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1. 发明申请

WO2015170698A1 紫外光用固体受光デバイス审中-公开
标题翻译：用于超紫外光的固态光接收装置
公开(公告)号：WO2015170698A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：PCT/JP2015/063180
申请日：2015-05-07
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：須川　成利 , 黒田　理人
IPC分类号： H01L31/103 , H01L27/144 , G01J1/02
CPC分类号： H01L27/1443 , G01J1/02 , G01J1/429 , G01J1/44 , H01L27/144 , H01L31/035272 , H01L31/103 , H02S40/44
摘要：【課題】簡単な構造で人体に有害な紫外光の照射量を精度よく適正に測定でき、周辺回路のセンサとの一体作り込みも容易にでき、小型・軽量で低コストであり携帯（mobile）若しくは着用(wearable)に適した紫外光用固体受光デバイスを提供する。【解決手段】解決手段の一つは、第１のフォトダイオード（１）と第２のフォトダイオード（２）、これらのフォトダイオードからの出力に基づく信号のそれぞれが入力される差動回路とを備え、上記フォトダイオード（１）、（２）内、及び各フォトダイオード上に設けた半導体層領域に、半導体不純物の最大濃度位置をそれぞれ設け、各フォトダイードの受光面上に波長選択性の異なる光透過層が設けてある。
摘要翻译：本发明提供一种紫外线固态光接收装置，其能够使用简单的结构，适当且准确地测量对人体有害的紫外线的照射量，其可以容易地与外围电路，体积小，重量轻，成本低，适用于移动或可穿戴的目的。 [解决方案]一种解决方案是用于紫外光的固态光接收装置，其具有第一光电二极管（1），第二光电二极管（2）以及基于这些光电二极管的输出接收各信号的差分电路，其中在每个光电二极管（1,2）和形成在每个光电二极管上的半导体层区域中设置半导体杂质的最大浓度的位置，并且具有不同波长选择性的透光层设置在发光二极管每个光电二极管的接收表面。

2. 发明申请

WO2015088782A1 SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING SELF-ALIGNED IMPLANT AND CAP 审中-公开
标题翻译：太阳能电池发射极区域使用自对准的植入物和盖
公开(公告)号：WO2015088782A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/US2014/067497
申请日：2014-11-25
申请人： SUNPOWER CORPORATION
发明人： WEIDMAN, Timothy
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/182 , H01L31/1876 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Methods of fabricating solar cell emitter regions using self-aligned implant and cap, and the resulting solar cells, are described. In an example, a method of fabricating an emitter region of a solar cell involves forming a silicon layer above a substrate. The method also involves implanting, through a stencil mask, dopant impurity atoms in the silicon layer to form implanted regions of the silicon layer with adjacent non-implanted regions. The method also involves forming, through the stencil mask, a capping layer on and substantially in alignment with the implanted regions of the silicon layer. The method also involves removing the non-implanted regions of the silicon layer, wherein the capping layer protects the implanted regions of the silicon layer during the removing. The method also involves annealing the implanted regions of the silicon layer to form doped polycrystalline silicon emitter regions.
摘要翻译：描述了使用自对准植入物和盖子制造太阳能电池发射极区域的方法，以及所得到的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的发射极区域的方法包括在衬底上形成硅层。该方法还涉及通过模板掩模注入硅层中的掺杂剂杂质原子以形成具有相邻非注入区域的硅层的注入区域。该方法还涉及通过模板掩模形成在硅层的注入区域上并基本上与硅层的注入区域基本上对准的覆盖层。该方法还涉及去除硅层的非注入区域，其中封盖层在去除期间保护硅层的注入区域。该方法还包括退火硅层的注入区域以形成掺杂的多晶硅发射极区域。

3. 发明申请

WO2015068341A1 太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：WO2015068341A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/JP2014/005294
申请日：2014-10-20
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：廣瀬　浩一 , 松原　義宏 , 川本　訓裕
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/02363 , H01L31/035272 , H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：　太陽電池１０は、一導電型としてｎ型の導電型を有する結晶基板１１と、結晶基板１１の一主面としての受光面上に形成されるｎ型半導体層１２と、結晶基板１１の一主面としての裏面上に形成されるｐ型半導体層１３と、を有し、ｎ型半導体層１２とｐ型半導体層１３は、結晶基板１１の主面と交差する側面の一部を覆い、側面におけるｎ型半導体層の法線方向の厚さは受光面上のｎ型半導体層１２の法線方向の厚さよりも薄く、側面におけるｐ型半導体層１３の法線方向の厚さは裏面上のｐ型半導体層１３の法線方向の厚さよりも薄い。
摘要翻译：太阳能电池（10）具有：具有n型导电型的晶体基板（11）作为一种导电型; 形成在所述晶体基板（11）的一个主面的受光面上的n型半导体层（12）。以及形成在所述晶体基板（11）的背面即一个主面的p型半导体层（13）。 n型半导体层（12）和p型半导体层（13）覆盖与晶体基板（11）的主表面相交的一侧的一部分，在该侧面上的n型半导体层的厚度表面，所述厚度在n型半导体层的法线方向上小于所述光接收表面上的n型半导体层（12）的厚度，所述厚度在所述n型半导体层的法线方向上型半导体层，并且在p型半导体层的所述厚度在p型半导体层的法线方向上的侧表面上的p型半导体层（13）的厚度小于p型半导体层的厚度层（13），所述厚度在p型半导体层的法线方向上。

