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1. 发明公开

KR20180054918A 기판들을 프로세싱하기 위한 RF 펄스 반사 감소 审中-公开
公开(公告)号：KR20180054918A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR20187013490
申请日：2016-07-19
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： KAWASAKI KATSUMASA
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32146 , H01J37/32155 , H01J37/3299
摘要： 프로세스챔버들에서의 RF 펄스반사감소를위한방법들및 시스템들이본원에서제공된다. 일부실시예들에서, 방법은, (a) 제1 시간기간동안에복수의 RF 생성기들로부터복수의펄스 RF 전력파형들을제공하는단계, (b) 복수의펄스 RF 전력파형들각각에대해, 초기반사전력프로파일을결정하는단계, (c) 복수의펄스 RF 전력파형들각각에대해, 반사전력의가장높은레벨을결정하고, 그리고반사전력의가장높은레벨을감소시키기위해, 정합네트워크또는 RF 생성기중 적어도하나를제어하는단계, (d) 복수의펄스 RF 전력파형들각각에대해, 조정된반사전력프로파일을결정하는단계, 및 (e) 복수의펄스 RF 전력파형들에대한조정된반사전력프로파일이임계튜닝범위내에있게될 때까지 (c) 단계및 (d) 단계를반복하는단계를포함한다.

2. 发明公开

KR20180046713A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법 有权
公开(公告)号：KR20180046713A
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：KR20160142226
申请日：2016-10-28
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 카사바
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32183 , H01L21/02315 , H01L21/67069 , H05H1/46
摘要： 플라즈마처리장치가개시된다. 플라즈마처리장치는, RF 신호를제공하는 RF 전원, RF 신호를이용하여플라즈마를생성하는플라즈마챔버, 플라즈마챔버의임피던스를조절하는임피던스매칭기및 플라즈마챔버의임피던스가부정합(mismatching)되도록임피던스매칭기및 RF 전원을제어하는제어기를포함한다.

3. 发明公开

KR1020180030741A 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180030741A
公开(公告)日：2018-03-26
申请号：KR1020170000145
申请日：2017-01-02
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 이케다노리히코 , 야스이나오키
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32669 , H01J2237/3341 , H01J37/32155 , H01J37/32174 , H01L21/3065
摘要： 본발명은, 2주파바이어스의기능을갖는플라스마처리장치에있어서, 플라스마처리에관한웨이퍼면내의균일성이나에칭레이트등의원하는분포조정과높은선택비를양립할수 있는플라스마처리장치및 플라스마처리방법을제공하는것으로과제로한다. 이러한과제를해결하기위하여본 발명은, 플라스마를이용해서시료가처리되는처리실과, 상기플라스마를생성하기위한고주파전력을공급하는제 1 고주파전원과, 상기시료가재치(載置)되는시료대와, 상기시료대에제 1 고주파전압을인가하는제 2 고주파전원을구비하는플라스마처리장치에있어서, N을 2 이상의자연수로했을경우, 상기제 1 고주파전압의주파수에대해서 N배의주파수인제 2 고주파전압을상기시료대에인가하는제 3 고주파전원과, 상기제 1 고주파전압의위상과상기제 2 고주파전압의위상의위상차가소정값으로되도록상기위상차를제어하는제어부를더 구비하는것을특징으로한다.

4. 发明公开

KR20180027310A 플라스마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：KR20180027310A
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR20170000108
申请日：2017-01-02
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 사타케마코토 , 요코가와게네츠 , 가와구치다다요시 , 이치노다카마사
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32651 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32449 , H01J37/3299 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/67069
摘要： 본발명은, 유도결합형플라스마처리장치에있어서, 플라스마의편심(偏芯) 분포를개선할수 있는플라스마처리장치를제공한다. 본발명은, 시료가플라스마처리되는처리실과, 상기처리실의위쪽을기밀하게봉지(封止)하는유도창과, 상기유도창의위쪽에배치되고유도자장을형성하는유도안테나와, 상기유도안테나에고주파전력을공급하는고주파전원과, 상기고주파전원으로부터고주파전력이공급되고상기유도창과상기유도안테나사이에배치된패러데이쉴드를구비하는플라스마처리장치에있어서, 상기패러데이쉴드에흐르는전류를모니터하는모니터수단과상기모니터된전류를제어하는제어부를더 구비하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的特征在于等离子体处理装置包括：处理室，在该处理室中等离子体处理样品; 电介质窗，气密地密封处理室的上部; 感应天线，设置在介电窗的上部并形成感应磁场; 向感应天线提供射频功率的射频电源; 以及从射频电源提供射频功率并设置在电介质窗口和感应天线之间的法拉第屏蔽，并且等离子体处理设备还包括监视单元，其监视在法拉第屏蔽中流动的电流，以及控制单元，其控制所监视的电流。

