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1. 发明专利

TW201921818A 單晶片串聯連接的VCSEL陣列审中-公开
简体标题：单芯片串联连接的VCSEL数组
公开(公告)号：TW201921818A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107125771
申请日：2018-07-25
申请人：美商三流明公司 , TRILUMINA CORP.
发明人：卡爾森李察F , CARSON, RICHARD F. , 李念宜 , LI, NEIN-YI , 瓦倫梅爾E , WARREN, MIAL E.
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/40 , H01S5/022
摘要：本發明描述用以致能串聯連接的單晶片垂直空腔表面射型雷射(VCSEL)陣列之方法、裝置及系統。在一方面，單晶片包含在導電層上之一或多個不導電區域以產生複數個電性分離導電區域。每個電性分離區域可具有複數個VCSEL元件，包含串聯連接的陽極區域及陰極區域。晶片連接至具有金屬化圖案之子座體，其串聯連接導電層上的每個電性分離區域。在一方面，金屬化圖案將第一電性分離區域之陽極區域連接至第二電性分離區域之陰極區域。金屬化圖案亦可包含切斷部，其維持在每個導電層區域上的陽極及陰極區域之間的電性分離，並與蝕刻區域對準。
简体摘要：本发明描述用以致能串联连接的单芯片垂直空腔表面射型激光(VCSEL)数组之方法、设备及系统。在一方面，单芯片包含在导电层上之一或多个不导电区域以产生复数个电性分离导电区域。每个电性分离区域可具有复数个VCSEL组件，包含串联连接的阳极区域及阴极区域。芯片连接至具有金属化图案之子座体，其串联连接导电层上的每个电性分离区域。在一方面，金属化图案将第一电性分离区域之阳极区域连接至第二电性分离区域之阴极区域。金属化图案亦可包含切断部，其维持在每个导电层区域上的阳极及阴极区域之间的电性分离，并与蚀刻区域对准。

2. 发明专利

TW201911691A 具有混合式反射鏡結構的垂直共振腔面射型雷射审中-公开
简体标题：具有混合式反射镜结构的垂直共振腔面射型激光
公开(公告)号：TW201911691A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106125008
申请日：2017-07-26
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：盧廷昌 , LU, TIEN-CHANG , 張祖齊 , CHANG, TSU-CHI , 郭修邑 , KUO, SHIOU-YI
IPC分类号： H01S5/183
摘要：一種具有混合式反射鏡結構的垂直共振腔面射型雷射，乃將介電質反射鏡與金屬反射鏡結合形成混合式反射鏡，藉由金屬本身高反射率與高導熱效果，大幅降低介電質反射鏡的使用對數，進而減少散熱途徑，增加散熱效果，同時，於金屬與介電質之間形成雙折射率的週期性光柵結構，可以增加雷射極化的穩定度，此外，週期性光柵結構可增加黏著金屬之接觸面積，因此其晶圓強度與穩定度可大幅提升。
简体摘要：一种具有混合式反射镜结构的垂直共振腔面射型激光，乃将介电质反射镜与金属反射镜结合形成混合式反射镜，借由金属本身高反射率与高导热效果，大幅降低介电质反射镜的使用对数，进而减少散热途径，增加散热效果，同时，于金属与介电质之间形成双折射率的周期性光栅结构，可以增加激光极化的稳定度，此外，周期性光栅结构可增加黏着金属之接触面积，因此其晶圆强度与稳定度可大幅提升。

3. 发明专利

TWI569026B 垂直諧振面發光雷射陣列有权
简体标题：垂直谐振面发光激光数组
公开(公告)号：TWI569026B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103120152
申请日：2014-06-11
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI
IPC分类号： G01R31/28 , H01S5/02 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/423 , H01L2224/24 , H01S5/0042 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/18311 , H01S5/4018 , H01S2301/176

4. 发明专利

TWI562486B 垂直諧振面發光雷射陣列及其製造方法有权
简体标题：垂直谐振面发光激光数组及其制造方法
公开(公告)号：TWI562486B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103119180
申请日：2014-06-03
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01L2224/24 , H01S5/0042 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/187 , H01S5/4018 , H01S2301/176

5. 发明专利

TW201607190A 垂直共振腔面射型雷射之製造方法审中-公开
简体标题：垂直共振腔面射型激光之制造方法
公开(公告)号：TW201607190A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104119961
申请日：2015-06-22
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：植田崇資 , UEDA, TAKASHI , 鈴木新 , SUZUKI, ARATA , 關仁士 , SEKI, HITOSHI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31 , H01S5/183
摘要：在藉由加熱水蒸氣氧化之方法形成電流狹窄層時，相較於以往使基板內之氧化分布均勻化。在垂直共振腔面射型雷射之製造方法，藉由加工包含被氧化層之積層體使被氧化層之側面露出後，藉由加熱水蒸氣氧化步驟形成電流狹窄層。加熱水蒸氣氧化步驟，包含：在設在能使內部氣密之腔室101之內部之載台102載置具有加工後之積層體之基板110之步驟；在腔室101外部之純水槽122，藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生水蒸氣氣體之步驟；以及以控制流量之方式將水蒸氣氣體往成為真空環境氣氛之腔室101內供應之步驟。
简体摘要：在借由加热水蒸气氧化之方法形成电流狭窄层时，相较于以往使基板内之氧化分布均匀化。在垂直共振腔面射型激光之制造方法，借由加工包含被氧化层之积层体使被氧化层之侧面露出后，借由加热水蒸气氧化步骤形成电流狭窄层。加热水蒸气氧化步骤，包含：在设在能使内部气密之腔室101之内部之载台102载置具有加工后之积层体之基板110之步骤；在腔室101外部之纯水槽122，借由在真空环境气氛中加热纯水产生水蒸气气体之步骤；以及以控制流量之方式将水蒸气气体往成为真空环境气氛之腔室101内供应之步骤。

