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1. 发明专利

TWI416602B 氮化物半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：氮化物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI416602B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW097141563
申请日：2008-10-29
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：塩沢勝臣 , KATSUOMI SHIOZAWA , 金本恭三 , KYOZO KANAMOTO , 黑川博志 , HIROSHI KUROKAWA , 德田安紀 , YASUNORI TOKUDA , 蔵本恭介 , KYOSUKE KURAMOTO , 佐久間仁 , HITOSHI SAKUMA
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI671967B 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法有权
简体标题：半导体光组件、半导体光积体组件及半导体光组件的制造方法
公开(公告)号：TWI671967B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107135991
申请日：2018-10-12
申请人：日商三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山口勉 , YAMAGUCHI, TSUTOMU , 佐久間仁 , SAKUMA, HITOSHI , 尾上和之 , ONOE, KAZUYUKI
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/12

3. 发明专利

TWI397196B 氮化物半導體發光元件之製造方法失效
简体标题：氮化物半导体发光组件之制造方法
公开(公告)号：TWI397196B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW097138536
申请日：2008-10-07
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：金本恭三 , KYOZO KANAMOTO , 塩沢勝臣 , KATSUOMI SHIOZAWA , 川崎和重 , KAZUSHIGE KAWASAKI , 阿部真司 , SHINJI ABE , 佐久間仁 , HITOSHI SAKUMA
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04

4. 发明专利

TW200941769A 半導體發光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200941769A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097147623
申请日：2008-12-08
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：岡貴郁 , 楠政諭 , 川崎和重 , 阿部真司 , 佐久間仁
IPC分类号： H01L
摘要：本發明關於具有鈀電極的半導體發光元件之製造方法，目的是提供一種半導體發光元件之製造方法，以簡單方法迴避起因於剝離絕緣膜上鈀電極朝半導體發光元件表面附著而致良率降低、墊電極未形成部分的發生、p型接觸層與墊電極接觸問題。半導體發光元件之製造方法包括：形成具開口部的絕緣膜在半導體上的製程；形成鈀電極於前述開口部及前述絕緣膜上的製程；以及對前述絕緣膜上前述鈀電極施加物理力，使在前述開口部之前述鈀電極仍殘留並剝離去除前述絕緣膜上前述鈀電極的剝離製程。
简体摘要：本发明关于具有钯电极的半导体发光组件之制造方法，目的是提供一种半导体发光组件之制造方法，以简单方法回避起因于剥离绝缘膜上钯电极朝半导体发光组件表面附着而致良率降低、垫电极未形成部分的发生、p型接触层与垫电极接触问题。半导体发光组件之制造方法包括：形成具开口部的绝缘膜在半导体上的制程；形成钯电极于前述开口部及前述绝缘膜上的制程；以及对前述绝缘膜上前述钯电极施加物理力，使在前述开口部之前述钯电极仍残留并剥离去除前述绝缘膜上前述钯电极的剥离制程。

5. 发明专利

TW200943396A 氮化物半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200943396A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097141563
申请日：2008-10-29
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：塩沢勝臣 , 金本恭三 , 黑川博志 , 德田安紀 , 蔵本恭介 , 佐久間仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要：本發明是提供具有在電極間不會發生電阻成分的P電極的氮化物半導體裝置及其製造方法。P電極12是由一第一鈀膜13、一鉭膜14及第二鈀膜15所構成，並形成於由氮化物半導體所構成的一P型接觸層11上。在第二鈀膜15上，形成一墊電極22。第二鈀膜15是全面性地形成於構成P電極12的鉭膜14上，其具有防止鉭膜14的氧化之抗氧化膜的功能。藉由此一第二鈀膜15可以防止鉭膜14的氧化，因此可以抑制發生於P電極12與墊電極22之間的電阻成分。藉此可以防止P電極12與墊電極22的接觸不良，因而可以實現低電阻的P電極12。
简体摘要：本发明是提供具有在电极间不会发生电阻成分的P电极的氮化物半导体设备及其制造方法。P电极12是由一第一钯膜13、一钽膜14及第二钯膜15所构成，并形成于由氮化物半导体所构成的一P型接触层11上。在第二钯膜15上，形成一垫电极22。第二钯膜15是全面性地形成于构成P电极12的钽膜14上，其具有防止钽膜14的氧化之抗氧化膜的功能。借由此一第二钯膜15可以防止钽膜14的氧化，因此可以抑制发生于P电极12与垫电极22之间的电阻成分。借此可以防止P电极12与垫电极22的接触不良，因而可以实现低电阻的P电极12。

