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11. 发明公开

KR1020150146219A 플라즈마 처리장치의 기판재치대 审中-实审
标题翻译：用于等离子体加工设备的基板支撑板
公开(公告)号：KR1020150146219A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140076469
申请日：2014-06-23
申请人： 세교 (주)
发明人： 전종근
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32513 , H01L21/67017 , H01L21/68785
摘要： 본발명의플라즈마처리장치의기판재치대는, 기판(W)의상부면을노출시키는복수의개구부가형성되며, 각각기판상부면의가장자리부분과중첩되는내주면상단의걸림턱(120)을가지는복수의기판수납틀(110)을구비하며, 가장자리둘레부(140)가아래방향으로연장되는상판(100); 및가장자리부분이상기상판(100)의하부면에대향하도록상기기판의직경보다크게형성되며, 냉각가스를기판(W)의하부면으로공급할수 있는하나이상의냉각가스공급홀(215)이구비된복수의융기부(210)를구비하며, 상기복수의융기부(210) 이외의부위에하나이상의개구부(220, 230)가형성되며, 상기상판(100)의가장자리둘레부(140)의내측으로삽입되어체결수단에의해상기상판(100)의하부면에고정되는하판(200)을포함하며, 상기상판(100)의기판수납틀(110)의걸림턱(120)의하부면의가장자리와상기기판(W)의상부면의가장자리사이에실링부재(180)가설치된다.
摘要翻译：根据本发明，用于等离子体处理装置的基板支撑板包括：上板（100），其设置有形成在其上的多个开口部分以暴露基板（W）的上部;以及多个基板存储框架（110），其具有设置在与所述基板的上表面的边缘部分重叠的内周面的上端上的止动突起（120），其中，所述边缘周边部分（140）向下延伸; 以及设置有多个提升部分（210）的下板（200），每个提升部分（210）形成为大于所述基板（W）的直径，以允许其边缘部分面向所述上板（100）的下表面并且设置有将冷却气体供给到基板（W）的下表面的一个或多个冷却气体供给孔（215），以及形成在除了升高部分（210）之外的部分上形成的一个或多个开口部分（220,230）进入上板（100）的边缘周边部分（140）的内部，并通过安装装置固定在上板（100）的下表面上。密封构件（180）安装在上板（100）的每个基板储存框架（110）的止动突起（120）的下表面的边缘和基板（W）的上表面的边缘之间，。

12. 发明公开

KR1020150120035A 비정형 단면을 갖는 씰링 부재를 포함하는 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基材处理装置密封结构包括密封部件与部件
公开(公告)号：KR1020150120035A
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020140045578
申请日：2014-04-16
申请人： 삼성전자주식회사 , 세메스 주식회사
发明人： 정지훈 , 송길훈 , 엄기상 , 고용선 , 이근택 , 전용명 , 조용진
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32513
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것으로, 상부챔버와하부챔버와의사이에기판처리영역을제공하는공정챔버, 상기상부및 하부챔버들사이의틈새를막아상기기판처리영역의밀폐성환경을조성하는씰링부재, 그리고상기상부챔버를마주보는상기하부챔버의상면일부가함몰되어정의된내곽벽과외곽벽을포함하며그리고상기내곽벽및 외곽벽사이에상기씰링부재가삽입되는그루브를포함한다. 상기내곽벽은상기외곽벽에비해낮은레벨을가진다. 상기씰링부재는상기기판처리영역을바라보는일부가함몰되어정형적인원형단면으로부터벗어난비정형단면을갖는다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置，其包括：处理室，用于在上室和下室之间提供基板处理区域; 密封部件，用于通过阻挡上部室和下部室之间的裂缝来构造基板处理区域的密封环境; 以及凹槽，其包括内壁和外壁，所述内壁和外壁通过凹陷所述下腔室的面向所述上腔室的部分上表面而限定，并且所述密封构件插入在所述内壁和所述外壁之间。内壁的水平比外墙低。密封构件具有通过凹陷面向衬底处理区域的部分而与典型的圆形横截面偏离的非典型横截面。

