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1. 发明专利

TWI621587B 奈米碳管膜的製備方法有权
简体标题：奈米碳管膜的制备方法
公开(公告)号：TWI621587B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105118376
申请日：2016-06-13
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：王江濤 , WANG, JIANG-TAO , 夏炳煜 , XIA, BING-YU , 柳鵬 , LIU, PENG , 魏洋 , WEI, YANG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C01B32/16 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0226 , C01B32/16 , C23C16/4418 , C23C16/46 , C23C16/52 , Y10S977/742 , Y10S977/843

2. 发明专利

TW201812958A 基於射頻功率之基板支撐件前饋溫度控制系統及方法审中-公开
简体标题：基于射频功率之基板支撑件前馈温度控制系统及方法
公开(公告)号：TW201812958A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121329
申请日：2017-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：張濤 , ZHANG, TAO , 田思源 , TIAN, SIYUAN , 派博艾瑞克 A , PAPE, ERIC A. , 扎尼諾維奇豪爾赫喬西 , ZANINOVICH, JORGE JOSE
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/683 , H01J37/32 , C23C16/505
CPC分类号： H01L21/67389 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32724 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/67248 , H01L21/67383 , H01L21/6831
摘要：提供一種溫度控制器，該溫度控制器包含介面、補償控制器、加法器、及第二控制器。一介面接收一偏壓功率信號、及一電漿信號。該偏壓功率信號指示一RF產生器的一偏壓RF功率位準。該電漿信號指示另一RF產生器的一電漿RF功率位準。另一介面接收一溫度信號，該溫度信號指示一基板支撐件的一溫度。該補償控制器基於一偏壓前饋轉換函數及該偏壓RF功率位準而產生一補償值，並基於一電漿前饋轉換函數及該電漿RF功率位準而產生另一補償值。一加法器基於一設定點及該溫度而產生一誤差信號。第二控制器基於該誤差信號而產生一控制信號。另一加法器基於該等補償值、及該控制信號而控制一作動器來調整該溫度。
简体摘要：提供一种温度控制器，该温度控制器包含界面、补偿控制器、加法器、及第二控制器。一界面接收一偏压功率信号、及一等离子信号。该偏压功率信号指示一RF产生器的一偏压RF功率位准。该等离子信号指示另一RF产生器的一等离子RF功率位准。另一界面接收一温度信号，该温度信号指示一基板支撑件的一温度。该补偿控制器基于一偏压前馈转换函数及该偏压RF功率位准而产生一补偿值，并基于一等离子前馈转换函数及该等离子RF功率位准而产生另一补偿值。一加法器基于一设置点及该温度而产生一误差信号。第二控制器基于该误差信号而产生一控制信号。另一加法器基于该等补偿值、及该控制信号而控制一作动器来调整该温度。

3. 发明专利

TW201812826A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201812826A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106103301
申请日：2017-01-26
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐竹真 , SATAKE, MAKOTO , 横川賢悦 , YOKOGAWA, KENETSU , 川口忠義 , KAWAGUCHI, TADAYOSHI , 一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32651 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32449 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/67069
摘要：本發明係提供在感應耦合型電漿處理裝置中，可以改善電漿之偏心分佈的電漿處理裝置。本發明係一種電漿處理裝置，其具備：試料被電漿處理的處理室；氣密密封上述處理室之上方的介電窗：被配置在上述介電窗之上方且形成感應磁場的感應天線；對上述感應天線供給高頻電力的高頻電源；及從上述高頻電源供給高頻電力，且被配置在上述介電窗和上述感應天線之間的法拉第屏蔽，該電漿處理裝置之特徵在於：更具備監視流入上述法拉第屏蔽之電流的監視手段，和控制上述被監視之電流的控制部。
简体摘要：本发明系提供在感应耦合型等离子处理设备中，可以改善等离子之偏心分布的等离子处理设备。本发明系一种等离子处理设备，其具备：试料被等离子处理的处理室；气密密封上述处理室之上方的介电窗：被配置在上述介电窗之上方且形成感应磁场的感应天线；对上述感应天线供给高频电力的高频电源；及从上述高频电源供给高频电力，且被配置在上述介电窗和上述感应天线之间的法拉第屏蔽，该等离子处理设备之特征在于：更具备监视流入上述法拉第屏蔽之电流的监视手段，和控制上述被监视之电流的控制部。

