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1. 发明公开

KR1020170138438A 매개층을 이용한 유기 및 무기 기재 내 및 그 위에서의 나노구조물 제조 审中-实审
标题翻译：中间层法制备纳米结构在有机和无机衬底中的应用
公开(公告)号：KR1020170138438A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020177030106
申请日：2015-03-24
申请人： 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.
发明人： 덕스,얀-헨닝 , 첸,벤벤 , 스파츠,요아힘페. , 부루너,로베르트 , 크라우스,마티아스
IPC分类号： C03C17/34 , G03F7/00
CPC分类号： C03C17/34 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C03C17/3435 , C03C2217/73 , C03C2217/734 , C03C2217/77 , C03C2217/91 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C08J7/00 , C23C16/0245 , G02B1/11 , G02B1/118 , G03F7/0002 , G03F7/0005 , G03F7/001
摘要： 본발명은적어도다음단계, 즉, a) 미리정해진굴절률을갖는주 기재를제공하는단계; b) 상기주 기재과상이한미리정해진굴절률을갖는하나이상의매개층을상기주 기재에코팅하는단계로서, 상기층들의순서는굴절률의미리정해진기울기가상기주 기재과상기하나이상의매개층의최상위층 사이에생성되게끔배열되는상기코팅하는단계; c) 선택적으로하나이상의매개층의최상층을추가상부층으로코팅하는단계; d) 상기단계 a) - b) 또는 a) - c) 후에수득된복합기재의최상층상에나노구조화된 에칭마스크를침착시키는단계; e) 반응성이온에칭에의해복합기재의적어도최상층에돌출구조, 특히원추형또는기둥구조, 또는오목형구조물, 특히홀을생성하는단계.를포함하는유기또는무기기재내 및그 위에나노구조를생성하는방법에관한것이다. 본발명의또한상기방법에의해얻을수 있는나노구조표면을갖는복합기재에관한것이다.
摘要翻译：至少以下步骤：a）提供具有预定折射率的主衬底; 预先用包括以下步骤的给定折射率从所述一个或多个中间层不同的主gijaegwa之间创建b）中gekkeum：涂层中的主基板上时，层的顺序是所述至少一个中间层具有的折射率的预定斜率的虚拟主机gijaegwa choesangwicheung 所述涂层被布置; c）可选地用另外的顶层涂覆一个或多个中间层的顶层; d）在步骤a） - b）或一） - c）沉积在顶层材料中的纳米结构的蚀刻掩模，得到的步骤之后的所有功能于一身; E对反应性离子蚀刻设备部件产生的纳米结构的至少突起结构通过在顶层上，在特定的方法），锥形或柱形结构或凹结构，特别是有机的或无机的基底，其包括生成mitgeu的孔的步骤它涉及。本发明还涉及具有可通过上述方法获得的纳米结构化表面的复合衬底。

2. 发明公开

KR1020160037961A 나노구조체의 제조 방법 및 나노구조화 물품 审中-实审
标题翻译：制备纳米结构和纳米结构的方法
公开(公告)号：KR1020160037961A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020167004660
申请日：2014-07-23
申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니
发明人： 데이비드모세스엠 , 유타-화 , 베이츠다니엘에스 , 세쓰제이쉬리 , 버거마이클에스 , 프랑케카르스텐 , 제헨트마이어세바스챤에프
IPC分类号： B81C1/00 , C09J7/02
CPC分类号： C23C16/0245 , B81C1/00031 , B81C2201/0132 , C09J7/22 , C09J2201/606 , C23C16/50 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341
摘要： 반응종으로기재의주 표면을에칭하면서사실상동시에가스상혼합물로부터플라즈마화학증착에의해표면에층을침착시킴으로써나노구조체를제조하는방법및 나노구조화물품. 본방법은기재를제공하는단계, 플라즈마로형성될때 기재상에층을침착시킬수 있는제1 가스종을, 플라즈마로형성될때 기재를에칭할수 있는제2 가스종과혼합하여, 가스상혼합물을형성하는단계, 가스상혼합물을플라즈마로형성하는단계, 및기재의표면을플라즈마에노출시켜 - 표면이에칭되고, 사실상동시에, 에칭된표면의적어도일부분상에층이침착되며 -, 그럼으로써나노구조체를형성하는단계를포함한다. 기재는 (공)중합체성재료, 무기재료, 합금, 고용체, 또는이들의조합일수 있다. 침착된층은유기규소화합물, 금속알킬화합물, 금속아이소프로폭사이드화합물, 금속아세틸아세토네이트화합물, 금속할로겐화물화합물, 및이들의조합으로이루어진군으로부터선택되는화합물을포함하는반응물가스를사용하는플라즈마화학증착의반응생성물을포함할수 있다. 고종횡비를갖고선택적으로적어도하나의치수에서, 그리고바람직하게는 3개의직교하는치수들에서랜덤한치수를갖는나노구조체가제조될수 있다.
摘要翻译：一种通过从气体混合物的等离子体化学气相沉积而将基底沉积到基底的主表面上而形成纳米结构和纳米结构化制品的方法，同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基板; 当形成等离子体时，能够将能够沉积到衬底上的第一气态物质混合，当形成等离子体时，能够蚀刻衬底的第二气态物质，从而形成气态混合物; 将气态混合物形成等离子体; 以及将所述衬底的表面暴露于所述等离子体，其中所述表面被蚀刻并且基本上同时地在所述蚀刻表面的至少一部分上沉积层，从而形成所述纳米结构。基底可以是（共）聚合物材料，无机材料，合金，固溶体或其组合。沉积层可以包括使用包含选自有机硅化合物，金属烷基化合物，金属异丙醇化合物，金属乙酰丙酮化合物，金属卤化物化合物及其组合的化合物的反应气体的等离子体化学气相沉积的反应产物。可以制备高纵横比的纳米结构，并且任选地在至少一个维度，优选三个正交尺寸的随机尺寸。