6. 发明专利

TW201128888A 半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201128888A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099136067
申请日：2010-10-22
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：岡貴郁 , 阿部真司 , 川崎和重 , 佐久間仁
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22
摘要： n型GaN基板10上形成半導體積層構造12。半導體積層構造12的上部形成脊部26。通道部28鄰接於脊部26。平台部30鄰接於通道部28的脊部26相反側。第1絕緣膜32覆蓋通道部28。第1絕緣膜32在脊部26及平台部30上具有開口。第1絕緣膜32上形成單層黏著層34。Pd電極36覆蓋脊部26及單層黏著層34的一部分,連接脊部26的P型GaN接觸層24。第2絕緣膜38覆蓋單層黏著層34的Pd電極36未覆蓋部分及平台部30。
简体摘要： n型GaN基板10上形成半导体积层构造12。半导体积层构造12的上部形成嵴部26。信道部28邻接于嵴部26。平台部30邻接于信道部28的嵴部26相反侧。第1绝缘膜32覆盖信道部28。第1绝缘膜32在嵴部26及平台部30上具有开口。第1绝缘膜32上形成单层黏着层34。Pd电极36覆盖嵴部26及单层黏着层34的一部分,连接嵴部26的P型GaN接触层24。第2绝缘膜38覆盖单层黏着层34的Pd电极36未覆盖部分及平台部30。

7. 发明专利

TW200943657A 氮化物半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200943657A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097141339
申请日：2008-10-28
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：塩沢勝臣 , 金本恭三 , 大石敏之 , 黑川博志 , 川崎和重 , 阿部真司 , 佐久間仁
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
摘要：本發明的目的是在半導體裝置特別是用於製造雷射二極體的氮化物半導體裝置中，抑制製程的複雜化或良率的降低、並抑制電極的剝離。本發明之氮化物半導體裝置，包含以下構成：一P型半導體層1，在一表面具有一脊狀突起2；一SiO2膜3，其被覆至少上述脊狀突起2的二個側面；以矽為主成分的一黏著層4，形成於上述SiO2膜3的表面；以及一P型電極5，形成於上述脊狀突起2的上表面及上述黏著層4的表面。
简体摘要：本发明的目的是在半导体设备特别是用于制造激光二极管的氮化物半导体设备中，抑制制程的复杂化或良率的降低、并抑制电极的剥离。本发明之氮化物半导体设备，包含以下构成：一P型半导体层1，在一表面具有一嵴状突起2；一SiO2膜3，其被覆至少上述嵴状突起2的二个侧面；以硅为主成分的一黏着层4，形成于上述SiO2膜3的表面；以及一P型电极5，形成于上述嵴状突起2的上表面及上述黏着层4的表面。