4. 发明专利

TW201812066A 碳膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：碳膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201812066A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106116544
申请日：2017-05-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：清水亮 , SHIMIZU, AKIRA , 北村昌幸 , KITAMURA, MASAYUKI , 渡邊要介 , WATANABE, YOSUKE
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/46 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02115 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02205 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67742
摘要：本發明之課題係提供一種碳膜之成膜方法及成膜裝置，在使用熱分解溫度下降氣體以進行低溫成膜的情況下，可以形成黏附性良好的碳膜。為解決上述課題之手段，係提供一種在被處理體上形成碳膜的碳膜之成膜方法，包含以下步驟：將被處理體搬入處理室內的步驟；對處理室內供給含有含硼氣體之氣體，而在被處理體之表面，形成硼類薄膜所構成之晶種層的步驟；以及供給烴類碳源氣、及含有鹵族元素且使烴類碳源氣之熱分解溫度下降的熱分解溫度下降氣體，將烴類碳源氣加熱至低於其熱分解溫度的溫度而使之熱分解，並藉由熱化學氣相沉積以在被處理體上形成碳膜的步驟。
简体摘要：本发明之课题系提供一种碳膜之成膜方法及成膜设备，在使用热分解温度下降气体以进行低温成膜的情况下，可以形成黏附性良好的碳膜。为解决上述课题之手段，系提供一种在被处理体上形成碳膜的碳膜之成膜方法，包含以下步骤：将被处理体搬入处理室内的步骤；对处理室内供给含有含硼气体之气体，而在被处理体之表面，形成硼类薄膜所构成之晶种层的步骤；以及供给烃类碳源气、及含有卤族元素且使烃类碳源气之热分解温度下降的热分解温度下降气体，将烃类碳源气加热至低于其热分解温度的温度而使之热分解，并借由热化学气相沉积以在被处理体上形成碳膜的步骤。

5. 发明专利

TW201810495A 用於電漿處理腔室中晶圓載體的先進溫度控制审中-公开
简体标题：用于等离子处理腔室中晶圆载体的雪铁龙温度控制
公开(公告)号：TW201810495A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106109667
申请日：2017-03-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：席門瑞費南多M , SILVEIRA, FERNANDO M. , 張純磊 , ZHANG, CHUNLEI , 克里米奈爾菲利浦 , CRIMINALE, PHILLIP , 趙在龍 , CHO, JAEYONG
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677 , F28F27/02 , H01J37/32 , C23C16/50 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/3299 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：本案描述用於電漿處理腔室中晶圓載體的先進溫度控制系統和方法。在一個實例中，熱交換器提供溫度控制的熱流體給工件載體的流體通道以及接收來自流體通道的熱流體。比例閥在熱交換器和流體通道之間，以控制從熱交換器到流體通道的熱流體的流速。氣動閥亦在熱交換器和流體通道之間，亦控制來自熱交換器與流體通道的熱流體的流速。溫度控制器接收來自載體的熱感測器之量測的溫度並控制比例閥和氣動閥來回應該量測的溫度，以調整熱流體的流速。
简体摘要：本案描述用于等离子处理腔室中晶圆载体的雪铁龙温度控制系统和方法。在一个实例中，热交换器提供温度控制的热流体给工件载体的流体信道以及接收来自流体信道的热流体。比例阀在热交换器和流体信道之间，以控制从热交换器到流体信道的热流体的流速。气动阀亦在热交换器和流体信道之间，亦控制来自热交换器与流体信道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器之量测的温度并控制比例阀和气动阀来回应该量测的温度，以调整热流体的流速。

6. 发明专利

TW201810362A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201810362A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106106672
申请日：2017-03-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：八幡橘 , YAHATA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L27/04
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/67754
摘要：提供使對基板的處理品質提升的技術。本發明之基板處理裝置係具有：複數處理室，其係處理基板；搬運室，其係搬運基板；複數移載室，其係被設在搬運室與處理室之間，且對應處理室的各個；複數閘閥，其係被設在搬運室與移載室之間；複數第1氣體供給部，其係被設在搬運室，且對通過複數閘閥的位置的基板各個供給惰性氣體；搬運機器人，其係被設在搬運室內，且將基板搬運至移載室；及控制部，其係以當第1氣體供給部的供給孔與通過閘閥的基板的距離為第1距離之時，以第1流量供給惰性氣體，當距離為比第1距離為更長的第2距離之時，以比第1流量為更多的第2流量供給惰性氣體的方式，控制複數第1氣體供給部與搬運機器人。
简体摘要：提供使对基板的处理品质提升的技术。本发明之基板处理设备系具有：复数处理室，其系处理基板；搬运室，其系搬运基板；复数移载室，其系被设在搬运室与处理室之间，且对应处理室的各个；复数闸阀，其系被设在搬运室与移载室之间；复数第1气体供给部，其系被设在搬运室，且对通过复数闸阀的位置的基板各个供给惰性气体；搬运机器人，其系被设在搬运室内，且将基板搬运至移载室；及控制部，其系以当第1气体供给部的供给孔与通过闸阀的基板的距离为第1距离之时，以第1流量供给惰性气体，当距离为比第1距离为更长的第2距离之时，以比第1流量为更多的第2流量供给惰性气体的方式，控制复数第1气体供给部与搬运机器人。

