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1. 发明专利

TW202030881A 於圖案化模板及基板上之微米級發光二極體顯示器审中-公开
简体标题：于图案化模板及基板上之微米级发光二极管显示器
公开(公告)号：TW202030881A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108135330
申请日：2019-09-27
申请人：荷蘭商露明控股公司 , LUMILEDS HOLDING B.V.
发明人：迪莫多波洛斯科斯塔斯 , DIMITROPOULOS, COSTAS , 李聖秀 , YI, SUNGSOO , 艾波勒約翰愛德華 , EPLER, JOHN EDWARD , 韓炳權 , HAN, BYUNG-KWON
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/20
摘要：本發明揭示技術、裝置及系統，其包含具有一第一高度處之一第一平坦區域之發光二極體(LED)，該第一平坦區域包含諸如一第一n層、一第一p層及一第一主動層之複數個磊晶層。在一第二高度處且平行於該第一平坦區域之一第二平坦區域包含至少一第二n層。傾斜側壁連接該第一平坦區域及該第二平坦區域且包含至少一第三n層。該第一平坦區域之該p層比該第三區域之至少一部分厚。一p接點形成於該第一p層上且一n接點形成於該第二n層上。
简体摘要：本发明揭示技术、设备及系统，其包含具有一第一高度处之一第一平坦区域之发光二极管(LED)，该第一平坦区域包含诸如一第一n层、一第一p层及一第一主动层之复数个磊晶层。在一第二高度处且平行于该第一平坦区域之一第二平坦区域包含至少一第二n层。倾斜侧壁连接该第一平坦区域及该第二平坦区域且包含至少一第三n层。该第一平坦区域之该p层比该第三区域之至少一部分厚。一p接点形成于该第一p层上且一n接点形成于该第二n层上。

2. 发明专利

TWI699902B 發光元件及其製造方法有权
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI699902B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105112648
申请日：2016-04-22
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：黃琮訓 , TSUNG-SYUN, HUANG , 郭志忠 , CHIH-CHUNG, KUO , 黃靖恩 , JING-EN, HUANG , 丁紹瀅 , SHAO-YING, TING
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62

3. 实用新型

TWM598531U 電子裝置有权
简体标题：电子设备
公开(公告)号：TWM598531U
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW109204441
申请日：2020-04-15
申请人：啟耀光電股份有限公司 , GIO OPTOELECTRONICS CORP.
发明人：李晉棠 , LI, CHIN-TANG
IPC分类号： H01L33/00

4. 发明专利

TWI697131B 白光發光二極體結構及其製造方法有权
简体标题：白光发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI697131B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108133261
申请日：2019-09-16
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：林俊良 , LIN, CHUN LIANG , 黃立宇 , HUANG, LI YU
IPC分类号： H01L33/00

5. 发明专利

TWI697035B 發光元件與顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：发光组件与显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI697035B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107140131
申请日：2018-11-13
申请人：日商尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：坂田晃一 , SAKATA, KOICHI , 小菅義隆 , KOSUGE, YOSHITAKA , 岩﨑洋佑 , IWASAKI, YOSUKE , 藤岡靖和 , FUJIOKA, YASUKAZU , 原篤史 , HARA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/18 , H01L25/13 , H01L27/15 , H01L33/00

