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1. 发明专利

TW478228B 用於泵激雷射的可選擇模式之刻面層失效
简体标题：用于泵激激光的可选择模式之刻面层
公开(公告)号：TW478228B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW089124552
申请日：2000-11-20
申请人：康寧雷射頓公司
发明人：藍道A 薩瓦多爾
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/028 , H01S3/094 , H01S5/0287 , H01S5/1025 , H01S5/141 , H01S5/20 , H01S2302/00
摘要：一種半導體泵激雷射，包含一脊狀波導光電結構，其可將脊注射電流轉換至光，以及一整合波長選擇刻面反射器。此反射器控制泵激雷射的縱向模式操作。特別地，此反射器具有第一反射結構，用以反射光線至經由脊狀波導光電結構回傳。第二反射結構提供波長選擇反射率，當與第一反射結構結合操作。換言之，從第一與第二反射結構反射之光相位，使得刻面的總反射率係為波長選擇性，或賦予一些波長超過其他波長。
简体摘要：一种半导体泵激激光，包含一嵴状波导光电结构，其可将嵴注射电流转换至光，以及一集成波长选择刻面反射器。此反射器控制泵激激光的纵向模式操作。特别地，此反射器具有第一反射结构，用以反射光线至经由嵴状波导光电结构回传。第二反射结构提供波长选择反射率，当与第一反射结构结合操作。换言之，从第一与第二反射结构反射之光相位，使得刻面的总反射率系为波长选择性，或赋予一些波长超过其他波长。

2. 发明专利

TW201201469A 包含QWI輸出窗及波導區域之雷射二極體及製造方法 LASER DIODES COMPRISING QWI OUTPUT WINDOW AND WAVEGUIDE AREAS AND METHODS OF MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：包含QWI输出窗及波导区域之激光二极管及制造方法 LASER DIODES COMPRISING QWI OUTPUT WINDOW AND WAVEGUIDE AREAS AND METHODS OF MANUFACTURE
公开(公告)号：TW201201469A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100112117
申请日：2011-04-08
申请人：康寧公司
发明人：張傳陽 , 陳建志 , 胡馬提海 , 阮宏宇 , 查慶安
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0092 , H01S5/06256 , H01S5/162 , H01S2302/00
摘要：依據本發明揭示內容之一項實施例, 提供一種製造半導體雷射二極體的處理過程, 半導體雷射二極體包括增益區域,QWI輸出視窗,和QWI波導區域。QWI波導區域是利用量子井互混製造以及在雷射二極體QWI輸出視窗中界定出QWI波導部分。QWI輸出視窗對雷射波長��L而言是透明的。QWI輸出視窗的QWI波導部分的特徵在於能帶隙大於增益區域的能帶隙,使得QWI波導部分和QWI輸出視窗的能帶隙波長��QWI比雷射波長��L還短。QWI輸出視窗的特徵在於光致發光波長��PL。製造處理過程包括��PL篩選協定,其根據雷射波長��L和QWI輸出視窗光致發光波長��PL的比較,決定雷射二極體的可靠性。本發明亦揭示出其他實施例以及請求申請專利範圍。
简体摘要：依据本发明揭示内容之一项实施例, 提供一种制造半导体激光二极管的处理过程, 半导体激光二极管包括增益区域,QWI输出窗口,和QWI波导区域。QWI波导区域是利用量子井互混制造以及在激光二极管QWI输出窗口中界定出QWI波导部分。QWI输出窗口对激光波长��L而言是透明的。QWI输出窗口的QWI波导部分的特征在于能带隙大于增益区域的能带隙,使得QWI波导部分和QWI输出窗口的能带隙波长��QWI比激光波长��L还短。QWI输出窗口的特征在于光致发光波长��PL。制造处理过程包括��PL筛选协定,其根据激光波长��L和QWI输出窗口光致发光波长��PL的比较,决定激光二极管的可靠性。本发明亦揭示出其他实施例以及请求申请专利范围。

3. 发明专利

TW201126851A ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族氮化物半导体激光二极管
公开(公告)号：TW201126851A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099119997
申请日：2010-06-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：足立真寬 , 德山慎司 , 鹽谷陽平 , 京野孝史 , 善積祐介 , 秋田勝史 , 上野昌紀 , 片山浩二 , 池上隆俊 , 中村孝夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2004 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/309 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2302/00
摘要：本發明提供一種可以低臨限值進行雷射振盪之III族氮化物半導體雷射二極體，具備：支撐基體13，其具有半極性或無極性之主面13a。III族氮化物的c軸Cx相對於主面13a為傾斜。n型覆蓋區域15及p型覆蓋區域17係設置於支撐基體13的主面13a上；芯材半導體區域19係設置於n型覆蓋區域15與p型覆蓋區域17之間。芯材半導體區域19包含第1光導層21、活性層23及第2光導層25，活性層23設置於第1光導層21與第2光導層25之間。芯材半導體區域19的厚度D19為0.5μm以上。該構造不會令光逃洩於支撐基體13，可將光閉入於芯材半導體區域19內，因此可降低臨限值電流。
简体摘要：本发明提供一种可以低临限值进行激光振荡之III族氮化物半导体激光二极管，具备：支撑基体13，其具有半极性或无极性之主面13a。III族氮化物的c轴Cx相对于主面13a为倾斜。n型覆盖区域15及p型覆盖区域17系设置于支撑基体13的主面13a上；芯材半导体区域19系设置于n型覆盖区域15与p型覆盖区域17之间。芯材半导体区域19包含第1光导层21、活性层23及第2光导层25，活性层23设置于第1光导层21与第2光导层25之间。芯材半导体区域19的厚度D19为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄于支撑基体13，可将光闭入于芯材半导体区域19内，因此可降低临限值电流。

