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1. 发明专利

TW387155B 半導體發光元件之製法失效
简体标题：半导体发光组件之制法
公开(公告)号：TW387155B
公开(公告)日：2000-04-11
申请号：TW087104616
申请日：1998-03-27
申请人：羅沐股份有限公司
发明人：伊藤範和 , 中田俊次 , 尺田幸男 , 園部雅之 , 筒井毅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/0201 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/32341
摘要：本發明之特徵係於供形成複數個發光元件晶片之用的晶圓形狀的基板上，層積與該基板性質不同的半導體層。接著，於複數個晶片之各個上的被層積的半導體層表面的第 l導電型之半導體層與除去前述被層積的半導體層的一部份而露出的第2導電型之半導體層的露出部分別設置電氣連接的電極。進而，蝕刻前述各晶片的境界部之前述被層積的半導體層俾使前述基板露出，在該露出的部分切斷分離(break)前述基板分割成各晶片。藉由先以蝕刻除去此晶片的境界部分的被層積的半導體層再切斷分離，使該切斷分離工作得以容易進行，同時因為不會損傷到被層積的半導體層的發光部，所以可以獲得高性能的半導體發光元件。
简体摘要：本发明之特征系于供形成复数个发光组件芯片之用的晶圆形状的基板上，层积与该基板性质不同的半导体层。接着，于复数个芯片之各个上的被层积的半导体层表面的第 l导电型之半导体层与除去前述被层积的半导体层的一部份而露出的第2导电型之半导体层的露出部分别设置电气连接的电极。进而，蚀刻前述各芯片的境界部之前述被层积的半导体层俾使前述基板露出，在该露出的部分切断分离(break)前述基板分割成各芯片。借由先以蚀刻除去此芯片的境界部分的被层积的半导体层再切断分离，使该切断分离工作得以容易进行，同时因为不会损伤到被层积的半导体层的发光部，所以可以获得高性能的半导体发光组件。

2. 发明专利

TW497759B 半導體發光元件失效
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW497759B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW090216322
申请日：1998-03-13
申请人：羅沐股份有限公司
发明人：尺田幸男 , 中田俊次 , 松本幸生
IPC分类号： H01L
摘要：本創作係關於一種半導體發光元件；本創作之半導體發光元件，係在基板上，設置有發光層形成部；並且，前述之發光層形成部，係由AlGaInP系化合物半導體所組成並且還層合有n型層以及p型層，而形成有發光層。接著，在前述之發光層形成部之表面部位上，係具備有該構成有窗型層並且能帶間隙能量比較大的半導體層，然而，在前述之前述之發光層形成部之表面部位上而具備有能帶間隙能量比較大的半導體層之狀態下，於前述之發光層形成部和能帶間隙能量比較大的半導體層之間，係介在夾入有緩衝層，而該緩衝層，係被用以緩和前述之發光層形成部和能帶間隙能量比較大的半導體層之間的結晶格子之變形現象。藉由介在夾入有前述之緩衝層，則可以得到所謂並不會降低窗型層之薄膜品質而且發光效率相當高以及具備有非常良好之電氣特性的發光元件。
简体摘要：本创作系关于一种半导体发光组件；本创作之半导体发光组件，系在基板上，设置有发光层形成部；并且，前述之发光层形成部，系由AlGaInP系化合物半导体所组成并且还层合有n型层以及p型层，而形成有发光层。接着，在前述之发光层形成部之表面部位上，系具备有该构成有窗型层并且能带间隙能量比较大的半导体层，然而，在前述之前述之发光层形成部之表面部位上而具备有能带间隙能量比较大的半导体层之状态下，于前述之发光层形成部和能带间隙能量比较大的半导体层之间，系介在夹入有缓冲层，而该缓冲层，系被用以缓和前述之发光层形成部和能带间隙能量比较大的半导体层之间的结晶格子之变形现象。借由介在夹入有前述之缓冲层，则可以得到所谓并不会降低窗型层之薄膜品质而且发光效率相当高以及具备有非常良好之电气特性的发光组件。

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