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1. 发明授权

KR100702381B1 갈륨 철 산화물 혼합 결정의 결정 제조 방법 失效
标题翻译：用于氧化铝混合晶体的晶体生产方法
公开(公告)号：KR100702381B1
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020047011915
申请日：2002-10-11
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 가네꼬요시오 , 도꾸라요시노리 , 미야사까시게끼
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： C30B29/22 , C30B13/22
摘要： 전자기 효과를 이용하여 고체 내에 포매된 스핀 정보가 읽혀지도록 하는 갈륨 산화물-철 혼합 결정 (Ga
2-x Fe
x O
3 )의 결정 제조 방법. 상기 갈륨 산화물-철 혼합 결정의 결정 제조 방법은, 단사정계 시스템의 결정 구조를 갖는 Ga
2-x Fe
x O
3 의 단결정이, 부유 대역이 공초점적으로 위치한 열원에 의해 기체 분위기 하에서 말단을 가열함으로써 수직으로 배열된 Ga
2-x Fe
x O
3 의 시편 봉들의 말단 사이에 형성되는, 부유 대역 용융 방법에 의해 형성된다. 상기 방법에 의해 고품질의 균일한 큰 Ga
2-x Fe
x O
3 결정이 생성된다.
스핀 정보, 갈륨 철 산화물, 부유 대역 용융 방법

2. 发明授权

KR100646160B1 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법 有权
标题翻译：用于连续横向固化的掩模和使用其的硅结晶方法
公开(公告)号：KR100646160B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020020088532
申请日：2002-12-31
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 정윤호
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B23K26/0661 , B23K26/066 , C30B1/023 , C30B13/22 , C30B28/02 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , Y10S438/942 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： Laser beam is irradiated on an amorphous silicon layer formed on a substrate through a mask with transmissive region having central region and tapered side regions. The substrate and the mask are relatively moved such that the side portion of the transmissive region overlaps with the central portion of the irradiated region. The laser beam is again irradiated on the amorphous silicon layer through the mask. Independent claims are also included for the following: (1) polycrystalline silicon layer forming apparatus; and (2) mask.

3. 发明授权

KR100379361B1 실리콘막의 결정화 방법 有权
标题翻译： 실리콘막의결정화방법
公开(公告)号：KR100379361B1
公开(公告)日：2003-04-07
申请号：KR1020010029913
申请日：2001-05-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 정윤호
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/0268 , C30B1/023 , C30B13/22 , C30B13/32 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026
摘要： 본 발명은 순차측면고상화(SLS) 방법에 의해 실리콘막을 결정화하는 방법에 관한 것이다.
종래의 순차측면고상화(SLS) 방법에 의해 형성된 다결정 실리콘막은 그레인의 크기가 방향에 따라서 크게 다르기 때문에, 이러한 다결정 실리콘을 이용하여 박막 트랜지스터에 적용할 경우 박막 트랜지스터의 특성 또한 그레인의 성장 방향에 따라 크게 달라진다.
본 발명에서는 제 1 및 제 2 방향으로 배열되고 서로 엇갈리는 스트라이프 패턴을 각각 가지는 네 영역으로 이루어진 마스크를 이용하여, 비정질 실리콘막이 형성된 기판을 마스크 폭의 1/4 만큼 이동시키며 레이저빔을 조사함으로써, 정사각형 형태의 일정한 크기를 가지는 그레인을 형성할 수 있다. 따라서, 이러한 방법으로 형성된 다결정 실리콘막을 이용하여, 전계효과 이동도가 높으며 균일한 특성을 가지는 박막 트랜지스터를 만들 수 있다.
摘要翻译：顺序横向固化掩模，其具有第一区域和第二区域，所述第一区域具有被多个第一狭缝分开的多个第一条带。该掩模还包括具有由多个第二狭缝分开的多个第二条纹的第二区域。第二条纹垂直于第一条纹。第三区域具有由多个第三狭缝分开的多个第三条纹，第三条纹相对于第一条纹横向排列。第四区域具有多个第四条纹和多个第四条纹之间的第四狭缝，第四条纹相对于第二条纹横向排列。通过掩模的多次运动和多次重叠照射使用掩模进行顺序横向凝固。

4. 发明公开

KR1020140048188A 펄스 써큘레이터 审中-实审
标题翻译：脉冲循环器
公开(公告)号：KR1020140048188A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020147000039
申请日：2012-06-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 모파트,스티븐
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324
CPC分类号： B23K26/0648 , B23K26/0006 , B23K26/0081 , B23K26/0626 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K2203/56 , C30B13/22 , C30B35/00 , H01L21/67115
摘要： 반도체 기판들을 어닐링하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 상기 장치는 기판을 향하여 펄스형 에너지를 전달하는 펄스형 에너지 소스를 갖는다. 균질화기는 펄스형 에너지의 공간적 균일성을 증가시킨다. 펄스 정형 시스템은 펄스형 에너지의 시간적 프로파일을 정형화한다. 바이패스 시스템을 이용하여 펄스 써큘레이터가 선택될 수 있다. 펄스 써큘레이터는 에너지 펄스가 반사기들의 경로 주위를 순환할 수 있도록 하며, 부분 반사기는 펄스의 일부가 싸이클마다 펄스 써큘레이터를 빠져나갈 수 있도록 한다. 펄스 써큘레이터는 써큘레이터로부터 빠져나가는 펄스들을 조절하기 위해 지연 요소들과 증폭 요소들을 가질 수 있다.

