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1. 发明专利

TW387155B 半導體發光元件之製法失效
简体标题：半导体发光组件之制法
公开(公告)号：TW387155B
公开(公告)日：2000-04-11
申请号：TW087104616
申请日：1998-03-27
申请人：羅沐股份有限公司
发明人：伊藤範和 , 中田俊次 , 尺田幸男 , 園部雅之 , 筒井毅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/0201 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341
摘要：本發明之特徵係於供形成複數個發光元件晶片之用的晶圓形狀的基板上，層積與該基板性質不同的半導體層。接著，於複數個晶片之各個上的被層積的半導體層表面的第 l導電型之半導體層與除去前述被層積的半導體層的一部份而露出的第2導電型之半導體層的露出部分別設置電氣連接的電極。進而，蝕刻前述各晶片的境界部之前述被層積的半導體層俾使前述基板露出，在該露出的部分切斷分離(break)前述基板分割成各晶片。藉由先以蝕刻除去此晶片的境界部分的被層積的半導體層再切斷分離，使該切斷分離工作得以容易進行，同時因為不會損傷到被層積的半導體層的發光部，所以可以獲得高性能的半導體發光元件。
简体摘要：本发明之特征系于供形成复数个发光组件芯片之用的晶圆形状的基板上，层积与该基板性质不同的半导体层。接着，于复数个芯片之各个上的被层积的半导体层表面的第 l导电型之半导体层与除去前述被层积的半导体层的一部份而露出的第2导电型之半导体层的露出部分别设置电气连接的电极。进而，蚀刻前述各芯片的境界部之前述被层积的半导体层俾使前述基板露出，在该露出的部分切断分离(break)前述基板分割成各芯片。借由先以蚀刻除去此芯片的境界部分的被层积的半导体层再切断分离，使该切断分离工作得以容易进行，同时因为不会损伤到被层积的半导体层的发光部，所以可以获得高性能的半导体发光组件。

2. 发明专利

TWI406465B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI406465B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099125870
申请日：2010-08-04
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：廣中美佐夫 , HIRONAKA, MISAO , 西口晴美 , NISHIGUCHI, HARUMI , 蔵本恭介 , KURAMOTO, KYOSUKE , 楠政諭 , KUSUNOKI, MASATSUGU
IPC分类号： H01S5/02
CPC分类号： H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341

3. 发明专利

TWI464985B 表面發光雷射陣列，光學掃描裝置，及成像裝置有权
简体标题：表面发光激光数组，光学扫描设备，及成像设备
公开(公告)号：TWI464985B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW096131129
申请日：2007-08-22
申请人：理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人：佐藤俊一 , SATO, SHUNICHI , 伊藤彰浩 , ITOH, AKIHIRO , 菅原悟 , SUGAWARA, SATORU , 庄子浩義 , SHOUJI, HIROYOSHI
IPC分类号： H01S5/183 , B41J2/455
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2213 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2302/00

4. 发明专利

TWI607497B 加工基板的方法有权
公开(公告)号：TWI607497B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105126881
申请日：2016-08-23
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI , 皮拉瓦瑟卡爾 H. , PRIEWASSER, KARL HEINZ , 服部奈緒 , HATTORI, NAO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/268 , B23K26/53
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/428 , H01L23/544 , H01L33/0054 , H01L33/0075 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/021

5. 发明专利

TW200812180A 表面發光雷射陣列,光學掃描裝置,及成像裝置 SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING DEVICE, AND IMAGE FORMING DEVICE 审中-公开
简体标题：表面发光激光数组,光学扫描设备,及成像设备 SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING DEVICE, AND IMAGE FORMING DEVICE
公开(公告)号：TW200812180A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096131129
申请日：2007-08-22
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：佐藤俊一 SATO, SHUNICHI , 伊藤彰浩 ITOH, AKIHIRO , 菅原悟 SUGAWARA, SATORU , 庄子浩義 SHOUJI, HIROYOSHI
IPC分类号： H01S , B41J
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2213 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2302/00
摘要：一種表面發光雷射陣列係包括複數個表面發光雷射元件。各表面發光雷射元件包括:第一反射層,形成在基板上;共振器,與該第一反射層接觸而形成,並含有活性層;以及第二反射層,形成在該第一反射層上方,並與該共振器接觸。該二反射層含有選擇性氧化層。該第一反射層在該活性層側上至少含有低折射率層,該低折射率層的氧化率等於或大於該第二反射層中所含有之選擇性氧化層的氧化率。該共振器是由至少含有In的AlGaInPAs系材料所製成。台面結構的底部位於該選擇性氧化層下方和該第一反射層上方。
简体摘要：一种表面发光激光数组系包括复数个表面发光激光组件。各表面发光激光组件包括:第一反射层,形成在基板上;共振器,与该第一反射层接触而形成,并含有活性层;以及第二反射层,形成在该第一反射层上方,并与该共振器接触。该二反射层含有选择性氧化层。该第一反射层在该活性层侧上至少含有低折射率层,该低折射率层的氧化率等于或大于该第二反射层中所含有之选择性氧化层的氧化率。该共振器是由至少含有In的AlGaInPAs系材料所制成。台面结构的底部位于该选择性氧化层下方和该第一反射层上方。

