专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101683956B1 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：沉积薄膜和薄膜沉积装置的方法
公开(公告)号：KR101683956B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020140005162
申请日：2014-01-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 나카츠보도시유키 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/68771
摘要： 복수의기판적재부를갖는회전테이블을간헐적으로회전시켜, 복수의기판적재부를반입반출영역에순차배치하여, 기판적재부에기판을순차적재하는반입스텝과, 회전테이블을회전시킴으로써복수의기판을공전시키는동시에, 서로반응하는반응가스를교대로기판표면에공급하는사이클을복수회반복하여, 기판표면에박막을성막하는성막스텝과, 회전테이블을간헐적으로회전시킴으로써, 반입반출영역에인접하는가열영역에순차배치되는기판의박막을개질하는개질스텝과, 계속해서, 개질스텝에서박막이개질된기판을반입반출영역에순차배치하고, 배치된기판을순차반출하는반출스텝을포함한다.
摘要翻译：一种沉积薄膜的方法，该方法包括：通过间歇地旋转所述转盘，在周向上形成在转台上的多个基板安装部分中承载基板，将多个基板安装部分布置在进入和移出区域中，并且顺序地安装基板在基板安装部分上，在每个基板的表面上沉积薄膜以层叠反应气体的反应产物，所述反应气体相互反应，通过重复旋转转台以循环基板并将反应气体交替地供应到基板，通过加热每个基板重新形成薄膜，每个基板顺序地布置在与进入和移出区域相邻的加热区域中，同时间歇地旋转转台，并且在顺序地布置每个基板之后将每个基板输出，其上形成有薄膜通过间歇地旋转转台，在进场和进场区域进行重新配置。

2. 发明公开

KR1020150098203A 플라즈마 처리 장치 및 그 운전 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020150098203A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020150022365
申请日：2015-02-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미우라시게히로 , 가토히토시 , 사토준 , 고바야시다케시 , 요네자와마사토
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32532 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 소정의 출력을 갖는 제1 고주파 전력을 전극에 공급해서 플라즈마를 발생시키고, 피처리체(W)에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 운전 방법이며, 상기 플라즈마 처리 장치의 전회의 운전 종료로부터의 시간 간격이 소정 간격을 초과했을 때에, 상기 소정의 출력보다도 작은 출력을 갖는 제2 고주파 전력을 상기 전극에 공급하는 전하 축적 공정을 행하고 나서 상기 플라즈마 처리를 행한다.
摘要翻译：本发明提供一种等离子体处理装置的操作方法，其将具有设定输出的第一高频功率提供给电极以产生等离子体，并且对目标体（W）执行等离子体处理。当在等离子体处理装置的先前操作结束之后经过设定的时间段时，执行向电极提供具有小于设定输出的输出的第二高频功率的电荷累积处理，然后执行等离子体处理。

3. 发明公开

KR1020150048054A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020150048054A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020140143397
申请日：2014-10-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/45563 , C23C16/4584 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 기판을적재하는기판적재영역을공전시키기위한회전테이블과, 상기기판적재영역에대향하고, 플라즈마발생용가스의토출구가상기회전테이블의외주부측으로부터중심부측을향해직선형상으로배열된노즐부와, 상기노즐부보다도상기회전테이블의회전방향하류측에서당해노즐부를따라기판의통과영역에걸치도록신장되는직선부위와, 당해직선부위에대해평면에서보았을때에이격된영역에위치하는부위를구비함과함께, 상하방향으로신장되는축의주위에권회되고, 상기가스가공급되는처리영역에유도플라즈마를발생시키기위한안테나와, 상기안테나와상기처리영역사이에당해처리영역과는기밀하게구획하여설치되고, 상기안테나에의해발생하는전자계중 전계를차단하기위한도전판과, 상기도전판에, 상기안테나의대응하는부위와각각직교하여형성되고, 상기전자계중의자계를통과시키기위한슬릿의군을구비한패러데이실드를구비하고, 적어도상기직선부위의하방측에는상기슬릿의군이형성되고, 상기직선부위의단부로부터굴곡되는굴곡부위의하방측은, 슬릿의군이존재하지않는도전판의부위가위치하는플라즈마처리장치.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，包括：旋转台，用于旋转用于装载基板的基板装载区域;面向基板装载区域的喷嘴单元，具有从旋转台的外周朝向中心形成为线状的气体排出孔的旋转台以产生等离子体; 从所述旋转台的旋转下游侧朝向所述喷嘴单元的基板移动路径延伸的直线部分; 天线，其具有从上方观察时与所述直线部分分离的部分，并且缠绕在垂直延伸的轴上，以在供应气体的处理区域中产生感应等离子体; 安装在天线和处理区域之间的导电板相对于处理区域是气密的并且阻挡由天线产生的电磁场的电场; 以及法拉第屏蔽，其具有形成在导电板上的一组狭缝，该垂直方向与天线与导电板相交的部分通过来自电磁场的磁场。狭缝形成在直线部分的下部，并且狭缝不形成在由直线部分的端部形成的弯曲部分的下部上。

