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1. 发明授权

KR101921359B1 실리콘 질화물 막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
公开(公告)号：KR101921359B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020140135241
申请日：2014-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부 , 하세베,가즈히데
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/505 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은, 하드의개량에만의존하지않고, 또한, 막의균일성, 전기적또는물리적특성및 가공성등의유저로부터의요구를충족하면서, 성막장치의생산성을향상시키는것이가능한실리콘질화물막의성막방법을제공하는것이다. (1) 피처리면을향해, 실리콘을포함하는실리콘원료가스를공급하는공정(스텝 1)과, 피처리면을향해, 실리콘원료가스의분해를촉진시키는물질을포함하는분해촉진가스를공급하는공정(스텝 3)을미리정해진제1 횟수반복하는공정과(단, n은 1 이상의유한값), (2) 피처리면을향해, 질소를포함하는질화가스를공급하는공정을미리정해진제2 횟수행하는공정(스텝 6)을구비하고, (1) 공정으로부터 (2) 공정까지의시퀀스를 1 사이클로하여, 1 사이클을미리정해진제3 횟수행하여, 실리콘질화물막을피처리면위에성막한다.

2. 发明授权

KR101907247B1 기판 처리 장치 및 기판 적재 유닛의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101907247B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020150131649
申请日：2015-09-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 혼마,마나부
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L23/00
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/68792
摘要： 고온프로세스에서금속오염을억제하는기판처리장치및 기판적재유닛의제조방법을제공한다. 부식성가스를공급가능한처리실(1)과, 상기처리실내에설치되고, 상면에기판(W) 서셉터(2)와, 상기서셉터를관통하는고정축(211)과, 상기고정축이삽입되고, 상기서셉터를상기상면측으로부터고정하는제1 고정부재(212)와, 상기고정축이삽입되고, 상기서셉터를하면측으로부터고정하는제2 고정부재(213)와, 상기서셉터보다도하방에설치되고, 상기고정축을하방향으로가압함과함께상기제2 고정부재를상방향으로가압하는가압수단(214)과, 상기서셉터보다도상방에설치되고, 상기고정축과걸리어결합함과함께상기가압수단과협동해서상기제1 고정부재를가압하는걸림부재(216)를갖고, 상기서셉터, 상기제1 고정부재및 상기걸림부재는, 상기가압수단보다도상기부식가스에대한부식내성이높은재료로이루어진다.

3. 发明授权

KR101886479B1 성막 장치 有权
公开(公告)号：KR101886479B1
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：KR1020150063909
申请日：2015-05-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하네,히데오미 , 우메하라,다카히토 , 가사마,다케히로 , 와타나베,츠바사
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45578
摘要： 캐리어가스의유량에의해면내균일성을조정함에있어서, 보다광범위한캐리어가스유량에대하여양호한면내균일성을확보하고, 면내균일성의조정을용이하게하는것이다. 원료가스노즐(31)의길이방향을따라서돌출되도록정류판부(51)를설치하고, 이정류판부(51)로부터회전테이블(2)을향해서돌기부(54)를돌출시킨다. 이돌기부(54)에의해, 진공용기(11)의중앙부영역(C)으로부터의분리가스가정류판부(51)와회전테이블(2)의사이로유입되는것이억제된다. 원료가스노즐(31)로부터는, 원료가스와캐리어가스의혼합가스가공급되고있는데, 중앙부영역(C)으로부터의분리가스의유입이억제되어있기때문에, 캐리어가스의유량에관계없이원료가스가정류판부(51)의회전테이블중심측으로도널리퍼진다. 이때문에광범위한캐리어가스유량에대하여양호한면내균일성을확보할수 있다.

4. 发明授权

KR101876613B1 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101876613B1
公开(公告)日：2018-07-09
申请号：KR1020150006641
申请日：2015-01-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 에노모토다다시 , 다카하시기이치 , 다나카게이이치
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 회전테이블에의해공전하도록당해회전테이블의일면측에설치되고, 그주위에기판의위치를규제하기위한규제부가형성된기판의적재영역과, 외부의기판의반송기구와, 상기회전테이블사이에서기판을전달하기위해, 당해기판을지지하여승강하는승강부재와, 상기승강부재에의해상기적재영역에기판이적재되기전에, 당해적재영역과기판사이의간극을선택적으로배기하기위한배기기구를구비하도록장치를구성한다.