5. 发明公开

KR20180019033A 연속적인 펄스 모드 동작을 위한 통합형 RF 전력 전달 단일 입력 및 다중 출력 제어 审中-公开
标题翻译：集成射频功率传输，用于连续脉冲模式操作单输入和多输出控制
公开(公告)号：KR20180019033A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR20187004316
申请日：2016-07-07
申请人： MKS INSTR INC
发明人： COUMOU DAVID J , REINHARDT ROSS , ELNER YURIY , GILL DANIEL M
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H05H2001/4682
摘要： 본발명은, RF 신호를출력하는전력증폭기와제어기를더 포함하는 RF 생성기를포함하는무선주파수(RF) 제어시스템에관한것이다. 정합네트워크가상기 RF 신호를수신하고, 복수의 RF 출력신호들을생성한다. 상기정합네트워크는상기복수의 RF 출력신호들중 제 1 RF 출력신호와상기복수의 RF 출력신호들중 제 2 RF 출력신호간의전력비율을변화시키는비율튜닝요소를포함한다. 제 1 제어기는비율제어신호를정합네트워크에전달하고, 정합네트워크는상기비율제어신호에따라서비율튜닝요소를제어한다. 상기제어기는또한펄스에지의상승또는하강, 또는펄스에지의증분적변화의레벨또는지속기간을제어한다.
摘要翻译：本发明涉及包括RF发生器的射频（RF）控制系统，该RF发生器进一步包括功率放大器和用于输出RF信号的控制器。匹配网络接收RF信号并产生多个RF输出信号。匹配网络包括比率调节元件，该比率调节元件改变多个RF输出信号中的第一RF输出信号和多个RF输出信号中的第二RF输出信号之间的功率比。第一控制器将速率控制信号传送给匹配网络，并且匹配网络根据速率控制信号控制速率调谐元件。控制器还控制脉冲沿的增量变化的水平或持续时间，或脉冲沿的增量变化。

6. 发明授权

KR101819922B1 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101819922B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020160004679
申请日：2016-01-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 모리모토미치카즈 , 야스이나오키 , 오고시야스오
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32183 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要： 본발명은플라즈마생성용고주파전력과고주파바이어스전력을시간변조하는플라즈마처리장치에있어서, 고주파바이어스전력을안정적으로공급할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 본발명은진공용기내에플라즈마를생성하기위한제1 고주파전력을공급하는제1 고주파전원과시료를재치하는시료대에제2 고주파전력을공급하는제2 고주파전원과제2 고주파전원의정합기를구비하는플라즈마처리장치에있어서, 제1 고주파전력과제2 고주파전력이시간변조되는경우, 정합기는시간변조된제2 고주파전력의온 개시시간을개시시간으로하는소정시간경과후로부터온 종료시간까지의기간으로하는샘플링유효기간에정합을행하기위한정보를샘플링하고, 온종료시간후로부터다음샘플링유효기간까지는샘플링유효기간에행하여진정합상태를유지하는제어가행하여지는것을특징으로한다.

7. 发明公开

KR20180002814A 플라즈마 임피던스 정합 유닛, 플라즈마 부하에 RF 전력을 공급하기 위한 시스템, 및 플라즈마 부하에 RF 전력을 공급하는 방법 审中-公开
标题翻译：等离子体阻抗匹配单元，用于向等离子体负载供应RF功率的系统以及用于向等离子体负载供应RF功率的方法
公开(公告)号：KR20180002814A
公开(公告)日：2018-01-08
申请号：KR20177035032
申请日：2016-05-04
IPC分类号： H01J37/32 , H03H7/38
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32174 , H01J37/3299 , H03H7/38
摘要： 플라즈마전력공급시스템(10, 100)용플라즈마임피던스정합유닛(13)은 a. 정합유닛(13)을전원(11)에커플링하기위한제1 전력커넥터(40), b. 정합유닛(13)을플라즈마부하(20)에커플링하기위한제2 전력커넥터(41), c. 임피던스정합유닛(13)을데이터링크(48)를통해플라즈마전력공급시스템(10, 100)의다른플라즈마임피던스정합유닛(14)에직접적으로커플링하기위한데이터링크인터페이스(45), d. 제1 전력커넥터(40)로부터의임피던스를제2 전력커넥터(41)에서의임피던스에정합시키기위해정합유닛(13)을제어하도록구성되는컨트롤러(42)를포함하며, e. 컨트롤러(42)는플라즈마전력공급시스템(10, 100)의적어도하나의다른임피던스정합유닛(14) 및/또는적어도하나의 RF 전원(11,12)에대한마스터로서동작하도록구성되며, 컨트롤러(42)는데이터링크인터페이스(45)를통해플라즈마전력공급시스템(10, 100)의다른임피던스정합유닛(들)(14) 및/또는 RF 전원(들)(11, 12)과통신한다.
摘要翻译：用于等离子体供电系统（10,100）的等离子体阻抗匹配单元（13）包括：a。第一电源连接器（40），用于将匹配单元（13）连接到电源（11）; b。用于将匹配单元（13）耦合到等离子体负载（20）的第二电源连接器（41），c。数据链路接口45，用于通过数据链路48将阻抗匹配单元13直接耦合到等离子体电源系统10,100的另一个等离子体阻抗匹配单元14，d。以及控制器（42），其被配置为控制匹配单元（13）以使来自第一电力连接器（40）的阻抗与第二电力连接器（41）中的阻抗相匹配，e。控制器42被配置成作为等离子体电源系统10,100的至少一个其他阻抗匹配单元14和/或至少一个RF电源11,12的主设备进行操作，）14经由数据链路接口45与等离子体电源系统10,100的其他阻抗匹配单元14和/或RF电源11,12通信。

