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1. 发明专利

TWI427836B 紫外光發光二極體封裝有权
简体标题：紫外光发光二极管封装
公开(公告)号：TWI427836B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW100142151
申请日：2007-09-27
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：裵政錫 , BAE, JEONG-SUK , 金載助 , KIM, JAE-JO , 金度亨 , KIM, DO-HYUNG , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/56 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI418061B 具有電極墊的發光二極體有权
简体标题：具有电极垫的发光二极管
公开(公告)号：TWI418061B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW099140424
申请日：2010-11-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金京完 , KIM, KYOUNG WAN , 梁貞姬 , YANG, JEONG HEE , 尹餘鎮 , YOON, YEO JIN
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/44

3. 发明专利

TWI412165B 具有電極墊的發光二極體有权
简体标题：具有电极垫的发光二极管
公开(公告)号：TWI412165B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW100100166
申请日：2011-01-04
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：徐源哲 , SEO, WON-CHEOL , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG , 芮暻熙 , YE, KYUNG-HEE , 金京完 , KIM, KYOUNG-WAN , 尹餘鎮 , YOON, YEO-JIN
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI396300B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI396300B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097123368
申请日：2008-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金華睦 , KIM, HWA-MOK , 吳德煥 , OH, DUCK-HWAN , 金大原 , KIM, DAE-WON , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/06

5. 发明专利

TW201203597A 具有Ａ１ＩｎＧａＰ主動層之發光二極體以及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE HAVING ALINGAP ACTIVE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有Ａ１ＩｎＧａＰ主动层之发光二极管以及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE HAVING ALINGAP ACTIVE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201203597A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100126009
申请日：2007-09-19
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李貞勳 , 李在皓 , 金美海
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107
摘要：一種具有AlInGaP主動層的發光二極體以及其製造方法。此發光二極體包括基板。多個發光胞定位成彼此間隔，其中各發光胞具有第一導電類型的下半導體層、AlInGaP主動層以及第二導電類型的上半導體層。同時，半絕緣層介於基板和發光胞之間。此外，導線可串聯連接該多個發光胞。因此，可以提供一種由AC電源驅動的發光二極體，其中多個發光胞藉由導線彼此串聯連接。
简体摘要：一种具有AlInGaP主动层的发光二极管以及其制造方法。此发光二极管包括基板。多个发光胞定位成彼此间隔，其中各发光胞具有第一导电类型的下半导体层、AlInGaP主动层以及第二导电类型的上半导体层。同时，半绝缘层介于基板和发光胞之间。此外，导线可串联连接该多个发光胞。因此，可以提供一种由AC电源驱动的发光二极管，其中多个发光胞借由导线彼此串联连接。

6. 发明专利

TW201131836A 具有電極墊的發光二極體 LIGHT EMITTING DIODE HAVING ELECTRODE PADS 审中-公开
简体标题：具有电极垫的发光二极管 LIGHT EMITTING DIODE HAVING ELECTRODE PADS
公开(公告)号：TW201131836A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW100100166
申请日：2011-01-04
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：徐源哲 , 葛大成 , 芮暻熙 , 金京完 , 尹餘鎮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：本發明的示例性實施例涉及一種發光二極體,所述發光二極體包括:基板;第一導電類型半導體層,佈置在基板上;第二導電類型半導體層,佈置在第一導電類型半導體層上;活性層,設置在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間;第一電極墊,電性連接到第一導電類型半導體層;第二電極墊,佈置在第二導電類型半導體層上;絕緣層,設置在第二導電類型半導體層和第二電極墊之間;至少一個上延伸件,電性連接到第二電極墊,所述至少一個上延伸件電性連接到第二導電類型半導體層。
简体摘要：本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管,所述发光二极管包括:基板;第一导电类型半导体层,布置在基板上;第二导电类型半导体层,布置在第一导电类型半导体层上;活性层,设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间;第一电极垫,电性连接到第一导电类型半导体层;第二电极垫,布置在第二导电类型半导体层上;绝缘层,设置在第二导电类型半导体层和第二电极垫之间;至少一个上延伸件,电性连接到第二电极垫,所述至少一个上延伸件电性连接到第二导电类型半导体层。