3. 发明公开

KR1020130120689A 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020130120689A
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020120043780
申请日：2012-04-26
申请人： 우범제
发明人： 우범제
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3211 , C23C16/0245 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： The present invention relates to a plasma processing apparatus comprising: a processing chamber having a cylindrical shape of which the upper part is open to perform a plasma process; a substitute supporting unit, prepared in the processing chamber, for settling a substrate, which is an object for the plasma process; a ceramic plate, prepared on the upper part of the processing chamber, for sealing an inner space of the processing chamber; and a complex inductively coupled coil, arranged on an upper part of the ceramic plate, for generating plasma in the inner space of the processing chamber; wherein the complex inductively coupled coil comprises an inner coil, settled in a central part of the ceramic plate, and an external coil having a cylindrical shape, settled in the ceramic plate, in order for the inner coil to be arranged in the internal periphery. Therefore, by using the present invention, a stable plasma source is possibly realized while increasing overall plasma density and maintaining uniformity.
摘要翻译：等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，其具有上部打开以进行等离子体处理的圆筒形状; 在处理室中制备的用于沉积作为等离子体处理的对象的基板的替代支撑单元; 在处理室的上部准备的用于密封处理室的内部空间的陶瓷板; 以及复合电感耦合线圈，其布置在陶瓷板的上部，用于在处理室的内部空间中产生等离子体; 其中所述复合感应耦合线圈包括沉积在所述陶瓷板的中心部分中的内部线圈和沉积在所述陶瓷板中的具有圆柱形状的外部线圈，以使所述内部线圈布置在所述内部周边中。因此，通过使用本发明，可以在提高总体等离子体密度并保持均匀性的同时实现稳定的等离子体源。

4. 发明公开

KR1020130080314A 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于处理包括加工单元的基板的装置
公开(公告)号：KR1020130080314A
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020120001153
申请日：2012-01-04
申请人： 주식회사 유진테크
发明人： 양일광 , 송병규 , 김용기 , 김경훈 , 신양식
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/0245 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/505 , C23C16/507 , C30B25/02 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67303 , H01L21/67757 , H01L21/67772
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus including a processing unit is provided to prevent a reactive gas from moving from a processing space to a loading space by increasing the pressure of the loading space in comparison to the processing space. CONSTITUTION: A lower chamber (312b) has a path (319) connected to a transfer chamber. An external reaction tube (312a) closes the upper side of the lower chamber which is opened. A substrate holder (328) loads at least one substrate in a vertical direction. A gas supply unit (332) supplies a reactive gas to a processing space. A processing unit processes the substrate by activating the reactive gas.
摘要翻译：目的：提供一种包括处理单元的基板处理装置，用于通过与处理空间相比增加加载空间的压力来防止反应气体从处理空间移动到装载空间。构成：下室（312b）具有连接到传送室的路径（319）。外部反应管（312a）封闭打开的下室的上侧。衬底保持器（328）在垂直方向上装载至少一个衬底。气体供给单元（332）向反应气体供给处理空间。处理单元通过激活反应气体来处理基板。

