野昌紀 , 簗島克典
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/3202
摘要：本發明係提供一種可改善振盪良率之結構之第III族氮化物半導體雷射元件。於第1及第2割斷面27、29各自之中呈現有支持基體17之端面17c及半導體區域19之端面19c。雷射結構體13係包括第1及第2面13a、13b,第1面13a為第2面13b之相反側之面。第1及第2割斷面27、29係分別自第1面13a之邊緣延伸至第2面13b之邊緣為止。半導體區域19係包含InGaN層24。半導體區域19可包含InGaN層24。割斷面29係包括設置於InGaN層24之端面24a的階差26。階差26係於自該第III族氮化物半導體雷射元件11之一側面22a朝向另一側面22b之方向上延伸。階差26於割斷面27、29上可形成於InGaN層24之端面24a之一部分或整面上。
简体摘要：本发明系提供一种可改善振荡良率之结构之第III族氮化物半导体激光组件。于第1及第2割断面27、29各自之中呈现有支持基体17之端面17c及半导体区域19之端面19c。激光结构体13系包括第1及第2面13a、13b,第1面13a为第2面13b之相反侧之面。第1及第2割断面27、29系分别自第1面13a之边缘延伸至第2面13b之边缘为止。半导体区域19系包含InGaN层24。半导体区域19可包含InGaN层24。割断面29系包括设置于InGaN层24之端面24a的阶差26。阶差26系于自该第III族氮化物半导体激光组件11之一侧面22a朝向另一侧面22b之方向上延伸。阶差26于割断面27、29上可形成于InGaN层24之端面24a之一部分或整面上。

3. 发明专利

TW201140974A ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件及製作ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件及制作ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件之方法
公开(公告)号：TW201140974A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099140581
申请日：2010-11-24
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：高木慎平 , 善積祐介 , 片山浩二 , 上野昌紀 , 池上隆俊
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
摘要：本發明提供一種III族氮化物半導體雷射元件，其係於六方晶系III族氮化物之c軸向m軸之方向傾斜的支持基體之半極性面上，具有表現出用於諧振鏡之高品質且可實現低閾值電流的雷射諧振器。成為雷射諧振器之割斷面27、29與m-n面交叉。III族氮化物半導體雷射元件11具有延伸於m-n面與半極性面17a之交叉線方向的雷射波導。因此，可利用能實現低閾值電流之能帶躍遷的發光。割斷面27、29自第1面13a之邊緣13c延伸至第2面13b之邊緣13d。割斷面27、29係藉由在支持基體背面具有刻劃痕、以及來自磊晶面之擠壓而形成。割斷面27、29並非藉由乾式蝕刻而形成，與c面、m面或者a面等目前為止之解理面不同。
简体摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体激光组件，其系于六方晶系III族氮化物之c轴向m轴之方向倾斜的支持基体之半极性面上，具有表现出用于谐振镜之高品质且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器之割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光组件11具有延伸于m-n面与半极性面17a之交叉线方向的激光波导。因此，可利用能实现低阈值电流之能带跃迁的发光。割断面27、29自第1面13a之边缘13c延伸至第2面13b之边缘13d。割断面27、29系借由在支持基体背面具有刻划痕、以及来自磊晶面之挤压而形成。割断面27、29并非借由干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止之解理面不同。

