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1. 实用新型

KR20180001913U 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극 审中-公开
公开(公告)号：KR20180001913U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：KR20170006506
申请日：2017-12-15
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J2237/006 , H01J2237/334
摘要： 본원에서설명되는실시예들은일반적으로, 기판프로세싱장치에관한것이다. 일실시예에서, 기판프로세싱챔버를위한프로세스키트가본원에서개시된다. 프로세스키트는, 상단표면및 바닥표면을갖는제1 링, 상단표면및 바닥표면을갖는조정가능한튜닝링, 및작동메커니즘을포함한다. 바닥표면은기판지지부재에의해지지된다. 바닥표면은기판지지부재에의해지지된기판아래로적어도부분적으로연장된다. 조정가능한튜닝링은제1 링아래에위치된다. 조정가능한튜닝링의상단표면과제1 링은조정가능한갭을정의한다. 작동메커니즘은조정가능한튜닝링의바닥표면과인터페이싱된다. 작동메커니즘은제1 링의바닥표면과조정가능한튜닝링의상단표면사이에정의된조정가능한갭을변경하도록구성된다.

2. 发明授权

KR101854973B1 정전 척을 위한 배리어 실 有权
公开(公告)号：KR101854973B1
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR1020160016506
申请日：2016-02-12
申请人： 엠에프씨 실링 테크놀로지 코., 엘티디.
发明人： 창,요-위 , 황,춘-야오
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , F16J15/106 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3288
摘要： 본발명은플라즈마에칭과정중에있는정전척을위한배리어실을제공한다. 배리어실은정전척의연결층과플라즈마가스를차단하도록다수의실링부를포함한다. 정전척의그루브는배리어실로완전히채워질수 있다. 다수의실링부중 하나가플라즈마에칭과중중에플라즈마가스에의해파괴되더라도, 배리어실은여전히정전척의누출을효과적으로방지한다. 배리어실은누출이발생하기전에, 엔지니어가손상된배리어실을교체하기위한버퍼주기를제공한다. 배리어실의갑작스러운파괴에의한누출의위험이감소된다. 게다가, 배리어실은플라즈마에칭과정의안정성과안전성을용이하게한다. 정전척에의해제조된제품의수익은향상될수 있다.

3. 发明授权

KR101827620B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理设备和程序
公开(公告)号：KR101827620B1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：KR1020160004957
申请日：2016-01-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 하시모토,요시토모 , 히로세,요시로 , 마츠오카,다츠루 , 하라다,가츠요시
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228
摘要： 기판상에형성하는질화막의조성의제어성이나막질등을향상시킨다. 표면에산소함유막이형성된기판에대하여제1 원료와제1 질화제를공급하여, 산소함유막상에초기막을형성하는공정과, 초기막을플라즈마질화함으로써, 초기막을제1 질화막으로개질하는공정과, 기판에대하여제2 원료와제2 질화제를공급하여, 제1 질화막상에제2 질화막을형성하는공정을갖는다.
摘要翻译：由此改善衬底上形成的氮化物膜的可控性和膜质量。相对于所述基材薄膜上形成包含具有第一质量剂提供第一材料，通过在含氧的膜和等离子体初始氮化物膜形成的初始膜的表面上的氧，以及修改所述初始膜的步骤是在第一氮化膜，该基板并且向第一氮化物膜供应第二原料和第二氮化剂以在第一氮化物膜上形成第二氮化物膜。

4. 发明公开

KR1020170130284A 정전 척 본딩들에 대한 영구적인 2차 부식 방지 审中-实审
标题翻译：用于静电卡盘结合的永久性二次腐蚀保护
公开(公告)号：KR1020170130284A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020170053480
申请日：2017-04-26
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 파페에릭에이.
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , H01J37/32082 , H01J37/32477 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , H01L21/68785
摘要： 기판프로세싱시스템내의기판지지부는베이스플레이트, 세라믹층, 및본딩층을포함한다. 세라믹층은기판을지지하도록베이스플레이트상에배치된다. 본딩층은세라믹층과베이스플레이트사이에배치된다. 시일은본딩층의외측주변부둘레에베이스플레이트와세라믹층 사이에배치된다. 시일은본딩층에인접하게형성된내측층 및내측층이외측층과본딩층 사이에있도록내측층에인접하게형성된외측층을포함한다. 내측층은제 1 재료를포함하고그리고외측층은제 2 재료를포함한다.
摘要翻译：基板处理系统中的基板支撑体包括基板，陶瓷层和接合层。陶瓷层设置在基板上以支撑基板。结合层设置在陶瓷层和基板之间。密封件围绕接合层的外周布置在基板和陶瓷层之间。密封件包括邻近粘合层形成的内层和邻近内层形成的外层，使得内层位于外层和粘合层之间。内层包含第一材料并且外层包含第二材料。