5. 发明授权

KR101170035B1 기판 세정 방법 有权
标题翻译：清洗基板的方法
公开(公告)号：KR101170035B1
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：KR1020067015028
申请日：2005-01-21
申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
发明人： 나다우드,니콜라스 , 메트맨,에릭 , 로세우,진-폴 , 로어겐,마쿠스
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C14/022 , C03C23/006 , C03C23/0075 , C03C2218/31 , C23C16/0245 , Y10T428/24612
摘要： 본 발명은 기판의 연속 진공 세정 방법에 관한 것으로, 이는 낮은 분사 성능을 가지며 오염물에 대해 화학적으로 반응하는 종을 선택하고; 적어도 하나 이상의 선형 이온원에 의해 상기 낮은 분사 성능을 갖는 종으로 주로 구성된 가스 혼합물, 특히 산소를 기재로 하는 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하며; 상기 이온화된 종이 상기 표면 일부에 흡수 또는 위치할 수 있는 오염물을 적어도 부분적으로 화학 작용에 의해 제거하도록 상기 기판의 적어도 표면 일부를 상기 플라즈마 내에 주입하는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明授权

KR101103264B1 기능성 표면의 제조방법 有权
标题翻译：功能表面的制作方法
公开(公告)号：KR101103264B1
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：KR1020090069292
申请日：2009-07-29
申请人： 한국기계연구원
发明人： 임현의 , 지승묵 , 이준희 , 김완두
IPC分类号： C03C15/00 , C03C17/23 , C03C23/00
CPC分类号： C23C16/0227 , B01J21/063 , B01J23/06 , B01J23/14 , B01J23/18 , B01J23/30 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/0217 , B01J37/0232 , B05D5/08 , C03C17/002 , C03C17/23 , C03C2217/71 , C03C2217/75 , C03C2217/76 , C03C2218/31 , C03C2218/365 , C23C16/0245 , C23C16/26 , C23C16/40
摘要： 본 발명은 광분해에 의한 자기 정화능을 가지며 초친수 반사방지능을 갖는 기능성 표면의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게 본 발명에 따른 기능성 표면의 제조방법은 a) 투명 기재의 일 표면에 구 형상을 갖는 복수개의 비드를 단일 층으로 배열하는 단계; b) 상기 복수개의 비드를 식각하여 각 비드간 일정한 이격 거리를 형성하는 단계; c) 상기 일정 이격 거리를 갖는 복수개의 비드를 에칭 마스크(etching mask)로 상기 기재를 식각하여 상기 기재의 일 표면에 표면요철을 형성하는 단계; d) 상기 기재의 일 표면에서 상기 복수개의 비드를 제거하는 단계; 및 e) 상기 표면요철이 형성된 기재의 일 표면에 광촉매 층을 형성하는 단계;를 포함하여 수행되는 특징이 있다.
반사방지, 표면요철, 콜로이달 리소그래피, 광촉매, 유리

7. 发明公开

KR1020110123693A 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치 失效
标题翻译：产生多种等离子体加工的装置
公开(公告)号：KR1020110123693A
公开(公告)日：2011-11-15
申请号：KR1020110043020
申请日：2011-05-06
申请人： 나노세미콘(주) , 유정호
发明人： 유정호
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/0245 , C23C16/276 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H05H1/46 , H05H2001/4645
摘要： PURPOSE: A multi-plasma producer for wafer processing is provided to improve work efficiency and quality by smoothly generating plasma of gas for deposition. CONSTITUTION: A wafer processing apparatus(100) comprises a cylinder(120), a shower head(140), a chuck(160), and a frame(180). The shower head for spreading gas is installed in a wafer. The shower head sprays gas for deposition to the upper side of the wafer which is supported by the chuck. The shower head is installed on the top of the chuck which supports the wafer. An outdoor coil is formed into a coil type according to the outer circumference of the wafer processing apparatus. The outdoor coil supplies a heat for heating the gas for deposition which is inserted inside the cylinder to temperature of a fixed range.
摘要翻译：目的：提供用于晶片加工的多等离子体生产器，通过平滑地产生用于沉积的气体等离子体来提高工作效率和质量。构成：晶片处理装置（100）包括气缸（120），淋浴喷头（140），卡盘（160）和框架（180）。用于扩散气体的喷头安装在晶片中。淋浴头将气体喷射到由卡盘支撑的晶片的上侧。淋浴头安装在支撑晶片的卡盘的顶部。根据晶片处理装置的外周将室外线圈形成为线圈型。室外线圈提供热量，用于将插入气缸内的沉积气体加热到固定范围的温度。

