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1. 发明专利

TW201724553A 具有選擇性載子注入至多個作用層中之發光結構审中-公开
简体标题：具有选择性载子注入至多个作用层中之发光结构
公开(公告)号：TW201724553A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105117772
申请日：2016-06-04
申请人：傲思丹度科技公司 , OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：艾爾葛洛力哈森S , EL-GHOROURY, HUSSEIN S. , 奇辛米凱爾V , KISIN, MIKHAIL V. , 葉亞權米爾頓 , YEH, YEA-CHUAN MILTON , 莊奇理 , CHUANG, CHIH-LI , 陳季嘉 , CHEN, JYH-CHIA
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0421 , H01S5/1096 , H01S5/2009 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4093
摘要：本文中揭示用於半導體發光裝置(LED)之多層光學作用區域，其併入中間載子阻擋層，該等中間載子阻擋層具有針對組合物及摻雜位準之設計參數，該等設計參數經選擇以對橫跨該等作用區域之載子注入分佈提供有效控制以達成所要裝置注入特性。本文中論述之實施例之實例尤其包含：一多量子井可變色LED，其操作於具有RGB色域之全覆蓋之可見光學範圍中；一多量子井可變色LED，其操作於具有超過標準RGB色域之一擴展色域之可見光學範圍中；一多量子井發白光LED，其具有可變色溫；及一多量子井LED，其具有均勻填充之作用層。
简体摘要：本文中揭示用于半导体发光设备(LED)之多层光学作用区域，其并入中间载子阻挡层，该等中间载子阻挡层具有针对组合物及掺杂位准之设计参数，该等设计参数经选择以对横跨该等作用区域之载子注入分布提供有效控制以达成所要设备注入特性。本文中论述之实施例之实例尤其包含：一多量子井可变色LED，其操作于具有RGB色域之全覆盖之可见光学范围中；一多量子井可变色LED，其操作于具有超过标准RGB色域之一扩展色域之可见光学范围中；一多量子井发白光LED，其具有可变色温；及一多量子井LED，其具有均匀填充之作用层。

2. 发明专利

TWI550983B 覆晶式雷射二極體有权
简体标题：覆晶式激光二极管
公开(公告)号：TWI550983B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103121393
申请日：2014-06-20
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳志凌 , WU, CHIH LING , 羅玉雲 , LO, YU YUN
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0224 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01S5/0213 , H01S5/02461 , H01S5/02484 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2231 , H01S5/2235

3. 发明专利

TWI346432B 發光半導體裝置 EFFICIENT CARRIER INJECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：发光半导体设备 EFFICIENT CARRIER INJECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI346432B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW096123245
申请日：2007-06-27
申请人：芬尼莎股份有限公司
发明人：羅夫強森
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01L29/201 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01S5/0421 , H01S5/18308 , H01S5/3211
摘要：一種半導體裝置如垂直腔表面發射雷射器、表面發射雷射器、發光二極體和異質接收雙極電晶體由具有靠近窄帶隙材料的寬帶隙材料製成。透過位於寬帶隙材料與窄帶隙材料之間的中間結構可改善電子發射。中間結構為變形區域，如寬帶隙材料與窄帶隙材料之間含量斜面的平穩區域。中間結構為高摻雜度，具有理想低電子親和性的含量。具有高空穴親和性的p型摻雜中間結構的發射結構可用於裝置之p側。
简体摘要：一种半导体设备如垂直腔表面发射激光器、表面发射激光器、发光二极管和异质接收双极晶体管由具有靠近窄带隙材料的宽带隙材料制成。透过位于宽带隙材料与窄带隙材料之间的中间结构可改善电子发射。中间结构为变形区域，如宽带隙材料与窄带隙材料之间含量斜面的平稳区域。中间结构为高掺杂度，具有理想低电子亲和性的含量。具有高空穴亲和性的p型掺杂中间结构的发射结构可用于设备之p侧。

