专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TWI347054B 氮化物半導體雷射元件及其製造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 有权
简体标题：氮化物半导体激光组件及其制造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
公开(公告)号：TWI347054B
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：TW093118665
申请日：2004-06-25
申请人：日亞化學工業股份有限公司
发明人：小崎德也 , 坂本惠司 , 松村拓明
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本發明揭示一種氮化物半導體雷射裝置及其製造方法，該裝置具有一計數器電極結構，其接觸電阻係降低。該氮化物半導體雷射裝置包括：一氮化物半導體基板，其具有該第一主要表面及該第二主要表面，一氮化物半導體層，其堆疊在該氮化物半導體基板之第一主要表面上，一脊狀長條，其形成在該氮化物半導體層中，及一共振表面，其以垂直該脊形長條長度之方向形成一光學波導，其中該氮化物半導體基板包括一第一區，其具有一(0001)面板之長晶面，及一第二區，其具有一至少與該第一區不同之長晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及/或一第二主要表面之第二區中。一脊形長條覆於該氮化物半導體基板之第一主要表面之上而形成。
简体摘要：本发明揭示一种氮化物半导体激光设备及其制造方法，该设备具有一计数器电极结构，其接触电阻系降低。该氮化物半导体激光设备包括：一氮化物半导体基板，其具有该第一主要表面及该第二主要表面，一氮化物半导体层，其堆栈在该氮化物半导体基板之第一主要表面上，一嵴状长条，其形成在该氮化物半导体层中，及一共振表面，其以垂直该嵴形长条长度之方向形成一光学波导，其中该氮化物半导体基板包括一第一区，其具有一(0001)皮肤之长晶面，及一第二区，其具有一至少与该第一区不同之长晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及/或一第二主要表面之第二区中。一嵴形长条覆于该氮化物半导体基板之第一主要表面之上而形成。

3. 发明专利

TW201120961A 具有氮化銦鎵層之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN INGAN LAYER 审中-公开
简体标题：具有氮化铟镓层之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN INGAN LAYER
公开(公告)号：TW201120961A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099133732
申请日：2010-10-04
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人： M 利特崔法布斯
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要：本發明係關於一種方法，其包括：a)提供一第一基板及形成於該第一基板上的一層氮化銦鎵晶種層之一堆疊；b)在該氮化銦鎵晶種層上生長一層氮化銦鎵層以獲得一基板上覆氮化銦鎵結構；c)形成上覆於該氮化銦鎵層之一表面之一第一鏡層；d)卸離該第一基板；及e)形成上覆於該氮化銦鎵層之一相對表面的一第二鏡層。
简体摘要：本发明系关于一种方法，其包括：a)提供一第一基板及形成于该第一基板上的一层氮化铟镓晶种层之一堆栈；b)在该氮化铟镓晶种层上生长一层氮化铟镓层以获得一基板上覆氮化铟镓结构；c)形成上覆于该氮化铟镓层之一表面之一第一镜层；d)卸离该第一基板；及e)形成上覆于该氮化铟镓层之一相对表面的一第二镜层。

4. 发明专利

TW201013993A 光電半導體晶片及其製造方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：光电半导体芯片及其制造方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
公开(公告)号：TW201013993A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098125457
申请日：2009-07-29
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：路特甘史蒂芬 , 艾克勒克里斯托夫 , 史屈格里斯馬克 , 夸倫迪西瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/24 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L31/0236 , H01L33/007 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/2231 , H01S5/24 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S2301/18 , H01S2304/12 , H01L2924/00
摘要：一種光電半導體晶片(1)，包括：一非平坦的生長層(2)，其包含至少一第一氮化物化合物半導體材料；一活性區(5)，其包含至少一第二氮化物化合物半導體材料且配置在該生長層(2)上；以及一覆蓋層(7)，其配置在該活性區(5)上，其中該生長層(2)在面對該活性區(5)之生長表面(3)上具有多個結構元件(4)。
简体摘要：一种光电半导体芯片(1)，包括：一非平坦的生长层(2)，其包含至少一第一氮化物化合物半导体材料；一活性区(5)，其包含至少一第二氮化物化合物半导体材料且配置在该生长层(2)上；以及一覆盖层(7)，其配置在该活性区(5)上，其中该生长层(2)在面对该活性区(5)之生长表面(3)上具有多个结构组件(4)。