7. 发明专利

TW201130165A 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片、其製造方法以及具有分散式布拉格反射器的發光二極體封裝 LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR 审中-公开
简体标题：具有分佈式布拉格反射器的发光二极管芯片、其制造方法以及具有分佈式布拉格反射器的发光二极管封装 LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR
公开(公告)号：TW201130165A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099127122
申请日：2010-08-13
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李貞勳 , 李剡劤 , 陳相奇 , 慎鎮哲 , 金鐘奎 , 李小羅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：本文中揭露一種具有分散式布拉格反射器之發光二極體晶片以及一種具有分散式布拉格反射器之發光二極體封裝。發光二極體晶片包含:基板;發光結構,其定位於基板之上部上且包含插入於第一導電類型半導體層與第二導電類型半導體層之間的活性層;以及分散式布拉格反射器,其反射自發光結構發射之光。所述分散式布拉格反射器對藍色波長範圍中的第一波長之光、綠色波長範圍中的第二波長之光以及紅色波長範圍中的第三波長之光具有90%或90%以上之反射率。
简体摘要：本文中揭露一种具有分佈式布拉格反射器之发光二极管芯片以及一种具有分佈式布拉格反射器之发光二极管封装。发光二极管芯片包含:基板;发光结构,其定位于基板之上部上且包含插入于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的活性层;以及分佈式布拉格反射器,其反射自发光结构发射之光。所述分佈式布拉格反射器对蓝色波长范围中的第一波长之光、绿色波长范围中的第二波长之光以及红色波长范围中的第三波长之光具有90%或90%以上之反射率。

8. 发明专利

TWI329369B 使用奈米棒之陣列的發光二極體以及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE EMPLOYING AN ARRAY OF NANORODS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：使用奈米棒之数组的发光二极管以及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE EMPLOYING AN ARRAY OF NANORODS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI329369B
公开(公告)日：2010-08-21
申请号：TW095122699
申请日：2006-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金華睦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38
摘要：一種使用奈米棒之陣列的發光二極體以及其製造方法。發光二極體包含半導體奈米棒之陣列，其定位於基板上。上部電極層沈積於奈米棒之陣列上，使得空閒空間保留於鄰近奈米棒之間。由於未以絕緣材料填充鄰近奈米棒之間的空間，因此可改良發光二極體之光提取效率，並可簡化製造發光二極體之方法。
简体摘要：一种使用奈米棒之数组的发光二极管以及其制造方法。发光二极管包含半导体奈米棒之数组，其定位于基板上。上部电极层沉积于奈米棒之数组上，使得空闲空间保留于邻近奈米棒之间。由于未以绝缘材料填充邻近奈米棒之间的空间，因此可改良发光二极管之光提取效率，并可简化制造发光二极管之方法。