8. 发明授权

KR101813497B1 플라즈마 발생장치 有权
标题翻译：等离子发生器
公开(公告)号：KR101813497B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020160079451
申请日：2016-06-24
申请人： (주)제이하라
发明人： 김홍습
IPC分类号： H01J37/32 , H03H7/38 , H01G4/33
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32577 , H01G4/33 , H01J37/32532 , H03H7/38
摘要： 본발명은플라즈마의균일성을개선하기위한플라즈마발생장치에관한것으로, 진공챔버내에대향하여배치되는한 쌍의소스전극부(110) 및바이어스전극부(120)와, 상기소스전극부(110) 및상기바이어스전극부(120)에각각 RF전원을공급하는 RF전원부(132)와바이어스 RF전원부(142)를포함하는플라즈마발생장치에있어서, 상기소스전극부(110)의테두리를따라서배치되는복수개의접점(cp)과결선되는공통접점(cc)과; 상기공통접점(cc)과연결되어임피던스의조절이가능한임피던스콘트롤러(150);를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于改善等离子体均匀性的等离子体产生装置，包括在真空室中彼此相对的一对源电极单元110和偏压电极单元120，源电极单元110，以及用于向偏置电极单元120和偏置电源单元142提供RF电力的偏置RF电源单元142.等离子体电源单元包括多个常见联系人cc连接到联系人cp; 并且阻抗控制器150能够通过连接公共触点cc来调整阻抗。

9. 发明公开

KR1020170107545A 정합기 및 정합 방법 审中-实审
标题翻译：匹配设备和匹配方法
公开(公告)号：KR1020170107545A
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020177023780
申请日：2016-02-08
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 후지모토나오야 , 오시다요시유키 , 가토노리카즈
IPC分类号： H03H7/40 , H03H11/30 , H05H1/46
CPC分类号： H03H7/383 , H01J37/32183 , H01P5/18 , H03H7/40 , H03H11/30 , H05H2001/4682 , H05H1/46
摘要： 정합기는진행파와반사파를검출하는방향성결합기와, 제 1 가변용량콘덴서와, 제 2 가변용량콘덴서와, 인덕턴스를갖는정합회로와, 진행파와반사파에근거해서반사계수를산출하고제 1 가변용량콘덴서의용량치(VC1)와제 2 가변용량콘덴서의용량치(VC2)를제어하는제어부를구비한다. 제어부는, 스미스차트상에서정합점을통과하는반사계수의궤적이그리는원을향하도록 VC2를변경하고, 예상한원과의교점에근거해서 VC1를미세조정하고, 산출된반사계수와원의사이의거리가소정치이내로되면, 산출되는반사계수를 0에가까워지도록 VC1를변경함과아울러, VC2를미세조정한다.
摘要翻译：和用于检测进展波和反射波组的定向耦合器匹配时，第一可变电容电容器和所述第二可变电容电容器和匹配电路，第1可变电容电容器，并计算行进波的基础和具有电感的反射波的反射系数以及用于控制第二可变电容电容器的电容值（VC1）和电容值（VC2）的控制部分。所述控制单元，所述变化的VC2之间的距离面对圆通过匹配点来绘制的反射系数的轨迹，并根据该VC1，圆的史密斯圆图上的输出反射系数的yesanghan凉爽和精细调整的交点当其在初始值内时，改变VC1以使计算的反射系数接近零，并且精细地调整VC2。

10. 发明公开

KR1020170101952A 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置及使用其的等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020170101952A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020177020668
申请日：2016-04-27
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 고후지나오유키 , 모리마사히토 , 니시다도시아키 , 하마사키료지
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32651 , H01J37/32678 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/76229 , H01L27/115 , H01L27/11514 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11597 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01J37/32082 , H01J37/3266
摘要： 한대의장치로라디칼조사의스텝과이온조사의스텝양쪽을실현할수 있으며, 또한, 이온조사의에너지를수십 eV에서부터수 KeV까지제어할수 있는플라스마처리장치를제공한다. 유도결합플라스마를생성하는기구(125, 126, 131, 132)와, 감압처리실을상부영역(106-1) 및하부영역(106-2)으로나누며또한이온을차폐하기위한다공판(116)과, 플라스마생성영역으로서상부영역(106-1)과하부영역(106-2)을전환하는스위치(133)를갖는다.
摘要翻译：在自由基照射步骤来实现离子照射的步骤给所述一个设备的任一侧上，并且还提供了可以从等离子处理装置可以千电子伏控制离子照射能量至几十电子伏特。用于产生感应耦合等离子体（125，126，131，132）的装置和将所述压力室成上部区域（106-1）和下部区域（106-2），并且还以屏蔽离子穿孔板116和以及用于在上部区域106-1和下部区域106-2之间切换作为等离子体生成区域的开关133。

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