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1. 发明授权

KR101879896B1 탄소 스파크 증발 有权
公开(公告)号：KR101879896B1
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：KR1020137026795
申请日：2012-03-26
申请人： 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘
发明人： 람,위르겐 , 위드리그,베노 , 루흠,쿠르트
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/32064 , H05B7/148 , H05B7/20 , H05H2001/4682
摘要： 본발명은펄스식불연속스파크방전을작동하기위한작동방법에관한것이다. 스파크는커패시터에의해공급된다. 펄스사이에는차단시간간격이주어지고, 상기시간간격동안스파크전류가흐르지않는다. 펄스내에서, 즉접속시간간격동안차지(charge) 공급은전류임계값에도달시 중단되고다시시작되므로, 펄스내에서브펄스가생성된다. 시간간격과서브펄스는본 발명에따라, 커패시터의재접속시 스파크방전이즉시재점화하도록선택된다.

2. 发明公开

KR20180052772A 근사화된 톱니파 펄싱을 갖는 RF 전력 전달 审中-公开
公开(公告)号：KR20180052772A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR20187012778
申请日：2016-07-19
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： KAWASAKI KATSUMASA , SHOJI SERGIO FUKUDA , PHI JUSTIN , SHIMIZU DAISUKE
IPC分类号： H01J37/32 , H03K4/08 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01L21/3065 , H05H2001/4682 , H05K999/99
摘要： 다-레벨펄싱 RF 전력을사용하는플라즈마강화기판프로세싱시스템을동작시키기위한방법들이본원에서제공된다. 일부실시예들에서, 다-레벨펄싱 RF 전력을사용하는플라즈마강화기판프로세싱시스템을동작시키는방법은, 프로세스챔버에제1 다-레벨 RF 전력파형을제공하는단계― 상기제1 다-레벨 RF 전력파형은, 적어도, 제1 펄스지속기간동안의제1 전력레벨, 제2 펄스지속기간동안의제2 전력레벨, 및제3 펄스지속기간동안의제3 전력레벨을가짐―, 및제1 지연기간후에, 프로세스챔버에제2 다-레벨 RF 전력파형을제공하는단계를포함하며, 제2 다-레벨 RF 전력파형은, 적어도, 제1 펄스지속기간동안의제1 전력레벨, 제2 펄스지속기간동안의제2 전력레벨, 및제3 펄스지속기간동안의제3 전력레벨을갖는다.

3. 发明授权

KR101849404B1 조정가능한 아크 전극 조립체 및 그 조립 방법 有权
标题翻译：可调节的弧电极组件及其组装方法
公开(公告)号：KR101849404B1
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR1020110092830
申请日：2011-09-15
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 카지아노로버트조셉 , 로바지딘아써
IPC分类号： H01H33/08 , H01H33/02 , H05H1/48
CPC分类号： H01T1/00 , H01T21/00 , H01T21/06 , H05H1/46 , H05H1/52 , H05H2001/4682 , Y10T29/49169
摘要： 적어도하나의전도체를포함하는회로와함께사용하기위한회로보호장치(100)는적어도하나의전도체에전기적으로커플링되고, 조정가능한전극조립체(256)를포함하는적어도하나의위상전극조립체(300)를포함한다. 또한, 상기회로보호장치(100)는상기조정가능한전극조립체(256)를내부에고정할수 있는크기를가지는적어도하나의격리영역(220)을포함하는전도체베이스(204), 그리고상기전도체베이스(204)에커플링되고적어도하나의격리채널(262)을포함하는전도체커버(228)를포함하며, 상기조정가능한전극조립체(256)는상기적어도하나의격리영역(220)을통해서적어도부분적으로연장한다.

4. 发明授权

KR101841409B1 고주파 전원 장치, 및 듀얼 캐소드용 전원 有权
公开(公告)号：KR101841409B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020177021907
申请日：2015-02-20
申请人： 가부시끼가이샤교산세이사꾸쇼
发明人： 유즈리하라이츠오 , 고다마신이치 , 아다치도시유키
IPC分类号： H01J37/32 , H02M5/08
CPC分类号： H05H1/46 , C23C14/34 , H01J37/32174 , H01J37/3438 , H01J37/3444 , H01L21/203 , H01L21/31 , H02M5/08 , H02M5/42 , H02M7/12 , H05H2001/4682
摘要： 서로역상인교류전압을출력하는고주파전원장치에있어서, 고주파출력회로의출력을두 개로분압하는구성에서는, 고전압과저전압의다른전압치를필요에대응한전환을할 수없고, 출력단의전압이고주파출력회로의출력전압의 1/2의파고치로저하된다. 고주파전원장치에있어서, 분압회로로분압한고주파전압을접지전위에대해서로역상인교류전압으로분압하는분압회로의접속상태를전환하여두 개의출력단전압의전압비율을변경함으로써, 고전압과저전압을전환하여출력한다. 분압회로에있어서의접속상태의변경에의해, 고전압과저전압의다른전압치를선택적으로출력하는것을가능하게하고, 고주파전원장치의출력단에있어서, 고전압출력시에고전압을선택하여출력함으로써고주파출력회로의출력전압으로부터의저하를억제한다.