5. 发明授权

KR101267425B1 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于实现作为线束形成的激光与衬底上沉积的膜之间的相互作用的系统和方法
公开(公告)号：KR101267425B1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：KR1020077028901
申请日：2006-05-25
申请人： 사이머 엘엘씨 , 칼 짜이스 인두스트리엘레 메스테크니크 게엠베하
发明人： 다스팔라시피. , 호프만토마스 , 샌드스트롬리차드엘. , 보우키오토 , 스텀프에른스트 , 매츠코비츠베르톨트 , 호엘미카엘 , 발터요르그 , 브레너쿠르트 , 그루프귄터
IPC分类号： G01B11/00
CPC分类号： B23K26/03 , B23K26/0006 , B23K26/0066 , B23K26/032 , B23K26/04 , B23K26/043 , B23K26/0622 , B23K26/0665 , B23K26/0738 , B23K26/083 , B23K37/0408 , B23K37/047 , B23K2201/18 , B23K2201/38 , B23K2203/56 , C30B13/22 , C30B29/06 , G01B21/00 , G03F7/70383 , G03F7/70583 , H01L27/1296
摘要： 포커싱된빔이단축및 장축을형성하고있는기판상에증착된필름과익터액션하기위해빔을포커싱하는시스템및 방법이개시된다. 한형태에서, 본시스템은빔이필름에서단축에포커싱되었는지판정하기위해이미지평면상의필름으로부터반사된빛을분석하기위한검출시스템을포함할수 있다. 또다른형태에서, 성형라인빔과인터액션하기위해 (불완전하고, 평평하지않은표면을가진) 필름을포지셔닝하기위한시스템이제공된다.

6. 发明公开

KR1020050030621A 갈륨 철 산화물 혼합 결정의 결정 제조 방법 失效
标题翻译：用于氧化铝混合晶体的晶体生产方法
公开(公告)号：KR1020050030621A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：KR1020047011915
申请日：2002-10-11
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 가네꼬요시오 , 도꾸라요시노리 , 미야사까시게끼
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： C30B29/22 , C30B13/22
摘要： A crystal production method for gallium oxide-iron mixed crystal (Ga2-xFexO3) allowing spin information buried in a solid to be read by using the magnetoelectric effect. The crystal production method for gallium oxide- iron mixed crystal is characterized in that a single crystal of Ga2- xFexO3 having a crystal structure of monoclinic system is produced by a floating zone melting method in which a floating zone is formed between tips of specimen rods of Ga2-xFexO3 vertically aligned by heating the tips in a gas atmosphere by means of heat sources arranged confocally. By this method, a high-quality, uniform, large Ga2-x FexO3 crystal is produced.
摘要翻译：通过使用磁电效应来读取埋入固体的自旋信息的氧化镓 - 铁混晶（Ga2-xFexO3）的晶体制造方法。氧化镓 - 铁混合晶体的晶体制造方法的特征在于具有单斜晶系的晶体结构的单晶Ga 2-xFexO 3是通过浮区熔化法制造的，其中在样品棒的尖端之间形成浮动区 Ga2-xFexO3通过在气体气氛中通过共焦排列的热源加热尖端而垂直排列。通过该方法，生产出高质量均匀的Ga 2-x FexO 3晶体。

7. 发明公开

KR20120048240A Crystallization apparatus, crystallization method, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using sequential lateral solidification 审中-公开
标题翻译：结晶装置，结晶方法和使用顺序的固溶化制造有机发光显示装置的方法
公开(公告)号：KR20120048240A
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR20100109777
申请日：2010-11-05
申请人： SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO LTD
发明人： PARK CHEOL HO
IPC分类号： B23K26/067 , H01L29/786 , H01L51/56
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0673 , B23K26/0853 , C30B13/22 , C30B13/32 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L27/1285 , H01L21/02675 , H01L21/2026
摘要： PURPOSE: A crystallization apparatus and method using sequential lateral solidification and an organic electroluminescent display manufacturing method are provided to improve the use efficiency of laser by crystallizing amorphous silicon using sequential lateral solidification. CONSTITUTION: A crystallization apparatus using sequential lateral solidification comprises a laser generating unit(101), a first optical system(102), a second optical system(103), and a path conversion member(104). The first optical system processes a laser beam provided from the laser generating unit to irradiate a substrate. The second optical system is formed side by side the first optical system and processes the laser beam provided from the laser generating unit to irradiate the substrate. The path conversion member changes the path of the laser beam radiated from the laser generating unit to be alternately distributed to the first and second optical systems.
摘要翻译：目的：提供使用连续侧向固化和有机电致发光显示器制造方法的结晶装置和方法，以通过使用顺序侧向固化来结晶非晶硅来提高激光的使用效率。构成：使用顺序横向固化的结晶装置包括激光产生单元（101），第一光学系统（102），第二光学系统（103）和路径转换构件（104）。第一光学系统处理从激光产生单元提供的激光束照射基板。第二光学系统并排地形成第一光学系统，并处理从激光产生单元提供的激光束照射基板。路径转换构件将从激光产生单元辐射的激光束的路径改变为交替分布到第一和第二光学系统。