4. 发明专利

TW201115787A 氮化物系半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化物系半导体发光组件
公开(公告)号：TW201115787A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099123322
申请日：2010-07-15
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：住友隆道 , 上野昌紀 , 京野孝史 , 鹽谷陽平 , 善積祐介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/3202 , H01S5/343 , H01S5/34333
摘要：本發明提供一種能夠抑制接觸層與電極之界面上形成肖特基障壁之氮化物系半導體發光元件。本發明提供一種氮化物系半導體發光元件LD1,其包括:GaN基板3;六方晶系之氮化物系半導體區域5,其設於GaN基板3之主面S1上、且包括發光層11;以及p電極21,其設於氮化物系半導體區域上、且包含金屬。氮化物系半導體區域5包括內含形變之接觸層17,接觸層17與p電極連接,主面S1係沿自GaN基板3之與c軸方向正交之面以規定的傾斜角度��傾斜之基準平面S5延伸,傾斜角度��處於大於40度、小於90度之範圍、或150度以上、未達180度之範圍中之任一範圍內。氮化物系半導體區域5與GaN基板3晶格匹配。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制接触层与电极之界面上形成肖特基障壁之氮化物系半导体发光组件。本发明提供一种氮化物系半导体发光组件LD1,其包括:GaN基板3;六方晶系之氮化物系半导体区域5,其设于GaN基板3之主面S1上、且包括发光层11;以及p电极21,其设于氮化物系半导体区域上、且包含金属。氮化物系半导体区域5包括内含形变之接触层17,接触层17与p电极连接,主面S1系沿自GaN基板3之与c轴方向正交之面以规定的倾斜角度��倾斜之基准平面S5延伸,倾斜角度��处于大于40度、小于90度之范围、或150度以上、未达180度之范围中之任一范围内。氮化物系半导体区域5与GaN基板3晶格匹配。

5. 发明专利

TWI337373B 形成具有自對準半導體平台及接觸層之半導體裝置之方法及相關裝置 METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF ALIGNED SEMICONDUCTOR MESAS AND CONTACT LAYERS AND RELATED DEVICES 有权
简体标题：形成具有自对准半导体平台及接触层之半导体设备之方法及相关设备 METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF ALIGNED SEMICONDUCTOR MESAS AND CONTACT LAYERS AND RELATED DEVICES
公开(公告)号：TWI337373B
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：TW092136164
申请日：2003-12-19
申请人：克立公司
发明人：麥可J 伯各曼 , 大衛T 艾曼森 , 凱文瓦德賀伯那 , 雷蒙德雷莎度
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/145 , H01S5/021 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2206 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/32341 , H01S2301/176
摘要：形成一半導體裝置之方法可包括在一基板上形成一半導體結構，該半導體結構具有多個平台側壁及一位於該基板對面之平台表面。可在該平台表面上形成一接觸層，其中該接觸層具有多個側壁及一位於該平台表面對面之接觸表面，以及其中該接觸層實質上橫跨整個平台表面延伸。可在該等平台側壁上及鄰接該平台表面的該等接觸層側壁之多個部分上形成一鈍化層，並且該鈍化層可實質上曝露該接觸層的整個接觸表面。
简体摘要：形成一半导体设备之方法可包括在一基板上形成一半导体结构，该半导体结构具有多个平台侧壁及一位于该基板对面之平台表面。可在该平台表面上形成一接触层，其中该接触层具有多个侧壁及一位于该平台表面对面之接触表面，以及其中该接触层实质上横跨整个平台表面延伸。可在该等平台侧壁上及邻接该平台表面的该等接触层侧壁之多个部分上形成一钝化层，并且该钝化层可实质上曝露该接触层的整个接触表面。

6. 发明专利

TW200947746A 一種發出輻射之半導體元件审中-公开
简体标题：一种发出辐射之半导体组件
公开(公告)号：TW200947746A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097117098
申请日：2008-05-09
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：林文禹 , 黃世晟 , 詹世雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/0425 , H01L33/025 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/32341
摘要：本發明提供一種發出輻射之半導體元件，包含：一用以產生輻射之活性層(active layer)、一p型傳導層、一透明傳導層(transparent conductive layer, TCL)，與一非p型歐姆（ohmic）接觸層。其中，p型傳導層形成於活性層上，透明傳導層形成於p型傳導層上，而非p型歐姆接觸層介於p型傳導層與透明傳導層之間，此非p型歐姆接觸層係用以降低發出輻射之半導體元件其操作電壓。此外，本發明所提供之非p型歐姆接觸層係為AlxGayIn(1-x-y)N四元合金，上述四元合金中所含的鋁成分能使得非p型歐姆接觸層之能隙大於活性層，以此降低非p型歐姆接觸層的吸光效應。
简体摘要：本发明提供一种发出辐射之半导体组件，包含：一用以产生辐射之活性层(active layer)、一p型传导层、一透明传导层(transparent conductive layer, TCL)，与一非p型欧姆（ohmic）接触层。其中，p型传导层形成于活性层上，透明传导层形成于p型传导层上，而非p型欧姆接触层介于p型传导层与透明传导层之间，此非p型欧姆接触层系用以降低发出辐射之半导体组件其操作电压。此外，本发明所提供之非p型欧姆接触层系为AlxGayIn(1-x-y)N四元合金，上述四元合金中所含的铝成分能使得非p型欧姆接触层之能隙大于活性层，以此降低非p型欧姆接触层的吸光效应。