6. 发明专利

TWI429152B 垂直空腔表面發射雷射系統及其製造方法有权
简体标题：垂直空腔表面发射激光系统及其制造方法
公开(公告)号：TWI429152B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100138678
申请日：2011-10-25
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：譚麥可R T , TAN, MICHAEL RENNE TY , 法特爾大衛A , FATTAL, DAVID A. , 李晶晶 , LI, JINGJING , 貝索雷雷蒙G , BEAUSOLEIL, RAYMOND G.
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/021 , H01S5/02284 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/18386 , H01S5/423 , H01S2301/176

7. 发明专利

TWI412154B 面發光元件有权
简体标题：面发光组件
公开(公告)号：TWI412154B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW096111334
申请日：2007-03-30
申请人：同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD
发明人：坂本陵 , SAKAMOTO, RYO , 岩田雅年 , IWATA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/34 , H01S5/183
CPC分类号： H01L33/105

8. 发明专利

TW201334336A 高密度雷射光學器件审中-公开
简体标题：高密度激光光学器件
公开(公告)号：TW201334336A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101148278
申请日：2012-12-19
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：譚麥可雷尼堤 , TAN, MICHAEL RENNE TY , 費投大衛A , FATTAL, DAVID A. , 索林韋恩V , SORIN, WAYNE V. , 馬泰沙吉維吉斯 , MATHAI, SAGI VARGHESE
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/06
CPC分类号： H01S5/423 , B82Y20/00 , G02B6/12016 , G02B6/12019 , G02B6/12026 , G02B6/124 , G02B6/13 , G02B2006/12107 , G02B2006/12164 , H01S5/0215 , H01S5/02248 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/068 , H01S5/1092 , H01S5/183 , H01S5/18319 , H01S5/18363 , H01S5/18386 , H01S5/187 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H01S5/4087
摘要：本發明提供一種用於高密度雷射光學器件的設備和方法。一雷射光學器件設備的範例包含：位於一一體成形集成式陣列之中的複數個垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)；一高對比光柵(HCG)，其已整合該等複數個VCSEL中每一者的一垂直空腔的一孔徑，用以達成發射複數個雷射照射波長中的單一雷射照射波長；以及複數條單模波導，每一條單模波導皆已整合一光柵耦合器，該等單模波導會被連接至該等複數個已整合的VCSEL和該等HCG中的每一者，其中，該等光柵耦合器中的每一者皆會對齊一已整合的VCSEL和HCG。
简体摘要：本发明提供一种用于高密度激光光学器件的设备和方法。一激光光学器件设备的范例包含：位于一一体成形集成式数组之中的复数个垂直空腔表面发射激光(VCSEL)；一高对比光栅(HCG)，其已集成该等复数个VCSEL中每一者的一垂直空腔的一孔径，用以达成发射复数个激光照射波长中的单一激光照射波长；以及复数条单模波导，每一条单模波导皆已集成一光栅耦合器，该等单模波导会被连接至该等复数个已集成的VCSEL和该等HCG中的每一者，其中，该等光栅耦合器中的每一者皆会对齐一已集成的VCSEL和HCG。

9. 发明专利

TWI404283B 面射型雷射元件，面射型雷射陣列，光學掃描裝置以及影像形成設備有权
简体标题：面射型激光组件，面射型激光数组，光学扫描设备以及影像形成设备
公开(公告)号：TWI404283B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098116211
申请日：2009-05-15
申请人：理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人：原坂和宏 , HARASAKA, KAZUHIRO , 佐藤俊一 , SATO, SHUNICHI , 軸谷直人 , JIKUTANI, NAOTO , 石井稔浩 , ISHII, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04

10. 发明专利

TW202027356A 垂直腔面發射雷射的製造方法、垂直腔面發射雷射結構以及積體電路审中-公开
简体标题：垂直腔面发射激光的制造方法、垂直腔面发射激光结构以及集成电路
公开(公告)号：TW202027356A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108125660
申请日：2019-07-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳振宇 , CHEN, CHEN-YU , 劉銘棋 , LIU, MING-CHYI , 陳志彬 , CHEN, JHIH-BIN
IPC分类号： H01S5/183
摘要：一些實施例是有關於垂直腔面發射雷射的製造方法。方法包括在第一反射層上形成光學活性層並在光學活性層上形成第二反射層。在第二反射層上形成罩幕層，以暴露出第二反射層的犧牲部分。執行第一蝕刻以移除第二反射層的犧牲部分，以定義第二反射鏡。形成覆蓋第二反射鏡和罩幕層的外側壁的第一間隙壁。於所述第一間隙壁存在下進行氧化製程，以氧化光學活性層的周邊區，同時使光學活性層的中央區保持未被氧化。執行第二蝕刻以移除經氧化的周邊區的部分，以定義光學活性區。形成覆蓋第一間隙壁、光學活性區和第一反射鏡的外側壁的第二間隙壁。
简体摘要：一些实施例是有关于垂直腔面发射激光的制造方法。方法包括在第一反射层上形成光学活性层并在光学活性层上形成第二反射层。在第二反射层上形成罩幕层，以暴露出第二反射层的牺牲部分。运行第一蚀刻以移除第二反射层的牺牲部分，以定义第二反射镜。形成覆盖第二反射镜和罩幕层的外侧壁的第一间隙壁。于所述第一间隙壁存在下进行氧化制程，以氧化光学活性层的周边区，同时使光学活性层的中央区保持未被氧化。运行第二蚀刻以移除经氧化的周边区的部分，以定义光学活性区。形成覆盖第一间隙壁、光学活性区和第一反射镜的外侧壁的第二间隙壁。

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