4. 发明专利

TW201134037A 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件及第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之製作方法审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件及第ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件之制作方法
公开(公告)号：TW201134037A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099133405
申请日：2010-09-30
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：善積祐介 , 鹽谷陽平 , 京野孝史 , 足立真寬 , 德山慎司 , 住友隆道 , 上野昌紀 , 池上隆俊 , 片山浩二 , 中村孝夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
摘要：本發明提供一種對於COD具有較大耐性之第III族氮化物半導體雷射元件。第III族氮化物半導體雷射元件11具有於m-n面與半極性面17a之交叉線的方向延伸之雷射波導路。於雷射波導路之兩端,設有成為雷射諧振器之第1及第2端面26、28。第1及第2端面26、28與m-n面(或a-n面)交叉。c+軸向量與波導路向量WV成銳角。該波導路向量WV係與自第2端面28朝向第1端面26之方向對應。第1端面(C+側)26上之第1介電體多層膜43a之厚度比第2端面(C-側)28上之第2介電體多層膜43b之厚度更薄。
简体摘要：本发明提供一种对于COD具有较大耐性之第III族氮化物半导体激光组件。第III族氮化物半导体激光组件11具有于m-n面与半极性面17a之交叉线的方向延伸之激光波导路。于激光波导路之两端,设有成为激光谐振器之第1及第2端面26、28。第1及第2端面26、28与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴矢量与波导路矢量WV成锐角。该波导路矢量WV系与自第2端面28朝向第1端面26之方向对应。第1端面(C+侧)26上之第1介电体多层膜43a之厚度比第2端面(C-侧)28上之第2介电体多层膜43b之厚度更薄。

5. 发明专利

TW201109488A 第ＩＩＩ族氮化物結晶基板、附磊晶層之第ＩＩＩ族氮化物結晶基板、以及半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物结晶基板、附磊晶层之第ＩＩＩ族氮化物结晶基板、以及半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201109488A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099102753
申请日：2010-01-29
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：石橋惠二 , 善積祐介
IPC分类号： C30B , H01L , G01N
CPC分类号： C30B33/04 , B82Y20/00 , C30B29/403 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：本發明之第III族氮化物結晶基板於由不僅滿足第III族氮化物結晶基板(1)之任意之特定平行晶格面之X射線繞射條件,而且使來自結晶基板之主表面(1s)之X射線穿透深度(X-ray penetration depth)變化的X射線繞射測定而獲得之特定平行晶格面之面間隔中,以由0.3��m之X射線穿透深度之面間隔d1與5��m之X射線穿透深度之面間隔d2而獲得之|d1-d2|/d2之値所表示的結晶基板之表面層之均勻應變為1.9�10-3以下,主表面(1s)之面方位自結晶基板之(0001)面或(000-1)面(1c)朝方向傾斜10�以上且80�以下。藉此,提供一種適合於製造發光之藍移得到抑制之發光裝置的第III族氮化物結晶基板、附磊晶層之第III族氮化物結晶基板、以及半導體裝置及其製造方法。
简体摘要：本发明之第III族氮化物结晶基板于由不仅满足第III族氮化物结晶基板(1)之任意之特定平行晶格面之X射线绕射条件,而且使来自结晶基板之主表面(1s)之X射线穿透深度(X-ray penetration depth)变化的X射线绕射测定而获得之特定平行晶格面之面间隔中,以由0.3��m之X射线穿透深度之面间隔d1与5��m之X射线穿透深度之面间隔d2而获得之|d1-d2|/d2之値所表示的结晶基板之表面层之均匀应变为1.9�10-3以下,主表面(1s)之面方位自结晶基板之(0001)面或(000-1)面(1c)朝<10-10>方向倾斜10�以上且80�以下。借此,提供一种适合于制造发光之蓝移得到抑制之发光设备的第III族氮化物结晶基板、附磊晶层之第III族氮化物结晶基板、以及半导体设备及其制造方法。

