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1. 发明授权

KR101823993B1 채널을 따라 변화하는 단면적들을 갖는 토로이달 플라즈마 채널 有权
标题翻译：环形等离子体通道具有沿通道变化的横截面积
公开(公告)号：KR101823993B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020147016174
申请日：2012-11-14
申请人： 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드
发明人： 후,차오린 , 첸,싱
IPC分类号： H01J37/22 , H05H1/12 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/50 , F17D1/04 , G21B1/17 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32513 , H01J37/32807 , H01J2237/006 , H05H1/12 , Y02E30/122 , Y02E30/126 , Y10T137/0318 , Y10T137/8376
摘要： 본발명은, 토로이달플라즈마챔버(201)를포함하는, 가스흐름패턴들및 가스-플라즈마상호작용들을조정하기위한어셈블리에관한것이다. 토로이달플라즈마챔버는, 모두연결되어있는, 주입부재(213), 출력부재(217), 제 1 측면부재(205) 및제 2 측면부재(209)를갖는다. 제 1 측면부재(205)는, 제 1 측면부재의적어도일부분에제 1 내부단면적및 제 1 측면부재의적어도다른부분에제 2 내부단면적을갖고, 여기서, 제 1 내부단면적과제 2 내부단면적은상이하다. 제 2 측면부재(209)는, 제 2 측면부재의적어도일부분에제 3 내부단면적및 제 2 측면부재의적어도다른부분에제 4 내부단면적을갖고, 여기서, 제 3 내부단면적과제 4 내부단면적은상이하다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于调节气流模式和气体 - 等离子体相互作用的组件，包括环形等离子体室（201）。环形等离子体室具有全部彼此连接的注射构件213，输出构件217，第一侧构件205和第二侧构件209。第一侧构件205包括第一侧bujaeui具有第一内部横截面面积的第二内部的横截面面积和第一侧面bujaeui所述至少一个部分的至少另一部分，其中所述第一内部横截面面积分配第二内部截面积是不同的。第二侧构件209在第二侧构件的至少一部分处具有第三内横截面面积，并且在第二侧构件的至少另一部分处具有第四内横截面面积，其中第三内横截面积任务4的内横截面面积不同。

2. 发明公开

KR1020150101955A 웨이퍼 균일성을 개선하기 위한 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：改进波形均匀性的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150101955A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020150028089
申请日：2015-02-27
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 마드리갈케빈 , 셀라야프란시스케서린 , 이시앵-윤 , 아쉬티아니카이한아비디
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/52 , H01L22/12 , H01L21/02263
摘要： 반도체 프로세싱 챔버의 외측에서 매니폴드 가스 플로우 경로들의 가스 플로우 특성들이 개별적으로 조정되게 하는 반도체 프로세싱 가스 플로우 매니폴드가 제공된다. 가스 플로우 매니폴드는 반도체 프로세싱 챔버 내측의 프로세스 가스 분산 디바이스에 연결될 수도 있다. 프로세스 가스 분산 디바이스는 다수의 가스 플로우 채널들을 가질 수도 있고, 가스 플로우 채널 각각은 매니폴드 가스 플로우 경로에 독립적으로 연결되고 반도체 웨이퍼 상의 구역으로 타깃팅된다. 개별 매니폴드 가스 플로우 경로들의 조정은 프로세스 가스 분산 가스 플로우 채널 각각을 통해 반도체 웨이퍼의 대응하는 구역 상으로 분산된 프로세스 가스의 양을 가변시킬 수도 있다.
摘要翻译：提供了允许在半导体处理室的外部单独调节歧管气体流路的气体流动特性的半导体处理气体流动歧管。气体流量歧管可以连接到半导体处理室内的处理气体分散装置。过程气体分散装置可以具有多个气体流动通道，并且每个气体流动通道分别连接到歧管气体流动路径并且靶向半导体晶片上的区域。歧管气体流动路径的单独调节可以改变通过每个工艺气体分散气体流动通道分散到半导体晶片的相应区域上的工艺气体的量。