4. 发明专利

TW200908391A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200908391A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097121317
申请日：2008-06-06
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：岡本國美 OKAMOTO, KUNIYOSHI , 太田裕朗 OHTA, HIROAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2302/00
摘要：本發明提供一種半導體發光元件,其係包含III族氮化物半導體積層構造者,上述III族氮化物半導體積層構造含有包含In之活性層以及以夾持該活性層之方式積層之p型層與n型層。III族氮化物半導體積層構造包含以相對c軸方向之偏離角為負之非極性面為主面之III氮化物半導體。於活性層之發光波長為450 nm以上之情形時可獲得較大效果。構成III族氮化物半導體積層構造之III族氮化物半導體中,較好的是,相對c軸方向之偏離角��滿足-1�
简体摘要：本发明提供一种半导体发光组件,其系包含III族氮化物半导体积层构造者,上述III族氮化物半导体积层构造含有包含In之活性层以及以夹持该活性层之方式积层之p型层与n型层。III族氮化物半导体积层构造包含以相对c轴方向之偏离角为负之非极性面为主面之III氮化物半导体。于活性层之发光波长为450 nm以上之情形时可获得较大效果。构成III族氮化物半导体积层构造之III族氮化物半导体中,较好的是,相对c轴方向之偏离角��满足-1�<��<0�。

5. 发明专利

TW486579B 利用解調980nm泵之L 頻帶放大器失效
简体标题：利用解调980nm泵之L 频带放大器
公开(公告)号：TW486579B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW088120388
申请日：1999-11-19
申请人：康寧公司
发明人：費頓亞拉福拉德 , 道格華崙豪耳
IPC分类号： G02F , G02B
CPC分类号： H01S3/067 , H01S3/094003 , H01S3/1603 , H01S3/1608 , H01S2302/00 , H01S2303/00
摘要：一種操作光學放大器之方法以改善摻雜稀土族元素增益介質發射頻譜之長波長頻譜範圍(L-頻帶)增益以及泵運對訊號之轉化效率，該增進介質具有已知泵運吸收頻帶該，方法包含下列步驟：提供具有較大訊號輸入功率之光學訊號至放大器；以及提供泵運光線至放大器，泵運光線波長與已知用來放大光學訊號已知泵運吸收頻帶之中央波長不相同。對摻雜鉺L-頻帶訊號改善訊號增益及泵運對訊號之轉化效率藉由對979-980nm泵運頻帶中央波長任何一側失調±30nm之泵運而加以證實。本發明亦揭示出使用該方法之光學放大器。
简体摘要：一种操作光学放大器之方法以改善掺杂稀土族元素增益介质发射频谱之长波长频谱范围(L-频带)增益以及泵运对信号之转化效率，该增进介质具有已知泵运吸收频带该，方法包含下列步骤：提供具有较大信号输入功率之光学信号至放大器；以及提供泵运光线至放大器，泵运光线波长与已知用来放大光学信号已知泵运吸收频带之中央波长不相同。对掺杂铒L-频带信号改善信号增益及泵运对信号之转化效率借由对979-980nm泵运频带中央波长任何一侧失调±30nm之泵运而加以证实。本发明亦揭示出使用该方法之光学放大器。

6. 发明专利

TW381362B 長波長垂直腔表面發光雷射失效
简体标题：长波长垂直腔表面发光激光
公开(公告)号：TW381362B
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：TW087102717
申请日：1998-03-10
申请人：摩托羅拉公司
发明人：傑莫榮達尼 , 麥克S.賴比 , 不詳
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/2004 , H01S5/32383 , H01S5/34306 , H01S2302/00
摘要：一種可發射長波長光束的垂直腔表面發光雷射包含一個成對的第一鏡面疊層，它的成對鏡面是砷化鎵／砷化鎵鋁（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）物質系列，且晶格匹配於一個磷化鉈鎵（ＧａＴｌＰ）作用區域，而此作用區域具有夾置於鄰近第一鏡面疊層的第一鍍層區域與第二鍍層區域之間的一作用結構，該作用結構有一個量子井、以及一個晶格匹配於第二鍍層區域的第二鏡面疊層，該第二鏡面疊層具有砷化鎵／砷化鎵鋁物質系列形成的成對鏡面。
简体摘要：一种可发射长波长光束的垂直腔表面发光激光包含一个成对的第一镜面叠层，它的成对镜面是砷化镓／砷化镓铝（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）物质系列，且晶格匹配于一个磷化铊镓（ＧａＴｌＰ）作用区域，而此作用区域具有夹置于邻近第一镜面叠层的第一镀层区域与第二镀层区域之间的一作用结构，该作用结构有一个量子井、以及一个晶格匹配于第二镀层区域的第二镜面叠层，该第二镜面叠层具有砷化镓／砷化镓铝物质系列形成的成对镜面。

