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1. 发明专利

TWI464794B 藉由分子接合的接合方法有权
简体标题：借由分子接合的接合方法
公开(公告)号：TWI464794B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW099120942
申请日：2010-06-25
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：拉加契布蘭查德克瑞斯提 , LAGAHE BLANCHARD, CHRYSTELLE , 布卡特馬歇爾 , BROEKAART, MARCEL , 卡斯泰克亞納德 , CASTEX, ARNAUD
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/17

2. 发明专利

TWI445101B 暫時性半導體結構接合方法及相關經接合的半導體結構有权
简体标题：暂时性半导体结构接合方法及相关经接合的半导体结构
公开(公告)号：TWI445101B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100121500
申请日：2011-06-20
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI443730B 一漸近式修整方法有权
简体标题：一渐近式修整方法
公开(公告)号：TWI443730B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW098128553
申请日：2009-08-25
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：布卡特馬歇爾 , BROEKAART, MARCEL , 麥吉特馬倫 , MIGETTE, MARION , 莫里納瑞賽巴斯坦 , MOLINARI, SEBASTIEN , 納瑞艾瑞克 , NEYRET, ERIC
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/76256 , H01L25/50 , H01L2225/06513 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI430390B 減少疊對未對準之直接接合方法有权
简体标题：减少叠对未对准之直接接合方法
公开(公告)号：TWI430390B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW100127801
申请日：2011-08-04
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：布卡特馬歇爾 , BROEKAART, MARCEL , 高汀葛威塔茲 , GAUDIN, GWELTAZ , 卡斯特阿諾 , CASTEX, ARNAUD
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/187 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/08146 , H01L2224/75702 , H01L2224/75756 , H01L2224/80006 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/80

5. 发明专利

TW201232614A 用於使用鹵化物汽相磊晶處理之三族氮化物半導體材料之異質磊晶沈積之改善模板層 IMPROVED TEMPLATE LAYERS FOR HETEROEPITAXIAL DEPOSITION OF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIALS USING HVPE PROCESSES 审中-公开
简体标题：用于使用卤化物汽相磊晶处理之三族氮化物半导体材料之异质磊晶沉积之改善模板层 IMPROVED TEMPLATE LAYERS FOR HETEROEPITAXIAL DEPOSITION OF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIALS USING HVPE PROCESSES
公开(公告)号：TW201232614A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100134222
申请日：2011-09-22
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：阿雷納珊圖 , 貝特倫二世朗諾湯瑪斯 , 林朵艾德 , 瑪哈真沙伯哈許 , 韓日洙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0665 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02667
摘要：將三族氮化物半導體材料沈積於基板上之方法包括在一凝核HVPE處理階段中在一基板之一表面上沈積三族氮化物半導體材料之一層以形成具有包含至少某一非晶系三族氮化物半導體材料之一微觀結構的一凝核層。該凝核層可經退火以在該基板之該表面上形成磊晶凝核材料之結晶島。磊晶凝核材料之該等島可在一晶粒聚結HVPE處理階段中生長並晶粒聚結以形成該磊晶凝核材料之一凝核模板層。該凝核模板層可至少實質上覆蓋該基板之該表面。額外三族氮化物半導體材料可在一額外HVPE處理階段中沈積於該磊晶凝核材料之該凝核模板層上。藉由此等方法形成包含三族氮化物半導體材料之最終結構及中間結構。
简体摘要：将三族氮化物半导体材料沉积于基板上之方法包括在一凝核HVPE处理阶段中在一基板之一表面上沉积三族氮化物半导体材料之一层以形成具有包含至少某一非晶系三族氮化物半导体材料之一微观结构的一凝核层。该凝核层可经退火以在该基板之该表面上形成磊晶凝核材料之结晶岛。磊晶凝核材料之该等岛可在一晶粒聚结HVPE处理阶段中生长并晶粒聚结以形成该磊晶凝核材料之一凝核模板层。该凝核模板层可至少实质上覆盖该基板之该表面。额外三族氮化物半导体材料可在一额外HVPE处理阶段中沉积于该磊晶凝核材料之该凝核模板层上。借由此等方法形成包含三族氮化物半导体材料之最终结构及中间结构。