3. 发明授权

KR101450015B1 유도 결합 플라즈마 반응기에서의 고효율 가스 해리 방법 및 장치 有权
标题翻译：电感耦合等离子体反应器高效气体分离的方法与装置
公开(公告)号：KR101450015B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020127010558
申请日：2010-09-09
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 낭고이,로이,씨. , 싱,사라브지트 , 파르,존,씨 , 파말씨,쉐르마,브이. , 쿠마르,어제이
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45508 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要： 본 발명의 실시예들은 프로세스 챔버로의 처리 가스에 향상된 플라즈마 해리 효율을 제공하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는 처리 챔버에 연결된 확장 용적을 형성하는 외측 본체를 포함하는 배플 노즐 조립체를 제공한다. 플라즈마 발생을 위해 전원에 노출되는 상기 확장 용적을 통해 상기 처리 챔버에 처리 가스가 유동한다.

4. 发明授权

KR101355638B1 원자층 증착 장치 有权
标题翻译：原子层沉积装置
公开(公告)号：KR101355638B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020060110553
申请日：2006-11-09
申请人： 한국에이에스엠지니텍 주식회사
发明人： 박형상 , 김대연 , 아키라시미주
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45504 , C23C16/45574 , C23C16/45587
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치는 기판에 평행하게 기체가 흐르는 수평 흐름 원자층 반응기로서, 기판에 수평한 방향으로 원료 기체가 유입될 뿐만 아니라 짧은 경로를 통해 기판에 수직한 방향으로 원료 기체의 일부가 유입되게 함으로써, 막 형성 온도에서 안정하지 않은 원료 물질을 사용하는 경우에도 균일한 막을 형성할 수 있다.
수평 흐름, 원자층 증착 장치, 수직 유입

5. 发明公开

KR1020140009068A 성막 장치 및 성막 방법 有权
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR1020140009068A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020130082061
申请日：2013-07-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토히토시 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45508 , C23C16/45551 , C23C16/45587 , C23C16/4584
摘要： The present invention relates to a film forming device forming a thin film by repeating a cycle in which multiple types of processing gases reacting with each other in a vacuum are supplied to a substrate in order and laminating layers of a reaction product. The present invention includes a rotary table, which is arranged in a vacuum container, for loading and rotating the base plate on the upper side; a plurality of processing gas supply units for supplying different types of processing gases to areas separated from each other in the circumferential direction of the rotary table; a separation gas supply unit for separating the different types of processing gases; and a discharge device for vacuum-discharging the gas in the vacuum container. At least one processing gas supply unit among the processing gas supply units includes a gas nozzle, which is extended to span between the circumference and the center of the rotary table and in which a discharge port towards the rotary table is formed in the longitudinal direction, and a distributing plate, which is installed on the upper side of the gas nozzle in the rotary direction of the rotary table and is installed in the longitudinal direction of the gas nozzle in order for the separation gas to flow on the upper surface thereof. The distributing plate is installed in order for the distance from the rotary table to become smaller from one end of the rotary table toward the other end and in order for the separated distance of the other end to become smaller over 1 mm than the separated distance of one end. [Reference numerals] (7) Control part
摘要翻译：本发明涉及通过重复将真空中相互反应的多种处理气体依次供给到基板以顺序层叠反应产物的循环来形成薄膜的成膜装置。本发明包括旋转台，其设置在真空容器中，用于在上侧装载和旋转底板; 多个处理气体供给单元，用于向旋转台的圆周方向上分离的区域供给不同种类的处理气体; 用于分离不同类型的处理气体的分离气体供给单元; 以及用于真空排出真空容器中的气体的排出装置。处理气体供给单元中的至少一个处理气体供给单元包括气体喷嘴，该气体喷嘴延伸成在旋转台的圆周和中心之间跨越，并且在纵向方向上形成朝向旋转台的排出口，以及分配板，其安装在旋转台的旋转方向上的气体喷嘴的上侧，并且安装在气体喷嘴的纵向方向上，以使分离气体在其上表面上流动。安装分配板以使旋转台的距离从旋转台的一端朝向另一端变小，为了使另一端的分离距离变得比分离距离小于1mm的距离一端。（附图标记）（7）控制部