13. 发明公开

KR1020150052784A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020150052784A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020140151167
申请日：2014-11-03
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 기쿠치히로유키 , 요네자와마사토 , 사토준 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02211 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32568 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31138
摘要： 천장판을포함하는진공용기와, 상기진공용기내에회전가능하게설치된회전테이블과, 상기회전테이블에대치된기판의표면에흡착되는제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급수단과, 상기제1 처리가스공급수단으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격된위치에설치되고, 상기기판의표면에플라즈마처리용가스를공급하는플라즈마처리용가스공급수단과, 상기제1 처리가스와상기플라즈마처리용가스를분리하는분리가스를공급하는분리가스공급수단과, 상기플라즈마처리용가스를플라즈마화하는플라즈마발생수단과, 상기플라즈마발생수단및 상기회전테이블중 적어도한쪽을승강시키는승강기구를갖는기판처리장치.
摘要翻译：本发明公开了一种基板处理装置，包括：具有屋顶板的真空容器; 可旋转地安装在真空容器内的旋转台; 第一处理气体供给装置，用于提供吸附在位于旋转台上的基板的表面上的第一处理气体; 等离子体处理气体供给装置，其安装成在旋转台的径向方向与第一处理气体供给装置分离，以将等离子体处理气体提供到基板的表面上; 分离气体供给装置，用于供应分离第一处理气体和等离子体处理气体的分离气体; 等离子体产生装置，用于从等离子体处理气体产生等离子体; 以及用于提升等离子体产生装置和旋转台中的至少一个的提升装置。

14. 发明公开

KR1020150021236A 플라즈마 소스 有权
标题翻译：等离子体源
公开(公告)号：KR1020150021236A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：KR1020130098320
申请日：2013-08-20
申请人： (주)제이하라
发明人： 김홍습
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： 본 발명에 따른 플라즈마 소스는 플라즈마를 발생시키기 위한 소스 전극과 반응가스를 공급하기 위한 임피던스 튜브가 전기적으로 연결되어 소스 전극과 임피던스 튜브 사이에 걸리는 전위차가 0V가 되며, 이에 따라 소스 전극에서 고전위에 의한 기생 플라즈마 및 아킹을 근본적으로 제거할 수 있어 높은 RF 파워와 낮은 공정압력하에서도 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 플라즈마 소스는 임피던스 튜브의 길이와 두께에 따른 임피던스를 변화시키거나, 임피던스 튜브의 소정 부위 또는 소스 전극과 임피던스 튜브 사이에 임피던스 조절소자를 연결하여 소스 전극에 걸리는 전위차를 조절함으로써 기생 플라즈마 및 아킹이 발생되지 않도록 할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种等离子体源，其中用于提供反应性气体的阻抗管电连接到用于产生等离子体的源电极，使得源电极和阻抗管之间的电压差为0V。由此，可以从根本上消除由源电极中的高电压差导致的寄生等离子体和电弧，从而即使在高RF功率和低工艺压力条件下也能确保均匀的等离子体密度。根据本发明的等离子体源可以防止寄生等离子体和拱起通过根据阻抗管的长度和厚度转换阻抗并将阻抗控制器元件连接在阻抗管或源电极的某一点之间并将阻抗控制器元件阻抗管来调节源电极上的电压差。

15. 发明授权

KR101468404B1 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 점화 방법 有权
标题翻译：等离子体反应器和等离子体点火方法
公开(公告)号：KR101468404B1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020130163632
申请日：2013-12-26
申请人： 주식회사 뉴파워 프라즈마
发明人： 최상돈
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J37/32513 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2001/4682
摘要： 본 발명의 일면은 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 점화 방법에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기는 1차권선을 갖는 복수 개의 마그네틱 코어; 상기 1차권선으로 교류전력을 공급하기 위한 교류전원 공급원; 상기 마그네틱 코어가 설치되고, 직접 전압이 유도되어 유도 기전력이 유도되는 복수 개의 플라즈마 챔버 본체; 및 상기 플라즈마 챔버 본체와 절연영역을 통해 연결되며 상기 유도 기전력이 전달되는 복수 개의 플로우팅 챔버를 포함하고, 상기 플라즈마 챔버 본체와 상기 플로우팅 챔버는 내부에 플라즈마 방전을 위한 하나의 방전 경로를 갖으며, 상기 교류전원 공급원으로부터 공급되는 교류전력의 위상변화에 따라 상기 플라즈마 챔버 본체와 상기 플로우팅 챔버 사이에서 큰 전압차가 발생함으로써 플라즈마 점화가 용이하게 이루어진다. 본 발명의 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 점화 방법에 의하면 플로우팅 영역과 마그네틱 코어가 설치되는 영역을 분리하고, 교류전력의 전위차에 따른 큰 전압차를 이용하여 종래의 점화 시 필요한 전압보다 낮은 전압으로도 플라즈마 방전이 가능하다. 그러므로 플라즈마 점화 실패로 인하여 재점화가 불필요해지며, 아크 방전에 의한 플라즈마 반응기의 손상을 최소화할 수 있다. 또한 종래에 비해 동일 전압을 공급하는 경우 가스 플로우 유량 압력이 낮은 상태에서도 플라즈마 방전을 위한 점화를 용이하게 할 수 있다. 또한 종래에 비해 동일 전압을 공급하는 경우 저온에서도 플라즈마 방전을 위한 점화를 용이하게 할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及等离子体反应器和使用其的等离子体点火方法。根据本发明的等离子体反应器包括：多个具有初级绕组的磁芯; 用于向初级绕组提供AC电力的AC电源; 多个等离子体室主体，其中安装有磁芯，其中直接感应出电压，从而引起感应电动势; 以及多个浮动室，其通过绝缘区域连接到等离子体室主体，感应电动势被传送到该浮动室。每个等离子体腔体和浮动腔都具有用于其中等离子体放电的一个放电路径。根据从交流电源供给的交流电力的相位差，在等离子体室主体和浮动室之间产生很大的电压差，从而实现等离子体点火。根据使用本发明的等离子体反应器和等离子体点火方法，浮动区域与磁芯的安装区域分离。根据交流电源的电位差，使用相当大的电压差，相对于相关技术点火所需的电压低于等离子体放电。因此，不需要由于等离子体点火故障引起的再点火。可以将由于电弧放电引起的等离子体反应器的损坏最小化。此外，与现有技术相比，当提供相同的电压时，可以在低气体流量压力下容易地进行用于等离子体放电的点火。此外，与现有技术相比，当提供相同的电压时，等离子体放电的点火可以容易地在低温下进行。

