专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 实用新型

TWM597002U 可調控光學模態之雷射結構有权
简体标题：可调控光学模态之激光结构
公开(公告)号：TWM597002U
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW108216614
申请日：2019-12-13
申请人：元光科技股份有限公司
发明人：楊英杰
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/06

3. 发明专利

TWI690128B 近紅外光垂直共振腔面射型雷射及其轉置方法有权
简体标题：近红外光垂直共振腔面射型激光及其转置方法
公开(公告)号：TWI690128B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107137477
申请日：2018-10-24
申请人：光鋐科技股份有限公司 , EPILEDS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇文恒 , SU, WEN-HERNG , 許明森 , HSU, MING-SEN
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/32

4. 发明专利

TWI410012B 半導體埋嵌柵格製造方法失效
简体标题：半导体埋嵌栅格制造方法
公开(公告)号：TWI410012B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098110095
申请日：2009-03-26
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：李亞博 , LI, YABO , 宋凱長 , SONG, KECHANG , 未司克基尼克詹 , VISOVSKY, NICHOLAS JOHN , 查慶安 , ZAH, CHUNG EN
IPC分类号： H01S5/125 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/0005 , G02B6/124 , G02B6/136 , H01S5/12

5. 发明专利

TW201328091A 多波長分散式布拉格反射鏡雷射审中-公开
简体标题：多波长分佈式布拉格反射镜激光
公开(公告)号：TW201328091A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101141326
申请日：2012-11-07
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：卡紐凱薩琳吉納維芙 , CANEAU, CATHERINE GENEVIEVE , 謝峰 , XIE, FENG , 石鍾恩 , ZAH, CHUNG-EN
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/1215 , H01S5/3401 , H01S5/3402
摘要：本發明提供一種多波長分散式布拉格反射鏡(DBR)雷射二極體，該DBR雷射二極體包括前DBR部分及後DBR部分及複數個專用調諧訊號控制節點。前DBR部分包括複數個前波長選擇性光柵部分，該複數個前波長選擇性光柵部分界定對應於不同布拉格波長λS1*、λS2*......之複數個不同光柵週期性λ1*、λ2*......。後DBR部分包含複數個後波長選擇性光柵部分，該複數個後波長選擇性光柵部分界定對應於不同布拉格波長λS1、λS2......之複數個不同光柵週期性λ1、λ2......。調諧訊號控制節點與相應之前波長選擇性光柵部分、後波長選擇性光柵部分或以上兩者相關聯，以使得施加至專用調諧訊號控制節點中之一或多者之調諧訊號將前DBR部分之所選布拉格波長λS1*、λS2*......與後DBR部分之選定不同布拉格波長λS1、λS2......光譜式地對齊。
简体摘要：本发明提供一种多波长分佈式布拉格反射镜(DBR)激光二极管，该DBR激光二极管包括前DBR部分及后DBR部分及复数个专用调谐信号控制节点。前DBR部分包括复数个前波长选择性光栅部分，该复数个前波长选择性光栅部分界定对应于不同布拉格波长λS1*、λS2*......之复数个不同光栅周期性λ1*、λ2*......。后DBR部分包含复数个后波长选择性光栅部分，该复数个后波长选择性光栅部分界定对应于不同布拉格波长λS1、λS2......之复数个不同光栅周期性λ1、λ2......。调谐信号控制节点与相应之前波长选择性光栅部分、后波长选择性光栅部分或以上两者相关联，以使得施加至专用调谐信号控制节点中之一或多者之调谐信号将前DBR部分之所选布拉格波长λS1*、λS2*......与后DBR部分之选定不同布拉格波长λS1、λS2......光谱式地对齐。

6. 发明专利

TW201803239A 端面射出型半導體雷射审中-公开
简体标题：端面射出型半导体激光
公开(公告)号：TW201803239A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105140208
申请日：2016-12-06
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：淵田步 , FUCHIDA, AYUMI , 奧貫雄一郎 , OKUNUKI, YUICHIRO
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/125 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/0425 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/305 , H01S5/3213 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S2301/166
摘要：不使生產性及成品率下降，得到可以抑制隨著溫度變化的振盪波長偏移之端面射出型半導體雷射。半導體基板1上，形成具有第1折射率的第1遮蓋層2。第1遮蓋層2上，形成具有比第1折射率高的第2折射率的活性層3。活性層3上，以λ為振盪波長，n為媒體的折射率，形成厚度分別比λ/4n厚的低折射率層4a與高折射率層4b交互堆疊的布拉格(bragg)反射鏡4。布拉格(bragg)反射鏡4上，形成具有比活性層3小的能帶間隙能量之光吸收層5。光吸收層5上，形成具有比第2折射率低的第3折射率之第2遮蓋層6。
简体摘要：不使生产性及成品率下降，得到可以抑制随着温度变化的振荡波长偏移之端面射出型半导体激光。半导体基板1上，形成具有第1折射率的第1遮盖层2。第1遮盖层2上，形成具有比第1折射率高的第2折射率的活性层3。活性层3上，以λ为振荡波长，n为媒体的折射率，形成厚度分别比λ/4n厚的低折射率层4a与高折射率层4b交互堆栈的布拉格(bragg)反射镜4。布拉格(bragg)反射镜4上，形成具有比活性层3小的能带间隙能量之光吸收层5。光吸收层5上，形成具有比第2折射率低的第3折射率之第2遮盖层6。

