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1. 发明专利

TW201417427A 具有較佳之電流傳導性的半導體雷射审中-公开
简体标题：具有较佳之电流传导性的半导体激光
公开(公告)号：TW201417427A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102133349
申请日：2013-09-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN , 布魯德羅喬治 , BRUEDERL, GEORG , 艾克勒克里斯托夫 , EICHLER, CHRISTOPH , 吉哈德思文 , GERHARD, SVEN , 勒莫特瑞沙 , LERMER, TERESA , 史楚斯威 , STRAUSS, UWE
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2031 , H01S5/2009 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3215 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031
摘要：本發明涉及一種具有層結構之半導體雷射(1)及其製造方法，半導體雷射之重疊地配置的各層具有至少以下的層序列：a. n-摻雜之外罩層(10)，b.第三波導層(11)，c.活性區(6)，其中配置著用於產生光的結構，d.第二波導層(13)，e.阻止層(14)，f.第一波導層(15)，g. p-摻雜之外罩層(16)，其中第一、第二、第三波導層(15、13、11)至少具有AlxInyGa(1-x-y)N，其中x之值介於0和1之間，y之值介於0和1之間，x和y之和的值介於0和1之間，該阻止層(14)具有鋁-含量，其較相鄰的第一波導層(15)之鋁-含量至少大2%，該阻止層(14)的鋁-含量由第一波導層(15)開始而在第二波導層(13)的方向中增加，其中該層結構具有二側式的分層(9)，此二側式的分層(9)配置在該阻止層(14)之高度處，使該阻止層(14)之至少一部份或全部之該阻止層(14)所具有的寬度大於第一波導層(15)的寬度。此外，本發明涉及一種半導體雷射之製造方法。
简体摘要：本发明涉及一种具有层结构之半导体激光(1)及其制造方法，半导体激光之重叠地配置的各层具有至少以下的层串行：a. n-掺杂之外罩层(10)，b.第三波导层(11)，c.活性区(6)，其中配置着用于产生光的结构，d.第二波导层(13)，e.阻止层(14)，f.第一波导层(15)，g. p-掺杂之外罩层(16)，其中第一、第二、第三波导层(15、13、11)至少具有AlxInyGa(1-x-y)N，其中x之值介于0和1之间，y之值介于0和1之间，x和y之和的值介于0和1之间，该阻止层(14)具有铝-含量，其较相邻的第一波导层(15)之铝-含量至少大2%，该阻止层(14)的铝-含量由第一波导层(15)开始而在第二波导层(13)的方向中增加，其中该层结构具有二侧式的分层(9)，此二侧式的分层(9)配置在该阻止层(14)之高度处，使该阻止层(14)之至少一部份或全部之该阻止层(14)所具有的宽度大于第一波导层(15)的宽度。此外，本发明涉及一种半导体激光之制造方法。

2. 发明专利

TW201318292A 氮化物半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TW201318292A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101136387
申请日：2012-10-02
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：京野孝史 , KYONO, TAKASHI , 鹽谷陽平 , ENYA, YOHEI , 上野昌紀 , UENO, MASAKI , 梁島克典 , YANASHIMA, KATSUNORI , 田才邦彥 , TASAI, KUNIHIKO , 中島博 , NAKAJIMA, HIROSHI , 風田川統之 , FUTAGAWA, NORIYUKI
IPC分类号： H01S5/22 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
摘要：本發明可提供一種具有可減少來自半導體隆脊之載子之橫向擴散之構造的氮化物半導體發光元件。{20-21}面上之半導體雷射係藉由該異質接面而於電洞帶上生成二維電洞氣。於生成二維電洞氣之異質接面自半導體隆脊位置偏離時，該二維電洞氣係於p側之半導體區域內引起載子之橫向擴散。另一方面，c面上之半導體雷射係不會藉由該異質接面而於電洞帶上生成二維電洞氣。於異質接面HJ包含於半導體隆脊時，在自半導體隆脊流出之載子中，不存在因二維電洞氣之作用引起之橫向擴散。
简体摘要：本发明可提供一种具有可减少来自半导体隆嵴之载子之横向扩散之构造的氮化物半导体发光组件。{20-21}面上之半导体激光系借由该异质接面而于电洞带上生成二维电洞气。于生成二维电洞气之异质接面自半导体隆嵴位置偏离时，该二维电洞气系于p侧之半导体区域内引起载子之横向扩散。另一方面，c面上之半导体激光系不会借由该异质接面而于电洞带上生成二维电洞气。于异质接面HJ包含于半导体隆嵴时，在自半导体隆嵴流出之载子中，不存在因二维电洞气之作用引起之横向扩散。