9. 发明专利

TWI322519B 具有ＩＴＯ層的發光二極體以及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE WITH ITO LAYER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有ＩＴＯ层的发光二极管以及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE WITH ITO LAYER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI322519B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW095148926
申请日：2006-12-26
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金大原 , 尹麗鎮 , 吳德煥 , 金種煥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , H01L27/153 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於一種歸因於電流擴散至ITO層之效率增加而具有增強之亮度及發光效能的發光二極體，以及一種製造發光二極體之方法。根據本發明，製造包括在基板上之N型半導體層、主動層及P型半導體層的至少一發光單元。本發明之方法包含以下步驟：(a)形成具有形成於P型半導體層之頂面上之ITO層的至少一發光單元；(b)經由乾式蝕刻在ITO層中形成用於線路連接之接觸槽；以及(c)以由導電材料製成之接觸連接部分來填充接觸槽以用於線路連接。 The present invention relates to a light emitting diode with enhanced luminance and light emitting performance due to increase in efficiency of current diffusion into an ITO layer, and a method of fabricating the light emitting diode. According to the present invention, there is manufactured at least one light emitting cell including an N-type semiconductor layer, an active layer and a P-type semiconductor layer on a substrate. The method of the present invention comprises the steps of (a) forming at least one light emitting cell with an ITO layer formd on a top surface of the P-type semiconductor layer; (b) forming a contact groove for wiring connection in the ITO layer through dry etching; and (c) filling the contact groove with a contact connection portion made of a conductive material for the wiring connection. 【創作特點】在前述發光二極體中，應深入考慮對形成於每一發光單元之發光表面上之透明電極層的光透射率及電流特性之改良。因此，本發明建議一種發光二極體，其中使用具有卓越光透射率之ITO層作為透明電極層，但認為是ITO層之問題的電流特性得以增強。
因此，本發明之一目標在於提供一種歸因於電流擴散至P型半導體層上之ITO層的效率增加而具有顯著增強之亮度及發光效能的發光二極體，以及一種製造發光二極體之方法。
根據本發明之態樣，提供一種製造發光二極體之方法，此發光二極體形成有包括在基板上之N型半導體層、主動層以及P型半導體層的至少一發光單元。製造發光二極體之方法包含以下步驟：(a)形成具有形成於P型半導體層之頂面上之ITO層的至少一發光單元；(b)經由乾式蝕刻在ITO層中形成用於線路連接之接觸槽(contact groove)；以及(c)以導電材料製成之接觸連接部分來填充接觸槽以用於線路連接。