6. 发明专利

TW200849753A 半導體雷射元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND ITS FABRICATION PROCESS 审中-公开
简体标题：半导体激光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND ITS FABRICATION PROCESS
公开(公告)号：TW200849753A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096147677
申请日：2007-12-13
申请人：日本光進股份有限公司 OPNEXT JAPAN, INC.
发明人：川中敏 KAWANAKA, SATOSHI , 中村厚 NAKAMURA, ATSUSHI , 萩元將人 HAGIMOTO, MASATO , 原英樹 HARA, HIDEKI , 山本昌克 YAMAMOTO, MASAKATSU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/34326 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要：本發明之課題在於提供驅動電流很小且投影像無紊亂之半導體雷射元件。本發明之解決手段為半導體雷射係具有:n-GaAs基板、n-GaAs基板2上面依序層積n-鍍層、活性層、p-鍍層、p-接觸層之多層成長層、由p-接觸層之上面起至p-鍍層之特定深度為止選擇性除去而形成之脊(ridge)、重疊形成於n-GaAs基板的上面側,設於由脊之側面至n-GaAs基板之周緣的部分的絕緣膜、重疊於脊的p-接觸層之被形成於絕緣膜上的p型電極、及被形成於n-GaAs基板下面的n型電極,係n-GaAs基板對活性層之發光波長的光具有成為吸收層的禁制帶寬幅之構成,於成為前方射出面的端面側,從沿著端面而且從脊之側緣起隔著特定距離之p-鍍層部分至活性層的側緣之位置為止設有從p-鍍層起超過活性層的深度之溝,溝係以前述絕緣膜覆蓋的構造。
简体摘要：本发明之课题在于提供驱动电流很小且投影像无紊乱之半导体激光组件。本发明之解决手段为半导体激光系具有:n-GaAs基板、n-GaAs基板2上面依序层积n-镀层、活性层、p-镀层、p-接触层之多层成长层、由p-接触层之上面起至p-镀层之特定深度为止选择性除去而形成之嵴(ridge)、重叠形成于n-GaAs基板的上面侧,设于由嵴之侧面至n-GaAs基板之周缘的部分的绝缘膜、重叠于嵴的p-接触层之被形成于绝缘膜上的p型电极、及被形成于n-GaAs基板下面的n型电极,系n-GaAs基板对活性层之发光波长的光具有成为吸收层的禁制带宽幅之构成,于成为前方射出面的端面侧,从沿着端面而且从嵴之侧缘起隔着特定距离之p-镀层部分至活性层的侧缘之位置为止设有从p-镀层起超过活性层的深度之沟,沟系以前述绝缘膜覆盖的构造。

7. 发明专利

TW200845522A 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TW200845522A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097106453
申请日：2008-02-25
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：阿部真司 SHINJI ABE
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：【課題】藉由簡單步驟,製造在GaN系材料之LD中具有COD耐性高之窗構造的LD。【解決手段】包含:將包含在GaN基板12上依序疊層有分別由GaN系材料所形成的緩衝層14、第1n-被覆層16、第2n-被覆層18、第3n-被覆層20、n側光導引層22、屬於量子井構造的活性層26、及p側SCH層28、電子障壁層30、p側光導引層32、p-被覆層34及接觸層36,而形成半導體疊層構造55的步驟;將包含半導體疊層構造55的半導體晶圓劈開而使半導體疊層構造55之劈開端面58露出的步驟;以及在所露出之劈開端面上形成SiO2膜60而藉由根據既定之熱處理的Ga空孔擴散,將活性層26予以無秩序化的步驟。
简体摘要：【课题】借由简单步骤,制造在GaN系材料之LD中具有COD耐性高之窗构造的LD。【解决手段】包含:将包含在GaN基板12上依序叠层有分别由GaN系材料所形成的缓冲层14、第1n-被覆层16、第2n-被覆层18、第3n-被覆层20、n侧光导引层22、属于量子井构造的活性层26、及p侧SCH层28、电子障壁层30、p侧光导引层32、p-被覆层34及接触层36,而形成半导体叠层构造55的步骤;将包含半导体叠层构造55的半导体晶圆噼开而使半导体叠层构造55之噼开端面58露出的步骤;以及在所露出之噼开端面上形成SiO2膜60而借由根据既定之热处理的Ga空孔扩散,将活性层26予以无秩序化的步骤。

8. 发明专利

TWI258906B 半導體雷射元件有权
简体标题：半导体激光组件
公开(公告)号：TWI258906B
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：TW094106679
申请日：2005-03-04
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI , 小谷靖長 KOTANI, YASUHISA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要：一種半導體雷射器，其在基板(101)的主面上備有第一導電型半導體層(200)、活性層(205)、第二導電型半導體層(210)、第二導電型半導體層(210)中使條狀區域內電流狹窄而形成的波導通路區域(10)及設於對於波導通路區域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的區域中，離開波導通路區域(10)，在第二導電型半導體層(210)上形成多個凹部(110)。
简体摘要：一种半导体激光器，其在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)及设于对于波导通路区域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的区域中，离开波导通路区域(10)，在第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。

