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1. 发明公开

KR20180063103A 마킹 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180063103A
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR20187009237
申请日：2016-09-07
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/359 , B23K101/36 , B23K103/00
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/064
摘要： 단순구성으로고속이면서미세하게묘화가실현가능한마킹장치를제공한다. 구체적으로는, 마킹장치(1)는제1 도트직경(303) 및제1 도트직경(303)보다도도트직경이작은제2 도트직경(304)으로필름(100)에마킹을행하는레이저가공부(3)와, 레이저가공부(3)의도트직경을변경하는액추에이터(71)와, 전체묘화패턴(113)의일부를구성하는패턴이며, 제1 도트직경(303)으로묘화하는제1 묘화패턴(115) 및전체묘화패턴(113)의일부를구성하는패턴이며, 제2 도트직경(304)으로묘화하는제2 묘화패턴(117)을등록하는부분묘화패턴등록부로서의장치 PC(7)를갖는다.

2. 发明公开

KR20180030609A LIFT 토출 각도의 제어 审中-公开
标题翻译：控制LIFT卸料角度
公开(公告)号：KR20180030609A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR20187003945
申请日：2016-06-07
申请人： ORBOTECH LTD
发明人： ZENOU MICHAEL , KOTLER ZVI
IPC分类号： C23C14/28 , B23K26/064 , B23K26/067 , B23K26/57 , C23C14/54
CPC分类号： B23K26/064 , B23K26/067 , B23K26/57 , C23C14/225 , C23C14/28
摘要： 억셉터(acceptor) 표면상에재료증착을위한장치는대향하는제1 표면및 제2 표면, 및제2 표면상의도너필름을가지는투명한도너기판을포함한다. 장치는부가적으로광학어셈블리를포함하고, 광학어셈블리는, 억셉터표면상으로, 제2 표면상의위치에서제2 표면에수직이아닌각도로도너필름으로부터용융된재료의액적들의토출을유도하기위해, 방사선의빔이도너기판의제1 표면을통과하고제2 표면상의위치에서도너필름상에충돌하게하도록구성된다.
摘要翻译：用于在受体表面上沉积材料的设备包括具有相对的第一和第二表面的透明供体基底和在第二基底表面上的供体膜。该设备另外包括光学组件，用于在不与第二表面上的位置垂直的角度下引导熔融材料液滴从供体膜的喷射，使得辐射束穿过供体基底的第一表面并且甚至在第二表面上的位置处撞击在膜上。

3. 发明授权

KR101825922B1 레이저 가공장치 및 방법 有权
标题翻译：激光加工设备和方法
公开(公告)号：KR101825922B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020150122091
申请日：2015-08-28
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 김남성 , 김기혁 , 김성훈 , 권혁철 , 문승환
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/00 , H01S3/00
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/064 , G02B6/42 , H01S3/00
摘要： 예시적인실시예들에따르면, 레이저가공장치및 방법이개시된다. 실시예들에따르면, 펄스레이저를방출하는레이저광원및 상기레이저펄스파에서레이저강도가소정의강도기준치보다낮은부분은차폐하고상기소정의강도기준치보다높은부분은통과시킴으로써상기레이저펄스의모양을변조하는광 변조기를포함하는레이저가공장치가제공된다.
摘要翻译：根据示例性实施例，公开了一种激光加工设备和方法。根据本实施方式，由激光光源和激光脉冲波大于预定强度阈值以发射脉冲激光被屏蔽和通过较高的部分大于预定强度的参考值的激光强度的下部调制激光脉冲的形状以及用于发射激光束的光调制器。