較佳地，步驟(b)包含藉由使惰性氣體碰撞ITO層來蝕刻ITO層之部分的乾式蝕刻製程，經由蝕刻製程，P型半導體層之表面暴露在外且在惰性氣體碰撞之P型半導體層之表面上形成電流阻擋層(current blocking layer)。
本發明之方法可在步驟(c)之前更包含以下步驟：暴露N型半導體層之部分作為接觸區域且接著在接觸區域上形成N型接觸襯墊。
在步驟(c)中填入接觸槽中之接觸連接部分可為P型接觸襯墊，此P型接觸襯墊之下部與接觸槽內部之ITO層的內部圓周表面接觸且上部與接觸槽外部之ITO層的頂面接觸。
至少一發光單元可為彼此隔開之多個發光單元，且步驟(a)可更包含以下步驟：暴露發光單元中之每一者的N型半導體層之部分作為形成N型接觸襯墊所在之接觸區域。
較佳地，步驟(c)更包含以下步驟：經由電鍍或氣相沈積方法形成由導電材料層製成之線路以用於相鄰發光單元之間的電連接，且接觸連接部分由導電材料層之部分形成。此時，步驟(b)包含以下步驟：(b－1)形成透明絕緣層，其完全覆蓋在步驟(a)中形成於基板上的發光單元；以及(b－2)圖案化並蝕刻透明絕緣層以暴露連接線路所經由之部分，且同時形成ITO層之接觸槽。
更佳地，步驟(c)包含以下步驟：(c1)經由電鍍或氣相沈積方法形成導電材料層以完全覆蓋具有形成於其上之透明絕緣層的發光單元及基板；以及(c2)蝕刻並移除導電材料層之除自發光單元之接觸槽延伸至相鄰發光單元之N型接觸襯墊以外的部分，而使導電材料層之另一部分充當線路。
根據本發明之另一態樣，提供一種具有ITO層之發光二極體，其包含：基板；至少一發光單元，其在基板上依序形成有N型半導體層、主動層及P型半導體層，且包括形成於P型半導體層之頂面上之ITO層；接觸槽，其形成於ITO層中以用於線路連接；以及接觸連接部分，其填入線路一端處之接觸槽中。[有利效應]
根據一結構，其中接觸連接部分(亦即，線路一端或線路一端處之P型接觸襯墊)接觸形成於ITO層中之接觸槽的內部圓周表面，可使電流擴散至P型半導體層上之ITO層的效率得以增強而不減小ITO層之發光面積。因此，可實施具有顯著改良之亮度及發光效能的發光二極體。
在根據本發明之實施例包括P型接觸襯墊作為接觸連接部分的發光二極體中，P型接觸襯墊可同時接觸ITO層之頂面以及ITO層之內部圓周表面。因此，進一步增加ITO層與P型接觸襯墊之間的接觸面積使得可增強電流擴散至ITO層的效率。
舉例而言，在類似於藉由AC電源來操作之AC發光二極體的根據本發明之另一實施例之包括多個發光單元的發光二極體中，線路可包含經由電鍍或氣相沈積製程形成之導電材料層以使得可防止線路斷接等。此時，由於由導電材料層之部分形成的接觸連接部分與ITO層之接觸槽的內部圓周表面接觸，因此可增強電流擴散至ITO層之效率。
此外，根據本發明之實施例，在乾式蝕刻製程期間歸因於P型半導體層之部分的電流特性改變而形成的電流阻擋層可形成於P型半導體層與接觸連接部分接觸的位置。因此，電流阻擋層可完全阻擋電流直接流入P型半導體層中以有助於增強電流擴散至ITO層的效率。
简体摘要：本发明关于一种归因于电流扩散至ITO层之效率增加而具有增强之亮度及发光性能的发光二极管，以及一种制造发光二极管之方法。根据本发明，制造包括在基板上之N型半导体层、主动层及P型半导体层的至少一发光单元。本发明之方法包含以下步骤：(a)形成具有形成于P型半导体层之顶面上之ITO层的至少一发光单元；(b)经由干式蚀刻在ITO层中形成用于线路连接之接触槽；以及(c)以由导电材料制成之接触连接部分来填充接触槽以用于线路连接。 The present invention relates to a light emitting diode with enhanced luminance and light emitting performance due to increase in efficiency of current diffusion into an ITO layer, and a method of fabricating the light emitting diode. According to the present invention, there is manufactured at least one light emitting cell including an N-type semiconductor layer, an active layer and a P-type semiconductor layer on a substrate. The method of the present invention comprises the steps of (a) forming