7. 发明专利

TW201810345A 基板支撐組件及具有其之處理腔室审中-公开
简体标题：基板支撑组件及具有其之处理腔室
公开(公告)号：TW201810345A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118870
申请日：2017-06-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 拉奧沙蕾莎 , RAO, SHREESHA Y. , 元泰景 , WON, TAE KYUNG , 阿查裡雅烏玫莎 , ACHARY, UMESHA , 橋希希馬蘇 , JOSHI, HIMANSHU
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4583 , C23C16/4587 , C23C16/463 , C23C16/5096 , G01J5/0806 , G01J2005/0081
摘要：本揭露公開的實施例通常涉及一基板支撐組件中的一基板溫度監控系統。在一實施例中，基板支撐組件包括一支撐板和一基板溫度監控系統。支撐板具有用以支撐一基板之一頂表面。基板溫度監控系統係設置於基板支撐板中。基板溫度監控系統係用以從基板的一底表面測量基板的溫度。基板溫度監控系統包括一窗口、一主體及一溫度感測器。窗口係一體地形成於支撐板的一頂表面中。主體穿過底表面而嵌入支撐板中。主體界定出一個內部通道。溫度感測器係設置於窗口下方的內部通道中。溫度感測器係用以測量基板的溫度。
简体摘要：本揭露公开的实施例通常涉及一基板支撑组件中的一基板温度监控系统。在一实施例中，基板支撑组件包括一支撑板和一基板温度监控系统。支撑板具有用以支撑一基板之一顶表面。基板温度监控系统系设置于基板支撑板中。基板温度监控系统系用以从基板的一底表面测量基板的温度。基板温度监控系统包括一窗口、一主体及一温度传感器。窗口系一体地形成于支撑板的一顶表面中。主体穿过底表面而嵌入支撑板中。主体界定出一个内部信道。温度传感器系设置于窗口下方的内部信道中。温度传感器系用以测量基板的温度。

8. 发明专利

TW201805463A 膜厚度監測系統及使用所述系統的方法审中-公开
简体标题：膜厚度监测系统及使用所述系统的方法
公开(公告)号：TW201805463A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105128197
申请日：2016-09-01
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許祐霖 , HSU, YU-LIN , 黃國興 , HUANG, KUO-HSIN , 林建宏 , LIN, CHIEN-HUNG , 石邦岷 , SHIH, PANG-MIN , 宋兆峰 , SUNG, CHAO-FENG
IPC分类号： C23C14/54 , G01B21/08
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/54 , C23C14/546 , G01N29/12 , G01N2291/0237 , G01N2291/0256 , G01N2291/02854 , G01N2291/2697
摘要：提供一種膜厚度監測系統。所述膜厚度監測系統包括材料源、閥門以及腔室。所述材料源用以提供沉積材料。所述閥門連接至所述材料源。所述腔室包括歧管、石英晶體微量天平以及壓力感測器。所述歧管連接至所述閥門並具有至少一個第一噴嘴與至少一個第二噴嘴。所述石英晶體微量天平與所述至少一個第二噴嘴相對地配置。所述沉積材料適於經由所述至少一個第二噴嘴而沉積於所述石英晶體微量天平上，且所述石英晶體微量天平包括面對所述至少一個第二噴嘴的活動遮板。壓力感測器配置於所述歧管中。還提供一種用於監測膜厚度沉積製程的方法。
简体摘要：提供一种膜厚度监测系统。所述膜厚度监测系统包括材料源、阀门以及腔室。所述材料源用以提供沉积材料。所述阀门连接至所述材料源。所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器。所述歧管连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴。所述石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地配置。所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板。压力传感器配置于所述歧管中。还提供一种用于监测膜厚度沉积制程的方法。

9. 发明专利

TW201805079A 清潔電漿處理裝置之方法审中-公开
简体标题：清洁等离子处理设备之方法
公开(公告)号：TW201805079A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115328
申请日：2017-05-09
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：克魯克凱瑟林 , CROOK, KATHRINE , 卡魯瑟斯馬克 , CARRUTHERS, MARK , 普萊斯安德魯 , PRICE, ANDREW
IPC分类号： B08B7/00 , C23C16/44 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/452 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01J37/32963 , H01J2237/335
摘要：根據本發明，提供一種藉由基團來清潔電漿處理裝置之腔室的方法，該方法包含下列步驟：在與該腔室分離之遠程電漿源內產生電漿，該電漿包含基團及離子；藉由允許基團自該遠程電漿源進入該腔室來清潔該腔室，同時防止該遠程電漿源中產生的該等離子中之大部分進入該腔室；檢測在清潔期間於該腔室之組件上產生之直流偏壓；以及使用該所檢測之直流偏壓來判定該清潔之終點，且在判定該終點時停止該清潔。
简体摘要：根据本发明，提供一种借由基团来清洁等离子处理设备之腔室的方法，该方法包含下列步骤：在与该腔室分离之远程等离子源内产生等离子，该等离子包含基团及离子；借由允许基团自该远程等离子源进入该腔室来清洁该腔室，同时防止该远程等离子源中产生的该等离子中之大部分进入该腔室；检测在清洁期间于该腔室之组件上产生之直流偏压；以及使用该所检测之直流偏压来判定该清洁之终点，且在判定该终点时停止该清洁。

10. 发明专利

TWI614363B 在原子層沉積多站／批式反應器中之序列型先驅物用劑有权
简体标题：在原子层沉积多站／批式反应器中之串行型先驱物用剂
公开(公告)号：TWI614363B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103124005
申请日：2014-07-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 斯列文戴米恩 , SLEVIN, DAMIEN , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/67207

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