8. 发明专利

TWI368946B 半導體偵光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体侦光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI368946B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097106584
申请日：2008-02-26
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：菊地真人武 , 中島康雄 , 中島美幸 , 佐久間仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/02162 , H01L31/022416
摘要：【課題】本發明的目的係發揮絕緣膜作為低反射膜所要的功能，並提供抑制暗電流的半導體偵光元件及其製造方法。
【解決手段】包括絕緣膜形成步驟，在半導體上形成絕緣膜；以及電極形成步驟，在上述半導體應除去接觸窗之處形成電極。上述電極形成步驟後，包括絕緣膜保護用光阻形成步驟，在上述絕緣膜上形成光阻。
包括供電層形成步驟，在上述光阻及上述電極上，形成金屬的供電層；電鍍形成步驟，上述供電層形成步驟後，在相接上述電極的上述供電層上進行電鍍形成；以及供電層蝕刻步驟，上述電鍍形成步驟後，留下應成為上述電極的部分，蝕刻上述供電層。
更包括絕緣膜保護用光阻除去步驟，在上述供電層蝕刻步驟後，除去上述光阻。
简体摘要：【课题】本发明的目的系发挥绝缘膜作为低反射膜所要的功能，并提供抑制暗电流的半导体侦光组件及其制造方法。【解决手段】包括绝缘膜形成步骤，在半导体上形成绝缘膜；以及电极形成步骤，在上述半导体应除去接触窗之处形成电极。上述电极形成步骤后，包括绝缘膜保护用光阻形成步骤，在上述绝缘膜上形成光阻。包括供电层形成步骤，在上述光阻及上述电极上，形成金属的供电层；电镀形成步骤，上述供电层形成步骤后，在相接上述电极的上述供电层上进行电镀形成；以及供电层蚀刻步骤，上述电镀形成步骤后，留下应成为上述电极的部分，蚀刻上述供电层。更包括绝缘膜保护用光阻除去步骤，在上述供电层蚀刻步骤后，除去上述光阻。

9. 发明专利

TW201110490A 半導體雷射裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体激光设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
公开(公告)号：TW201110490A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099119847
申请日：2010-06-18
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：高瀨禎 , 多田仁史 , 前原宏昭 , 久義浩 , 佐久間仁
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/02272 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
摘要：在以結下的方式將雙波長半導體雷射晶片接合至基底上的半導體雷射裝置中,為了減低雷射晶片與基底之間產生的內應力及縮小兩雷射各自的偏光角,使用SnAg焊料於基底與雙波長半導體雷射晶片的接合。此時兩雷射各自的波導中心至晶片中心端的基底與雙波長半導體雷射晶片的接合面端部距離,與波導中心至晶片側端的基底與雙波長半導體雷射晶片的接合面端部距離之比,都在0.69以上1.46以下。
简体摘要：在以结下的方式将双波长半导体激光芯片接合至基底上的半导体激光设备中,为了减低激光芯片与基底之间产生的内应力及缩小两激光各自的偏光角,使用SnAg焊料于基底与双波长半导体激光芯片的接合。此时两激光各自的波导中心至芯片中心端的基底与双波长半导体激光芯片的接合面端部距离,与波导中心至芯片侧端的基底与双波长半导体激光芯片的接合面端部距离之比,都在0.69以上1.46以下。

10. 发明专利

TWI341062B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI341062B
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：TW096123034
申请日：2007-06-26
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：志賀俊彥 , 佐久間仁
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要：【課題】提供能安定地在導波路瘠上表面，防止半導體層與電極層間之接觸面積減少，且良率高的製造方法。
【解決手段】本發明的LD10之製造方法，係在已積層著半導體層的晶圓上形成導波路瘠40，並在晶圓整面上形成SiO2膜78，形成使在導波路瘠40頂部上所形成的SiO2膜78表面裸露出，且導波路瘠40所鄰接通道38的SiO2膜78，利用具有表面較高於導波路瘠40的p－GaN層74表面，且較低於導波路瘠40頂部上的SiO2膜78表面之光阻膜，進行埋設的第2光阻圖案82，以第2光阻圖案82為遮罩，將SiO2膜78去除，使導波路瘠40的p－GaN層74表面裸露出，並在其上面形成電極層46。
简体摘要：【课题】提供能安定地在导波路瘠上表面，防止半导体层与电极层间之接触面积减少，且良率高的制造方法。【解决手段】本发明的LD10之制造方法，系在已积层着半导体层的晶圆上形成导波路瘠40，并在晶圆整面上形成SiO2膜78，形成使在导波路瘠40顶部上所形成的SiO2膜78表面裸露出，且导波路瘠40所邻接信道38的SiO2膜78，利用具有表面较高于导波路瘠40的p－GaN层74表面，且较低于导波路瘠40顶部上的SiO2膜78表面之光阻膜，进行埋设的第2光阻图案82，以第2光阻图案82为遮罩，将SiO2膜78去除，使导波路瘠40的p－GaN层74表面裸露出，并在其上面形成电极层46。

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