7. 发明专利

TWI426674B 光電組件及光電組件之製造方法失效
简体标题：光电组件及光电组件之制造方法
公开(公告)号：TWI426674B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW098103997
申请日：2009-02-09
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN , 艾克勒克里斯托夫 , EICHLER, CHRISTOPH , 史楚斯威 , STRAUSS, UWE , 哈勒韋克 , HAERLE, VOLKER
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/125 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/0424 , H01S5/12 , H01S5/18308 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI424646B 面發光型半導體雷射有权
简体标题：面发光型半导体激光
公开(公告)号：TWI424646B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW098126575
申请日：2009-08-06
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：前田修 , MAEDA, OSAMU , 增井勇志 , MASUI, YUJI , 汐先政貴 , SHIOZAKI, MASAKI , 荒木田孝博 , ARAKIDA, TAKAHIRO , 河角孝行 , KAWASUMI, TAKAYUKI
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/02461 , H01S5/1221 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S2301/166 , H01S2304/02 , H01S2304/04

9. 发明专利

TW201308668A 具有改善擷取之發射裝置审中-公开
简体标题：具有改善截取之发射设备
公开(公告)号：TW201308668A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101121634
申请日：2012-06-15
申请人：感應電子科技股份有限公司 , SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏塔洛夫麥辛S , SHATALOV, MAXIM S. , 多賓斯基艾利斯安德 , DOBRINSKY, ALEXANDER , 西爾麥克 , SHUR, MICHAEL , 格斯卡雷米吉斯 , GASKA, REMIGIJUS
IPC分类号： H01L33/22 , H01S5/10 , H01S5/125
CPC分类号： H01L33/60 , F21V5/002 , H01L33/0045 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2933/0083 , Y10T29/49
摘要：本發明提供一種用於改善輻射穿過界面之傳播的異形表面。該異形表面包括提供該異形表面之第一變化的大粗糙組件之集合，該第一變化具有約為大於該輻射之目標波長之量級的特性尺度。該異形表面亦包括疊置於大粗糙組件之該集合上且提供該異形表面之第二變化的小粗糙組件之集合，該第二變化具有約為該輻射之該目標波長的特性尺度。
简体摘要：本发明提供一种用于改善辐射穿过界面之传播的异形表面。该异形表面包括提供该异形表面之第一变化的大粗糙组件之集合，该第一变化具有约为大于该辐射之目标波长之量级的特性尺度。该异形表面亦包括叠置于大粗糙组件之该集合上且提供该异形表面之第二变化的小粗糙组件之集合，该第二变化具有约为该辐射之该目标波长的特性尺度。

10. 发明专利

TW202027355A 具有單一分散式布拉格反射器組之垂直共振腔面射型雷射审中-公开
简体标题：具有单一分佈式布拉格反射器组之垂直共振腔面射型激光
公开(公告)号：TW202027355A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100436
申请日：2019-01-04
申请人：晶連股份有限公司 , ELEOCOM INC.
发明人：內田俊一 , UCHIDA, TOSHI KAZU
IPC分类号： H01S5/125
摘要：一種具有單一分散式布拉格反射器組之垂直共振腔面射型雷射，包括一化合物半導體基板、一n型接觸金屬層、一磊晶結構以及一p型接觸金屬反射層。n型接觸金屬層以及磊晶結構係分別形成於化合物半導體基板之一下表面以及一上表面。磊晶結構包括一單一分散式布拉格反射器組、一主動層以及一上電流侷限層。單一分散式布拉格反射器組係為一n型分散式布拉格反射器組。主動層係形成於單一分散式布拉格反射器組之上。電流侷限層係形成於主動層之上。電流侷限層包括一外圍氧化電流侷限區以及一中央未氧化開口區。p型接觸金屬反射層係形成於磊晶結構之上且與磊晶結構相接觸。其中單一分散式布拉格反射器組以及p型接觸金屬反射層係分別為垂直共振腔面射型雷射在主動層之下以及之上之一n型反射結構以及一p型反射結構。
简体摘要：一种具有单一分佈式布拉格反射器组之垂直共振腔面射型激光，包括一化合物半导体基板、一n型接触金属层、一磊晶结构以及一p型接触金属反射层。n型接触金属层以及磊晶结构系分别形成于化合物半导体基板之一下表面以及一上表面。磊晶结构包括一单一分佈式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层。单一分佈式布拉格反射器组系为一n型分佈式布拉格反射器组。主动层系形成於单一分佈式布拉格反射器组之上。电流局限层系形成于主动层之上。电流局限层包括一外围氧化电流局限区以及一中央未氧化开口区。p型接触金属反射层系形成于磊晶结构之上且与磊晶结构相接触。其中单一分佈式布拉格反射器组以及p型接触金属反射层系分别为垂直共振腔面射型激光在主动层之下以及之上之一n型反射结构以及一p型反射结构。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式