4. 发明授权

KR101817101B1 선택적 결정화 방법 및 이를 위한 레이저 결정화 장치 有权
公开(公告)号：KR101817101B1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：KR1020110026984
申请日：2011-03-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도영 , 이준우 , 이원규
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/064 , B23K26/0676 , B23K26/10 , H01L21/0237 , H01L21/02675 , H01L21/02678 , H01L21/02691
摘要： 본발명은결정화공정의생산성이향상된선택적결정화방법및 이를위한레이저결정화장치를제공한다. 본발명의선택적결정화방법은, 제1 결정화영역을포함하는제1 기판과제2 결정화영역을포함하는제2 기판을소정의간격으로이격시켜상하로배치하되, 상기제1 결정화영역과상기제2 결정화영역이교대로위치하도록배치하는단계, 및상기제1 결정화영역과상기제2 결정화영역에레이저빔이조사되어상기제1 결정화영역과상기제2 결정화영역이교대로결정화되는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020170125384A 박막 소자 장치의 제조 방법 및 그것에 사용하는 광조사 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜元件装置和光照射装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170125384A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：KR1020177027719
申请日：2016-03-03
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 다나까,데쯔노리 , 나까무라,와따루 , 오까자끼,쇼지 , 후지와라,마사끼
IPC分类号： H01L51/56 , H01L27/32 , H01L21/78 , B23K26/064 , B23K26/57 , B23K103/00
CPC分类号： H01L51/56 , B23K26/064 , B23K26/57 , B23K2203/50 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L2251/56 , H05B33/10 , H01L21/78 , H01L27/3262
摘要： 투명한지지기판(8)에기판층(10)을형성한후에, 그기판층(10)에박막소자를형성하는소자형성공정과, 지지기판(8)의기판층(10) 및박막소자가형성된측과반대측으로부터레이저광(La 및 Lb)을조사함으로써, 기판층(10) 및박막소자를지지기판(8)으로부터박리시키는소자박리공정을구비하고, 소자박리공정에서는, 레이저광(La, Lb)을서로상이한복수의방향으로부터조사한다.
摘要翻译： hanhue窗体上的一个透明支撑基板8的基板层10，基材层10和形成在所述基板层10和薄膜器件的支撑基板8上的薄膜元件的步骤中的元件形成侧通过从激光La，Lb的相反侧照射激光La，Lb，从支撑基板8剥离基板层10和薄膜元件的元件剥离工序，从彼此不同的多个方向开始。

6. 发明公开

KR1020170092171A 레이저 가공장치 및 이를 이용한 레이저 가공방법 审中-实审
标题翻译：激光加工装置及使用其的激光加工方法
公开(公告)号：KR1020170092171A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020160012904
申请日：2016-02-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강태민 , 김재식 , 김정국 , 조영석
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/268 , H01L51/00
CPC分类号： B23K26/0676 , B23K26/064
摘要： 본발명은구성요소변경을최소화하면서도다양한형태의가공을할 수있는레이저가공장치및 이를이용한레이저가공방법을위하여, 레이저빔소스와, 상기레이저빔소스에서방출된레이저빔의경로상에위치하며상기레이저빔소스에서방출된레이저빔을복수개의레이저빔들로분기할수 있는레이저빔분기부와, 상기레이저빔분기부이후의복수개의레이저빔들의적어도두 레이저빔들의경로상에위치하며상기적어도두 레이저빔들을통과시켜주변환경과의굴절률차이를이용해통과한레이저빔들사이의간격을조절할수 있는위치보정부를구비하는, 레이저가공장치및 이를이용한레이저가공방법을제공한다.
摘要翻译：本发明被定位从该结构与用于激光加工装置以及激光加工方法，使用相同的，同时最小化元件的变化，激光束源，该激光束源，其可以执行各种形式的处理的发射的激光束的路径上可以至少基座后的激光bimbun多个激光束的两束激光束的路径和所述至少两个激光束从所述激光束源发射的激光束分成多个激光束，并且位于激光bimbun基通过提供一种激光加工装置以及使用该包括位置校正，激光束之间以与环境的折射率差通过其可以调节距离的激光加工方法。