6. 发明专利

TW202018801A 剝離方法审中-公开
简体标题：剥离方法
公开(公告)号：TW202018801A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108140787
申请日：2019-11-11
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小柳 , KOYANAGI, TASUKU
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/40 , H01L33/00
摘要：本發明的課題是不使在被分割的狀態下載於基板上的光裝置層損傷來移設至移設構件。其解決手段包括：緩衝層形成步驟，其係於基板的表面上形成緩衝層；光裝置層形成步驟，其係於該緩衝層上形成光裝置層；分割步驟，其係於該基板的表面上，按每個的裝置分割該緩衝層及該光裝置層；移設構件接合步驟，其係於該光裝置層的表面接合移設構件；緩衝層破壞步驟，其係使對於該基板具有透過性且對於該緩衝層具有吸收性的波長的脈衝雷射從該基板的背面側透過該基板而照射至該緩衝層，破壞該緩衝層；及光裝置層移設步驟，其係將該光裝置層移設至移設構件，在該緩衝層破壞步驟中，該脈衝雷射的每1脈衝的能量密度為1.0mJ/mm2以上，5.0mJ/mm2以下。
简体摘要：本发明的课题是不使在被分割的状态下载于基板上的光设备层损伤来移设至移设构件。其解决手段包括：缓冲层形成步骤，其系于基板的表面上形成缓冲层；光设备层形成步骤，其系于该缓冲层上形成光设备层；分割步骤，其系于该基板的表面上，按每个的设备分割该缓冲层及该光设备层；移设构件接合步骤，其系于该光设备层的表面接合移设构件；缓冲层破坏步骤，其系使对于该基板具有透过性且对于该缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光从该基板的背面侧透过该基板而照射至该缓冲层，破坏该缓冲层；及光设备层移设步骤，其系将该光设备层移设至移设构件，在该缓冲层破坏步骤中，该脉冲激光的每1脉冲的能量密度为1.0mJ/mm2以上，5.0mJ/mm2以下。

7. 发明专利

TWI693708B 透明顯示面板有权
简体标题：透明显示皮肤
公开(公告)号：TWI693708B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107128460
申请日：2018-08-15
申请人：英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：陳培欣 , CHEN, PEI-HSIN , 史詒君 , SHIH, YI-CHUN , 陳奕靜 , CHEN, YI-CHING , 劉應蒼 , LIU, YING-TSANG , 李玉柱 , LI, YU-CHU
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , G09G3/32

8. 发明专利

TWI692521B 發光體，以及包含該發光體的發光膜、發光二極體、發光二極體封裝和顯示裝置有权
简体标题：发光体，以及包含该发光体的发光膜、发光二极管、发光二极管封装和显示设备
公开(公告)号：TWI692521B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107142115
申请日：2018-11-26
申请人：南韓商LG顯示器股份有限公司 , LG DISPLAY CO., LTD.
发明人：金柄杰 , KIM, BYUNG-GEOL , 閔慧理 , MIN, HYE-LI , 金東榮 , KIM, DONG-YOUNG
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/00 , H01L33/48 , G02F1/13357

9. 发明专利

TWI692021B ＬＥＤ製造用圖案化藍寶石基板的氮化鎵薄膜清除裝置及其清除方法有权
简体标题：ＬＥＤ制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除设备及其清除方法
公开(公告)号：TWI692021B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105121282
申请日：2016-07-05
申请人：伯思達綠能科技股份有限公司
发明人：陳威智
IPC分类号： H01L21/304 , H01L33/00 , B08B7/00 , B09B3/00

10. 发明专利

TW202015263A 發光二極體式記憶體审中-公开
简体标题：发光二极管式内存
公开(公告)号：TW202015263A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107135650
申请日：2018-10-09
申请人：光磊科技股份有限公司 , OPTO TECH CORPORATION
发明人：林俊傑 , LIN, JUN-JIE , 何宜霖 , HO, YI-LIN , 彭隆瀚 , PENG, LUNG-HAN
IPC分类号： H01L45/00 , H01L33/00
摘要：一種發光二極體式記憶體，包括：一基板、一穿隧結構、一電流擴散層、一第一電極層以及一第二電極層。該穿隧結構形成於該基板上。電流擴散層形成於該穿隧結構上。第一電極層形成於該基板上。第二電極層形成於該電流擴散層上。當施加於該第一電極層與該第二電極層之間的一偏壓電壓大於一重置電壓時，該發光二極體式記憶體為一重置狀態。當該偏壓電壓小於一設定電壓時，該發光二極體式記憶體為一設定狀態。當該偏壓電壓大於一開啟電壓時，該發光二極體式記憶體發光。
简体摘要：一种发光二极管式内存，包括：一基板、一穿隧结构、一电流扩散层、一第一电极层以及一第二电极层。该穿隧结构形成于该基板上。电流扩散层形成于该穿隧结构上。第一电极层形成于该基板上。第二电极层形成于该电流扩散层上。当施加于该第一电极层与该第二电极层之间的一偏压电压大于一重置电压时，该发光二极管式内存为一重置状态。当该偏压电压小于一设置电压时，该发光二极管式内存为一设置状态。当该偏压电压大于一打开电压时，该发光二极管式内存发光。

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