7. 发明专利

TWI269507B 氮化物系半導體雷射元件及其製造方法有权
简体标题：氮化物系半导体激光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI269507B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW091104049
申请日：2002-03-05
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山口恭司 TAKASHI YAMAGUCHI , 小林高志 KOBAYASHI, TAKASHI , 小林俊雅 KOBAYASHI, TOSHIMASA , 喜 悟 SATORU KIJIMA , 富岡聰 SATOSHI TOMIOKA , 安齋信一 SHINICHI ANSAI , 東條剛 TSUYOSHI TOJO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要：本發明之氮化物系半導體雷射元件10包含依序堆疊有第一接觸層14、第一覆蓋層16、活性層20、第二覆蓋層24、第二接觸層26及第二電極30之構造，第二覆蓋層24包含下層24A及上層24B，第一覆蓋層14、活性層20及第二覆蓋層之下層24A包含台面構造，第二覆蓋層之上層24B及第二接觸層26包含脊構造，相當於台面構造之頂面之第二覆蓋層之下層24A部分之上，形成有覆蓋第二覆蓋層之上層24B兩側面各自的至少一部分的絕緣層40，且自絕緣層40之頂面至第二電極30之頂面，整個形成有具備與台面構造之寬度實質上相同寬度之金屬層42。
简体摘要：本发明之氮化物系半导体激光组件10包含依序堆栈有第一接触层14、第一覆盖层16、活性层20、第二覆盖层24、第二接触层26及第二电极30之构造，第二覆盖层24包含下层24A及上层24B，第一覆盖层14、活性层20及第二覆盖层之下层24A包含台面构造，第二覆盖层之上层24B及第二接触层26包含嵴构造，相当于台面构造之顶面之第二覆盖层之下层24A部分之上，形成有覆盖第二覆盖层之上层24B两侧面各自的至少一部分的绝缘层40，且自绝缘层40之顶面至第二电极30之顶面，整个形成有具备与台面构造之宽度实质上相同宽度之金属层42。

8. 发明专利

TW200610187A 具低阻抗歐姆接觸之第IIIA族氮化物半導體元件 III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW-RESISTANCE OHMIC CONTACTS 失效
简体标题：具低阻抗欧姆接触之第IIIA族氮化物半导体组件 III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW-RESISTANCE OHMIC CONTACTS
公开(公告)号：TW200610187A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW093138354
申请日：2004-12-10
申请人：伊光光電股份有限公司 ELITE OPTOELECTRONICS INC.
发明人：李允立 LI, YUN LI , 劉恆 LIU, HENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/0421 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S2304/04
摘要：本發明係將高銦含量島狀氮化鎵銦(InxGa1–xN islands；0＜x≦1)形成於P型氮化鎵層之頂部，以降低電極與P型氮化鎵層之間的接觸阻抗。前述島狀氮化鎵銦係供做電流通道，可大大降低電極與P型氮化鎵層之間的接觸電阻，以提高元件性能。前述島狀氮化鎵銦結構可應用於需要良好P型歐姆接觸的所有第IIIA氮化物電子元件及光電元件，以提高元件性能。
简体摘要：本发明系将高铟含量岛状氮化镓铟(InxGa1–xN islands；0＜x≦1)形成于P型氮化镓层之顶部，以降低电极与P型氮化镓层之间的接触阻抗。前述岛状氮化镓铟系供做电流信道，可大大降低电极与P型氮化镓层之间的接触电阻，以提高组件性能。前述岛状氮化镓铟结构可应用于需要良好P型欧姆接触的所有第IIIA氮化物电子组件及光电组件，以提高组件性能。