8. 发明公开

KR1020080021653A 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于实现作为线束形成的激光与衬底上沉积的膜之间的相互作用的系统和方法
公开(公告)号：KR1020080021653A
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020077028901
申请日：2006-05-25
申请人： 사이머 엘엘씨 , 칼 짜이스 인두스트리엘레 메스테크니크 게엠베하
发明人： 다스팔라시피. , 호프만토마스 , 샌드스트롬리차드엘. , 보우키오토 , 스텀프에른스트 , 매츠코비츠베르톨트 , 호엘미카엘 , 발터요르그 , 브레너쿠르트 , 그루프귄터
IPC分类号： G01B11/00
CPC分类号： B23K26/03 , B23K26/0006 , B23K26/0066 , B23K26/032 , B23K26/04 , B23K26/043 , B23K26/0622 , B23K26/0665 , B23K26/0738 , B23K26/083 , B23K37/0408 , B23K37/047 , B23K2201/18 , B23K2201/38 , B23K2203/56 , C30B13/22 , C30B29/06 , G01B21/00 , G03F7/70383 , G03F7/70583 , H01L27/1296
摘要： Systems and methods are disclosed for focusing a beam for an interaction with a film deposited on a substrate wherein the focused beam defines a short axis and a long axis. In one aspect, the system may include a detecting system to analyze light reflected from the film on an image plane to determine whether the beam is focused in the short axis at the film. In still another aspect, a system may be provided for positioning a film (having an imperfect, non-planar surface) for interaction with a shaped line beam. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：公开的系统和方法用于聚焦用于与沉积在基板上的膜相互作用的光束，其中聚焦光束限定短轴和长轴。在一个方面，系统可以包括检测系统，以分析在图像平面上从胶片反射的光，以确定光束是否在胶片的短轴中聚焦。在另一方面，可以提供一种用于定位用于与成形线束相互作用的胶片（具有不完美的非平面表面）的系统。 ®KIPO＆WIPO 2008

9. 发明授权

KR100541486B1 결정성 박막 및 그 제조방법, 결정박막을 사용하는 소자, 소자를 사용하는 회로 및 소자 또는 회로를 사용하는 디바이스 失效
标题翻译：晶体薄膜及其制造方法，使用晶体薄膜的元件，使用元件的元件以及使用元件或电路的器件
公开(公告)号：KR100541486B1
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：KR1020020030591
申请日：2002-05-31
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 쿠모미히데야 , 미주타니히데마사 , 콘도시게키
IPC分类号： G02F1/1333
CPC分类号： H01L21/02667 , C23C26/02 , C30B13/22 , C30B29/06 , H01L21/02686 , H01L21/2022
摘要： 상이한 상태의 영역이 연속적으로 공존하는 복수의 개시박막을 용융하여 재응고하는 공정을 포함하는 결정박막의 제조방법을 제공한다. 개시박막의 소영역은, 둘러싸인 영역과는 상이한 결정입자 또는 결정성 클러스터 수농도의 크기분포를 가진다. 용융 및 재응고의 공정에서, 결정박막에서 결정입자의 위치를 제어하기 위하여, 결정입자는 상기 한쪽의 영역에서 우선적으로 성장시킨다.

10. 发明授权

KR100203823B1 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 失效
标题翻译：一种用于制造半导体器件的方法和装置
公开(公告)号：KR100203823B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950007042
申请日：1995-03-28
申请人： 샤프 가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후나이다까시 , 마끼따나오끼 , 다까야마도루
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L21/02667 , C30B13/22 , H01L21/02672 , H01L21/02683 , H01L21/2022 , H01L21/2026
摘要： In a substrate having an insulating surface in which an amorphous semiconductor film is deposited on the insulating surface, a predetermined under-heating portion of the amorphous semiconductor film is partially heated with a heating source emitting heating rays. While heating, the under-heating portion is shifted by moving the heating source or the substrate. Accordingly, the amorphous semiconductor film is sequentially heat-treated and polycrystallized. As the under-heating portion shifts, the polycrystallization sequentially proceeds using the already polycrystallized portion by irradiation with the heating rays, which is adjacent to the under-heating portion, as seed crystal. Thus, the growth condition of crystal grains is uniformly controlled in the shifting direction of the under-heating portion.

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