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热词
    • 2. 发明公开
    • SiC 웨이퍼의 생성 방법
    • 碳化硅SiC晶圆生产方法
    • KR20180035689A
    • 2018-04-06
    • KR20170123451
    • 2017-09-25
    • H01L21/02H01L21/78
    • B23K26/0057B23K26/0626B23K26/38B23K26/40B23K2203/56
    • (과제) 생산성의향상이도모되는웨이퍼생성방법을제공한다. (해결수단) 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를생성하는 SiC 웨이퍼의생성방법으로서, SiC 에대해투과성을갖는파장의펄스레이저광선의집광점을잉곳의상면으로부터생성해야할 웨이퍼의두께에상당하는깊이에위치결정함과함께, 잉곳을오프각이형성되는방향과직교하는방향으로가공이송함으로써, 잉곳내부에개질층과, 그개질층으로부터 c 면을따라전파되는크랙을형성하는개질층형성가공을, 오프각이형성되는방향으로잉곳을인덱스이송하여복수회 실시하여박리면을형성하는박리면형성공정과, 박리면을계면으로하여잉곳의일부를박리하여 SiC 웨이퍼를생성하는웨이퍼를생성공정을포함한다. SiC 웨이퍼의생성방법은, 추가로, 박리한 SiC 웨이퍼의외주에모따기가공을실시하여버를제거하는모따기가공공정과, SiC 웨이퍼의박리면을연삭하여평활면으로마무리하는연삭공정을포함한다.
    • SiC晶片由单晶SiC锭制造。 通过将晶锭内部的脉冲激光束的焦点设置在离晶锭上表面预定深度处形成改性层,该预定深度对应于待制造的晶片的厚度。 脉冲激光束被施加到晶锭,同时在与形成偏离角的第二方向垂直的第一方向上移动晶锭,从而在晶锭内在第一方向上形成改性层,并且裂纹从改性层沿着 c面。 通过在第二方向上对锭块进行分度并且多次施加激光束从而在锭块内部形成分离表面来形成分离表面。 部分铸锭沿分离表面分离,从而产生晶片。
    • 4. 发明公开
    • 검사 방법
    • 检验方法
    • KR20180009708A
    • 2018-01-29
    • KR20170090238
    • 2017-07-17
    • DISCO CORP
    • YOSHIHARA HIROYUKI
    • H01L21/67H01L21/66
    • H01L22/24B23K26/0626B23K26/08G01R31/01G01R31/2851H01L21/67276H01L21/67288
    • (과제) 가공장치가설치환경으로부터받는영향을검사한다. (해결수단) 가공장치가설치환경으로부터받는영향을검사하는검사방법으로서, 척테이블과가공유닛의상대적인위치관계를특정하기위한표적을설정하는표적설정스텝과, 이동수단을정지시킨상태에서, 그표적을촬상유닛으로복수회 촬상하는촬상스텝과, 그촬상스텝에서얻어진촬상화상으로부터그 표적의위치를검출하여그 가공장치가설치환경으로부터받는영향의유무를판정하는판정스텝을구비하고, 그판정스텝에서는, 그표적의위치의변화량이임계값미만인경우, 그척 테이블과그 가공유닛의상대위치는그 환경으로부터영향을받고있지않은것으로판정하고, 그표적의위치의변화량이임계값이상인경우, 그척 테이블과그 가공유닛의상대위치는그 환경으로부터영향을받고있는것으로판정한다.
    • 用于检查安装环境对处理设备的影响的方法包括:设置用于指定卡盘台和处理单元之间的相对位置关系的标记,当移动单元处于静止时,通过使用成像单元多次成像标记 ,并且从图像中检测标记的位置,然后基于标记的位置变化是否小于或大于阈值来确定安装环境对处理装置的影响是否存在。
    • 5. 发明公开
    • 보조 기체 흐름에 대한 레이저의 광축 위치 제어를 가지는 금속 재료의 레이저 처리 방법 및 상기 방법의 구현을 위한 컴퓨터 프로그램 및 기계 장치
    • 激光加工相对于辅助气体流动的激光器光轴位置控制的方法以及实施所述方法的机器和计算机程序
    • KR20180005624A
    • 2018-01-16
    • KR20170085934
    • 2017-07-06
    • B23K26/062B23K26/042B23K26/14B23K26/21B23K26/38
    • B23K26/0626B23K26/06B23K26/0643B23K26/0665B23K26/073B23K26/14G02B26/0816
    • 금속재료의적어도하나의작업평면상에서미리설정된횡력분포(transverse power distribution)를가지는포커싱된레이저빔(focused laser beam)에의해금속재료를레이저처리하는방법이서술되고, 상기방법은레이저빔 방출소스를제공하는단계, 상기레이저빔을, 빔수송광로(beam transport optical path)를따라상기재료에인접하여배치된작업헤드(working head)로유도하는단계, 상기금속재료에입사하는전파의광축(optical axis of propagation)을따라상기레이저빔을콜리메이팅(collimating)하는단계, 상기금속재료의작업평면의영역에상기콜리메이팅된레이저빔을포커싱하는단계및 일련의작업영역을포함하는상기금속재료상의작업경로를따라상기포커싱된레이저빔을전도하는단계를포함한다. 상기레이저빔은복수의독립적으로움직일수 있는반사영역을가지는변형가능하고, 제어되는표면반사요소에의해콜리메이팅된빔을반사하여성형되고, 상기금속재료의상기작업경로의현재경로및/또는현재작업평면의영역의함수로써상기금속재료의적어도하나의작업평면상에상기빔의미리설정된횡력분포를이루기위해상기반사영역의배치를제어하여성형된다.