3. 发明专利

TW201314945A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201314945A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130546
申请日：2012-08-22
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：倉本大 , KURAMOTO, MASARU , 幸田倫太郎 , KODA, RINTARO , 渡邊秀輝 , WATANABE, HIDEKI
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/141 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/209 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/309 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要：本發明係提供一種可出射具有單一模式之光束之高輸出之發光元件。該發光元件具備：積層結構體20，其係於基體20'上依序積層有第1化合物半導體層21、活性層23及第2化合物半導體層22而成；第2電極32；以及第1電極31。第1化合物半導體層21係自基體側具有第1包覆層121A及第1光導層121B之積層結構，積層結構體係具有包含第2化合物半導體層22、活性層23、及第1光導層之厚度方向之一部分121B'之脊狀條紋結構20A。於第1光導層121B之厚度設為t1，構成脊狀條紋結構20A之第1光導層之部分121B之厚度設為t1'時，滿足6×10-7 m
简体摘要：本发明系提供一种可出射具有单一模式之光束之高输出之发光组件。该发光组件具备：积层结构体20，其系于基体20'上依序积层有第1化合物半导体层21、活性层23及第2化合物半导体层22而成；第2电极32；以及第1电极31。第1化合物半导体层21系自基体侧具有第1包覆层121A及第1光导层121B之积层结构，积层结构体系具有包含第2化合物半导体层22、活性层23、及第1光导层之厚度方向之一部分121B'之嵴状条纹结构20A。于第1光导层121B之厚度设为t1，构成嵴状条纹结构20A之第1光导层之部分121B之厚度设为t1'时，满足6×10-7 m

4. 发明专利

TW201134036A 邊射型半導體雷射 EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
简体标题：边射型半导体激光 EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TW201134036A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099129617
申请日：2010-09-02
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：葛羅尼葛爾關勒 , 柯尼哈拉德 , 拉爾克里斯丁 , 丘梅葛利西斯阿法羅
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
摘要：本發明揭露一種邊射型半導體雷射,包括主動區(1),係為輻射產生區;以及通用波導(8),係適於引導在半導體雷射內之主動區(1)中產生之輻射,其中,通用波導(8)包括第一n摻雜層(4)及第二n摻雜層(5),第二n摻雜層(5)係配置在第一n摻雜層(4)及主動區(1)之間,且第二n摻雜層(5)之折射率n2比第一n摻雜層(4)之折射率n1大dn之値。
简体摘要：本发明揭露一种边射型半导体激光,包括主动区(1),系为辐射产生区;以及通用波导(8),系适于引导在半导体激光内之主动区(1)中产生之辐射,其中,通用波导(8)包括第一n掺杂层(4)及第二n掺杂层(5),第二n掺杂层(5)系配置在第一n掺杂层(4)及主动区(1)之间,且第二n掺杂层(5)之折射率n2比第一n掺杂层(4)之折射率n1大dn之値。

5. 发明专利

TWI609541B 半導體雷射裝置有权
简体标题：半导体激光设备
公开(公告)号：TWI609541B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW106113946
申请日：2017-04-26
申请人：聯亞光電工業股份有限公司 , LAND MARK OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：邱舒偉 , CHIU, SHU WEI , 馬英傑 , MA, YIN JIE , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/3211 , H01S5/164 , H01S5/20 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/222 , H01S5/227 , H01S5/32

6. 发明专利

TWI605613B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI605613B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105136570
申请日：2016-11-10
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01S5/3054 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/1028 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/3216 , H01S5/34333