16. 发明公开

KR1020140103948A 채널을 따라 변화하는 단면적들을 갖는 토로이달 플라즈마 채널 审中-实审
标题翻译：在通道上具有不断变化的交叉部分的TOROIDAL等离子体通道
公开(公告)号：KR1020140103948A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020147016174
申请日：2012-11-14
申请人： 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드
发明人： 후,차오린 , 첸,싱
IPC分类号： H01J37/22 , H05H1/12 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/50 , F17D1/04 , G21B1/17 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32513 , H01J37/32807 , H01J2237/006 , H05H1/12 , Y02E30/122 , Y02E30/126 , Y10T137/0318 , Y10T137/8376
摘要： 본 발명은, 토로이달 플라즈마 챔버(201)를 포함하는, 가스 흐름 패턴들 및 가스-플라즈마 상호작용들을 조정하기 위한 어셈블리에 관한 것이다. 토로이달 플라즈마 챔버는, 모두 연결되어 있는, 주입 부재(213), 출력 부재(217), 제 1 측면 부재(205) 및 제 2 측면 부재(209)를 갖는다. 제 1 측면 부재(205)는, 제 1 측면 부재의 적어도 일부분에 제 1 내부 단면적 및 제 1 측면 부재의 적어도 다른 부분에 제 2 내부 단면적을 갖고, 여기서, 제 1 내부 단면적과 제 2 내부 단면적은 상이하다. 제 2 측면 부재(209)는, 제 2 측면 부재의 적어도 일부분에 제 3 내부 단면적 및 제 2 측면 부재의 적어도 다른 부분에 제 4 내부 단면적을 갖고, 여기서, 제 3 내부 단면적과 제 4 내부 단면적은 상이하다.

17. 发明公开

KR1020140103519A 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 审中-实审
标题翻译：蒸气沉积装置及制造有机发光显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020140103519A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130016977
申请日：2013-02-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정석원 , 허명수 , 장철민
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/513 , H01L51/52 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32467 , C23C16/4401 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/50 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01L27/32 , H01L51/56 , H05H1/2406 , H05H2001/2418 , H05H2001/2431 , H01L51/0002 , C23C16/513 , H01L21/205 , H01L27/3274 , H01L51/0008 , H01L51/5012 , H01L51/524 , H01L2251/56
摘要： The present invention relates to a vapor deposition apparatus in order to form a deposition layer on a plate for preventing contamination of depositing space efficiently and improving a feature of a deposition layer easily, comprising a plasma generating part in order for some of a first raw material gas to be transformed into a radical form; a corresponding face corresponding to the plasma generating part; a reacting room formed between the plasma generating part and the corresponding face; and an insulating member formed to keep a certain distance from the plasma generating part and to wrap the plasma generating part, and to a vapor deposition method using the vapor deposition apparatus and a method for manufacturing an organic light emitting display apparatus.
摘要翻译：本发明涉及一种气相沉积装置，以便在板上形成沉积层，以便有效地防止沉积空间的污染，并容易地改善沉积层的特征，包括等离子体产生部分，以便将一些第一原料气体被转化为激进的形式; 对应于等离子体产生部分的对应面; 在等离子体产生部分和对应的面之间形成的反应室; 以及形成为与等离子体产生部分保持一定距离并包裹等离子体产生部件的绝缘部件，以及使用该蒸镀装置的蒸镀法和有机发光显示装置的制造方法。

