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1. 发明专利

TW201810356A 用於降低射頻訊號功率位準變動對電漿阻抗的影響之方法审中-公开
简体标题：用于降低射频信号功率位准变动对等离子阻抗的影响之方法
公开(公告)号：TW201810356A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106144316
申请日：2013-09-13
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰 C , VALCORE,JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛 J , LYNDAKER,BRADFORD J. , 馮安德魯 S , FONG,ANDREW S.
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要：描述執行邊緣斜坡修整的系統和方法。一種系統，包含一基本RF產生器，用於產生一第一RF訊號。該第一RF訊號由一狀態過渡至另一狀態。該第一RF訊號自一狀態至另一狀態的過渡造成電漿阻抗的變動。該系統更包含一副RF產生器，用於產生一第二RF訊號。該第二RF訊號由一狀態過渡至另一狀態，以將電漿阻抗的該變動穩定。該系統包含一控制器，連接至該副RF產生器。該控制器係用於提供參數值至該副RF產生器，以在該第二RF訊號由一狀態過渡至另一狀態之時執行該第二RF訊號的邊緣斜坡修整。
简体摘要：描述运行边缘斜坡修整的系统和方法。一种系统，包含一基本RF产生器，用于产生一第一RF信号。该第一RF信号由一状态过渡至另一状态。该第一RF信号自一状态至另一状态的过渡造成等离子阻抗的变动。该系统更包含一副RF产生器，用于产生一第二RF信号。该第二RF信号由一状态过渡至另一状态，以将等离子阻抗的该变动稳定。该系统包含一控制器，连接至该副RF产生器。该控制器系用于提供参数值至该副RF产生器，以在该第二RF信号由一状态过渡至另一状态之时运行该第二RF信号的边缘斜坡修整。

2. 发明专利

TWI618456B 電漿處理系統及在多個電極間均勻分佈射頻功率之方法有权
简体标题：等离子处理系统及在多个电极间均匀分布射频功率之方法
公开(公告)号：TWI618456B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW101116058
申请日：2012-05-04
申请人：能多順股份有限公司 , NORDSON CORPORATION
发明人：柏登湯瑪斯V 二世 , BOLDEN, THOMAS V. II , 卡利卡艾勒摩爾M , CALICA, ELMER M. , 康崔夏弗羅柏特S , CONDRASHOFF, ROBERT S. , 飛雅洛路易斯 , FIERRO, LOUIS , 蓋提詹姆士D , GETTY, JAMES D.
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32577

3. 发明专利

TWI613697B 用於降低射頻訊號功率位準變動對電漿阻抗的影響之系統和方法有权
简体标题：用于降低射频信号功率位准变动对等离子阻抗的影响之系统和方法
公开(公告)号：TWI613697B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW102133224
申请日：2013-09-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 馮安德魯S , FONG, ANDREW S.
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H05H1/46 , H05H2001/4682

4. 发明专利

TWI608702B 用於連續及脈衝運轉模式之整合式射頻訊號輸出及多重輸出控制有权
简体标题：用于连续及脉冲运转模式之集成式射频信号输出及多重输出控制
公开(公告)号：TWI608702B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105121642
申请日：2016-07-07
申请人： MKS儀器公司 , MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：柯莫大衛 J , COUMOU, DAVID J. , 萊因哈特羅斯 , REINHARDT, ROSS , 艾納尤瑞 , ELNER, YURIY , 吉爾丹尼爾 M , GILL, DANIEL M.
IPC分类号： H03K4/92 , H03K4/00
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H05H2001/4682

