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    • 3. 发明申请
    • COMPOSITIONS CONTAINING TIN NANOPARTICLES AND METHODS FOR USE THEREOF
    • 含纳米纳米粒子的组合物及其使用方法
    • WO2011109660A2
    • 2011-09-09
    • PCT/US2011027089
    • 2011-03-03
    • LOCKHEED CORPZINN ALFRED A
    • ZINN ALFRED A
    • H01B1/02
    • H01B1/22B22F1/0018B22F1/0062B22F9/24B23K35/262C01P2004/62C01P2004/64C22F1/16H05K1/092Y10S977/773Y10S977/777
    • Compositions containing tin nanoparticles and electrically conductive particles are described herein. The tin nanoparticles can have a size below about 25 nm so as to make the compositions fusable at temperatures below that of bulk tin (m.p. = 232°C). Particularly, when the tin nanoparticles are less than about 10 nm in size, the compositions can have a fusion temperature of less than about 200°C. The compositions can contain a whisker suppressant to inhibit or substantially minimize the formation of tin whiskers after tin nanoparticle fusion. In some embodiments, the compositions contain tin nanoparticles, electrically conductive particles comprising copper particles, and a whisker suppressant comprising nickel particles. Methods for using the present compositions are also described herein. The present compositions can be used as a lead solder replacement that allows rework to be performed.
    • 本文描述了含有锡纳米颗粒和导电颗粒的组合物。 锡纳米颗粒可以具有低于约25nm的尺寸,以使组合物在低于体积锡的温度下熔化(m.p. = 232℃)。 特别地,当锡纳米颗粒尺寸小于约10nm时,组合物可以具有小于约200℃的熔化温度。 组合物可以含有晶须抑制剂,以在锡纳米颗粒熔融后抑制或基本上最小化锡晶须的形成。 在一些实施方案中,组合物含有锡纳米颗粒,包含铜颗粒的导电颗粒和包含镍颗粒的晶须抑制剂。 本文还描述了使用本发明组合物的方法。 本发明的组合物可以用作允许返工进行的铅焊料替代物。
    • 6. 发明申请
    • 規則的に配列したナノ粒子状シリカ、及びその製造方法
    • 常规安置的纳米二氧化硅及其制备方法
    • WO2006095845A1
    • 2006-09-14
    • PCT/JP2006/304696
    • 2006-03-10
    • 独立行政法人科学技術振興機構辰巳 敬横井 俊之
    • 辰巳 敬横井 俊之
    • C01B33/18C01B37/00
    • C01B37/02C01B33/18Y10S977/775Y10S977/777Y10S977/832Y10T428/2982
    •  本発明は、超微粒子でメソポアを有し、規則的な構造を有する新規なシリカ、その製造方法を提供する。  本発明は、平均粒子径が4~30nm、好ましくは6~20nmで、これらの粒子が単純立方格子を形成するように規則的に配列していることを特徴とする自己組織化ナノ粒子状シリカ、及びその製造方法に関する。本発明の自己組織化ナノ粒子状シリカは、アルコキシシランと塩基性アミノ酸の水溶液を混合し、この混合液を40~100°Cで反応させた後、これを乾燥させる、好ましくは乾燥した後にさらに焼成することにより製造される。  また、本発明は、アルコキシ基を1-4個有するアルコキシシラン化合物の溶液と塩基性アミノ酸溶液を混合して、20~100°Cの反応温度で加水分解、重縮合させることからなる、粒子径が4~30nmのシリカ微粒子の製造方法に関する。
    • 一种新型二氧化硅,其为具有中孔的超细颗粒形式,具有规则结构; 以及二氧化硅的制造方法。 二氧化硅是自组织的纳米颗粒二氧化硅,其特征在于平均粒径为4-30nm,优选为6-20nm,并且这些颗粒被规则排列以形成原始立方晶格。 自组织的纳米颗粒二氧化硅通过将烷氧基硅烷与碱性氨基酸的水溶液混合,使混合物在40-100℃下反应,并使反应混合物干燥并优选随后燃烧而制备。 还提供了一种生产粒径为4-30nm的二氧化硅微粒的方法,该方法包括将具有1-4个烷氧基的烷氧基硅烷化合物的溶液与碱性氨基酸的溶液混合, 100℃引起水解和缩聚。
    • 9. 发明申请
    • FERROELECTRIC COMPOSITION, FERROELECTRIC VAPOR DEPOSITION TARGET AND METHOD OF MAKING A FERROELECTRIC VAPOR DEPOSITION TARGET
    • 微电解组合物,电解蒸发沉积目标和制备电解蒸发沉积目标的方法
    • WO01044535A1
    • 2001-06-21
    • PCT/US2000/033801
    • 2000-12-14
    • C04B35/462C23C14/08C23C14/34
    • C23C14/3414C04B35/462C23C14/08Y10S977/775Y10S977/777Y10S977/838Y10S977/891
    • The invention comprises ferroelectric vapor deposition targets and to methods of making ferroelectric vapor deposition targets. In one implementation, a ferroelectric physical vapor deposition target has a predominate grain size of less than or equal to 1.0 micron, and has a density of at least 95% of maximum theoretical density. In one implementation, a method of making a ferroelectric physical vapor deposition target includes positioning a prereacted ferroelectric powder within a hot press cavity. The prereacted ferroelectric powder predominately includes individual prereacted ferroelectric particles having a maximum straight linear dimension of less than or equal to about 100 nanometers. The prereacted ferroelectric powder is hot pressed within the cavity into a physical vapor deposition target of desired shape having a density of at least about 95% of maximum theoretical density and a predominate maximum grain size which is less than or equal to 1.0 micron. In one implementation, the prereacted ferroelectric powder is hot pressed within the cavity into a physical vapor deposition target of desired shape at a maximum pressing temperature which is at least 200 DEG C lower than would be required to produce a target of a first density of at least 85% of maximum theoretical density in hot pressing the same powder but having a predominate particle size maximum straight linear dimension of at least 1.0 micron at the same pressure and for the same amount of time, and a target density greater than the first density at the lower pressing temperature is achieved.
    • 本发明包括铁电气相沉积靶和制备铁电沉积靶的方法。 在一个实施方案中,铁电物理气相沉积靶具有小于或等于1.0微米的主要晶粒尺寸,并且具有至少95%的最大理论密度的密度。 在一个实施方案中,制造铁电物理气相沉积靶的方法包括将预反应的铁电粉末定位在热压腔内。 预反应的铁电粉末主要包括具有小于或等于约100纳米的最大直线尺寸的单个预反应的铁电颗粒。 将预反应的铁电粉末在空腔内热压成所需形状的物理气相沉积靶,其具有至少约95%的最大理论密度和最大粒度小于或等于1.0微米的最大粒度。 在一个实施方案中,将预反应的铁电粉末在空腔内热压成所需形状的物理气相沉积靶,其最大压制温度比产生第一密度的第一密度的靶要低至少200℃ 在相同的压力和相同的时间量下热压相同的粉末但具有至少1.0微米的主要粒径最大直线尺寸的最大理论密度的至少85%,并且目标密度大于 实现较低的压制温度。