8. 发明专利

TW201220628A 三族氮化物系綠光雷射二極體和其波導結構 GROUP III NITRIDE-BASED GREEN-LASER DIODES AND WAVEGUIDE STRUCTURES THEREOF 审中-公开
简体标题：三族氮化物系绿光激光二极管和其波导结构 GROUP III NITRIDE-BASED GREEN-LASER DIODES AND WAVEGUIDE STRUCTURES THEREOF
公开(公告)号：TW201220628A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100133249
申请日：2011-09-15
申请人：康寧公司
发明人：斯佐夫德米崔 , 巴特拉賈蘭 , 查慶安
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3211
摘要：三族氮化物系雷射二極體包含由n型摻雜之氮化鎵(鋁、銦)組成的n側披覆層、由n型摻雜之氮化銦鎵(鋁)組成的n側波導層、作用區、由p型摻雜之氮化銦鎵(鋁)組成的p側波導層、以及由p型摻雜之氮化鎵(鋁、銦)組成的p側披覆層。經由操控n側波導層的銦濃度和厚度,使光模偏離p型層中的高受體濃度。調整p側披覆層和p側波導層的摻質和組成分佈,以減少光損失及提高插座效率。
简体摘要：三族氮化物系激光二极管包含由n型掺杂之氮化镓(铝、铟)组成的n侧披覆层、由n型掺杂之氮化铟镓(铝)组成的n侧波导层、作用区、由p型掺杂之氮化铟镓(铝)组成的p侧波导层、以及由p型掺杂之氮化镓(铝、铟)组成的p侧披覆层。经由操控n侧波导层的铟浓度和厚度,使光模偏离p型层中的高受体浓度。调整p侧披覆层和p侧波导层的掺质和组成分布,以减少光损失及提高插座效率。

9. 发明专利

TWI508400B 具有層結構之半導體雷射及其製造方法有权
简体标题：具有层结构之半导体激光及其制造方法
公开(公告)号：TWI508400B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102133349
申请日：2013-09-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN , 布魯德羅喬治 , BRUEDERL, GEORG , 艾克勒克里斯托夫 , EICHLER, CHRISTOPH , 吉哈德思文 , GERHARD, SVEN , 勒莫特瑞沙 , LERMER, TERESA , 史楚斯威 , STRAUSS, UWE
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2031 , H01S5/2009 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3215 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031

10. 发明专利

TW201415739A 半導體環形雷射裝置审中-公开
简体标题：半导体环形激光设备
公开(公告)号：TW201415739A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102131406
申请日：2013-08-30
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梶山康一 , KAJIYAMA, KOICHI , 名須川利通 , NASUKAWA, TOSHIMICHI , 石川晉 , ISHIKAWA, SHIN , 金尾正康 , KANAO, MASAYASU
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/14 , G01C19/66
CPC分类号： H01S5/1071 , G01C19/661 , H01S3/07 , H01S3/083 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/14 , H01S5/2031 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/4006
摘要：本發明提供一種半導體環形雷射裝置，其能夠進行環形雷射的穩定振盪，並且能夠進行精度較高的角速度檢測，亦能夠滿足超緻密/超輕質化的要求。本發明的半導體環形雷射裝置具備：一個Si半導體基板(10)；環形諧振器(20)，由形成於Si半導體基板(10)之光波導(21)構成；半導體雷射部(2)，在光波導(21)的至少一部份具備發光放大部(2A)，並產生使環形諧振器(20)相互朝相反方向環繞之2個雷射光(L1、L2)；及光檢測部(4)，形成於Si半導體基板(10)且從環形諧振器(20)取出2個雷射光(L1、L2)來檢測2個雷射光(L1、L2)的頻率差，發光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，前述pn接合部藉由一邊對在Si半導體基板(10)中之第1半導體層(10n)以高濃度摻雜B亦即硼而得到之第2半導體層(13)照射光，一邊實施退火處理而得到。
简体摘要：本发明提供一种半导体环形激光设备，其能够进行环形激光的稳定振荡，并且能够进行精度较高的角速度检测，亦能够满足超致密/超轻质化的要求。本发明的半导体环形激光设备具备：一个Si半导体基板(10)；环形谐振器(20)，由形成于Si半导体基板(10)之光波导(21)构成；半导体激光部(2)，在光波导(21)的至少一部份具备发光放大部(2A)，并产生使环形谐振器(20)相互朝相反方向环绕之2个激光光(L1、L2)；及光检测部(4)，形成于Si半导体基板(10)且从环形谐振器(20)取出2个激光光(L1、L2)来检测2个激光光(L1、L2)的频率差，发光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，前述pn接合部借由一边对在Si半导体基板(10)中之第1半导体层(10n)以高浓度掺杂B亦即硼而得到之第2半导体层(13)照射光，一边实施退火处理而得到。

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