5. 发明公开

KR20180045200A 롤투롤 원자층 증착장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180045200A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR20160139042
申请日：2016-10-25
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45548 , C23C16/45551 , C23C16/52
摘要： 본발명은하나의공정챔버내에소스증착블럭과반응증착블럭을각각구비하고필름을일측에서타측으로이동시켜한 번의이동으로한 싸이클의원자층증착공정이완료되는고생산성의롤투롤원자층증착장치에관한것으로서, 본발명에따른롤투롤원자층증착장치는, 밀폐된내부공간을가지며, 상기내부공간이불활성기체에의하여채워진상태에서일정한내부압력을가지는공정챔버; 상기공정챔버의내부양측에이격되어각각설치되며, 원자층증착공정이이루어질필름을양측에서권취하는제1, 2 권취롤러; 상기공정챔버의외측에서설치되며, 상기제1, 2 권취롤러를상기필름이제1 권취롤러에서제2 권취롤러방향또는제2 권취롤러에서제1 권취롤러방향으로이동하도록상기제1, 2권취롤러를회전시키는롤러회전부; 상기공정챔버내부중 상기제1, 2 권취롤러사이에상기제1, 2 권취롤러에의하여이동되는필름을상하방향에서감싸도록설치되며, 이동되는필름표면에원자층증착공정의전반부인소스가스를증착하는소스증착공정을수행하는소스증착블럭; 상기공정챔버내부중 상기소스증착블럭과인접한위치에상기제1, 2 권취롤러에의하여이동되는필름을상하방향에서감싸도록설치되며, 이동되는필름표면에원자층증착공정의후반부인반응가스를증착하는반층증착공정을수행하는반응증착블럭;을포함한다.

6. 发明公开

KR20180040735A 슬롯이 있는 접지 플레이트를 갖춘 플라즈마 모듈 审中-公开
公开(公告)号：KR20180040735A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：KR20187010290
申请日：2016-09-09
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： YUDOVSKY JOSEPH , FORSTER JOHN C , BERA KALLOL , KHANDELWAL SOMESH , SRIRAM MANDYAM , TANAKA KEIICHI , TAKESHITA KENJI , SAKAMOTO NOBUHIRO , YANAGAWA TAKUMI
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32623 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32752
摘要： 프로세싱챔버와함께사용하기위한플라즈마소스조립체는차단기플레이트를포함하고, 차단기플레이트는차단기플레이트를통하는적어도하나의세장형슬롯을갖는다. 세장형슬롯들은상이한길이들을가질수 있고, 차단기플레이트의측들에대해각을이룰수 있다.

7. 发明公开

KR1020180031982A 박막 증착장치 및 복합막 증착방법 有权
标题翻译：沉积薄膜的设备和沉积方法
公开(公告)号：KR1020180031982A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020160120541
申请日：2016-09-21
申请人： 에이피시스템 주식회사
发明人： 한재현 , 정태훈 , 이재승
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L51/52
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/4583 , C23C16/52 , C23C2222/20 , H01L51/5256
摘要： 본발명은박막증착장치및 복합막증착방법에관한것으로서, 보다상세하게는유기실리콘소스와오존(O) 또는원격산소플라즈마를소스가스와반응가스로사용하여실리콘산화(SiO)막을증착하는박막증착장치및 복합막증착방법에관한것이다. 본발명의일실시예에따른박막증착장치는박막의증착공정이수행되는챔버; 상기챔버의내부에제공되며, 상기박막이증착되는기판이지지되는기판지지대; 상기기판지지대에연결되어상기챔버내에서상기기판지지대를제1 축방향으로이동시키는구동부; 상기기판의증착면과대향하는소스가스노즐과반응가스노즐을통해상기기판상에상기박막의증착을위한소스가스와반응가스를각각분사하는샤워헤드; 상기소스가스노즐에유기실리콘소스를포함하는제1 소스가스를공급하는제1 소스가스공급부; 및오존(O) 또는원격산소플라즈마를포함하는제1 반응가스를상기반응가스노즐에공급하는제1 반응가스공급부;를포함하고, 상기소스가스노즐과상기반응가스노즐은상기제1 축방향과교차하는제2 축방향으로연장되며, 상기제2 축방향으로나란히배치될수 있다.
摘要翻译：本发明是一种薄膜沉积在设备和上沉积方法更具体地涉及用于沉积与臭氧（O）的有机硅源的成膜装置或通过使用远程氧等离子体源气体和反应性气体（SIO）氧化硅膜的复合膜，和和一种复合膜沉积方法。根据本发明实施例的薄膜沉积设备包括：腔室，在该腔室中进行薄膜沉积过程; 提供在腔室内的基板支撑件，其中支撑薄膜沉积于其上的基板; 驱动单元，其连接到所述基板支撑件并且在所述腔室中沿第一轴线方向移动所述基板支撑件; 一种喷淋头，用于通过分别面对基板的沉积表面的源气体喷嘴和反应气体喷嘴喷射用于在基板上沉积薄膜的源气体和反应气体; 第一源气体供应器，用于将包括有机硅源的第一源气体供应到所述源气体喷嘴; 和臭氧（O）或包含等离子体的第一反应气体供给第一反应气体的反应气体喷嘴供给一部分的远程氧;包括所述源气体喷嘴和反应气体喷嘴是第一轴线的方向和在相互交叉的第二轴方向上延伸，并且可以在第二轴方向上并排布置。