18. 发明公开

KR1020130120689A 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020130120689A
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020120043780
申请日：2012-04-26
申请人： 우범제
发明人： 우범제
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3211 , C23C16/0245 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： The present invention relates to a plasma processing apparatus comprising: a processing chamber having a cylindrical shape of which the upper part is open to perform a plasma process; a substitute supporting unit, prepared in the processing chamber, for settling a substrate, which is an object for the plasma process; a ceramic plate, prepared on the upper part of the processing chamber, for sealing an inner space of the processing chamber; and a complex inductively coupled coil, arranged on an upper part of the ceramic plate, for generating plasma in the inner space of the processing chamber; wherein the complex inductively coupled coil comprises an inner coil, settled in a central part of the ceramic plate, and an external coil having a cylindrical shape, settled in the ceramic plate, in order for the inner coil to be arranged in the internal periphery. Therefore, by using the present invention, a stable plasma source is possibly realized while increasing overall plasma density and maintaining uniformity.
摘要翻译：等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，其具有上部打开以进行等离子体处理的圆筒形状; 在处理室中制备的用于沉积作为等离子体处理的对象的基板的替代支撑单元; 在处理室的上部准备的用于密封处理室的内部空间的陶瓷板; 以及复合电感耦合线圈，其布置在陶瓷板的上部，用于在处理室的内部空间中产生等离子体; 其中所述复合感应耦合线圈包括沉积在所述陶瓷板的中心部分中的内部线圈和沉积在所述陶瓷板中的具有圆柱形状的外部线圈，以使所述内部线圈布置在所述内部周边中。因此，通过使用本发明，可以在提高总体等离子体密度并保持均匀性的同时实现稳定的等离子体源。

19. 发明公开

KR1020130095459A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体处理设备
公开(公告)号：KR1020130095459A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：KR1020120016904
申请日：2012-02-20
申请人： 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
发明人： 김성인 , 김용득 , 손병구 , 최선용 , 신명선 , 김병훈 , 이규항 , 이문원
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34 , B22F9/14
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32532 , H01J37/32834
摘要： PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to uniformly perform a property transformation of a specific material of which physical property is required to be transformed, thereby improving the yield of the property transformation. CONSTITUTION: A reactor (30) includes an inlet (42) at one end and an outlet (44) at the other end. A material supply unit (10) supplies regularly a specific material to be processed into the reactor trough the inlet. A gas supply unit (20) supplies regularly a processing gas into the reactor through the inlet. A power supply unit supplies fixed power into the reactor. First and second electrode units (52,54) generate a high voltage with a constant cycle to generate a plasma discharge reaction in a processing channel. A receiving unit (60) receives a processed material discharged through the outlet.
摘要翻译：目的：提供等离子体处理装置，以均匀地进行需要变换物性的特定材料的特性变换，从而提高特性变换的产率。构成：反应器（30）在一端包括入口（42）和另一端的出口（44）。材料供应单元（10）通过入口将特定的待处理材料定期供应到反应器中。气体供应单元（20）通过入口定期提供处理气体进入反应器。电源单元向反应堆提供固定电源。第一和第二电极单元（52,54）以恒定周期产生高电压，以在处理通道中产生等离子体放电反应。接收单元（60）接收通过出口排出的处理材料。

20. 发明公开

KR1020130075095A 하이브리드 플라즈마 반응기 有权
标题翻译：混合等离子体反应器
公开(公告)号：KR1020130075095A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143302
申请日：2011-12-27
申请人： 최대규
发明人： 최대규
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32477 , H01J37/32513 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2001/4682
摘要： PURPOSE: A hybrid plasma reactor is provided to easily generate and maintain the plasma ignition at a low voltage, and produce high-capacity plasma without an inside damage at a high voltage. CONSTITUTION: The hybrid plasma reactor (10) comprises a reactor body (11), the hybrid plasma source (12), and an AC switching power supply (32). The reactor body comprises a discharge space of plasma, a gas inlet, and a gas outlet. The hybrid plasma source comprises the inductive antenna wound at the gas inlet and a primary winding coil which is rolled on a magnetic core and combined with the plasma transformer coupled plasma source. The inductive antenna ignites the plasma with the inductively coupled discharge. The AC switching power supply supplies the power generated from the plasma to the inductive antenna and the primary winding coil.
摘要翻译：目的：提供混合等离子体反应器，以便在低电压下容易地产生和保持等离子体点火，并且在高电压下产生高容量的等离子体而没有内部损坏。构成：混合等离子体反应器（10）包括反应器主体（11），混合等离子体源（12）和交流开关电源（32）。反应器主体包括等离子体的放电空间，气体入口和气体出口。混合等离子体源包括在气体入口处缠绕的感应天线和在磁芯上卷绕并与等离子体变压器耦合的等离子体源组合的初级绕组线圈。电感天线用电感耦合放电点燃等离子体。 AC开关电源将等离子体产生的电力提供给感应天线和初级绕组线圈。

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