5. 发明公开

KR1020170076568A 성막 장치 审中-实审
标题翻译：成膜装置
公开(公告)号：KR1020170076568A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020160172554
申请日：2016-12-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케가와,히로아키 , 와다,히로유키 , 히시야,가츠유키
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/687 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 원료가스와반응하는플라즈마화한반응가스의공급이행하여지는진공용기내에서, 상기반응가스의공급과는상이한다른처리를행하는것이가능한성막장치를제공한다. 기판(W)이적재되는회전테이블(2)을수용한진공용기(11) 내에서기판(W)에대하여박막의성막을행하는성막장치에있어서, 제1 가스공급부는, 진공용기(11) 내의다른공간으로부터구획된제1 영역(R1)에서원료가스를공급한다. 제3 가스공급부는, 2개의가스인젝터(7)에의해, 제2 영역(R2)을향해서반응가스를토출하고, 플라즈마형성부(6)(6A)는, 제2 영역(R2)을향해서토출된반응가스를플라즈마화한다. 이들제1, 제2 영역(R1, R2)과는상이한위치에형성된다른처리영역(r1, r2)에서는, 상기원료가스의공급및 플라즈마화한반응가스의공급에의한처리와는상이한처리가행하여진다.
摘要翻译：本发明提供一种成膜装置，其能够在供给与原料气体反应的等离子体化反应气体的真空容器内进行与供给反应气体不同的其他处理。一种成膜装置，用于在容纳旋转台（2）的真空室（11）中的基板（W）上形成薄膜正膜，基板（W）并且，原料气体被供给到从该空间隔开的第一区域（R1）。第三气体供应单元通过两个气体喷射器7朝第二区域R2排放反应气体，并且等离子体形成单元6和6A朝向第二区域R2排放反应气体反应气体转化为等离子体。在与第一区域R1和第二区域R2不同的位置处形成的其它处理区域r1和r2中，执行与用于供应源气体和供应等离子体气体的处理不同的处理。

6. 发明公开

KR1020160100841A 정전 척을 위한 배리어 실 审中-实审
标题翻译：隔音密封用于静电卡盘
公开(公告)号：KR1020160100841A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020160016506
申请日：2016-02-12
申请人： 엠에프씨 실링 테크놀로지 코., 엘티디.
发明人： 창,요-위 , 황,춘-야오
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , F16J15/106 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3288
摘要： 본발명은플라즈마에칭과정중에있는정전척을위한배리어실을제공한다. 배리어실은정전척의연결층과플라즈마가스를차단하도록다수의실링부를포함한다. 정전척의그루브는배리어실로완전히채워질수 있다. 다수의실링부중 하나가플라즈마에칭과중중에플라즈마가스에의해파괴되더라도, 배리어실은여전히정전척의누출을효과적으로방지한다. 배리어실은누출이발생하기전에, 엔지니어가손상된배리어실을교체하기위한버퍼주기를제공한다. 배리어실의갑작스러운파괴에의한누출의위험이감소된다. 게다가, 배리어실은플라즈마에칭과정의안정성과안전성을용이하게한다. 정전척에의해제조된제품의수익은향상될수 있다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于在等离子体蚀刻工艺下的静电卡盘的隔离密封件。隔离密封件包括多个密封部件，用于从等离子体气体阻挡静电卡盘的连接层。静电卡盘的槽可以完全填充阻挡密封。即使在等离子体蚀刻期间，其中一个密封部分被等离子体气体破坏，阻隔密封也能够有效地防止静电吸盘的泄漏。屏障密封为工程师提供缓冲循环，以便在泄漏发生之前更换破损的密封。泄漏密封件突然破坏导致的泄漏风险降低。此外，隔离密封件使得等离子体蚀刻工艺的稳定性和安全性变得容易。可以提高由静电卡盘制造的产品的利润。

7. 发明公开

KR1020160087776A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：KR1020160087776A
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020160004957
申请日：2016-01-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 하시모토,요시토모 , 히로세,요시로 , 마츠오카,다츠루 , 하라다,가츠요시
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01L21/0217 , H01L21/0228
摘要： 기판상에형성하는질화막의조성의제어성이나막질등을향상시킨다. 표면에산소함유막이형성된기판에대하여제1 원료와제1 질화제를공급하여, 산소함유막상에초기막을형성하는공정과, 초기막을플라즈마질화함으로써, 초기막을제1 질화막으로개질하는공정과, 기판에대하여제2 원료와제2 질화제를공급하여, 제1 질화막상에제2 질화막을형성하는공정을갖는다.
摘要翻译：本发明改进了在基板上形成的氮化物膜的构造的控制性能，其膜质量等。一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：将第一材料和第一氮化剂供给到在基板的表面上形成含氧膜的基板上，以在含氧膜上形成初始膜 ; 将初始膜等离子体氮化，将初始膜重新形成第一氮化膜; 向所述基板供给第二材料和第二氮化剂，以在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜。