9. 发明专利

TW200541120A pn接合型化合物半導體發光二極體 PN BONDING-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE 失效
简体标题： pn接合型化合物半导体发光二极管 PN BONDING-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200541120A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094114340
申请日：2005-05-04
申请人：昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO K. K.
发明人：小田原道哉 ODAWARA, MICHIYA , 宇田川隆 UDAGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/26 , H01S5/0421 , H01S5/3054 , H01S5/32341
摘要：本發明提供一種pn接合型化合物半導體二極體，其係使導電層低電阻化以使元件驅動電流對發光層之擴散可更圓滑地進行，且使該導電層製成為能充分地使來自發光層之發光透射至外部之透明性以提高亮度。本發明之pn接合型化合物半導體二極體1A，係在結晶基板1上至少設置由III族氮化物半導體所構成之n型活性(發光)層2，及設置在其n型活性層2上之含有p型雜質之III族氮化物半導體層3，其特徵為在其III族氮化物半導體層3上，設置在室溫下具有寬於用以構成n型活性層2之III族氮化物半導體的禁帶寬度之禁帶寬度，為非摻雜且呈p型導電性之磷化硼系III–V族化合物半導體層4，並接合於其磷化硼系III–V族化合物半導體層4之表面而加以設置歐姆性正電極5。
简体摘要：本发明提供一种pn接合型化合物半导体二极管，其系使导电层低电阻化以使组件驱动电流对发光层之扩散可更圆滑地进行，且使该导电层制成为能充分地使来自发光层之发光透射至外部之透明性以提高亮度。本发明之pn接合型化合物半导体二极管1A，系在结晶基板1上至少设置由III族氮化物半导体所构成之n型活性(发光)层2，及设置在其n型活性层2上之含有p型杂质之III族氮化物半导体层3，其特征为在其III族氮化物半导体层3上，设置在室温下具有宽于用以构成n型活性层2之III族氮化物半导体的禁带宽度之禁带宽度，为非掺杂且呈p型导电性之磷化硼系III–V族化合物半导体层4，并接合于其磷化硼系III–V族化合物半导体层4之表面而加以设置欧姆性正电极5。

10. 发明专利

TW200402918A 可避免臨限電流及工作電流增加之半導體雷射裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE CAPABLE OF PREVENTING A THRESHOLD CURRENT AND AN OPERATING CURRENT FROM INCREASING AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：可避免临限电流及工作电流增加之半导体激光设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE CAPABLE OF PREVENTING A THRESHOLD CURRENT AND AN OPERATING CURRENT FROM INCREASING AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200402918A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092116972
申请日：2003-06-23
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：角田篤勇 ATSUO TSUNODA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/173 , H01S2304/02
摘要：本發明揭示由一p型第二A1GaInP包覆層8、一p型GaInP層間9及一p型GaAs覆蓋層10構成的一脊狀區段係在一蝕刻終止層7上形成。一不小於0.13μm的臺階形成於該p型層間9與該p型第二包覆層8之間，其係藉由使該p型層間9在二寬度方向上突出於該p型第二包覆層8之外而形成。藉由此臺階，各A1InP層可以在該脊狀區段兩側及該脊狀區段之上相互分開形成。因此，當藉由蝕刻將該脊狀區段上的A1InP層移除時，位於該脊狀區段兩側的一A1InP電流收縮（constriction）層13會受到一阻劑薄膜的可靠保護，且不會遭到過度蝕刻。該A1InP電流收縮層13能有效執行電流收縮功能，以便獲得一低臨限電流與低功率消耗的半導體雷射裝置。
简体摘要：本发明揭示由一p型第二A1GaInP包覆层8、一p型GaInP层间9及一p型GaAs覆盖层10构成的一嵴状区段系在一蚀刻终止层7上形成。一不小于0.13μm的台阶形成于该p型层间9与该p型第二包覆层8之间，其系借由使该p型层间9在二宽度方向上突出于该p型第二包覆层8之外而形成。借由此台阶，各A1InP层可以在该嵴状区段两侧及该嵴状区段之上相互分开形成。因此，当借由蚀刻将该嵴状区段上的A1InP层移除时，位于该嵴状区段两侧的一A1InP电流收缩（constriction）层13会受到一阻剂薄膜的可靠保护，且不会遭到过度蚀刻。该A1InP电流收缩层13能有效运行电流收缩功能，以便获得一低临限电流与低功率消耗的半导体激光设备。

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