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1. 发明专利

TWI373182B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI373182B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW096136740
申请日：2007-10-01
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 川崎和重
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：〔課題〕穩定地在導波管肋狀物之上表面防止半導體層與電極層之接觸面積的減少，防止位於此半導體層蝕刻損傷。
〔解決手段〕在半導體層之上疊積金屬覆蓋層75而形成導波管肋狀物40，並以SiO2膜78覆蓋之且塗布光阻後，導波管肋狀物40頂部之SiO2膜78之表面外露，且形成利用光阻膜而埋設通道38之SiO2膜78的光阻圖案82，其中此光阻膜具有較導波管肋狀物40之金屬覆蓋層75表面高且較導波管肋狀物40之SiO2膜78表面低的表面。之後，以光阻圖案82為硬罩幕並藉由蝕刻而將SiO2膜78除去，而且，藉由濕蝕刻而將金屬覆蓋層75除去，並使導波管肋狀物40之p-GaN層74表面外露而形成電極層46。
简体摘要：〔课题〕稳定地在导波管肋状物之上表面防止半导体层与电极层之接触面积的减少，防止位于此半导体层蚀刻损伤。〔解决手段〕在半导体层之上叠积金属覆盖层75而形成导波管肋状物40，并以SiO2膜78覆盖之且涂布光阻后，导波管肋状物40顶部之SiO2膜78之表面外露，且形成利用光阻膜而埋设信道38之SiO2膜78的光阻图案82，其中此光阻膜具有较导波管肋状物40之金属覆盖层75表面高且较导波管肋状物40之SiO2膜78表面低的表面。之后，以光阻图案82为硬罩幕并借由蚀刻而将SiO2膜78除去，而且，借由湿蚀刻而将金属覆盖层75除去，并使导波管肋状物40之p-GaN层74表面外露而形成电极层46。

2. 发明专利

TWI359543B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI359543B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW097108667
申请日：2008-03-12
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：岡貴郁 , 阿部真司
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：【課題】在穩定地防止波導脊之半導體層與電極層之接觸
面積減少，且防止該半導體層中的蝕刻損傷。
【解決手段】本發明係在半導體疊層構造之表面上形成阻
劑圖案76，藉由乾式蝕刻形成波導脊40，在將阻劑圖案76殘留在波導脊40之表面上的情形下直接在n－GaN基板12上形成SiO2膜78，接著將波導脊40頂部上的SiO2膜78露出，而形成具有與p－GaN層74之下面相同程度之高度的表面而埋設通道38之SiO2膜78的阻劑圖案82，以阻劑圖案82為遮罩而去除SiO2膜78，在SiO2膜78形成開口部44a，藉由使用有機溶媒的濕式蝕刻來去除阻劑圖案76與阻劑圖案82，而形成p側電極46。
简体摘要：【课题】在稳定地防止波导嵴之半导体层与电极层之接触面积减少，且防止该半导体层中的蚀刻损伤。【解决手段】本发明系在半导体叠层构造之表面上形成阻剂图案76，借由干式蚀刻形成波导嵴40，在将阻剂图案76残留在波导嵴40之表面上的情形下直接在n－GaN基板12上形成SiO2膜78，接着将波导嵴40顶部上的SiO2膜78露出，而形成具有与p－GaN层74之下面相同程度之高度的表面而埋设信道38之SiO2膜78的阻剂图案82，以阻剂图案82为遮罩而去除SiO2膜78，在SiO2膜78形成开口部44a，借由使用有机溶媒的湿式蚀刻来去除阻剂图案76与阻剂图案82，而形成p侧电极46。

3. 发明专利

TW200941769A 半導體發光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200941769A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097147623
申请日：2008-12-08
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：岡貴郁 , 楠政諭 , 川崎和重 , 阿部真司 , 佐久間仁
IPC分类号： H01L
摘要：本發明關於具有鈀電極的半導體發光元件之製造方法，目的是提供一種半導體發光元件之製造方法，以簡單方法迴避起因於剝離絕緣膜上鈀電極朝半導體發光元件表面附著而致良率降低、墊電極未形成部分的發生、p型接觸層與墊電極接觸問題。半導體發光元件之製造方法包括：形成具開口部的絕緣膜在半導體上的製程；形成鈀電極於前述開口部及前述絕緣膜上的製程；以及對前述絕緣膜上前述鈀電極施加物理力，使在前述開口部之前述鈀電極仍殘留並剝離去除前述絕緣膜上前述鈀電極的剝離製程。
简体摘要：本发明关于具有钯电极的半导体发光组件之制造方法，目的是提供一种半导体发光组件之制造方法，以简单方法回避起因于剥离绝缘膜上钯电极朝半导体发光组件表面附着而致良率降低、垫电极未形成部分的发生、p型接触层与垫电极接触问题。半导体发光组件之制造方法包括：形成具开口部的绝缘膜在半导体上的制程；形成钯电极于前述开口部及前述绝缘膜上的制程；以及对前述绝缘膜上前述钯电极施加物理力，使在前述开口部之前述钯电极仍残留并剥离去除前述绝缘膜上前述钯电极的剥离制程。