9. 发明专利

TW200514321A 氮化物半導體雷射元件及其製造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 审中-公开
简体标题：氮化物半导体激光组件及其制造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
公开(公告)号：TW200514321A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093118665
申请日：2004-06-25
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：小崎德也 KOZAKI, TOKUYA , 本惠司 SAKAMOTO, KEIJI , 松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本發明揭示一種氮化物半導體雷射裝置及其製造方法，該裝置具有一計數器電極結構，其接觸電阻係降低。該氮化物半導體雷射裝置包括：一氮化物半導體基板，其具有該第一主要表面及該第二主要表面，一氮化物半導體層，其堆疊在該氮化物半導體基板之第一主要表面上，一脊狀長條，其形成在該氮化物半導體層中，及一共振表面，其以垂直該脊形長條長度之方向形成一光學波導，其中該氮化物半導體基板包括一第一區，其具有一(0001)面板之長晶面，及一第二區，其具有一至少與該第一區不同之長晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及／或一第二主要表面之第二區中。一脊形長條覆於該氮化物半導體基板之第一主要表面之上而形成。
简体摘要：本发明揭示一种氮化物半导体激光设备及其制造方法，该设备具有一计数器电极结构，其接触电阻系降低。该氮化物半导体激光设备包括：一氮化物半导体基板，其具有该第一主要表面及该第二主要表面，一氮化物半导体层，其堆栈在该氮化物半导体基板之第一主要表面上，一嵴状长条，其形成在该氮化物半导体层中，及一共振表面，其以垂直该嵴形长条长度之方向形成一光学波导，其中该氮化物半导体基板包括一第一区，其具有一(0001)皮肤之长晶面，及一第二区，其具有一至少与该第一区不同之长晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及／或一第二主要表面之第二区中。一嵴形长条覆于该氮化物半导体基板之第一主要表面之上而形成。

10. 发明专利

TW437134B 半導體裝置及其製法與製造半導體裝置之基體有权
简体标题：半导体设备及其制法与制造半导体设备之基体
公开(公告)号：TW437134B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088103248
申请日：1999-03-03
申请人：蘇妮股份有限公司
发明人：小林俊雅 , 東條剛
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L29/045 , H01L33/007 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/32341
摘要：欲提供一種半導體裝置及其製法與製造半導體裝置之基體，以當分解表面之邊緣產生於堆疊在基體上之半導體層上時，確保優良的可分解表面在精密控制下穩定地產生於半導體層中，即使當基體為不可分解、難以分解或可分解定向不同於半導體層時亦然。一由III-V化合物半導體產生之半導體層2被堆疊，以形成一雷射結構於藍寶石基體 l上。沿著一部份之半導體層2，在共振腔邊緣3應產生之處，於選擇性之位置，脊條部份]]和台面部份12之位置除外，即，在台面部份12對立側之位置，產生條形分解輔助溝槽4，以平行於半導體層2之(ll一20)定向表面而延伸，且半導體層2和藍寶石基體l從分解輔助溝槽4被分解，以產生由半導體層2的可分解表面組成之共振腔邊緣3。
简体摘要：欲提供一种半导体设备及其制法与制造半导体设备之基体，以当分解表面之边缘产生于堆栈在基体上之半导体层上时，确保优良的可分解表面在精密控制下稳定地产生于半导体层中，即使当基体为不可分解、难以分解或可分解定向不同于半导体层时亦然。一由III-V化合物半导体产生之半导体层2被堆栈，以形成一激光结构于蓝宝石基体 l上。沿着一部份之半导体层2，在共振腔边缘3应产生之处，于选择性之位置，嵴条部份]]和台面部份12之位置除外，即，在台面部份12对立侧之位置，产生条形分解辅助沟槽4，以平行于半导体层2之(ll一20)定向表面而延伸，且半导体层2和蓝宝石基体l从分解辅助沟槽4被分解，以产生由半导体层2的可分解表面组成之共振腔边缘3。

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