6. 发明专利

TW201222633A 形成第三族氮化物材料之方法及由該方法所形成之結構 METHODS FOR FORMING GROUP III-NITRIDE MATERIALS AND STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS 审中-公开
简体标题：形成第三族氮化物材料之方法及由该方法所形成之结构 METHODS FOR FORMING GROUP III-NITRIDE MATERIALS AND STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS
公开(公告)号：TW201222633A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100134215
申请日：2011-09-22
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：阿雷納珊圖 , 貝特倫朗諾湯瑪斯二世 , 林朵艾德 , 瑪哈真沙伯哈許 , 孟繁禹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02104 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L29/2003
摘要：本發明實施例包括使用鹵化物氣相磊晶(HVPE)法形成第三族氮化物半導體結構之方法。該等方法包括在非原生生長基板之表面上形成連續的第三族氮化物成核層，該連續的第三族氮化物成核層遮蔽該非原生生長基板之上表面。形成該連續的第三族氮化物成核層可包括形成第三族氮化物層並熱處理該第三族氮化物層。方法可另外包括在該連續的第三族氮化物成核層上形成另一第三族氮化物層。
简体摘要：本发明实施例包括使用卤化物气相磊晶(HVPE)法形成第三族氮化物半导体结构之方法。该等方法包括在非原生生长基板之表面上形成连续的第三族氮化物成核层，该连续的第三族氮化物成核层屏蔽该非原生生长基板之上表面。形成该连续的第三族氮化物成核层可包括形成第三族氮化物层并热处理该第三族氮化物层。方法可另外包括在该连续的第三族氮化物成核层上形成另一第三族氮化物层。

7. 发明专利

TW201214612A 減少疊對未對準之直接接合方法 DIRECT BONDING METHOD WITH REDUCTION IN OVERLAY MISALIGNMENT 审中-公开
简体标题：减少叠对未对准之直接接合方法 DIRECT BONDING METHOD WITH REDUCTION IN OVERLAY MISALIGNMENT
公开(公告)号：TW201214612A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100127801
申请日：2011-08-04
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：布卡特馬歇爾 , 高汀葛威塔茲 , 卡斯特阿諾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/08146 , H01L2224/75702 , H01L2224/75756 , H01L2224/80006 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/80
摘要：本發明提供一種使接合之前具有一固有曲率之一第一晶圓(100)直接接合至接合之前具有一固有曲率之一第二晶圓(200)之方法，該兩個晶圓之至少一者(100)包括至少一連串微組件(110)。該方法包括使該兩個晶圓(100、200)彼此接觸以初始化該兩個晶圓之間之一接合波之傳播之至少一步驟。在該接觸步驟期間，至少取決於包括一連串微組件(110)之該晶圓(100)接合之前之固有曲率而對該兩個晶圓之一者強加以一迴轉拋物面之形式之一預定義接合曲率(KB)，該另一晶圓自由符合該預定義接合曲率(KB)。
简体摘要：本发明提供一种使接合之前具有一固有曲率之一第一晶圆(100)直接接合至接合之前具有一固有曲率之一第二晶圆(200)之方法，该两个晶圆之至少一者(100)包括至少一连串微组件(110)。该方法包括使该两个晶圆(100、200)彼此接触以初始化该两个晶圆之间之一接合波之传播之至少一步骤。在该接触步骤期间，至少取决于包括一连串微组件(110)之该晶圆(100)接合之前之固有曲率而对该两个晶圆之一者强加以一掉头抛物面之形式之一预定义接合曲率(KB)，该另一晶圆自由符合该预定义接合曲率(KB)。