6. 发明授权

KR101352919B1 증기 증착 코팅 장치, 화학적 기상 증착 코터, 및 코팅 증착 방법과 이에 의해 제조된 코팅 물품 失效
标题翻译：用于改善基材上涂层的非正交涂层几何
公开(公告)号：KR101352919B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020127008392
申请日：2010-08-16
申请人： 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드
发明人： 맥캐미제임스더블유 , 솝코존에프
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45502 , C23C16/45563 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/54
摘要： 본 발명은 글래스 리본 상의 코팅을 개선시키기 위해, 그리고, 이러한 코팅의 수율을 개선시키기 위해, 비직교 코터 기하 구조를 포함한다. 장치는, 글래스 형성 챔버에 제공되는 코팅 구역을 통과하는 제 1 가상 직선(23)을 따라 리본을 이동시키기 위한 제 1 구조물을 포함한다. 코터는 코팅 노즐(80)과 배출 슬롯(82)을 포함하고, 각각은 종방향 축을 갖는다. 코팅 노즐(80)은 코팅 구역을 향해 코팅 증기를 지향시키고, 배출 슬롯(82)은 코팅 구역으로부터 증기를 제거한다. 제 2 구조물은 상기 코팅 구역에 면하는 상기 코팅 노즐(80) 및 배출 슬롯(82)을 갖는 경로에 이격 관계로 코터를 장착한다. 제 2 가상 직선(94)은 코팅 노즐(80)의 종방향 축에 수직이고, 상기 제 1 가상 직선(23) 및 제 2 가상 직선(94)은 0도보다 크고 90도 이하인 범위의 각도를 이룬다.

7. 发明公开

KR1020130103488A 기판 처리 장치 및 시스템 审中-实审
标题翻译：基板处理设备和系统
公开(公告)号：KR1020130103488A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020137004441
申请日：2011-07-28
申请人： 로렌스 어드밴스드 세미컨덕터 테크놀로지스, 엘엘씨
发明人： 콜빈,로날드,엘. , 굿윈,데니스 , 미텐도르프,제프 , 모레티,찰스,제이. , 로즈,존,더블유. , 새뮤엘스,얼,블레이크
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45587 , C23C16/45502 , C23C16/45563 , C23C16/46 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H05B3/24 , H05B2203/004
摘要： 기판을 처리하기 위한 시스템을 기재한다. 일 실시예에서, 상기 시스템은 공정 챔버, 적어도 하나의 전기 저항 히터, 및 적어도 하나의 코안다 효과 가스 분사기를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020110084285A 온도가 상승된 가스 주입이 이루어지는 화학적 기상 증착 방법 및 그 장치 无效
标题翻译：化学蒸气沉积与高温气体注入
公开(公告)号：KR1020110084285A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020117012691
申请日：2009-11-06
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 구래리알렉스 , 벨로소프미하일 , 미트로빅보얀
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02538 , C23C16/301 , C23C16/45504 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01L21/0262
摘要： 화학적 기상 증착 반응기 및 방법을 개시한다. Ⅲ족 금속 소스 및 Ⅴ족 금속 소스를 포함하는 가스와 같은 반응 가스가 회전 디스크 반응기의 챔버(10) 내로 유입되고, 웨이퍼 캐리어(32) 및 기판(40) 상으로 하방향으로 지향되며, 이 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체와 같은 화합물을 증착하기 위해 약 400℃보다 높게, 통상적으로는 약 700 내지 1100℃의 상승된 기판 온도로 유지된다. 이 가스는 바람직하게는 약 75℃보다 높고 가장 바람직하게는 약 100 내지 350℃의 입구 온도로 반응기 내에 유입된다. 반응기의 벽부는 입구 온도에 근접한 온도로 될 수 있다. 상승된 입구 온도를 이용하면, 웨이퍼 캐리어의 더 낮은 회전 속도, 더 높은 작동 압력, 더 낮은 유량, 또는 이들의 일부 조합을 이용하는 것이 가능하게 된다.

