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1. 发明专利

TWI605660B 積體電路及用於電壓暴衝保護之方法有权
简体标题：集成电路及用于电压暴冲保护之方法
公开(公告)号：TWI605660B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102139854
申请日：2013-11-01
申请人：恩智浦美國公司 , NXP USA, INC.
发明人：裘伊瓊S , CHOY, JON S. , 薩斯李查提托夫拉諾 , SAEZ, RICHARD TITOV LARA , 葛瑞諾盧斯艾迪爾朵瑞達 , GUERRERO, LUIS EDUARDO RUEDA
IPC分类号： H02H9/04
CPC分类号： H03L5/02 , G05F1/613

2. 发明专利

TW201644209A 具有一三模式通常用途輸入／輸出介面之雙模式功率放大器控制介面审中-公开
简体标题：具有一三模式通常用途输入／输出界面之双模式功率放大器控制界面
公开(公告)号：TW201644209A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105127719
申请日：2012-10-24
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN
IPC分类号： H04B1/76
CPC分类号： H03K19/018521 , H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03G3/3036 , H03K3/356069 , H03K17/22 , H03L5/00 , H03L5/02 , H04B1/40 , H04B2001/0408
摘要：根據某些實施例，本發明係關於一種可用於在一單個數位控制介面晶粒內提供一射頻前端(RFFE)串列介面及一三模式通常用途輸入/輸出(GPIO)介面兩者之雙模式控制介面。在某些實施例中，該雙模式控制介面或數位控制介面可與一功率放大器通信。此外，該雙模式控制介面可用於設定該功率放大器之模式。
简体摘要：根据某些实施例，本发明系关于一种可用于在一单个数码控制界面晶粒内提供一射频前端(RFFE)串行界面及一三模式通常用途输入/输出(GPIO)界面两者之双模式控制界面。在某些实施例中，该双模式控制界面或数码控制界面可与一功率放大器通信。此外，该双模式控制界面可用于设置该功率放大器之模式。

3. 发明专利

TW201400641A 電漿處理裝置及高頻產生器审中-公开
简体标题：等离子处理设备及高频产生器
公开(公告)号：TW201400641A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102110737
申请日：2013-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 舩崎一憲 , FUNAZAKI, KAZUNORI , 加藤秀生 , KATO, HIDEO
IPC分类号： C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H03B9/10 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32311 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H03B9/10 , H03L1/00 , H03L5/02 , H05H2001/4682
摘要：電漿處理裝置(11)具備：處理容器(12)，於其內部進行電漿處理；電漿產生機構(19)，包含了具有振盪出高頻的高頻振盪器並且配置於處理容器(12)外以產生高頻之高頻產生器，使用由高頻產生器所產生之高頻，使處理容器(12)內產生電漿；判斷機構，判斷高頻振盪器的狀態；及通知機構，通知判斷機構的判斷結果。
简体摘要：等离子处理设备(11)具备：处理容器(12)，于其内部进行等离子处理；等离子产生机构(19)，包含了具有振荡出高频的高频振荡器并且配置于处理容器(12)外以产生高频之高频产生器，使用由高频产生器所产生之高频，使处理容器(12)内产生等离子；判断机构，判断高频振荡器的状态；及通知机构，通知判断机构的判断结果。

4. 发明专利

TWI604494B 電漿處理裝置、電漿處理方法及高頻產生器有权
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及高频产生器
公开(公告)号：TWI604494B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103104193
申请日：2014-02-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 船崎一憲 , FUNAZAKI, KAZUNORI , 加藤秀生 , KATO, HIDEO , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32192 , H03L5/02 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682

5. 发明专利

TWI520486B 搭載於半導體裝置的移位電路有权
简体标题：搭载于半导体设备的移位电路
公开(公告)号：TWI520486B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103101221
申请日：2014-01-14
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：高田幸輔 , TAKADA, KOSUKE , 五十嵐敦史 , IGARASHI, ATSUSHI
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03L5/02 , H03K3/356086 , H03K19/018507

6. 发明专利

TW418593B 用於射頻電漿產生器之比率計自調演算法有权
简体标题：用于射频等离子产生器之比率计自调算法
公开(公告)号：TW418593B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW088101049
申请日：1999-01-25
申请人：伊恩艾技術公司
发明人：約瑟夫.維爾堡
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H03L5/02 , H05H2001/4682
摘要：一種RF電漿系統，其使用頻率調整，在一頻率範圍內改變 RF產生器(14)之頻率，以匹配電漿室(18)之阻抗。前向功率及反射功率之大小由雙向感測器獲得。獲得一頻率下之反射功率對前向功率之比值，接著改變頻率。調整演算法比較一新頻率下反射功率對前向功率之比值以及先前所獲得之比值。如果新的比值較小，再次於同方向上調整頻率，如果較大，則在另一方向調整頻率。重複這些步驟，直到反射功率對施加功率之比值到達一最小值。調整演算法可以硬體或軟體實施。
简体摘要：一种RF等离子系统，其使用频率调整，在一频率范围内改变 RF产生器(14)之频率，以匹配等离子室(18)之阻抗。前向功率及反射功率之大小由双向传感器获得。获得一频率下之反射功率对前向功率之比值，接着改变频率。调整算法比较一新频率下反射功率对前向功率之比值以及先前所获得之比值。如果新的比值较小，再次于同方向上调整频率，如果较大，则在另一方向调整频率。重复这些步骤，直到反射功率对施加功率之比值到达一最小值。调整算法可以硬件或软件实施。