6. 发明专利

TW201715597A 加工基板的方法审中-公开
公开(公告)号：TW201715597A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105126881
申请日：2016-08-23
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI , 皮拉瓦瑟卡爾 H. , PRIEWASSER, KARL HEINZ , 服部奈緒 , HATTORI, NAO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/268 , B23K26/53
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/428 , H01L23/544 , H01L33/0054 , H01L33/0075 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/021
摘要：本發明涉及一種加工基板的方法。該基板具有第一表面以及與該第一表面相對的第二表面，在所述第一表面上形成有至少一條分割線。該方法包括：從所述第一表面的那側向所述基板施加脈衝雷射光束(LB)，至少施加在沿著所述至少一條分割線的多個位置，從而在所述基板中形成多個孔區域，每個孔區域從所述第一表面朝所述第二表面延伸。每個孔區域由改變區域和在該改變區域中向所述第一表面敞開的空間組成。所述方法還包括沿已形成有所述多個孔區域的所述至少一條分割線去除基板材料。
简体摘要：本发明涉及一种加工基板的方法。该基板具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，在所述第一表面上形成有至少一条分割线。该方法包括：从所述第一表面的那侧向所述基板施加脉冲激光光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线的多个位置，从而在所述基板中形成多个孔区域，每个孔区域从所述第一表面朝所述第二表面延伸。每个孔区域由改变区域和在该改变区域中向所述第一表面敞开的空间组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域的所述至少一条分割线去除基板材料。

7. 发明专利

TW201134035A 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201134035A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099125870
申请日：2010-08-04
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：廣中美佐夫 , 西口晴美 , 蔵本恭介 , 楠政諭
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341
摘要：在n型GaN基板上10形成半導體積層構造12,藉此形成具有複數半導體雷射14的晶圓片16。接著,在半導體雷射14的分離領域18的晶圓片16主面上形成第1溝部22。接著,將晶圓片16分離為半導體雷射14呈條狀並排的雷射條26。接著,在雷射條26的第1溝部22內形成具有與第1溝部22相同或更窄的寬度的第2溝部30。接著,沿著第2溝部30將雷射條26分離為各個半導體雷射14。
简体摘要：在n型GaN基板上10形成半导体积层构造12,借此形成具有复数半导体激光14的晶圆片16。接着,在半导体激光14的分离领域18的晶圆片16主面上形成第1沟部22。接着,将晶圆片16分离为半导体激光14呈条状并排的激光条26。接着,在激光条26的第1沟部22内形成具有与第1沟部22相同或更窄的宽度的第2沟部30。接着,沿着第2沟部30将激光条26分离为各个半导体激光14。

8. 发明专利

TW518741B 邊射或邊耦波導型光電元件的製作方法失效
简体标题：边射或边耦波导型光电组件的制作方法
公开(公告)号：TW518741B
公开(公告)日：2003-01-21
申请号：TW090102840
申请日：2001-02-09
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：袁榮亨
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02161 , H01L31/035281 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/22 , Y02E10/50
摘要：一種邊射(Edge-emitting)或邊耦(Edge-coupled)波導型(Waveguide)光電元件，例如邊射型波導雷射二極體或邊耦型波導光電二極體，的製作方法；利用高密度電漿(High Density Plasma；HDP)反應性離子蝕刻技術(Reactive Ion Etching；RIE)，在晶圓製程階段，即對構成光電元件之半導體層進行蝕刻，以形成供光射入或射出的刻面(Facet)，如此在晶圓切割前即可對該刻面進行鍍膜，免除傳統製程須先將晶圓劈開成條狀的麻煩，提升元件特性及穩定性，降低元件製造成本。
简体摘要：一种边射(Edge-emitting)或边耦(Edge-coupled)波导型(Waveguide)光电组件，例如边射型波导激光二极管或边耦型波导光电二极管，的制作方法；利用高密度等离子(High Density Plasma；HDP)反应性离子蚀刻技术(Reactive Ion Etching；RIE)，在晶圆制程阶段，即对构成光电组件之半导体层进行蚀刻，以形成供光射入或射出的刻面(Facet)，如此在晶圆切割前即可对该刻面进行镀膜，免除传统制程须先将晶圆噼开成条状的麻烦，提升组件特性及稳定性，降低组件制造成本。

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