8. 发明公开

KR20180031796A 공간적 원자층 증착을 위한 가열원 审中-公开
标题翻译：空间原子层沉积的热源
公开(公告)号：KR20180031796A
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR20187007279
申请日：2016-08-16
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： KWONG GARRY K , YUDOVSKY JOSEPH , GRIFFIN KEVIN , BERA KALLOL , OZGUN OMER
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4404 , C23C16/45551
摘要： 흑연바디및 바디내에배치된연속적인재료섹션을포함하는적어도하나의가열엘리먼트를갖는, 기판들을가열하기위한가열장치가개시된다. 가열장치를포함하는프로세싱챔버들이또한개시된다.
摘要翻译：公开了一种用于加热基板的加热装置，其具有至少一个加热元件，该加热元件包括石墨体和设置在该体内的连续材料部分。还公开了包括加热装置的处理室。

9. 发明授权

KR101819781B1 원자 층 증착 코팅 시스템 有权
标题翻译：原子层沉积涂层系统
公开(公告)号：KR101819781B1
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR1020137012531
申请日：2011-10-14
申请人： 울트라테크 인크.
发明人： 서센마이클제이. , 선다람가네시엠. , 쿠투로저알. , 베커질스벤야 , 달버스마크제이.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/4412 , C23C16/453 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/4584 , C23C16/545
摘要： ALD 코팅시스템은전구체오리피스플레이트와대면하는기판의코팅표면을가지는이동기판위에배치되는고정형가스매니폴드를포함한다. 가스제어시스템은가스또는증기전구체및 불활성가스를고정형가스매니폴드내로전달하고, 그러한매니폴드는입력가스를이동기판의코팅표면상으로지향시킨다. 가스제어시스템은, 미사용전구체, 불활성가스및 반응부산물을코팅표면으로부터제거하기위해서가스매니폴드를통해서가스를인출하는가스매니폴드와인터페이스하는송풍기를포함한다. 가스매니폴드는, 서로다른전구체가혼합되는것을방지하기위해서, 코팅표면에서전구체가스를격리시키도록구성된다. 또한, 가스매니폴드는배기시스템내에서미사용전구체가스를격리시킬수 있고, 그에따라미반응전구체가회수되고재사용될수 있다.
摘要翻译： ALD涂层系统包括设置在移动基底上的固定气体歧管，该移动基底具有面对前体孔板的基底的涂层表面。气体控制系统将气体或蒸气前体和惰性气体输送到固定气体歧管中，该固定气体歧管将输入气体引导到移动基底的涂层表面上。气体控制系统包括与气体歧管连接的鼓风机，该气体歧管通过气体歧管抽取气体以从涂层表面去除未使用的前体，惰性气体和反应副产物。气体歧管配置为隔离涂层表面处的前体气体以防止不同前体的混合。另外，气体歧管可以隔离排气系统中未使用的前体气体，由此可以回收和再利用未反应的前体。

10. 发明公开

KR20180014205A 개선된 가스 분배를 위한 회귀적 주입 장치 审中-公开
标题翻译：用于改善气体分配的再生喷射系统
公开(公告)号：KR20180014205A
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR20187002533
申请日：2016-06-24
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/45578 , C23C16/45551
摘要： 제1 플레넘으로이어지는복수의유동경로들을갖는주입기유닛인서트를포함하는, 기판을프로세싱하기위한장치및 방법들이개시되며, 유동경로들각각은, 실질적으로동일한체류시간, 길이, 및/또는컨덕턴스중 하나또는그 초과를제공한다. 주입기유닛인서트들을포함하는주입기유닛들은유동균일성을증가시킨다.
摘要翻译：公开了一种用于处理基板的设备和方法，其包括具有通向第一充气室的多个流动路径的喷射器单元插入件，每个流动路径具有基本上相同的停留时间，长度和/或电导一个或多个。注射器单元（包括注射器单元插入件）可增加流量均匀性。

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