8. 发明专利

TW201205688A 暫時性半導體結構接合方法及相關經接合的半導體結構 TEMPORARY SEMICONDUCTOR STRUCTURE BONDING METHODS AND RELATED BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES 审中-公开
简体标题：暂时性半导体结构接合方法及相关经接合的半导体结构 TEMPORARY SEMICONDUCTOR STRUCTURE BONDING METHODS AND RELATED BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES
公开(公告)号：TW201205688A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100121500
申请日：2011-06-20
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：山達卡馬瑞姆 , 朗度伊歐納特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於製造半導體結構之方法,其包括將原子物質植入至一載體晶粒或晶圓中以在該載體晶粒或晶圓內形成一弱化區域,及將該載體晶粒或晶圓接合至一半導體結構。可在使用該載體晶粒或晶圓處置該半導體結構的同時處理該半導體結構。可將該半導體結構接合至另一半導體結構,且可沿該載體晶粒或晶圓中之該弱化區域劃分該載體晶粒或晶圓。使用此等方法來製造經接合之半導體結構。
简体摘要：本发明系关于制造半导体结构之方法,其包括将原子物质植入至一载体晶粒或晶圆中以在该载体晶粒或晶圆内形成一弱化区域,及将该载体晶粒或晶圆接合至一半导体结构。可在使用该载体晶粒或晶圆处置该半导体结构的同时处理该半导体结构。可将该半导体结构接合至另一半导体结构,且可沿该载体晶粒或晶圆中之该弱化区域划分该载体晶粒或晶圆。使用此等方法来制造经接合之半导体结构。

9. 发明专利

TW201110199A 製造半導體基板的方法 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：制造半导体基板的方法 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201110199A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099118002
申请日：2010-06-03
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：馬里維爾克里斯多夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明係關於一種用於製造一絕緣體上覆半導體基板的方法,該方法包括下列步驟:a)提供具有為一第一雜質類型之一第一雜質密度的一第一半導體基板;b)使該第一半導體基板經受一第一熱處理,以藉此減小鄰近該第一半導體基板之一個主表面的一改質層中的該第一雜質密度;c)將具有該經減小之第一雜質密度的該改質層至少部分地轉移至一第二基板上,以藉此獲得一改質第二基板;及d)提供(特定而言同位磊晶生長)具有為不同於該第一雜質類型的一第二雜質類型之一第二雜質密度的一層。藉此,可防止使用具有該第一雜質類型之摻雜物的半導體材料之一製造線受該第二雜質類型之摻雜物的污染。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造一绝缘体上覆半导体基板的方法,该方法包括下列步骤:a)提供具有为一第一杂质类型之一第一杂质密度的一第一半导体基板;b)使该第一半导体基板经受一第一热处理,以借此减小邻近该第一半导体基板之一个主表面的一改质层中的该第一杂质密度;c)将具有该经减小之第一杂质密度的该改质层至少部分地转移至一第二基板上,以借此获得一改质第二基板;及d)提供(特定而言同位磊晶生长)具有为不同于该第一杂质类型的一第二杂质类型之一第二杂质密度的一层。借此,可防止使用具有该第一杂质类型之掺杂物的半导体材料之一制造线受该第二杂质类型之掺杂物的污染。

10. 发明专利

TW201027609A 一漸近式修整方法 A PROGRESSIVE TRIMMING METHOD 审中-公开
简体标题：一渐近式修整方法 A PROGRESSIVE TRIMMING METHOD
公开(公告)号：TW201027609A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098128553
申请日：2009-08-25
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：布卡特馬歇爾 , 麥吉特馬倫 , 莫里納瑞賽巴斯坦 , 納瑞艾瑞克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/76256 , H01L25/50 , H01L2225/06513 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種修整一結構(500)之方法,該結構(500)包括接合至一第二晶圓(300)之一第一晶圓(200),該第一晶圓具有一切角(chamfered)邊緣。該方法包括在包括該第一晶圓(101)之厚度(e1)之一第一深度(Pd1)上及在由該第一晶圓(101)之該邊緣決定之一第一寬度(ld1)上執行一第一修整步驟(S4)。亦在包括至少該第一晶圓(101)之該厚度(e1)之一第二深度(Pd2)上及在小於該第一寬度(ld1)之一第二寬度(ld2)上執行一第二修整步驟(S5)。
简体摘要：本发明提供一种修整一结构(500)之方法,该结构(500)包括接合至一第二晶圆(300)之一第一晶圆(200),该第一晶圆具有一切角(chamfered)边缘。该方法包括在包括该第一晶圆(101)之厚度(e1)之一第一深度(Pd1)上及在由该第一晶圆(101)之该边缘决定之一第一宽度(ld1)上运行一第一修整步骤(S4)。亦在包括至少该第一晶圆(101)之该厚度(e1)之一第二深度(Pd2)上及在小于该第一宽度(ld1)之一第二宽度(ld2)上运行一第二修整步骤(S5)。

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