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热词
    • 31. 发明公开
    • 미리 설정된 처리 경로를 따라 레이저 빔의 이동 축들의 높은 동적 제어를 가지는 금속 재료의 레이저 처리 방법 및 상기 방법의 구현을 위한 기계 장치 및 컴퓨터 프로그램
    • 激光束的运动轴高度动态控制金属材料的激光加工方法,该激光束沿着预定的加工路径以及用于实施所述方法的计算机程序
    • KR20180005623A
    • 2018-01-16
    • KR20170085913
    • 2017-07-06
    • B23K26/062B23K26/042B23K26/14B23K26/21B23K26/38
    • B23K26/1438B23K26/0626B23K26/0643B23K26/073B23K26/14B23K26/21B23K26/38B23K26/382G02B26/0858
    • 재료의적어도하나의작업평면상에서미리설정된횡력분포(transverse power distribution)를가지는포커싱된레이저빔(focused laser beam)에의해금속재료를레이저처리하는방법이서술되고, 상기방법은레이저빔 방출소스를제공하는단계, 상기레이저빔을, 빔수송광로(beam transport optical path)를따라상기재료에인접하여배치된작업헤드(working head)로유도하는단계, 상기금속재료에입사하는전파의광축(optical axis of propagation)을따라상기레이저빔을콜리메이팅(collimating)하는단계, 상기금속재료의작업평면의영역에상기콜리메이팅된레이저빔을포커싱하는단계및 일련의작업영역을포함하는상기금속재료상의작업경로를따라상기포커싱된레이저빔을전도하는단계를포함한다. 상기레이저빔은복수의독립적으로움직일수 있는반사영역을가지는변형가능하고, 제어되는표면반사요소에의해콜리메이팅된빔을반사하여성형되고, 상기금속재료의상기작업경로의현재경로및/또는현재작업평면의영역의함수로써상기금속재료의적어도하나의작업평면상에상기빔의미리설정된횡력분포를이루기위해상기반사영역의배치를제어하여성형된다.
    • 借助于在材料(WP)的至少一个工作平面上具有预定横向功率分布的聚焦激光束(B)来描述金属材料(WP)的激光加工方法,该方法包括以下步骤:提供 激光束发射源(10),沿着光束传输光路将激光束(B)引导到布置在材料(WP)附近的工作头(14),沿着光轴(B)准直激光束(B) (WP)上的传播,将准直激光束(B)聚焦在材料(WP)的工作平面的区域中,并且沿金属材料(WP)上的工作路径传导所述聚焦激光束(B) )包括一系列工作区域,其中激光束(B)通过借助于具有多个独立可移动反射区域的可变形受控表面反射元件反射准直光束(B)并且通过控制 反射区域 建立在金属材料(WP)的至少一个工作平面上的梁(WP)的预定横向功率分布,作为当前工作平面的面积和/或金属上的工作路径的电流方向的函数 材料(WP)。
    • 33. 发明公开
    • SiC 웨이퍼의 생성 방법
    • 如何制作SiC晶圆
    • KR1020170082974A
    • 2017-07-17
    • KR1020160179292
    • 2016-12-26
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 히라타가즈야모리시게유키오
    • H01L21/78H01L21/02H01L21/268H01L21/76
    • B23K26/0057B23K26/0006B23K26/032B23K26/0622B23K26/0626B23K26/0648B23K26/0823B23K26/0853B23K26/0876B23K26/53B23K37/0235B23K2201/40B23K2203/56B28D5/0011
    • 본발명은 SiC 잉곳으로부터효율적으로 SiC 웨이퍼를생성할수 있는 SiC 웨이퍼의생성방법을제공하는것을목적으로한다. SiC 웨이퍼의생성방법으로서, SiC 잉곳에대해투과성을갖는파장의레이저빔의집광점을 SiC 잉곳의단부면으로부터생성될웨이퍼의두께에상당하는깊이에위치시키고, 상기집광점과상기 SiC 잉곳을상대적으로이동시켜레이저빔을상기단부면에조사하여, 상기단부면에평행한개질층및 상기개질층으로부터신장되는크랙을형성하여분리기점으로하는분리기점형성단계와, 상기분리기점형성단계를실시한후, 상기분리기점으로부터웨이퍼의두께에상당하는판형물을상기 SiC 잉곳으로부터박리하여 SiC 웨이퍼를생성하는웨이퍼박리단계를구비하고, 상기분리기점형성단계에있어서, 집광점을형성하는집광렌즈의개구수를 0.45∼0.9로설정하고, 레이저빔의 M팩터를실질적으로 5∼50으로설정하여집광점의직경을φ15 ㎛∼φ150 ㎛로설정한다.
    • 本发明的目的在于提供一种能够从SiC晶锭高效地制造SiC晶片的SiC晶片的制造方法。 作为SiC晶片的生成方法中,通过将激光束的聚光点与具有相对于对应于所述晶片的厚度的深度的光传输性能,以SiC晶锭的波长以从SiC晶锭的端面,相对于所述聚光点和所述SiC晶锭中产生 通过将激光束照射到端面上,形成平行于端面的改性层和从改性层延伸的裂缝以形成分裂基准点, ,在起始形成具有对应于从分离开始点处的晶片和生成的SiC晶片的晶片分离步骤的厚度的水和从SiC晶锭取出分离板,聚光透镜的数值孔径,以形成一个聚光点 设定为0.45〜0.9,激光的M因子为5〜50左右,聚光点的直径为15〜150μm。
    • 39. 发明公开
    • 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치
    • 蚀刻加工方法和水蚀蚀装置
    • KR1020150141140A
    • 2015-12-17
    • KR1020150077913
    • 2015-06-02
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 곤도마사키
    • H01L21/3065H01L21/268H01L21/67H01L21/66
    • H01L21/67253B23K26/0626B23K26/361B23K26/362H01L21/02087H01L21/6708H01L21/67115H01L22/00
    • 본발명은기판의베벨부에조사되기전의레이저광을모니터해, 레이저광의출력값의변동을검출하는것을목적으로한다. 레이저제너레이터와, 상기레이저제너레이터로부터출력된레이저광을계측하는파워미터를구비하고, 레이저광을조사하여기판을에칭하는베벨에칭장치를이용한에칭처리방법으로서, 레이저광을조사하여기판을에칭하기전에, 소정시간레이저광을파워미터에조사하는공정과, 상기파워미터에의해레이저광의출력값을계측하는공정과, 상기계측한레이저광의출력값이, 상기레이저제너레이터로부터출력되는레이저광의출력설정값에대해소정의임계값의범위내인지를판정하는공정을포함하는에칭처리방법이제공된다.
    • 本发明是通过在照射到基板的斜面单元之前监视激光束来检测激光束的输出值的变化。 本发明提供一种使用斜面蚀刻装置的蚀刻处理方法,其具有激光发生器和用于测量从激光发生器输出的激光束的功率计,并通过向其照射激光来蚀刻基板。 蚀刻处理方法包括以下处理:在通过用激光束照射基板来蚀刻基板之前,将激光束照射到功率计一段预定时间; 通过功率计测量激光束的输出值; 以及确定所测量的激光束的输出值是否在相对于从激光发生器输出的激光束的输出设定值的预定阈值的范围内。