7. 发明专利

TWI464985B 表面發光雷射陣列，光學掃描裝置，及成像裝置有权
简体标题：表面发光激光数组，光学扫描设备，及成像设备
公开(公告)号：TWI464985B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW096131129
申请日：2007-08-22
申请人：理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人：佐藤俊一 , SATO, SHUNICHI , 伊藤彰浩 , ITOH, AKIHIRO , 菅原悟 , SUGAWARA, SATORU , 庄子浩義 , SHOUJI, HIROYOSHI
IPC分类号： H01S5/183 , B41J2/455
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2213 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2302/00

8. 发明专利

TWI449208B 半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI449208B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW097121317
申请日：2008-06-06
申请人：羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD.
发明人：岡本國美 , OKAMOTO, KUNIYOSHI , 太田裕朗 , OHTA, HIROAKI
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2302/00

9. 发明专利

TW201010220A 氮化物半導體雷射之製作方法、磊晶晶圓之製作方法及氮化物半導體雷射审中-公开
简体标题：氮化物半导体激光之制作方法、磊晶晶圆之制作方法及氮化物半导体激光
公开(公告)号：TW201010220A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098113770
申请日：2009-04-24
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：上野昌紀 , 京野孝史
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S2302/00 , H01S2304/04
摘要：本發明之氮化物半導體雷射之製作方法係於步驟S110中，向成長爐供給TMG、TMIn及NH3，並在溫度T1下進行InGaN薄膜之沈積，該InGaN薄膜之膜厚DW1較井層之膜厚DW0為薄(DW1＜DW0)。該薄膜厚度為1 nm。於步驟S111中，向成長爐供給TMIn及NH3，並將溫度從溫度T1變更為T2(T1＜T2)。於步驟S112中，向成長爐供給TMIn及NH3，並將溫度保持為溫度T2。於步驟S113中，向成長爐供給TMIn及NH3，並將溫度從T2變更為T1。所沈積的InGaN薄膜經步驟S111~S113而被改質，且改質後的InGaN薄膜之組成之均勻性得以提高。井層包含改質後的3層1 nm之InGaN薄膜。
简体摘要：本发明之氮化物半导体激光之制作方法系于步骤S110中，向成长炉供给TMG、TMIn及NH3，并在温度T1下进行InGaN薄膜之沉积，该InGaN薄膜之膜厚DW1较井层之膜厚DW0为薄(DW1＜DW0)。该薄膜厚度为1 nm。于步骤S111中，向成长炉供给TMIn及NH3，并将温度从温度T1变更为T2(T1＜T2)。于步骤S112中，向成长炉供给TMIn及NH3，并将温度保持为温度T2。于步骤S113中，向成长炉供给TMIn及NH3，并将温度从T2变更为T1。所沉积的InGaN薄膜经步骤S111~S113而被改质，且改质后的InGaN薄膜之组成之均匀性得以提高。井层包含改质后的3层1 nm之InGaN薄膜。

10. 发明专利

TW200715679A 多波長雷射二極體 MULTIWAVELENGTH LASER DIODE 失效
简体标题：多波长激光二极管 MULTIWAVELENGTH LASER DIODE
公开(公告)号：TW200715679A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095121240
申请日：2006-06-14
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：壹岐秀人 IKI, HIDETO , 佐藤慎也 SATO, SHINYA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/22 , H01S5/4087 , H01S2302/00
摘要：本發明揭示一種多波長雷射二極體。一第一裝置部分及一第二裝置部分之後端面膜具有:一第一反射膜,其中一或複數組具有一繞射率n1之一第一後端面膜與具有一繞射率n2(>n1)之一第二後端面膜層疊於該後端面上;以及一第二反射膜,其中一或複數組具有一繞射率n3(≦n1)之一第三後端面膜與具有一繞射率n4(>n1)之一第四後端面膜層疊於該第一反射膜上。
简体摘要：本发明揭示一种多波长激光二极管。一第一设备部分及一第二设备部分之后端面膜具有:一第一反射膜,其中一或复数组具有一绕射率n1之一第一后端面膜与具有一绕射率n2(>n1)之一第二后端面膜层叠于该后端面上;以及一第二反射膜,其中一或复数组具有一绕射率n3(≦n1)之一第三后端面膜与具有一绕射率n4(>n1)之一第四后端面膜层叠于该第一反射膜上。

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