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1. 发明授权

KR101447476B1 탄화규소 단결정 제조 장치 有权
标题翻译：制造单晶碳化硅的装置
公开(公告)号：KR101447476B1
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：KR1020110134714
申请日：2011-12-14
申请人： 가부시키가이샤 덴소
发明人： 도쿠다유이치로 , 하라가즈쿠니 , 고지마준
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36 , H01L21/20
CPC分类号： C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/165 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： 탄화규소 단결정(20)을 제조하기 위한 장치는 상기 시드 결정하에서 원료가스(3)를 공급함으로써 시드 결정(5)에 탄화규소 단결정을 성장시킨다. 상기 장치는 가열용기(8) 및 상기 가열용기에 위치되는 베이스(9)를 포함한다. 상기 시드 결정은 상기 베이스에 장착된다. 상기 장치는 상기 히팅장치의 내부 벽면을 따라 퍼지가스가 유동하도록 하기 위한 제1 유입구(8b), 상기 퍼지가스를 상기 제1 유입구로 공급하는 퍼지가스 공급원(14), 상기 베이스의 외부 벽면을 따라 퍼지가스가 유동하도록 하기 위한 제2 유입구(93), 및 상기 베이스 하에서 상기 베이스에 퍼지가스를 공급하고 상기 베이스를 지지하기 위한 기구(11)를 포함한다.

2. 发明授权

KR101424834B1 결정 성장 프론트에서 열 구배들의 인-시츄 결정을 위한 절차 有权
标题翻译：在晶体生长前沿测定热梯度的程序
公开(公告)号：KR101424834B1
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020090070448
申请日：2009-07-31
申请人： 섬코 피닉스 코포레이션 , 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오르셸벤노 , 부츠코프스키안제이 , 커언스조엘 , 다카나시게이이치 , 토트폴커
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/203 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/104 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 반도체 결정을 성장하는 방법 및 장치는 소정의 인상 스피드에서 용융물 (melt) 로부터 반도체 결정을 인상하는 것과 주기적인 인상 스피드를 평균 스피드와 결합하여 인상 스피드를 조정하는 것을 포함한다. 인상 스피드의 조정은 결정 형성 동안 용융물 및 결정의 특성 온도 구배의 인-시츄 결정을 허용한다. 온도 구배는 예를 들어, 성장 동안 결정의 온도 구배를 결정하는 결정의 목표 인상 스피드 또는 용융물 갭과 같이 완성된 결정의 형태상의 안정성 (morphological stability) 또는 고유 재료 특성에 영향을 미치는 관련 프로세스 파라미터들을 제어하도록 이용될 수도 있다.
반도체 결정 성장 방법, 특성 온도 구배, 결정 성장 프론트, 직경 제어 시스템

3. 发明授权

KR101279756B1 단결정 실리콘 연속성장 시스템 및 방법 有权
标题翻译：单晶硅连续生长系统
公开(公告)号：KR101279756B1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020127013413
申请日：2005-02-25
申请人： 솔라익스 인코퍼레이티드
发明人： 벤더데이비드엘.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/02
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 단결정 잉곳을 연속성장시키기 위한 쵸크랄스키법에 기초한 개선된 시스템에 관한 것으로서, 낮은 가로세로비, 대직경 및 실질적으로 평탄한 도가니를 포함하며, 상기 도가니는 선택적으로 결정을 둘러싸는 웨어를 포함하고, 대직경, 낮은 가로세로비 도가니는 대류유동을 실질적으로 제거하며, 최종 단결정 실리콘 잉곳 내의 산소 함량을 감소시킨다. 성장 도가니에 용융 실리콘의 연속공급을 제공하는 개별적으로 레벨 제어된 실리콘 예비용융 챔버는 결정인상처리 동안 수직 이동의 필요성과 도가니 상승시스템을 효과적으로 제거하며, 도가니 아래의 복수의 가열기는 용탕을 가로지르는 대응 열구역을 형성하고, 가열기의 열출력은 개선된 결정 성장을 위해 용탕을 가로질러 결정/용탕 계면에 최적 열분배를 제공하기 위해 개별적으로 제어되며, 복수의 인상 챔버는 연속처리 및 고효율을 위해 제공되는 것을 특징으로 한다.

4. 发明公开

KR1020130010025A 비접촉 재료 특성을 일괄적으로 분석하기 위한 장치 및 방법 无效
标题翻译：用于共同分析非接触材料性质的设备和方法
公开(公告)号：KR1020130010025A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020127032491
申请日：2009-02-13
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 퀸윌리암이. , 벨로소프미하일 , 이동승 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/6875 , G01N21/645 , G01N21/6489 , G01N2021/6417 , H01L21/68764 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 비접촉 재료 특성 분석을 수행하는 장치는 다수의 기판(12)을 유지하도록 된 웨이퍼 캐리어(10)와 광 발광 분광법을 수행하기 위한 장치와 같은 재료 특성 분석 장치(20)를 포함한다. 본 발명의 장치는 기판(12)을 포함해서 웨이퍼 캐리어(10)의 적어도 일부에 대하여 비접촉 재료 특성 분석을 수행하도록 되어 있다.