4. 发明公开

KR1020140092780A 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：沉积薄膜和薄膜沉积装置的方法
公开(公告)号：KR1020140092780A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020140005162
申请日：2014-01-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 나카츠보도시유키 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/68771
摘要： A method of depositing a film includes: a carrying step of carrying substrates in a plurality of substrate mounting portions formed on a turntable by intermittently rotating the turntable, arranging the plurality of substrate mounting portions in a carry-in and carry-out area, and sequentially mounting the substrates on the substrate mounting portions; a film depositing step of depositing a thin film on a surface of each substrate to laminate a reaction product of the reaction gases, which mutually reacts by repeating a cycle of rotating the turntable to revolve the substrates and alternately supply the reaction gases onto the surfaces of the substrates; a reformulating step of reformulating the thin film of the substrate sequentially arranged in a heating area adjacent to the carry-in and carry-out area while intermittently rotating the turntable, and a carrying step of carrying each substrate out after sequentially arranging each substrate, the thin film on which is reformulated by the reformulating step, in the carry-in and carry-out area.
摘要翻译：一种沉积薄膜的方法包括：承载步骤，通过间歇地旋转所述转台，在形成在转盘上的多个基板安装部分中承载基板，将多个基板安装部分布置在进入和移出区域中，以及将基板依次安装在基板安装部上; 在每个基板的表面上沉积薄膜以层叠反应气体的反应产物的薄膜沉积步骤，所述反应气体的反应产物通过重复旋转所述转盘的循环而相互反应，以使基板旋转并交替地将反应气体供应到基材; 重新配置步骤，在间歇地旋转所述转盘的同时，将所述基板的薄膜顺序地排列在与所述进入区域和所述进出区域相邻的加热区域中，以及在顺序排列各基板之后将各基板搬出的搬运步骤，在重新配置步骤中，在进入和执行区域中重新制定了薄膜。

5. 发明公开

KR1020140009068A 성막 장치 및 성막 방법 有权
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR1020140009068A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020130082061
申请日：2013-07-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45508 , C23C16/45551 , C23C16/45587 , C23C16/4584
摘要： The present invention relates to a film forming device forming a thin film by repeating a cycle in which multiple types of processing gases reacting with each other in a vacuum are supplied to a substrate in order and laminating layers of a reaction product. The present invention includes a rotary table, which is arranged in a vacuum container, for loading and rotating the base plate on the upper side; a plurality of processing gas supply units for supplying different types of processing gases to areas separated from each other in the circumferential direction of the rotary table; a separation gas supply unit for separating the different types of processing gases; and a discharge device for vacuum-discharging the gas in the vacuum container. At least one processing gas supply unit among the processing gas supply units includes a gas nozzle, which is extended to span between the circumference and the center of the rotary table and in which a discharge port towards the rotary table is formed in the longitudinal direction, and a distributing plate, which is installed on the upper side of the gas nozzle in the rotary direction of the rotary table and is installed in the longitudinal direction of the gas nozzle in order for the separation gas to flow on the upper surface thereof. The distributing plate is installed in order for the distance from the rotary table to become smaller from one end of the rotary table toward the other end and in order for the separated distance of the other end to become smaller over 1 mm than the separated distance of one end. [Reference numerals] (7) Control part
摘要翻译：本发明涉及通过重复将真空中相互反应的多种处理气体依次供给到基板以顺序层叠反应产物的循环来形成薄膜的成膜装置。本发明包括旋转台，其设置在真空容器中，用于在上侧装载和旋转底板; 多个处理气体供给单元，用于向旋转台的圆周方向上分离的区域供给不同种类的处理气体; 用于分离不同类型的处理气体的分离气体供给单元; 以及用于真空排出真空容器中的气体的排出装置。处理气体供给单元中的至少一个处理气体供给单元包括气体喷嘴，该气体喷嘴延伸成在旋转台的圆周和中心之间跨越，并且在纵向方向上形成朝向旋转台的排出口，以及分配板，其安装在旋转台的旋转方向上的气体喷嘴的上侧，并且安装在气体喷嘴的纵向方向上，以使分离气体在其上表面上流动。安装分配板以使旋转台的距离从旋转台的一端朝向另一端变小，为了使另一端的分离距离变得比分离距离小于1mm的距离一端。（附图标记）（7）控制部