4. 发明专利

TW544984B 半導體裝置的製法有权
简体标题：半导体设备的制法
公开(公告)号：TW544984B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091112060
申请日：2002-06-05
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：谷村純二 , 田代賀久 , 阿部真司 , 笠井信之 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 八木哲哉
IPC分类号： H01L , H01S
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製法，係包含有：在半導體基板1上設置第1半導體層2的步驟；在該第1半導體層2上設置量子井層180的步驟；在該量子井層180上設置合計膜厚小於500nm的第2半導體層6的步驟；在該第2半導體層6上設置SiO膜7的步驟；以使至少由前述第2半導體層6到前述量子井層180為止的區域中的Si峰值濃度值小於l×1019cm-3的方式，進行由前述SiO膜7上注入Si離子的步驟；以及在進行離子注入步驟之後，進行熱退火，而將位於膜厚方向的量子井層180的部分或是全部無序化的步驟。即使在其有任意的層構造，且上覆蓋層的厚度小於500nm的半導體裝置中，也能夠控制結晶缺陷的產生，並實現量子井層的無序化。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制法，系包含有：在半导体基板1上设置第1半导体层2的步骤；在该第1半导体层2上设置量子井层180的步骤；在该量子井层180上设置合计膜厚小于500nm的第2半导体层6的步骤；在该第2半导体层6上设置SiO膜7的步骤；以使至少由前述第2半导体层6到前述量子井层180为止的区域中的Si峰值浓度值小于l×1019cm-3的方式，进行由前述SiO膜7上注入Si离子的步骤；以及在进行离子注入步骤之后，进行热退火，而将位于膜厚方向的量子井层180的部分或是全部无序化的步骤。即使在其有任意的层构造，且上覆盖层的厚度小于500nm的半导体设备中，也能够控制结晶缺陷的产生，并实现量子井层的无序化。

5. 发明专利

TWI397196B 氮化物半導體發光元件之製造方法失效
简体标题：氮化物半导体发光组件之制造方法
公开(公告)号：TWI397196B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW097138536
申请日：2008-10-07
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：金本恭三 , KYOZO KANAMOTO , 塩沢勝臣 , KATSUOMI SHIOZAWA , 川崎和重 , KAZUSHIGE KAWASAKI , 阿部真司 , SHINJI ABE , 佐久間仁 , HITOSHI SAKUMA
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04

6. 发明专利

TW544983B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW544983B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091109024
申请日：2002-04-30
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 八木哲哉 , 宮下宗治 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 笠井信之 , 田代賀久 , 谷村純二
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/34
摘要： ﹝課題﹞
獲得具有採用量子阱構造無秩序化程序之窗構造區域的半導體雷射裝置，且可獲得充分高的可靠性、優越溫度特性的半導體雷射裝置。﹝解決手段﹞
半導體雷射裝置係具有窗構造區域，利用矽離子植入、及其後的熱處理而將量子阱構造之活性層無秩序化，藉此而所形成，其中在上述窗構造區域10a及其附近(上覆蓋層9a)均實質的未存在差排環。因此可防止隨差排環所產生的半導體雷射裝置劣化，而可改善半導體雷射裝置的可靠性。
简体摘要： ﹝课题﹞ 获得具有采用量子阱构造无秩序化进程之窗构造区域的半导体激光设备，且可获得充分高的可靠性、优越温度特性的半导体激光设备。﹝解决手段﹞ 半导体激光设备系具有窗构造区域，利用硅离子植入、及其后的热处理而将量子阱构造之活性层无秩序化，借此而所形成，其中在上述窗构造区域10a及其附近(上覆盖层9a)均实质的未存在差排环。因此可防止随差排环所产生的半导体激光设备劣化，而可改善半导体激光设备的可靠性。

7. 发明专利

TWI370596B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 有权
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI370596B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW097106453
申请日：2008-02-25
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：【課題】藉由簡單步驟，製造在GaN系材料之LD中具
有COD耐性高之窗構造的LD。
【解決手段】包含：將包含在n-GaN基板12上依序疊層
有分別由GaN系材料所形成的緩衝層14、第1n-被覆層16、第2n-被覆層18、第3n-被覆層20、n側光導引層22、屬於量子井構造的活性層26、及p側SCH層28、電子障壁層30、p側光導引層32、p-被覆層34及接觸層36，而形成半導體疊層構造55的步驟；將包含半導體疊層構造55的半導體晶圓劈開而使半導體疊層構造55之劈開端面58露出的步驟；以及在所露出之劈開端面上形成SiO2膜60而藉由根據既定之熱處理的Ga空孔擴散，將活性層26予以無秩序化的步驟。
简体摘要：【课题】借由简单步骤，制造在GaN系材料之LD中具有COD耐性高之窗构造的LD。【解决手段】包含：将包含在n-GaN基板12上依序叠层有分别由GaN系材料所形成的缓冲层14、第1n-被覆层16、第2n-被覆层18、第3n-被覆层20、n侧光导引层22、属于量子井构造的活性层26、及p侧SCH层28、电子障壁层30、p侧光导引层32、p-被覆层34及接触层36，而形成半导体叠层构造55的步骤；将包含半导体叠层构造55的半导体晶圆噼开而使半导体叠层构造55之噼开端面58露出的步骤；以及在所露出之噼开端面上形成SiO2膜60而借由根据既定之热处理的Ga空孔扩散，将活性层26予以无秩序化的步骤。