7. 发明专利

TWI587650B 具有一三模式通常用途輸入／輸出介面之雙模式功率放大器控制介面組件及其操作方法有权
简体标题：具有一三模式通常用途输入／输出界面之双模式功率放大器控制界面组件及其操作方法
公开(公告)号：TWI587650B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105127719
申请日：2012-10-24
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN
IPC分类号： H04B1/76
CPC分类号： H03K19/018521 , H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03G3/3036 , H03K3/356069 , H03K17/22 , H03L5/00 , H03L5/02 , H04B1/40 , H04B2001/0408

8. 发明专利

TWI561018B 具有一三模式通常用途輸入／輸出介面之雙模式功率放大器控制介面有权
简体标题：具有一三模式通常用途输入／输出界面之双模式功率放大器控制界面
公开(公告)号：TWI561018B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101139338
申请日：2012-10-24
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN
IPC分类号： H04B1/76
CPC分类号： H03K19/018521 , H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03G3/3036 , H03K3/356069 , H03K17/22 , H03L5/00 , H03L5/02 , H04B1/40 , H04B2001/0408

9. 发明专利

TW201620235A 參數控制方法以及使用其之積體電路审中-公开
简体标题：参数控制方法以及使用其之集成电路
公开(公告)号：TW201620235A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103141328
申请日：2014-11-27
申请人：力鉅電子股份有限公司 , NOVELTEK SEMICONDUCTOR CORP
发明人：陳佐民 , CHEN, TSO MIN , 涂榮杰 , TU, RONG JIE
IPC分类号： H02M1/08 , H02M3/335
CPC分类号： H03L5/02 , G01R27/02 , G01R31/041 , G01R31/2843
摘要：本發明關於一種參數控制方法以及使用其之積體電路。此參數控制方法包括下列步驟：提供第一組至第N組阻抗組與第一個到第N個第一設定的對應關係，其中，每一組阻抗組包括K個子阻抗；提供第一個至第K個子阻抗與第一個到第K個第二設定的對應關係；檢測一設定接腳所耦接之阻抗值；根據設定接腳所檢測到的阻抗值與上述第一組至第N組阻抗組進行比對，找出所對應的一特定阻抗組，選擇一特定第一設定；根據設定接腳所檢測到的阻抗值與上述特定阻抗組的第一至第K子阻抗進行比對，找出所對應的一特定子阻抗，選擇一特定第二設定；以及根據特定第一設定與特定第二設定，運作積體電路。
简体摘要：本发明关于一种参数控制方法以及使用其之集成电路。此参数控制方法包括下列步骤：提供第一组至第N组阻抗组与第一个到第N个第一设置的对应关系，其中，每一组阻抗组包括K个子阻抗；提供第一个至第K个子阻抗与第一个到第K个第二设置的对应关系；检测一设置接脚所耦接之阻抗值；根据设置接脚所检测到的阻抗值与上述第一组至第N组阻抗组进行比对，找出所对应的一特定阻抗组，选择一特定第一设置；根据设置接脚所检测到的阻抗值与上述特定阻抗组的第一至第K子阻抗进行比对，找出所对应的一特定子阻抗，选择一特定第二设置；以及根据特定第一设置与特定第二设置，运作集成电路。

10. 发明专利

TW201325107A 具有一三模式通常用途輸入／輸出介面之雙模式功率放大器控制介面审中-公开
简体标题：具有一三模式通常用途输入／输出界面之双模式功率放大器控制界面
公开(公告)号：TW201325107A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101139338
申请日：2012-10-24
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN
IPC分类号： H04B1/76
CPC分类号： H03K19/018521 , H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03G3/3036 , H03K3/356069 , H03K17/22 , H03L5/00 , H03L5/02 , H04B1/40 , H04B2001/0408
摘要：根據某些實施例，本發明係關於一種可用於在一單個數位控制介面晶粒內提供一射頻前端(RFFE)串列介面及一三模式通常用途輸入/輸出(GPIO)介面兩者之雙模式控制介面。在某些實施例中，該雙模式控制介面或數位控制介面可與一功率放大器通信。此外，該雙模式控制介面可用於設定該功率放大器之模式。
简体摘要：根据某些实施例，本发明系关于一种可用于在一单个数码控制界面晶粒内提供一射频前端(RFFE)串行界面及一三模式通常用途输入/输出(GPIO)界面两者之双模式控制界面。在某些实施例中，该双模式控制界面或数码控制界面可与一功率放大器通信。此外，该双模式控制界面可用于设置该功率放大器之模式。

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