6. 发明授权

KR101230207B1 반도체 제조 플랜트 失效
标题翻译：半导体生产厂
公开(公告)号：KR101230207B1
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：KR1020087021573
申请日：2007-02-07
申请人： 도요탄소 가부시키가이샤 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 히라이와지로 , 요시모토오사무 , 하야카와히로시 , 도조데츠로 , 오카베츠네유키 , 아사노다카노부 , 와다신이치 , 나카오켄 , 가토히토시
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： 본 발명은 반도체 제조 플랜트에 관한 것으로, 불소가스 발생장치군과, 반도체 제조장치(3a~3e)군이 온-사이트 불소가스 발생장치(1a~1e)군에서 발생하는 불소가스를 소정량 저장할 수 있는 저장탱크(12)를 갖고 있는 가스공급시스템(2)을 통하여 접속되어 있고, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 하나 이상이 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 저장탱크(12)로부터 불소가스를 반도체 제조장치군(3a~3e)에 공급함으로써 반도체 제조장치군(3a~3e)의 운용을 유지하고, 이에 의해 불소가스 발생장치에서 발생시킨 불소가스를 반도체 제조장치에 안전 및 안정적으로 공급할 수 있고 또한 반도체 제조에서의 비용 성능도 우수한 것을 특징으로 한다.

7. 发明公开

KR1020080093150A 반도체 제조 플랜트 失效
标题翻译：半导体生产厂
公开(公告)号：KR1020080093150A
公开(公告)日：2008-10-20
申请号：KR1020087021573
申请日：2007-02-07
申请人： 도요탄소 가부시키가이샤 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 히라이와지로 , 요시모토오사무 , 하야카와히로시 , 도조데츠로 , 오카베츠네유키 , 아사노다카노부 , 와다신이치 , 나카오켄 , 가토히토시
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： A fluorine gas generator is connected with semiconductor production units (3a-3e) through a gas supply system (2) having a tank (12) for storing a predetermined amount of fluorine gas generated from on-site fluorine gas generators (1a-1e). When one or more of the on-site fluorine gas generators (1a-1e) stop, fluorine gas is supplied from the storage tank (12) storing a predetermined amount of fluorine gas to the semiconductor production units (3a-3e) thus sustaining operation of the semiconductor production units (3a-3e). Consequently, fluorine gas generated from the fluorine gas generator can be supplied to the semiconductor production unit safely and stably, and a semiconductor production plant exhibiting excellent cost performance in semiconductor production can be attained.
摘要翻译：氟气发生器通过具有储存从现场氟气发生器（1a-1e）产生的预定量的氟气的罐（12）的气体供给系统（2）与半导体制造单元（3a-3e）连接，。当一个或多个现场氟气发生器（1a-1e）停止时，从存储预定量氟气的储罐（12）向半导体生产单元（3a-3e）供应氟气，从而维持运行的半导体制造单元（3a-3e）。因此，从氟气发生器产生的氟气可以安全稳定地供给到半导体生产单元，并且可以获得在半导体生产中具有优异成本性能的半导体制造工厂。

8. 发明授权

KR100720777B1 실리콘산화막을 형성하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：形成二氧化硅膜的方法及其实施方法
公开(公告)号：KR100720777B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060104499
申请日：2006-10-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다카하시유타카 , 가토히토시 , 구마가이다케시 , 이시이가쓰토시 , 미우라가즈토시 , 도하라아쓰시 , 후지타요시유키
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02238 , H01L21/02249 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/3185
摘要： 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

9. 发明公开

KR1020010073221A 열처리 방법 失效
公开(公告)号：KR1020010073221A
公开(公告)日：2001-07-31
申请号：KR1020017005220
申请日：2000-08-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 후지타요시유키 , 도조유키오 , 쓰다도시타케
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

10. 发明公开

KR1020170102810A 성막 방법 审中-实审
标题翻译：如何存款
公开(公告)号：KR1020170102810A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020170024488
申请日：2017-02-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 무라타마사히로 , 사토준 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/24 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32513 , H01J37/32752
摘要： 기판(W)의표면에 Si 함유가스를공급하고, 상기기판의상기표면에상기 Si 함유가스를흡착시키는공정과, 상기기판의상기표면에질화가스를제1 플라즈마에의해활성화해서공급하고, 상기기판의상기표면상에흡착된상기 Si 함유가스를질화하고, SiN막을퇴적시키는공정과, 상기기판의상기표면에 NH및 N를소정의비율로포함하는개질가스를제2 플라즈마에의해활성화해서공급하고, 상기기판의상기표면상에퇴적한상기 SiN 질화막을개질하는공정을갖는다.
摘要翻译：含Si气体到基板（W）的表面的供给，和含Si气体吸附到所述基板的表面，通过由氮化气体激活，以在衬底的第一等离子体的表面供给的步骤，和以预定的速率吸附在基板和含Si气体，沉积SiN步骤的氮化物的表面上，并且进料至活化通过含有NH和N衬底的表面上的改质气体为膜上的第二等离子体并且修改衬底表面上沉积的SiN氮化物膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式