at least one light emitting cell with an ITO layer formd on a top surface of the P-type semiconductor layer; (b) forming a contact groove for wiring connection in the ITO layer through dry etching; and (c) filling the contact groove with a contact connection portion made of a conductive material for the wiring connection. 【创作特点】在前述发光二极管中，应深入考虑对形成于每一发光单元之发光表面上之透明电极层的光透射率及电流特性之改良。因此，本发明建议一种发光二极管，其中使用具有卓越光透射率之ITO层作为透明电极层，但认为是ITO层之问题的电流特性得以增强。因此，本发明之一目标在于提供一种归因于电流扩散至P型半导体层上之ITO层的效率增加而具有显着增强之亮度及发光性能的发光二极管，以及一种制造发光二极管之方法。根据本发明之态样，提供一种制造发光二极管之方法，此发光二极管形成有包括在基板上之N型半导体层、主动层以及P型半导体层的至少一发光单元。制造发光二极管之方法包含以下步骤：(a)形成具有形成于P型半导体层之顶面上之ITO层的至少一发光单元；(b)经由干式蚀刻在ITO层中形成用于线路连接之接触槽(contact groove)；以及(c)以导电材料制成之接触连接部分来填充接触槽以用于线路连接。较佳地，步骤(b)包含借由使惰性气体碰撞ITO层来蚀刻ITO层之部分的干式蚀刻制程，经由蚀刻制程，P型半导体层之表面暴露在外且在惰性气体碰撞之P型半导体层之表面上形成电流阻挡层(current blocking layer)。本发明之方法可在步骤(c)之前更包含以下步骤：暴露N型半导体层之部分作为接触区域且接着在接触区域上形成N型接触衬垫。在步骤(c)中填入接触槽中之接触连接部分可为P型接触衬垫，此P型接触衬垫之下部与接触槽内部之ITO层的内部圆周表面接触且上部与接触槽外部之ITO层的顶面接触。至少一发光单元可为彼此隔开之多个发光单元，且步骤(a)可更包含以下步骤：暴露发光单元中之每一者的N型半导体层之部分作为形成N型接触衬垫所在之接触区域。较佳地，步骤(c)更包含以下步骤：经由电镀或气相沉积方法形成由导电材料层制成之线路以用于相邻发光单元之间的电连接，且接触连接部分由导电材料层之部分形成。此时，步骤(b)包含以下步骤：(b－1)形成透明绝缘层，其完全覆盖在步骤(a)中形成于基板上的发光单元；以及(b－2)图案化并蚀刻透明绝缘层以暴露连接线路所经由之部分，且同时形成ITO层之接触槽。更佳地，步骤(c)包含以下步骤：(c1)经由电镀或气相沉积方法形成导电材料层以完全覆盖具有形成于其上之透明绝缘层的发光单元及基板；以及(c2)蚀刻并移除导电材料层之除自发光单元之接触槽延伸至相邻发光单元之N型接触衬垫以外的部分，而使导电材料层之另一部分充当线路。根据本发明之另一态样，提供一种具有ITO层之发光二极管，其包含：基板；至少一发光单元，其在基板上依序形成有N型半导体层、主动层及P型半导体层，且包括形成于P型半导体层之顶面上之ITO层；接触槽，其形成于ITO层中以用于线路连接；以及接触连接部分，其填入线路一端处之接触槽中。[有利效应] 根据一结构，其中接触连接部分(亦即，线路一端或线路一端处之P型接触衬垫)接触形成于ITO层中之接触槽的内部圆周表面，可使电流扩散至P型半导体层上之ITO层的效率得以增强而不减小ITO层之发光面积。因此，可实施具有显着改良之亮度及发光性能的发光二极管。在根据本发明之实施例包括P型接触衬垫作为接触连接部分的发光二极管中，P型接触衬垫可同时接触ITO层之顶面以及ITO层之内部圆周表面。因此，进一步增加ITO层与P型接触衬垫之间的接触面积使得可增强电流扩散至ITO层的效率。举例而言，在类似于借由AC电源来操作之AC发光二极管的根据本发明之另一实施例之包括多个发光单元的发光二极管中，线路可包含经由电镀或气相沉积制程形成之导电材料层以使得可防止线路断接等。此时，由于由导电材料层之部分形成的接触连接部分与ITO层之接触槽的内部圆周表面接触，因此可增强电流扩散至ITO层之效率。此外，根据本发明之实施例，在干式蚀刻制程期间归因于P型半导体层之部分的电流特性改变而形成的电流阻挡层可形成于P型半导体层与接触连接部分接触的位置。因此，电流阻挡层可完全阻挡电流直接流入P型半导体层中以有助于增强电流扩散至ITO层的效率。

