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1. 发明专利

TWI620227B 電漿處理裝置及電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI620227B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105138674
申请日：2011-12-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：井上喜晴 , INOUE, YOSHIHARU , 小野哲郎 , ONO, TETSUO , 森本未知數 , MORIMOTO, MICHIKAZU , 藤井正樹 , FUJII, MASAKI , 宮地正和 , MIYAJI, MASAKAZU
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01J37/32935 , H01J2237/2485 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L22/26

2. 发明专利

TW201812906A 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TW201812906A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117415
申请日：2017-05-25
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：竹田剛 , TAKEDA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/324 , C23C16/455 , C23C16/50 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32623 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H01L21/68742
摘要：本發明的課題是可抑制電漿所給予的影響。其解決手段是具有：處理室，其係處理基板；基板支撐部，其係支撐基板；氣體供給部，其係經由緩衝室來供給氣體至基板；電極，其係設在緩衝室的下游，形成與緩衝室連通的氣體流路；絕緣部，其係設在電極的下游，具有與氣體流路鄰接的第1孔；分散部，其係設在絕緣部的下游，與第1孔鄰接，且和氣體流路連通，具有複數個具有電漿產生領域的第2孔；電力供給部，其係被連接至電極；及控制部，其係控制氣體供給部及電力供給部，而使能夠對絕緣部的下游側，亦即電漿產生領域供給電力，在該電漿產生領域產生氣體的電漿。
简体摘要：本发明的课题是可抑制等离子所给予的影响。其解决手段是具有：处理室，其系处理基板；基板支撑部，其系支撑基板；气体供给部，其系经由缓冲室来供给气体至基板；电极，其系设在缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其系设在电极的下游，具有与气体流路邻接的第1孔；分散部，其系设在绝缘部的下游，与第1孔邻接，且和气体流路连通，具有复数个具有等离子产生领域的第2孔；电力供给部，其系被连接至电极；及控制部，其系控制气体供给部及电力供给部，而使能够对绝缘部的下游侧，亦即等离子产生领域供给电力，在该等离子产生领域产生气体的等离子。

3. 发明专利

TW201801574A 用於在ＲＦ產生器中進行頻率調諧的設備审中-公开
简体标题：用于在ＲＦ产生器中进行频率调谐的设备
公开(公告)号：TW201801574A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106112173
申请日：2017-04-12
申请人：先驅能源工業公司 , ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.
发明人：崔旻烈 , CHOI, MYEONG YEOL , 尙丹尼 , SHAW, DENNIS , 穆勒麥可 , MUELLER, MIKE , 羅柏格傑夫 , ROBERG, JEFFREY , 喬登史帝夫 , JORDAN, STEVE
IPC分类号： H05H7/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32155 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要：提供了一種射頻(RF)產生器，其包括激發器、功率放大器、濾波器、感測器、以及頻率調諧子系統。所述頻率調諧子系統包括非暫時性、有形的機器可讀取媒體，其包含用以執行一方法的指令，所述方法包括接收電漿負載的阻抗軌跡；接收在複數反射係數平面中的參考點，所述參考點落於通過所述參考點和原點的參考向量上；從感測器接收所述電漿負載的經測量的阻抗；確定在參考向量與穿過所述參考點及所述經測量的阻抗所對應在所述複數反射係數平面中的一點的一線之間的測量角度；將所述測量角度以一預定常數來進行縮放，藉以產生一頻率步階；將所述頻率步階添加到初始頻率，藉以產生經調整的頻率；以及致使所述激發器產生一在所述經調整的頻率處振盪的信號。
简体摘要：提供了一种射频(RF)产生器，其包括激发器、功率放大器、滤波器、传感器、以及频率调谐子系统。所述频率调谐子系统包括非暂时性、有形的机器可读取媒体，其包含用以运行一方法的指令，所述方法包括接收等离子负载的阻抗轨迹；接收在复数反射系数平面中的参考点，所述参考点落于通过所述参考点和原点的参考矢量上；从传感器接收所述等离子负载的经测量的阻抗；确定在参考矢量与穿过所述参考点及所述经测量的阻抗所对应在所述复数反射系数平面中的一点的一线之间的测量角度；将所述测量角度以一预定常数来进行缩放，借以产生一频率步阶；将所述频率步阶添加到初始频率，借以产生经调整的频率；以及致使所述激发器产生一在所述经调整的频率处振荡的信号。