5. 发明公开

KR1020120030364A 산화아연 필름, 나노구조체, 및 벌크 단결정의 수계 합성용 저온 연속식 순환 반응기 审中-实审
标题翻译：低温连续循环反应器，用于ZNO膜，纳米结构和块状单晶的水性合成
公开(公告)号：KR1020120030364A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020117027067
申请日：2010-04-15
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 랜쥐프레데렉에프.사망 , 리차드슨제이콥제이.
IPC分类号： H01L21/02 , C01G9/02 , C30B19/06 , C30B19/08 , C30B19/10
CPC分类号： C30B19/10 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2006/60 , C30B19/06 , C30B19/08 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , H01L21/02414
摘要： 기판 또는 시드를 포함하는 더 따뜻한 침착 구역, 및 ZnO 소스 재료를 포함하는 더 서늘한 용해 구역 사이에서 ZnO로 포화된 성장 용액을 연속적으로 순환시키는 단계를 포함하는 ZnO 합성 방법.

6. 发明公开

KR1020100091554A ＩＣＰ를 이용한 실리콘 나노입자 제조 장치 有权
标题翻译：使用电感耦合等离子体制造硅纳米晶体的规定
公开(公告)号：KR1020100091554A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090010797
申请日：2009-02-10
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 고창현 , 이정철 , 김준수 , 박주석
IPC分类号： C08L101/10 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0883 , B01J2219/0894 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/027 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y10T117/10 , Y10T117/1008 , Y10T428/2982
摘要： PURPOSE: A silicon nanoparticle manufacturing device using ICP(inductive coupled plasma) is provided to minimize the spreading phenomenon of the plasma by controlling a plasma domain formed by an ICP coil. CONSTITUTION: A silicon nanoparticle manufacturing device using ICP comprises the following: a gas feeding unit(210) including a tube(130) in the inside, to supply first gas for forming a silicon nanoparticle, and second gas for surface reacting the silicon nanoparticle; a reactor unit(220) in which an ICP coil is winded on the outer wall; a dispersing unit(230) dispersing the silicon nanoparticle; and a collecting unit(240) collecting the silicon nanoparticle.
摘要翻译：目的：提供使用ICP（感应耦合等离子体）的硅纳米颗粒制造装置，通过控制由ICP线圈形成的等离子体域来最小化等离子体的扩散现象。构成：使用ICP的硅纳米颗粒制造装置包括：包括内部的管（130）的供气单元（210），用于供应用于形成硅纳米颗粒的第一气体和用于使硅纳米颗粒表面反应的第二气体; 其中ICP线圈缠绕在外壁上的电抗器单元（220）分散所述硅纳米颗粒的分散单元（230）和收集硅纳米颗粒的收集单元（240）。

7. 发明公开

KR1020100039378A 플라즈마 처리 장치 내의 ＲＦ 구동된 전극으로 가스를 전달하기 위한 ＲＦ 초크 有权
标题翻译： RF选择用于气体输送到等离子体处理装置中的RF驱动电极
公开(公告)号：KR1020100039378A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020107002226
申请日：2008-06-25
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 쿠델라,요제프 , 소렌센,칼에이. , 화이트,존엠.
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01F17/06 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01F27/08 , H01F2017/065 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J2237/0206 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： In large area plasma processing systems, process gases may be introduced to the chamber via the showerhead assembly which may be driven as an RF electrode. The gas feed tube, which is grounded, is electrically isolated from the showerhead. The gas feed tube may provide not only process gases, but also cleaning gases from a remote plasma source to the process chamber. The inside of the gas feed tube may remain at either a low RF field or a zero RF field to avoid premature gas breakdown within the gas feed tube that may lead to parasitic plasma formation between the gas source and the showerhead. By feeding the gas through an RF choke, the RF field and the processing gas may be introduced to the processing chamber through a common location and thus simplify the chamber design.
摘要翻译：在大面积等离子体处理系统中，工艺气体可以经由可被作为RF电极驱动的喷头组件引入腔室。接地的气体供给管与喷头电气隔离。气体供给管不仅可以提供处理气体，还可以提供从远程等离子体源清洁气体到处理室。气体供给管的内部可以保持在低RF场或零RF场，以避免气体进料管内的过早气体击穿，这可能导致气体源和喷头之间的寄生等离子体形成。通过馈送气体通过RF扼流圈，RF场和处理气体可以通过公共位置被引入处理室，从而简化室设计。