10. 发明专利

TWI319916B 使用奈米棒之陣列的變光元件以及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE EMPLOYING NANOWIRE PHOSPHORS 有权
简体标题：使用奈米棒之数组的变光组件以及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE EMPLOYING NANOWIRE PHOSPHORS
公开(公告)号：TWI319916B
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：TW095122702
申请日：2006-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金華睦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/574 , C09K11/584 , C09K11/595 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/7734 , C09K11/883 , Y10S977/762
摘要：本發明揭露一種使用奈米線磷光材料的發光元件。此發光元件包含：發光二極體，其用於發出具有第一波長之光，第一波長具有在紫外光、藍光或綠光波長範圍內之主峰；以及奈米線磷光材料，其用於將自發光二極體發出的具有第一波長之光的至少一部分轉換為具有比第一波長更長的第二波長的光。由於使用奈米線磷光材料，因此有可能降低發光元件之製造成本，以及減少歸因於非輻射重合之光損耗。 Disclosed is a light emitting device employing nanowire phosphors. The light emitting device comprises a light emitting diode for emitting light having a first wavelength with a main peak in an ultraviolet, blue or green wavelength range;and nanowire phosphors for converting at least a portion of light having the first wavelength emitted from the light emitting diode into light with a second wavelength longer than the first wavelength. Accordingly, since the nanowire phosphors are employed, it is possible to reduce manufacturing costs of the light emitting device and to reduce light loss due to non－radiative recombination. 【創作特點】本發明之目標為提供一種使用可易於製備而具有高純度之磷光材料的發光元件。
本發明之另一目標為提供一種使用能夠減少歸因於非輻射重合之光損耗之磷光材料的發光元件。
為了達成本發明之此等目標，根據本發明之實施例的發光元件包含：發光二極體，其用於發出具有第一波長之光，第一波長具有在紫外光、藍光或綠光波長範圍內之主峰；以及奈米線磷光材料，其用於將自發光二極體發出的具有第一波長之光的至少一部分轉換為具有比第一波長更長的第二波長的光。
與習知粉末狀磷光材料相比，奈米線磷光材料可減少陷阱之數量，使歸因於非輻射重合之光損耗減少。
此處，術語“奈米線”意即具有相對長於其直徑之長度且具有小於1 μm之奈米級直徑的結構。
奈米線磷光材料可為由以下物質製成的奈米線：ZnO，摻雜Ag的ZnO，摻雜Al、Ga、In及/或Li的ZnO，ZnO：Cu,Ga，ZnS：Cu,Ga，ZnS(1－x) Tex(0
简体摘要：本发明揭露一种使用奈米线磷光材料的发光组件。此发光组件包含：发光二极管，其用于发出具有第一波长之光，第一波长具有在紫外光、蓝光或绿光波长范围内之主峰；以及奈米线磷光材料，其用于将自发光二极管发出的具有第一波长之光的至少一部分转换为具有比第一波长更长的第二波长的光。由于使用奈米线磷光材料，因此有可能降低发光组件之制造成本，以及减少归因于非辐射重合之光损耗。 Disclosed is a light emitting device employing nanowire phosphors. The light emitting device comprises a light emitting diode for emitting light having a first wavelength with a main peak in an ultraviolet, blue or green wavelength range;and nanowire phosphors for converting at least a portion of light having the first wavelength emitted from the light emitting diode into light with a second wavelength longer than the first wavelength. Accordingly, since the nanowire phosphors are employed, it is possible to reduce manufacturing costs of the light emitting device and to reduce light loss due to non－radiative recombination. 【创作特点】本发明之目标为提供一种使用可易于制备而具有高纯度之磷光材料的发光组件。本发明之另一目标为提供一种使用能够减少归因于非辐射重合之光损耗之磷光材料的发光组件。为了达成本发明之此等目标，根据本发明之实施例的发光组件包含：发光二极管，其用于发出具有第一波长之光，第一波长具有在紫外光、蓝光或绿光波长范围内之主峰；以及奈米线磷光材料，其用于将自发光二极管发出的具有第一波长之光的至少一部分转换为具有比第一波长更长的第二波长的光。与习知粉末状磷光材料相比，奈米线磷光材料可减少猫腻之数量，使归因于非辐射重合之光损耗减少。此处，术语“奈米线”意即具有相对长于其直径之长度且具有小于1 μm之奈米级直径的结构。奈米线磷光材料可为由以下物质制成的奈米线：ZnO，掺杂Ag的ZnO，掺杂Al、Ga、In及/或Li的ZnO，ZnO：Cu,Ga，ZnS：Cu,Ga，ZnS(1－x) Tex(0<x<1)，以ZnS包覆的CdS：Mn，ZnSe，Zn2 SiO4：Mn，(Ba,Sr,Ca)2 SiO4：Eu，或由通式Alx Iny Ga(1－x－y) N(0x<1,0<y<1,0<x＋y1)表示的氮化物。在适当选择奈米线磷光材料之组成比率的情况下，具有第一波长之光可被转换为具有在可见光范围内之第二波长的光。同时，Alx Iny Ga(1－x－y) N奈米线磷光材料可具有在纵向方向中变化的组成比率，使得具有第二波长之光具有至少两个主峰。因此，除了具有第一波长之光外，可使用一种奈米线磷光材料来实施具有两种或两种以上颜色之多色光。同时，可使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、金属有机氢化物气相磊晶(MOHVPE)或分子束磊晶(MBE)在基板上形成奈米线磷光材料。对基板不存在特定限制，且基板可(例如)为硅(Si)基板。其后，使奈米线磷光材料与基板分离。因此，可易于制造奈米线磷光材料，从而使制造成本降低。诸如环氧树脂(epoxy)或聚硅氧(silicone)之树脂可覆盖发光二极管。奈米线磷光材料可分散于树脂中。同时，奈米线磷光材料包含芯奈米线(core nanowire)以及覆盖芯奈米线的奈米壳层(nanoshell)。奈米壳层防止在芯奈米线之表面上产生非辐射重合。为此，奈米壳层较佳由具有比芯奈米线之带隙更大的带隙的材料制成。由于使用根据本发明之奈米线磷光材料，因此简化了制造过程从而降低制造成本，且减少了归因于非辐射重合之光损耗从而改良发光组件之效率。

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