5. 发明授权

KR101810343B1 전원장치 有权
标题翻译：电源
公开(公告)号：KR101810343B1
公开(公告)日：2017-12-18
申请号：KR1020167006910
申请日：2013-10-04
申请人： 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
发明人： 다바타요이치로 , 오키하라유지로 , 나카무라노리유키 , 니시무라신이치
IPC分类号： H02M7/48 , C01B13/11 , H02M1/00 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/24 , C01B13/11 , H02M7/48 , H02M2001/0009 , H02M2007/4815 , H05H2001/4682 , Y02B70/1441 , Y02P20/121
摘要： 본발명은, 플라즈마발생장치및 전원장치를포함하는시스템에서투입전력량을일정하게관리하고당해투입전력량을플라즈마발생장치에대해안정하게공급할수 있는전원장치를제공한다. 본발명에관한전원장치(10)는다음의동작을행하는제어부(6)를갖고있다. 당해제어부(6)는외부에서의입력에응하여, 목표직류전력량치를결정한다. 그리고당해제어부(6)는인버터(3)에입력되는직류전력량이목표직류전력량치가되도록피드백제어한다.
摘要翻译：本发明提供了一种电源装置，其能够恒定地控制包括等离子体生成装置和电源装置的系统中的输入电力量，并且稳定地向等离子体生成装置供应所施加的电力的量。根据本发明的供电设备（10）具有用于执行下一个操作的控制部分（6）。控制单元6响应于外部输入来确定目标DC电量值。控制部6进行反馈控制，以使输入到逆变器3的直流电力成为目标直流电力量。

6. 发明公开

KR1020160140333A 고주파 전력 시스템 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：高频电源系统和等离子体处理设备
公开(公告)号：KR1020160140333A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020157024447
申请日：2014-03-31
申请人： 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
发明人： 하야미,토시히로
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32908 , H05H2001/4682
摘要： 고주파전력을공급하는기기의교환작업이용이하며, 조립재현성이좋고, 고주파전력을공급하는시스템전체의에너지효율이높은고주파전력시스템등을제공한다. 고주파전력시스템은고주파전력을소비하는부하부(5, 6)와, 부하부(5, 6)에고주파전력을공급하는고주파전원(12, 22)과, 부하부(5, 6)와고주파전원(12, 22) 사이에접속되고, 고주파전원(12, 22)에대한부하측의임피던스를고주파전원(12, 22)의임피던스에정합시키는정합기(14, 24)를구비한다. 부하부(5, 6), 고주파전원(12, 22) 및정합기(14, 24)는접지된전자차폐부재(18, 28)에의해폐쇄된공간내에각각배치된다.
摘要翻译：本发明提供了一种高频电力系统等，其中提供高频电力的装置易于替代，组装高度可重现，并且高频供电系统的整体能量效率是高。该高频电力系统具有消耗向所述负载单元（5,6）提供高频电力的高频电力高频电源（12,22）的负载单元（5,6），以及匹配器（14,24），其连接在负载单元（5,6）和高频电源（12,22）之间，并将高频电源（12,22）的负载阻抗与阻抗匹配的高频电源（12,22）。负载单元（5,6），高频电源（12,22）和匹配器（14,24）分别设置在由接地电磁屏蔽构件（18,28）封闭的空间内，。

7. 发明公开

KR1020160081893A 전원장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020160081893A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020167006910
申请日：2013-10-04
申请人： 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
发明人： 다바타요이치로 , 오키하라유지로 , 나카무라노리유키 , 니시무라신이치
IPC分类号： H02M7/48 , C01B13/11 , H02M1/00 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/24 , C01B13/11 , H02M7/48 , H02M2001/0009 , H02M2007/4815 , H05H2001/4682 , Y02B70/1441 , Y02P20/121
摘要： 본발명은, 플라즈마발생장치및 전원장치를포함하는시스템에서투입전력량을일정하게관리하고당해투입전력량을플라즈마발생장치에대해안정하게공급할수 있는전원장치를제공한다. 본발명에관한전원장치(10)는다음의동작을행하는제어부(6)를갖고있다. 당해제어부(6)는외부에서의입력에응하여, 목표직류전력량치를결정한다. 그리고당해제어부(6)는인버터(3)에입력되는직류전력량이목표직류전력량치가되도록피드백제어한다.