7. 发明公开

KR1020170032257A 레이저 용접 장치 및 레이저 용접 방법 审中-实审
标题翻译：激光焊接设备和激光焊接方法
公开(公告)号：KR1020170032257A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020170030560
申请日：2017-03-10
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 요시다사토시 , 나루세요이치 , 가도히로야스
IPC分类号： B23K26/20 , B23K26/067 , B23K26/064
CPC分类号： B23K26/206 , B23K26/0608 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0676 , B23K26/082 , B23K26/28
摘要： 제 1 부재와제 2 부재를레이저용접하기위한레이저용접장치는: 상기제 1 부재와상기제 2 부재의경계부에레이저광을조사하는제 1 레이저조사부, 상기제 1 레이저조사부에의한레이저광의조사위치에비해, 레이저용접의진행방향에있어서의전측에서, 상기제 1 부재와상기제 2 부재에레이저광을조사하는제 2 레이저조사부를포함한다.
摘要翻译：用于激光焊接的第一构件和第二构件，其包括激光焊接设备，包括：第一构件和用于照射bujaeui边界上的激光束的第二个第一激光照射部，其中，由所述第一激光照射部的激光照射位置以及第二激光照射单元，用于在激光焊接的前进方向的前侧用激光照射第一构件和第二构件。

8. 发明公开

KR1020170025539A 레이저 가공장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于激光加工的装置和方法
公开(公告)号：KR1020170025539A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122091
申请日：2015-08-28
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 김남성 , 김기혁 , 김성훈 , 권혁철 , 문승환
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/00 , H01S3/00
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/064 , G02B6/42 , H01S3/00
摘要： 예시적인실시예들에따르면, 레이저가공장치및 방법이개시된다. 실시예들에따르면, 펄스레이저를방출하는레이저광원및 상기레이저펄스파에서레이저강도가소정의임계치보다낮은부분은차폐하고상기소정의임계치보다높은부분은통과시킴으로써상기레이저펄스의모양을변조하는광 변조기를포함하는레이저가공장치가제공된다.
摘要翻译：根据示例性实施例公开了一种激光加工装置和方法。根据实施例，提供一种激光加工装置，包括：发射脉冲激光的激光光源; 以及光学调制器，其屏蔽具有低于预定阈值的激光强度的激光脉冲波的部分，并将激光脉冲波的部分传输到预定阈值以上以调制激光脉冲的形状。

9. 发明公开

KR1020160048880A 펄스식 레이저 빔을 이용하여 워크피스를 프로세싱하기 위한 방법 및 레이저 어셈블리 审中-实审
标题翻译：使用脉冲激光束处理工件的方法和激光组件
公开(公告)号：KR1020160048880A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020167007857
申请日：2014-07-29
申请人： 로핀-바아젤 라제르테크 게엠베하 운트 코. 카게
发明人： 카스터,얀 , 조티어,플로리안 , 데크,프레트-발터 , 가이거,슈테판
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/36
CPC分类号： B23K26/0624 , B23K26/0066 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/073 , B23K26/36
摘要： 본발명은펄스식레이저빔(L)을이용하여워크피스(12)를프로세싱하기위한방법및 레이저어셈블리에관한것이다. 상기방법에서, 프로세싱동안, 스펙트럼위상의측방향분포는레이저펄스의지속기간에걸쳐및/또는적어도워크피스(12) 상에서적어도부분적으로오버랩하는 2개의레이저펄스들간에비선형적으로변동된다.

10. 发明授权

KR101613136B1 레이저 어닐링 처리 장치 및 레이저 어닐링 처리 방법 有权
标题翻译：激光退火装置和激光退火方法
公开(公告)号：KR101613136B1
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020127031328
申请日：2010-09-17
申请人： 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
发明人： 시다준이치 , 정석환 , 마치다마사시
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/0853 , B23K26/12 , B23K26/127 , H01L21/02532 , H01L21/02686
摘要： 반도체막에펄스레이저광을조사하여어닐링할 때, 적정한펄스에너지밀도를높이지않고상기펄스에너지밀도의마진을크게하는것을가능하게한다. 펄스레이저광을출력하는레이저광원과, 펄스레이저광을정형하여처리대상의반도체막으로인도하는광학계와, 펄스레이저광이조사되는상기반도체막을설치하는스테이지를갖고, 상기반도체막에조사되는상기펄스레이저광이펄스에너지밀도에서최대높이의 10%로부터최대높이에이르기까지의상승시간이 35n초이하, 최대높이로부터최대높이의 10%에이르기까지의하강시간이 80n초이상인것으로함으로써결정화등에적합한펄스에너지밀도를각별히크게하지않고그 마진량을크게하여양질의어닐링처리를수율을저하시키지않고행한다.

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