    • 借助于在金属材料的至少一个工作平面上具有预定横向功率分布的聚焦激光束来描述金属材料的激光加工方法,该方法包括以下步骤: - 提供激光束发射源; - 沿着光束传输光路将激光束引导到布置在材料附近的工作头; - 使激光束沿入射到材料上的传播光轴准直; - 将准直的激光束聚焦在材料的工作平面的区域中; 以及沿着包括一系列工作区域的金属材料上的工作路径传导所述聚焦的激光束,其中所述激光束被成形为: - 通过借助于具有多个独立的可变形的受控表面反射元件来反射准直束 - 通过控制反射区域的布置以在金属材料的至少一个工作平面上建立光束的预定横向功率分布,作为当前工作平面的面积和/或 在金属材料上的工作路径的当前方向。
    • 6. 发明公开
    • 비-원형 레이저 빔들을 이용한 재료의 프로세싱
    • - 使用非圆形激光加工材料
    • KR1020170028888A
    • 2017-03-14
    • KR1020167035653
    • 2015-07-08
    • 하이 큐 레이저 게엠베하
    • 헨드릭스프랭크마티리트스카이빅터브이.
    • B23K26/00B23K26/0622B23K26/073B23K26/40C03B33/02C03B33/04B23K103/00
    • B23K26/0057B23K26/0006B23K26/0624B23K26/0626B23K26/0736B23K26/38B23K26/40B23K2203/50B23K2203/56C03B33/0222C03B33/04Y02P40/57
    • 펄스형레이저를사용하여재료를프로세싱하기위한방법은, 일련의초단파레이저펄스들(22)을생성하는단계, 프로세싱경로(25)의각각할당된프로세싱포인트(26)에대한정의된레퍼런스로상기재료(1)에각각의레이저펄스(22)를지향시키는단계, 및포커싱된레이저펄스들(22)의각각의초점들이상기재료(24)의제1 표면(2)에대해미리정의된공간적관계들을포함하도록각각의레이저펄스(22)를포커싱하는단계를포함하고, 각각의방출된레이저펄스(22)는상기재료내에각각크랙(24)을실현한다. 본발명에따르면, 레이저펄스의전파방향에수직인, 초점에서레이저펄스의단면에의해정의되는단면영역이특정형상이고, 마이너확장축보다더 큰범위의메인확장축(A)을갖도록, 레이저펄스의빔 프로파일에관해각각의레이저펄스가형상화된다. 하나의메이저크랙(24)은각각의레이저펄스(22)에의해실현되고, 메이저크랙(12, 24)은, 기본적으로초점에서각각의펄스의메인확장축(A)에따라배향되는측방향확장을갖는다. 또한, 초점에서레이저펄스의메인확장축(A)의배향이할당된프로세싱포인트(26)에서프로세싱경로(25)에대한각각의접선의배향에대해미리정의된배향에대응하도록각각의레이저펄스(22)가방출된다.
    • 通过使用脉冲激光来处理材料的方法,包括产生一系列超短激光脉冲(22),将每个激光脉冲(22)引导到所述材料,所述材料限定参考分配的处理点(26) 处理路径(25),并且聚焦每个激光脉冲(22),使得聚焦的激光脉冲(22)的各个焦点包括与材料的第一表面(2)的预定的空间关系,其中每个发射的激光脉冲 22)在材料内产生相应的裂纹(24)。 根据本发明,每个激光脉冲关于其光束轮廓成形,使得由其激光脉冲在其焦点上与其传播方向正交的横截面限定的横截面面积是非对称形状并且限定主要 延伸轴(A)对其不对称延伸。 一个主要裂纹(24)由每个激光脉冲(22)实现,主裂纹(12,24)具有根据焦点中相应脉冲的主延伸轴(A)基本取向的横向延伸。 此外,发射每个激光脉冲(22),使得其焦点中其主延伸轴线(A)的取向对应于相对于处理路径(25)的相应切线的取向的预定义取向 分配处理点(26)