基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（英）：Method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：TW099125870 申请日：2010-08-04
- 公开(公告)号：TW201134035A 公开(公告)日：2011-10-01
- 发明人： 廣中美佐夫 , 西口晴美 , 蔵本恭介 , 楠政諭
- 申请人： 三菱電機股份有限公司
- 申请人地址： MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 日本 JP
- 专利权人： 三菱電機股份有限公司
- 当前专利权人： 三菱電機股份有限公司
- 当前专利权人地址： MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 日本 JP
- 代理人： 洪澄文
- 优先权： 日本 2010-012257 20100122
- 主分类号： H01S
- IPC分类号： H01S
摘要：
在n型GaN基板上10形成半導體積層構造12,藉此形成具有複數半導體雷射14的晶圓片16。接著,在半導體雷射14的分離領域18的晶圓片16主面上形成第1溝部22。接著,將晶圓片16分離為半導體雷射14呈條狀並排的雷射條26。接著,在雷射條26的第1溝部22內形成具有與第1溝部22相同或更窄的寬度的第2溝部30。接著,沿著第2溝部30將雷射條26分離為各個半導體雷射14。
摘要（中）：
在n型GaN基板上10形成半导体积层构造12,借此形成具有复数半导体激光14的晶圆片16。接着,在半导体激光14的分离领域18的晶圆片16主面上形成第1沟部22。接着,将晶圆片16分离为半导体激光14呈条状并排的激光条26。接着,在激光条26的第1沟部22内形成具有与第1沟部22相同或更窄的宽度的第2沟部30。接着,沿着第2沟部30将激光条26分离为各个半导体激光14。
摘要（英）：
A method for manufacturing a semiconductor device comprises: forming a semiconductor laminate structure on a substrate so as to form a wafer including a plurality of semiconductor lasers; forming a first groove between the semiconductor lasers on a major surface of the wafer; separating the wafer to laser bars wherein the semiconductor lasers are arrayed in bar shape after forming the first groove; forming a second groove in the first groove of the laser bars, a width of the second groove being identical to or narrower than a width of the first groove; and separating the laser bar into respective semiconductor lasers along the second groove.
公开/授权文献:
- TWI406465B 半導體裝置之製造方法 公开/授权日：2013-08-21