5. 发明专利

TW201739160A 施加直流脈衝予電漿系統审中-公开
简体标题：施加直流脉冲予等离子系统
公开(公告)号：TW201739160A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106105512
申请日：2017-02-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：博斯韋爾羅德里克 W , BOSWELL, RODERICK W. , 古思喬理查亞倫 , GOTTSCHO, RICHARD ALAN
IPC分类号： H02M3/157 , H05H7/02
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01L21/3065 , H02M1/14 , H02M3/33507 , H02M2001/0058 , Y02B70/1491
摘要：提供一種電漿處理系統，其包含一腔室，該腔室具有耦接至一基板支座的一下電極及接地的一上電極。該電漿處理系統具有在該上電極與該下電極之間定義的一電漿處理體積。一直流（DC）/直流（DC）轉換器係加以提供以在輸入處接收一DC電壓輸入及在輸出處供應一放大的DC電壓訊號，該放大的DC電壓訊號包含一射頻（RF）分量。該DC電壓輸入遵循數位可編程的一脈衝模式。該DC/DC轉換器的輸出係連接至該腔室的該下電極。一控制器係與該DC/DC轉換器加以介接以設定該脈衝模式。在一示例中，該DC/DC轉換器使用雙極或非雙極DC電壓供應部的其中一者，而一RF產生器係藉由一DC電壓供應部加以驅動。該RF產生器係配置成產生定義該RF分量的頻率漣波。
简体摘要：提供一种等离子处理系统，其包含一腔室，该腔室具有耦接至一基板支座的一下电极及接地的一上电极。该等离子处理系统具有在该上电极与该下电极之间定义的一等离子处理体积。一直流（DC）/直流（DC）转换器系加以提供以在输入处接收一DC电压输入及在输出处供应一放大的DC电压信号，该放大的DC电压信号包含一射频（RF）分量。该DC电压输入遵循数码可编程的一脉冲模式。该DC/DC转换器的输出系连接至该腔室的该下电极。一控制器系与该DC/DC转换器加以介接以设置该脉冲模式。在一示例中，该DC/DC转换器使用双极或非双极DC电压供应部的其中一者，而一RF产生器系借由一DC电压供应部加以驱动。该RF产生器系配置成产生定义该RF分量的频率涟波。

6. 发明专利

TWI596894B 多頻道射頻產生器有权
简体标题：多频道射频产生器
公开(公告)号：TWI596894B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW100100288
申请日：2011-01-05
申请人：萬機儀器公司 , MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：費斯克二世賴瑞 , FISK, II, LARRY J. , 薩皮歐安德倫 , SAPIO, ADRIAN
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/02
CPC分类号： H03F1/0211 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H03F3/68

7. 发明专利

TW201727693A 用於蝕刻程序之先進的離子控制方法與系統审中-公开
简体标题：用于蚀刻进程之雪铁龙的离子控制方法与系统
公开(公告)号：TW201727693A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135204
申请日：2016-10-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN, ZHONGKUI , 符謙 , FU, QIAN , 吳垠 , WU, YING , 許青 , XU, QING , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/67069
摘要：設置基板於處理模組中的基板固持器上。基板包括上覆於目標材料上的遮罩材料，其中目標材料的至少一部分通過遮罩材料中的開口而暴露出來。產生暴露到基板的電漿。針對第一持續期間，以對應到高偏壓位準的第一偏壓設定值對基板固持器施加偏壓。針對第二持續期間，在第一持續期間結束之後，以對應到低偏壓位準的第二偏壓設定值對基板固持器施加偏壓。第二偏壓設定值大於0V。以交替且接續的方式重複執行第一與第二持續期間，達將所需量之暴露在基板上的目標材料移除所需要的總時期。
简体摘要：设置基板于处理模块中的基板固持器上。基板包括上覆于目标材料上的遮罩材料，其中目标材料的至少一部分通过遮罩材料中的开口而暴露出来。产生暴露到基板的等离子。针对第一持续期间，以对应到高偏压位准的第一偏压设置值对基板固持器施加偏压。针对第二持续期间，在第一持续期间结束之后，以对应到低偏压位准的第二偏压设置值对基板固持器施加偏压。第二偏压设置值大于0V。以交替且接续的方式重复运行第一与第二持续期间，达将所需量之暴露在基板上的目标材料移除所需要的总时期。

8. 发明专利

TWI593320B 用以同步電漿處理系統中之射頻脈衝的方法及設備有权
简体标题：用以同步等离子处理系统中之射频脉冲的方法及设备
公开(公告)号：TWI593320B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102105866
申请日：2013-02-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32146 , H01J37/32174

9. 发明专利

TWI593318B 電漿處理裝置及電漿處理裝置用的電極有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备用的电极
公开(公告)号：TWI593318B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW099106454
申请日：2010-03-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 林大輔 , HAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32577

10. 发明专利

TWI579875B 一種可變功率電容器及其控制方法及應用有权
简体标题：一种可变功率电容器及其控制方法及应用
公开(公告)号：TWI579875B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104128707
申请日：2015-08-31
申请人：康美特公司 , COMET AG
发明人：艾柏瑞克麥克 , ABRECHT, MIKE , 芬克湯馬斯 , FINK, THOMAS , 比格樂華特 , BIGLER, WALTER
IPC分类号： H01G7/06
CPC分类号： H01G7/06 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H03H7/40

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