8. 发明公开

KR1020160033700A 뚜껑들 및 노즐들 상에 희토류 옥사이드 기반 코팅들을 위한 이온 보조 증착 审中-实审
标题翻译：离子辅助沉积在稀土氧化物基底漆和喷嘴上
公开(公告)号：KR1020160033700A
公开(公告)日：2016-03-28
申请号：KR1020167001721
申请日：2014-07-15
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 선,제니퍼와이. , 카눈고,비라자피. , 피로우츠도르,바히드 , 장,잉
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/08 , C23C14/00 , C23C14/48 , H01L21/67 , H01L21/48 , H01J37/32 , B65D43/02
CPC分类号： H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393
摘要： 물품을제작하는방법은에치반응기용뚜껑또는노즐을제공하는것을포함한다. 이후에, 이온보조증착(IAD)은뚜껑또는노즐의적어도하나의표면상에보호층을증착시키기위해수행되는데, 여기서, 보호층은 300 ㎛미만의두께및 10 마이크로인치또는그 미만의평균표면거칠기를갖는플라즈마내성희토류옥사이드막이다.

9. 发明公开

KR1020160030368A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020160030368A
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：KR1020150125487
申请日：2015-09-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미우라시게히로 , 사토준
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/0234 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 해당처리용기내에설치되고, 기판을상면에적재가능한회전테이블과, 해당회전테이블의주위방향에있어서의소정개소에형성되고, 제1 플라즈마가스로부터제1 플라즈마를발생시켜제1 플라즈마처리를행하는제1 플라즈마처리영역과, 해당제1 플라즈마처리영역과상기주위방향에있어서이격하여형성되고, 제2 플라즈마가스로부터제2 플라즈마를발생시켜제2 플라즈마처리를행하는제2 플라즈마처리영역과, 상기주위방향에있어서상기제1 플라즈마처리영역과상기제2 플라즈마처리영역사이의 2개의간격영역각각에형성되고, 상기제1 플라즈마처리영역과상기제2 플라즈마처리영역을분리하여상기제1 플라즈마가스와상기제2 플라즈마가스의혼합을방지하는 2개의분리영역을갖는다.
摘要翻译：等离子体处理装置具有：处理容器; 旋转台，安装在相应的处理容器中，并可在上平面上装载基板; 第一等离子体处理区域，其形成在沿着相应旋转台的周围方向的固定位置，并且通过从第一等离子体气体产生第一等离子体来执行第一等离子体处理; 第二等离子体处理区域，其形成为沿着周围方向与相应的第一等离子体处理区域分离，并且通过从第二等离子体气体产生第二等离子体来进行第二等离子体处理; 以及沿着周围方向分别形成在第一等离子体处理区域和第二等离子体处理区域之间的两个间隔区域上的两个分离区域，并且通过分离第一等离子体处理气体和第二等离子体处理气体来防止混合第一等离子体处理气体等离子体处理区域和第二等离子体处理区域。本发明提供能够降低膜中的氟密度的等离子体处理装置和等离子体处理方法。

10. 发明授权

KR101597054B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR101597054B1
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020140170322
申请日：2014-12-02
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고바야시야스오 , 이와사키마사히데 , 야마기시고지
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32513 , H01J37/32192 , H01J37/32522
摘要： 플라즈마처리장치와반송챔버사이의단열성을손상시키는일없이, 플라즈마처리장치내부로부터의마이크로파의누설을효율적으로방지한다. 인접하는챔버와의사이에서상기피처리체를반입출시키기위한개구부를갖는처리용기와, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는마이크로파도입기구와, 상기처리용기를진공상태로하는배기장치와, 상기개구부근방에마련되는게이트밸브에있어서, 상기게이트밸브의외면과상기처리용기에인접하는챔버사이에설치되는단열부재를구비하고, 상기단열부재에는, 적어도상기단열부재와상기게이트밸브의외면의대향면, 상기단열부재와상기처리용기에인접하는챔버의대향면, 및상기단열부재의외기에노출되는면에서도전성피막이피복되어있는, 플라즈마처리장치.

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