5. 发明专利

TW200744229A 三族氮化物垂直柱基板 GROUP-III NITRIDE VERTICAL-RODS SUBSTRATE 审中-公开
公开(公告)号：TW200744229A
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW095118646
申请日：2006-05-25
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：賴志銘 CHIH-MING LAI , 劉文岳 WEN-YUEH LIU , 蔡政達 JENQ-DAR TSAY , 許榮宗 JUNG-TSUNG HSU , 果尚志 SHANG-JR GWO , 沈昌宏 CHANG-HONG SHEN , 林弘偉 HON-WAY LIN
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L29/0657 , B82Y10/00 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/60 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要：一種三族氮化物垂直柱基板,此三族氮化物垂直柱基板包括:一基板、一緩衝層與一垂直柱層。其中,緩衝層位於基板上方,且垂直柱層位於緩衝層上,而垂直柱層是由數個立於緩衝層上之垂直柱所組成。
简体摘要：一种三族氮化物垂直柱基板,此三族氮化物垂直柱基板包括:一基板、一缓冲层与一垂直柱层。其中,缓冲层位于基板上方,且垂直柱层位于缓冲层上,而垂直柱层是由数个立于缓冲层上之垂直柱所组成。

6. 发明专利

TW200717883A 三五族發光裝置 III-V LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：三五族发光设备 III-V LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200717883A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095135370
申请日：2006-09-25
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：麥可R 可拉米斯 KRAMES, MICHAEL R. , 納坦F 賈諾 GARDNER, NATHAN F. , 約翰E 愛普勒 EPLER, JOHN E.
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要：本發明揭示一種半導體結構,其包括:一n型區域;一p型區域;以及一三族氮化物發光層,其位於該n型區域與該p型區域之間。該三族氮化物發光層具有大於3.19的晶格常數。此一半導體結構可成長於一包括一主體與一接合至該主體之種晶層的基板。於部分具體實施例中,一接合層會將該主體接合至該種晶層。該種晶層可比用以使該半導體結構之應變鬆弛的關鍵厚度薄,使得該半導體結構之應變係藉由該種晶層中所形成之錯位,或藉由該種晶層與該接合層(介於該等二層之間的介面)之間的滑動而得以釋放。於部分具體實施例中,該主體可藉由將該接合層蝕刻掉而與該半導體結構及種晶層分隔開來。
简体摘要：本发明揭示一种半导体结构,其包括:一n型区域;一p型区域;以及一三族氮化物发光层,其位于该n型区域与该p型区域之间。该三族氮化物发光层具有大于3.19的晶格常数。此一半导体结构可成长于一包括一主体与一接合至该主体之种晶层的基板。于部分具体实施例中,一接合层会将该主体接合至该种晶层。该种晶层可比用以使该半导体结构之应变松弛的关键厚度薄,使得该半导体结构之应变系借由该种晶层中所形成之错位,或借由该种晶层与该接合层(介于该等二层之间的界面)之间的滑动而得以释放。于部分具体实施例中,该主体可借由将该接合层蚀刻掉而与该半导体结构及种晶层分隔开来。