8. 发明公开

KR1020160047538A 성막 장치 및 성막 방법 无效
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR1020160047538A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020167007832
申请日：2014-03-13
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 핫토리노조무 , 미야타케나오마사 , 모리야스나리 , 나카시마요시하루
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02 , H01L21/28 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/50 , C23C16/5096 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H05H2001/4682 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/28194 , H05H1/46
摘要： 원료가스와반응가스를사용하여원자층단위로막을형성하는때에, 기판이배치된성막공간에원료가스를공급하여상기기판에흡착시킨다. 또한, 상기성막공간에반응가스를공급한다. 상기성막공간에서, 상기성막공간에공급된상기반응가스를사용하여플라즈마원의전극판에서플라즈마를생성하고, 상기기판에흡착한원료가스의성분의일부와상기반응가스를반응시킨다. 이때, 상기플라즈마의생성계속시간이, 0.5m초~100m초의범위내이고, 형성하려는막의특성의고저의정도에따라설정된시간이며, 또한상기플라즈마원에투입하는전력의전력밀도가 0.05W/cm~10W/cm의범위내이다.

9. 发明公开

KR1020160046748A RF 송신 경로의 선택된 부분들에 대한 RF 송신 모델들의 정확도를 개선하기 위한 시스템, 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于提高射频发射路径选择部分射频发射模型精度的系统，方法和装置
公开(公告)号：KR1020160046748A
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020150148678
申请日：2015-10-20
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 발코어주니어존씨. , 포볼리헨리
IPC分类号： H01J37/32 , G06F17/50 , G05B13/04
CPC分类号： G06F17/5009 , G06F17/5036 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32926 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： RF 송신시스템을위한 RF 송신라인모델을결정하기위한시스템들및 방법들은 RF 송신시스템을특징으로하는기준 RF 송신라인모델을생성하는것을포함한다. 플라즈마 RF 전압, RF 전류, RF 전력및/또는대응하는 RF 유도된 DC 바이어스전압은기준 RF 송신라인모델로부터계산된다. 정전척, 플라즈마및 RF 귀환경로를포함하는말단모듈이하나이상의수정된 RF 송신라인모델들을생성하도록기준 RF 송신라인모델에부가된다. 수정된플라즈마 RF 전압, 수정된플라즈마 RF 전류, 수정된플라즈마 RF 전력및/또는대응하는수정된 RF 유도된 DC 바이어스전압은수정된기준 RF 송신라인모델들각각으로부터계산된다. 수정된 RF 송신라인모델들은완성된 RF 송신라인모델로서최상으로피팅하는 (fitting) 수정된 RF 송신라인모델을식별하도록점수가매겨진다 (scored).
摘要翻译：公开了一种用于提高RF传输路径的选定部分的RF传输模型的精度的系统，方法和装置。用于确定用于RF传输系统的RF传输线模型的系统和方法包括生成表征RF传输系统的基线RF传输线模型。从基线RF传输线模型计算等离子体RF电压，RF电流，RF功率和/或相应的RF感应DC偏置电压。包括静电卡盘，等离子体和RF返回路径的终端模块被添加到基线RF传输线模型以创建一个或多个修改的RF传输线模型。从每个经修改的基准RF传输线模型计算修正的等离子体RF电压，修正的等离子体RF电流，修正的等离子体RF功率和/或相应修正的RF感应DC偏置电压。对经修订的RF传输线模型进行评分，以将最佳拟合的RF传输线模型确定为完整的RF传输线模型。

10. 发明授权

KR101556874B1 고주파 전력 공급 장치, 및 이그니션 전압 선정 방법 有权
标题翻译：高频电源装置和点火电压选择方法
公开(公告)号：KR101556874B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020147033882
申请日：2013-06-03
申请人： 가부시끼가이샤교산세이사꾸쇼
发明人： 유즈리하라이쓰오 , 아이카와사토시 , 구니타마히로시
IPC分类号： H05H1/46 , H02M7/48
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H02M7/5387 , H02M7/53871 , H05H2001/4682
摘要： 부하단전압을고전압으로하고, 플라즈마부하의부하단전압을플라즈마방전을일으키게하기에충분히높은이그니션전압을선정한다. 고주파전원으로부터급전부를통하여행하는, 부하에의고주파전력의공급에있어서, (a) 고주파전원의내부임피던스를급전부의특성임피던스보다낮은저임피던스로하고, (b) 고주파전원과부하를접속하여고주파전력을급전하는급전부의전기적길이(L)을, 고주파교류의기본파장λ에대해서소정의관계로선정함에의해, 부하단전압을고전압으로한다. 급전부의전기적길이(L)의선정은, 부하의입력단인부하단이개방상태에있을때의전기적길이(L)을고주파교류의기본파장λ에대해서 (2n - 1)·(λ/4) - k·λ≤ L≤ (2n - 1)·(λ/4) + k·λ (n은정수(整數), k는{π - 2·cos(1/K)}/(4π))로한다.

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