8. 发明公开

KR1020100014149A 성장 프로세스에서 실리콘 결정 잉곳의 직경을 제어하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于控制生长过程中硅晶体直径的方法和装置
公开(公告)号：KR1020100014149A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020090069842
申请日：2009-07-30
申请人： 섬코 피닉스 코포레이션 , 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오르셸벤노 , 커언스조엘 , 다카나시게이이치 , 토트폴커
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus for controlling a diameter of a silicon crystal ingot in a growth process are provided to improve the accuracy of a single crystal silicon ingot by reducing the variation of pull speed of a silicon crystal ingot. CONSTITUTION: In a method and an apparatus for controlling a diameter of a silicon crystal ingot in a growth process, a taper error detector defines an error between the desirous size and the measured size of the taper of a meniscus. A feedback controller(109) converts the taper error in relation to a pull rate of the single crystal silicon ingot. A diameter error detector defines an error between the target diameter and the measured diameter of the single crystal silicon ingot. The taper profiler(107) changes the diameter error to the desirous taper.
摘要翻译：目的：提供一种用于在生长过程中控制硅晶锭的直径的方法和装置，以通过减小硅晶锭的拉拔速度的变化来提高单晶硅锭的精度。构成：在用于在生长过程中控制硅晶锭的直径的方法和装置中，锥形误差检测器定义希望尺寸与测得的弯液面的锥度尺寸之间的误差。反馈控制器（109）相对于单晶硅锭的拉出速率转换锥度误差。直径误差检测器定义目标直径与单晶硅锭的测量直径之间的误差。锥形轮廓仪（107）将直径误差改变为希望的锥度。

9. 发明公开

KR1020080103390A 결정화 장치 및 결정화 방법 失效
标题翻译：结晶装置和结晶方法
公开(公告)号：KR1020080103390A
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020070101384
申请日：2007-10-09
申请人： 시마쯔 코포레이션
发明人： 아키타,노리타카 , 다카미,요시오
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/786
CPC分类号： B23K26/067 , B23K26/0613 , H01L21/02675 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , H01L21/2026
摘要： A crystallization apparatus and the method for crystallization are provided to achieve the visibility and the crystallization by irradiating the laser light of visible light area having the intensity distribution. A crystallization apparatus comprises the illumination system(10) for the ultraviolet ray irradiating the laser light of the ultraviolet range onto the processed substrate with pulse; the visible light irradiation system(20) irradiating the laser light of the visible light to the area same with the area of the ultraviolet ray. The visible light irradiation system has the visible light laser light sources(11) which are arranged two dimensionally. The crystal growth is formed with the intensity distribution of the formed visible light laser light.
摘要翻译：提供结晶装置和结晶方法，以通过照射具有强度分布的可见光区域的激光来实现可视性和结晶。结晶装置包括用于紫外线的照明系统（10），该紫外线用脉冲将紫外线范围的激光照射到处理的基板上; 可见光照射系统（20）将可见光的激光照射到与紫外线的区域相同的区域。可见光照射系统具有二维布置的可见光激光光源（11）。晶体生长由形成的可见光激光的强度分布形成。

10. 发明公开

KR1020070119725A 박막의 라인 스캔 순차적 횡방향 고형화 有权
标题翻译：线扫描顺序的薄膜的侧向固化
公开(公告)号：KR1020070119725A
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：KR1020077025550
申请日：2006-04-04
申请人： 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕
发明人： 임제임스에스 , 반데르윌트폴씨
IPC分类号： C30B21/04 , C30B28/08 , C30B13/00
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0738 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： A polycrystalline film is prepared by (a) providing a substrate having a thin film disposed thereon, said film capable of laser-induced melting, (b) generating a sequence of laser pulses having a fluence that is sufficient to melt the film throughout its thickness in an irradiated region, each pulse forming a line beam having a predetermined length and width, said width sufficient to prevent nucleation of solids in a portion of the thin film that is irradiated by the laser pulse, (c) irradiating a first region of the film with a first laser pulse to form a first molten zone, said first molten zone demonstrating a variation in width along its length to thereby define a maximum width (Wmax) and a minimum width (WmJn), wherein the first molten zone crystallizes upon cooling to form one or more laterally grown crystals, (d) laterally moving the film in the direction of lateral growth a distance that is greater than about one-half Wmax and less than Wmjn; and (e) irradiating a second region of the film with a second laser pulse to form a second molten zone having a shape that is substantially the same as the shape of the first molten zone, wherein the second molten zone crystallizes upon cooling to form one or more laterally grown crystals that are elongations of the one or more crystals in the first region.
摘要翻译：通过（a）提供具有设置在其上的薄膜的基板，所述膜能够进行激光诱导熔化，（b）产生具有足以使膜在整个厚度上熔化的能量密度的激光脉冲序列来制备多晶膜在照射区域中，每个脉冲形成具有预定长度和宽度的线束，所述宽度足以防止由激光脉冲照射的薄膜部分中的固体成核，（c）照射第一区域膜，其具有第一激光脉冲以形成第一熔融区，所述第一熔融区表现出沿其长度的宽度变化，从而限定最大宽度（Wmax）和最小宽度（WmJn），其中第一熔融区在冷却时结晶以形成一个或多个横向生长的晶体，（d）沿横向生长方向横向移动所述膜的距离大于约一半Wmax且小于Wmjn; 和（e）用第二激光脉冲照射所述膜的第二区域以形成具有与所述第一熔融区域的形状基本相同的形状的第二熔融区域，其中所述第二熔融区域在冷却时结晶以形成一个或更多横向生长的晶体，其是第一区域中的一种或多种晶体的伸长率。

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