7. 发明专利

TW200419862A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURE 失效
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURE
公开(公告)号：TW200419862A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW093102474
申请日：2004-02-04
申请人：三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
发明人： 雅幸 HATA, MASAYUKI , 戶田忠夫 TODA, TADAO , 岡本重之 OKAMOTO, SHIGEYUKI , 井上大二朗 INOUE, DAIJIRO , 別所靖之 BESSHO, YASUYUKI , 野村康彥 NOMURA, YASUHIKO , 山口勤 YAMAGUCHI, TSUTOMU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L2224/48091 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種半導體元件及其製造方法，該半導體元件之動作具有較佳之穩定性。此半導體元件具備：至少於背面的一部分上具有差排集中區之基板，及形成於基板表面上之半導體元件層，及形成於基板背面上的差排集中區之絕緣膜，及接觸於基板背面的差排集中區以外區域而形成之背面側電極。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法，该半导体组件之动作具有较佳之稳定性。此半导体组件具备：至少于背面的一部分上具有差排集中区之基板，及形成于基板表面上之半导体组件层，及形成于基板背面上的差排集中区之绝缘膜，及接触于基板背面的差排集中区以外区域而形成之背面侧电极。

8. 发明专利

TW560119B 氮化物半導體元件及氮化物半導體元件之製造方法有权
简体标题：氮化物半导体组件及氮化物半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW560119B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091119016
申请日：2002-08-22
申请人：新力股份有限公司
发明人：琵琶剛志 , 奧山浩之 , 土居正人 , 大豐治
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/32 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/2272 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要：本發明係一種即使在依選擇生長法等方法而將元件構造三次元化的情況，亦可獲得特性優的氮化物半導體元件及其製造方法。本發明之氮化物半導體元件中，具有側面部(16s)及上層部(16t)且生長成三次元狀結晶層的上述上層部，係介以未摻雜氮化鎵層(17)等的高電阻區域而形成有電極層(21)。藉由在上層部(16t)上設置高電阻區域，電流即可以迂迴該上層部(16t)之高電阻區域的方式而流動電流，避開上層部(16t)而形成以側面部(16s)為主體的電流路徑。結果，可抑制電流流至結晶性不佳的上層部(16t)上。
简体摘要：本发明系一种即使在依选择生长法等方法而将组件构造三次元化的情况，亦可获得特性优的氮化物半导体组件及其制造方法。本发明之氮化物半导体组件中，具有侧面部(16s)及上层部(16t)且生长成三次元状结晶层的上述上层部，系介以未掺杂氮化镓层(17)等的高电阻区域而形成有电极层(21)。借由在上层部(16t)上设置高电阻区域，电流即可以迂回该上层部(16t)之高电阻区域的方式而流动电流，避开上层部(16t)而形成以侧面部(16s)为主体的电流路径。结果，可抑制电流流至结晶性不佳的上层部(16t)上。

9. 发明专利

TW200306042A 氮化物半導體元件/窒化物半導体素子审中-公开
简体标题：氮化物半导体组件/窒化物半导体素子
公开(公告)号：TW200306042A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092115445
申请日：2001-07-06
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：小崎德也
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本發明作為夾入p型氮化物半導體層11、n型氮化物半導體層13的活性層12，至少具有阻擋層2a：具有n型雜質；井層la：由含有銦的氮化物半導體構成；及，阻擋層2c：具有p型雜質或以無摻雜使其生長，藉由配置該阻擋層2作為最接近p型層側的阻擋層，可注入適當的載子到活性層12。
简体摘要：本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有阻挡层2a：具有n型杂质；井层la：由含有铟的氮化物半导体构成；及，阻挡层2c：具有p型杂质或以无掺杂使其生长，借由配置该阻挡层2作为最接近p型层侧的阻挡层，可注入适当的载子到活性层12。

10. 发明专利

TWI434428B 發光結構有权
简体标题：发光结构
公开(公告)号：TWI434428B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW095135370
申请日：2006-09-25
申请人：飛利浦露明光學公司 , PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：麥可R 可拉米斯 , KRAMES, MICHAEL R. , 納坦F 賈諾 , GARDNER, NATHAN F. , 約翰E 愛普勒 , EPLER, JOHN E.
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/00
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式