8. 发明专利

TW201128888A 半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201128888A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099136067
申请日：2010-10-22
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：岡貴郁 , 阿部真司 , 川崎和重 , 佐久間仁
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22
摘要： n型GaN基板10上形成半導體積層構造12。半導體積層構造12的上部形成脊部26。通道部28鄰接於脊部26。平台部30鄰接於通道部28的脊部26相反側。第1絕緣膜32覆蓋通道部28。第1絕緣膜32在脊部26及平台部30上具有開口。第1絕緣膜32上形成單層黏著層34。Pd電極36覆蓋脊部26及單層黏著層34的一部分,連接脊部26的P型GaN接觸層24。第2絕緣膜38覆蓋單層黏著層34的Pd電極36未覆蓋部分及平台部30。
简体摘要： n型GaN基板10上形成半导体积层构造12。半导体积层构造12的上部形成嵴部26。信道部28邻接于嵴部26。平台部30邻接于信道部28的嵴部26相反侧。第1绝缘膜32覆盖信道部28。第1绝缘膜32在嵴部26及平台部30上具有开口。第1绝缘膜32上形成单层黏着层34。Pd电极36覆盖嵴部26及单层黏着层34的一部分,连接嵴部26的P型GaN接触层24。第2绝缘膜38覆盖单层黏着层34的Pd电极36未覆盖部分及平台部30。

9. 发明专利

TW200943657A 氮化物半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200943657A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097141339
申请日：2008-10-28
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：塩沢勝臣 , 金本恭三 , 大石敏之 , 黑川博志 , 川崎和重 , 阿部真司 , 佐久間仁
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
摘要：本發明的目的是在半導體裝置特別是用於製造雷射二極體的氮化物半導體裝置中，抑制製程的複雜化或良率的降低、並抑制電極的剝離。本發明之氮化物半導體裝置，包含以下構成：一P型半導體層1，在一表面具有一脊狀突起2；一SiO2膜3，其被覆至少上述脊狀突起2的二個側面；以矽為主成分的一黏著層4，形成於上述SiO2膜3的表面；以及一P型電極5，形成於上述脊狀突起2的上表面及上述黏著層4的表面。
简体摘要：本发明的目的是在半导体设备特别是用于制造激光二极管的氮化物半导体设备中，抑制制程的复杂化或良率的降低、并抑制电极的剥离。本发明之氮化物半导体设备，包含以下构成：一P型半导体层1，在一表面具有一嵴状突起2；一SiO2膜3，其被覆至少上述嵴状突起2的二个侧面；以硅为主成分的一黏着层4，形成于上述SiO2膜3的表面；以及一P型电极5，形成于上述嵴状突起2的上表面及上述黏着层4的表面。

10. 发明专利

TW201025439A 氮化物半導體裝置的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：氮化物半导体设备的制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201025439A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098121958
申请日：2009-06-30
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 川崎和重
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , Y10S117/915
摘要：本發明是達成可在真空吸附時防止GaN基板破片的氮化物半導體裝置的製造方法。在基板支持器56上搭載N型GaN基板10的狀態下,將GaN系材料構成的半導體層12磊晶成長在N型GaN基板10的Ga面後,以真空吸附裝置76真空吸附N型GaN基板10的N面。然而,磊晶成長半導體層12時,使N型GaN基板10翹曲而成為Ga面的中央凹下的狀態,藉由使半導體層12的原料圍繞並進入N型GaN基板10的N面,在N型GaN基板10的N面堆積磊晶沈積物58。而磊晶成長半導體層12之後、且真空吸附N型GaN基板10的N面之前,除去磊晶沈積物58。
简体摘要：本发明是达成可在真空吸附时防止GaN基板破片的氮化物半导体设备的制造方法。在基板支持器56上搭载N型GaN基板10的状态下,将GaN系材料构成的半导体层12磊晶成长在N型GaN基板10的Ga面后,以真空吸附设备76真空吸附N型GaN基板10的N面。然而,磊晶成长半导体层12时,使N型GaN基板10翘曲而成为Ga面的中央凹下的状态,借由使半导体层12的原料围绕并进入N型GaN基板10的N面,在N型GaN基板10的N面堆积磊晶沉积物58。而磊晶成长半导体层12之后、且真空吸附N型GaN基板10的N面之前,除去磊晶沉积物58。

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