9. 发明公开

KR1020080073402A 막 형성 장치 失效
标题翻译：用于形成层的装置
公开(公告)号：KR1020080073402A
公开(公告)日：2008-08-11
申请号：KR1020070011956
申请日：2007-02-06
申请人： (주)소슬
发明人： 이희세 , 김근호 , 박승일
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/45517 , C23C16/45587 , C23C16/505 , C23C16/513 , H01L21/68742
摘要： A film forming apparatus is provided to reduce a heat loss in a non-process chamber by preventing a partition member from being directly contacted with a support portion. A substrate is transferred into a chamber(110). A partition member(130) is arranged in the chamber and divides the inner space into a process chamber and a non-process chamber. A support portion(120) is arranged in the process chamber and supports the substrate. A reaction gas supply unit(140) is arranged on the support portion and supplies a reaction gas into the process chamber. An insulation member(150) is selectively coupled with the partition member and separates the process chamber from the non-process chamber. A first elevator(160) elevates the support portion, while a second elevator(162) elevates the partition member.
摘要翻译：提供了一种成膜设备，用于通过防止分隔件与支撑部分直接接触来减少非处理室中的热损失。衬底被转移到腔室（110）中。分隔构件（130）布置在室中并将内部空间分成处理室和非处理室。支撑部分（120）布置在处理室中并且支撑基板。反应气体供给单元（140）布置在支撑部分上并将反应气体供应到处理室中。绝缘构件（150）选择性地与分隔构件联接并将处理室与非处理室分离。第一升降机（160）升高支撑部分，而第二升降机（162）升高分隔构件。

10. 发明公开

KR1020080042312A 원자층 증착 장치 有权
标题翻译：原子层沉积装置
公开(公告)号：KR1020080042312A
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：KR1020060110553
申请日：2006-11-09
申请人： 한국에이에스엠지니텍 주식회사
发明人： 박형상 , 김대연 , 아키라시미주
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45504 , C23C16/45574 , C23C16/45587
摘要： An apparatus for depositing an atomic layer is provided to improve the uniformity of a layer even though unstable raw materials are used at a temperature for forming the layer by introducing raw material gas in a direction in parallel with a substrate as well as a part of the raw material gas in a direction perpendicular to the substrate through a short channel. A substrate supporter(360) supports a substrate. A reactor cover(300) is contacted to the substrate supporter to configure a reactor. Process gas is flowed in a gas inlet pipe. A horizontal flow inducing plate(342) is placed in the reactor to be faced to the substrate and to be arranged approximately in parallel with the substrate. The horizontal flow inducing plate has a hole. A part of the process gas being flowed in through the gas inlet pipe is supplied to a space between the horizontal flow inducing plate and the substrate through the hole on the horizontal flow inducing plate. A flux of the process gas supplied through the hole is less than 50 % of the total process gas supplied to the reactor.
摘要翻译：提供一种用于沉积原子层的装置，以便即使在用于形成层的温度下使用不稳定的原材料，也可以在与基板平行的方向上引入原料气体，以及一部分通过短通道在垂直于衬底的方向上的原料气体。衬底支撑件（360）支撑衬底。反应器盖（300）与基板支撑件接触以配置反应器。工艺气体在气体入口管中流动。水平流动诱导板（342）被放置在反应器中以面对基板并且与基板大致平行地布置。水平导流板具有孔。通过气体入口管流入的处理气体的一部分通过水平流动诱导板上的孔被供给到水平流动诱导板和基底之间的空间。通过孔提供的工艺气体的通量小于供给反应器的总工艺气体的50％。

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