8. 发明授权

KR101046071B1 유전 필름의 원자 층 증착을 위해서 화학물질을 광 여기시키는 방법 및 장치 失效
标题翻译：用于原子化铝沉积的化学材料的磷化方法和设备
公开(公告)号：KR101046071B1
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020087029816
申请日：2007-05-02
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 싱그,카우샬케이. , 마하자니,마티트리예 , 가나옘,스티브지 , 유도브스키,조셉 , 맥더갈,브렌단
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32009 , C23C16/0209 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4405 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/509
摘要： 본 발명은 일반적으로 물질을 증착시키는 방법을 제공하며, 더욱 특히, 본 발명의 구체예는 광 여기 기술을 이용하여 배리어층, 시드층, 전도성 물질, 및 유전 물질을 증착시키는 화학 증착 공정 및 원자 층 증착 공정에 관한 것이다. 본 발명의 구체예는 일반적으로 균일하게 증착된 물질을 제공하도록 보조된 공정이 수행될 수 있는 보조된 공정을 위한 방법 및 그러한 방법을 수행하는 장치를 제공한다.
摘要翻译：本发明提供了总体上由本文所描述的光，所述种子层，所述化学气相沉积工艺和原子层沉积导电材料，以及介电材料沉积材料，并且更具体地，本发明的实施例中，阻挡层的方法＆lt; 本发明的实施例提供一种用于辅助处理的方法，其中可以执行辅助处理以提供大致均匀沉积的材料和用于执行这种处理的设备。

9. 发明授权

KR101038843B1 에피택셜막 형성 방법 및 장치 有权
标题翻译：外源膜形成的方法和装置
公开(公告)号：KR101038843B1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：KR1020087008452
申请日：2006-10-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 모파트,스티븐 , 산티아고,제임스
IPC分类号： C30B15/14 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC分类号： C30B25/105 , C23C16/0245 , C23C16/452 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B35/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/67028 , H01L21/67069 , H01L21/67115
摘要： 제 1 면에서, 제 1 시스템은 반도체 소자 제조를 위해 제공된다. 제 1 시스템은 (1) 기판 표면상에 물질층을 형성하도록 구성된 에피택셜 챔버; 및 (2) 에피택셜 챔버와 결합되며 에피택셜 챔버로 플라즈마를 도입시키도록 구성된 플라즈마 생성기를 포함한다. 다수의 다른 면들이 제공된다.

10. 发明公开

KR1020090106729A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：用于等离子体处理的装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020090106729A
公开(公告)日：2009-10-12
申请号：KR1020080032041
申请日：2008-04-07
申请人： 참엔지니어링(주)
发明人： 김형원 , 서영수 , 최재철 , 윤치국
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/0245 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32733 , H05H1/46 , H05H2001/4645
摘要： PURPOSE: A plasma processor and a plasma processing method are provided to reduce the time and cost for production by continuously performing a substrate rear etching process and a substrate bevel etching process in one device. CONSTITUTION: A top electrode(200) is prepared in an upper side of a chamber(100) and sprays the inactive gas. A bottom electrode(500) is arranged in a lower side of the chamber to face the top electrode. The bottom electrode supports the substrate bevel to be exposed in the substrate bevel etching process and sprays the active gas. A substrate support(300) is prepared between the top electrode and the bottom electrode and supports the central area of the substrate rear in the substrate rear etching process. A moving unit(700) separates the substrate from the substrate support by moving the substrate support in the substrate rear etching process. A first active gas nozzle(530) and a second active gas nozzle(560) are formed in the upper side and the lateral side of the bottom electrode.
摘要翻译：目的：提供等离子体处理器和等离子体处理方法，以通过在一个器件中连续执行衬底后蚀刻工艺和衬底斜面蚀刻工艺来减少生产的时间和成本。构成：在室（100）的上侧制备顶部电极（200）并喷射惰性气体。底部电极（500）布置在室的下侧以面对顶部电极。底部电极支撑衬底斜面以在衬底斜面蚀刻工艺中暴露并喷射活性气体。在顶部电极和底部电极之间制备衬底支撑件（300），并在衬底后蚀刻工艺中支撑衬底的中心区域。移动单元（700）通过在基板后蚀刻工艺中移动基板支撑件来将基板与基板支撑件分离。第一活性气体喷嘴（530）和第二活性气体喷嘴（560）形成在底部电极的上侧和外侧。

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