4. 发明专利

TWI609406B 調諧與電漿阻抗有關之參數的方法有权
简体标题：调谐与等离子阻抗有关之参数的方法
公开(公告)号：TWI609406B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103101032
申请日：2014-01-10
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/466 , H05H2001/4682

5. 发明专利

TWI609269B 改進電漿系統中資料之傳送率有权
简体标题：改进等离子系统中数据之发送率
公开(公告)号：TWI609269B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW102146188
申请日：2013-12-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR.
IPC分类号： G06F13/38 , G06F13/40
CPC分类号： G06F13/40 , G06F13/385 , G06F13/4282 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682

6. 发明专利

TWI607112B 控制循環電漿輔助製程的方法有权
简体标题：控制循环等离子辅助制程的方法
公开(公告)号：TWI607112B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103105251
申请日：2014-02-18
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：大森拓 , OMORI, TAKU , 井上尚樹 , INOUE, NAOKI , 安達渉 , ADACHI, WATARU
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45536 , H01J37/32146 , H01J37/32935 , H01J37/32981 , H01J37/3299

7. 发明专利

TWI604086B 電漿處理裝置及高頻產生器有权
简体标题：等离子处理设备及高频产生器
公开(公告)号：TWI604086B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW102110737
申请日：2013-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 舩崎一憲 , FUNAZAKI, KAZUNORI , 加藤秀生 , KATO, HIDEO
IPC分类号： C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H03B9/10 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32311 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H03B9/10 , H03L1/00 , H03L5/02 , H05H2001/4682

8. 发明专利

TWI603399B 電漿處理裝置用冷卻器裝置有权
简体标题：等离子处理设备用冷却器设备
公开(公告)号：TWI603399B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105118590
申请日：2016-06-14
申请人：伸和控制工業股份有限公司 , SHINWA CONTROLS CO., LTD.
发明人：関篤史 , SEKI, ATSUSHI , 坂井清一郎 , SAKAI, SEIICHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/46 , F25B1/00
CPC分类号： F25B49/02 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/4411 , C23C16/463 , F25B1/00 , F25B39/00 , F25B39/024 , F25B2400/01 , F25B2600/0253 , F25B2700/21151 , F25B2700/21152 , F25B2700/2117 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/2001 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248

9. 发明专利

TWI603367B 用以選擇性修改電漿處理系統中之射頻電流路徑的方法及設備有权
简体标题：用以选择性修改等离子处理系统中之射频电流路径的方法及设备
公开(公告)号：TWI603367B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102109701
申请日：2013-03-19
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：南象基 , NAM, SANGKI , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/4585 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3299 , H01J2237/327 , H01J2237/3343

10. 发明专利

TW201737381A 經由顏色感應估計晶圓上氧化物層還原有效性的方法及設備审中-公开
简体标题：经由颜色感应估计晶圆上氧化物层还原有效性的方法及设备
公开(公告)号：TW201737381A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106102768
申请日：2017-01-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：蘭傑馬尼什 , RANJAN, MANISH , 斯威尼奇安 , SWEENEY, CIAN , 剛加迪相提納斯 , GHONGADI, SHANTINATH
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/67253 , H01J37/32935 , H01L21/67023 , H01L21/67201 , H01L21/76814 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：文中揭露具有接續之電鍍操作用之金屬晶種層之半導體基板的製備方法。在某些實施例中，該些方法可包含以一電漿接觸該半導體基板的一表面藉此還原其上的金屬氧化物而處理該表面，之後自該表面量測一接觸電漿後顏色訊號，該顏色訊號具有一或多個顏色分量。該些方法更包含：接著，基於該接觸電漿後顏色訊號估計因該電漿處理所造成的氧化物還原程度。在某些實施例中，估計因該電漿處理所造成的該氧化物還原程度係基於該接觸電漿後顏色訊號的b*分量所完成。亦揭露可施行上述方法的電漿處理設備。
简体摘要：文中揭露具有接续之电镀操作用之金属晶种层之半导体基板的制备方法。在某些实施例中，该些方法可包含以一等离子接触该半导体基板的一表面借此还原其上的金属氧化物而处理该表面，之后自该表面量测一接触等离子后颜色信号，该颜色信号具有一或多个颜色分量。该些方法更包含：接着，基于该接触等离子后颜色信号估计因该等离子处理所造成的氧化物还原程度。在某些实施例中，估计因该等离子处理所造成的该氧化物还原程度系基于该接触等离子后颜色信号的b*分量所完成。亦揭露可施行上述方法的等离子处理设备。

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