4. 发明申请

WO2014051646A1 SPACER FORMATION IN A SOLAR CELL USING OXYGEN ION IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：在使用氧离子植入的太阳能电池中形成空间
公开(公告)号：WO2014051646A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/US2012/070587
申请日：2012-12-19
申请人： SUNPOWER CORPORATION
发明人： RIM, Seung , SMITH, David, D
IPC分类号： H01L31/00 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A solar cell is disclosed (200). The solar cell (200) has a front side (202) facing the sun during normal operation, and a back side (204) facing away from the sun. The solar cell comprises a silicon substrate (210), a first polysilicon layer with a region (227) of doped polysilicon on the back side of the substrate (210). The solar cell also comprises a second polysilicon layer with a second region (229) of doped polysilicon on the back side of the silicon substrate (210). The second polysilicon layer at least partially covers the region of doped polysilicon. The solar cell (200) also comprises a resistive region (224) disposed in the first polysilicon layer. The resistive region (224) extends from an edge of the second region (229) of doped polysilicon. The resistive region (224) can be formed by ion implantation of oxygen into the first polysilicon layer.
摘要翻译：公开了一种太阳能电池（200）。太阳能电池（200）在正常操作期间具有面向太阳的前侧（202）和背离太阳的背面（204）。太阳能电池包括硅衬底（210），在衬底（210）的背面上具有掺杂多晶硅区域（227）的第一多晶硅层。太阳能电池还包括在硅衬底（210）的背面上具有掺杂多晶硅的第二区域（229）的第二多晶硅层。第二多晶硅层至少部分地覆盖掺杂多晶硅的区域。太阳能电池（200）还包括设置在第一多晶硅层中的电阻区域（224）。电阻区域（224）从掺杂多晶硅的第二区域（229）的边缘延伸。电阻区域（224）可以通过将氧离子注入到第一多晶硅层中而形成。

5. 发明申请

WO2014045021A1 OPTOELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：WO2014045021A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/GB2013/052425
申请日：2013-09-17
申请人： ISIS INNOVATION LIMITED
发明人： SNAITH, Henry, James , CROSSLAND, Edward, James, William , HEY, Andrew , BALL, James , LEE, Michael , DOCAMPO, Pablo
IPC分类号： H01L51/42 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/036 , C23C14/06 , H01L31/022466 , H01L31/035272 , H01L31/0725 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , H01L51/0026 , H01L51/0032 , H01L51/0037 , H01L51/422 , H01L51/4226 , Y02E10/549
摘要： The invention provides an optoelectronic device comprising a photoactive region, which photoactive region comprises: an n-type region comprising at least one n-type layer; a p- type region comprising at least one p-type layer; and, disposed between the n-type region and the p-type region: a layer of a perovskite semiconductor without open porosity. The perovskite semiconductor is generally light-absorbing. In some embodiments, disposed between the n-type region and the p-type region is: (i) a first layer which comprises a scaffold material, which is typically porous, and a perovskite semiconductor, which is typically disposed in pores of the scaffold material; and (ii) a capping layer disposed on said first layer, which capping layer is said layer of a perovskite semiconductor without open porosity, wherein the perovskite semiconductor in the capping layer is in contact with the perovskite semiconductor in the first layer. The layer of the perovskite semiconductor without open porosity (which may be said capping layer) typically forms a planar heterojunction with the n-type region or the p-type region. The invention also provides processes for producing such optoelectronic devices which typically involve solution deposition or vapour deposition of the perovskite. In one embodiment, the process is a low temperature process; for instance, the entire process may be performed at a temperature or temperatures not exceeding 150 °C.
摘要翻译：本发明提供了包含光活性区的光电器件，该光活性区包括：包含至少一个n型层的n型区; 包括至少一个p型层的p-型区域; 并且设置在n型区域和p型区域之间：没有开孔率的钙钛矿半导体层。钙钛矿半导体通常是光吸收的。在一些实施方案中，设置在n型区域和p型区域之间是：（i）包含通常是多孔的支架材料的第一层和通常设置在支架孔中的钙钛矿半导体材料; 和（ii）设置在所述第一层上的覆盖层，所述覆盖层是没有开放孔隙率的所述钙钛矿半导体层，其中所述覆盖层中的钙钛矿半导体与所述第一层中的钙钛矿半导体接触。没有开放孔隙率的钙钛矿半导体层（其可以是所述覆盖层）通常与n型区域或p型区域形成平面异质结。本发明还提供了用于生产通常涉及钙钛矿的溶液沉积或气相沉积的这种光电器件的方法。在一个实施方案中，该方法是低温过程; 例如，整个过程可以在不超过150℃的温度或温度下进行。

6. 发明申请

WO2013150418A2 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH WAVY MONOLITHIC INTERCONNECTS 审中-公开
标题翻译：具有波形单片互连的薄膜光电器件
公开(公告)号：WO2013150418A2
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/IB2013052441
申请日：2013-03-27
申请人： FLISOM AG
发明人： PFEIFFER RETO , ZILTENER ROGER , NETTER THOMAS
IPC分类号： H01L27/142
CPC分类号： H01L31/0516 , G06F17/5077 , H01L31/0201 , H01L31/022433 , H01L31/035272 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/0508 , Y02E10/50
摘要： A thin-film optoelectronic module device (100) and design method comprising at least three monolithically-interconnected cells (104, 106, 108) where at least one monolithically- interconnecting line (250) depicts a spatial periodic or quasi-periodic wave and wherein the optoelectronic surface of said thin-film optoelectronic module device (100) presents at least one set of at least three zones (210, 220, 230) having curves of substantially parallel monolithic interconnect lines. Border zones (210, 230) have a lower front-contact sheet resistivity than th at of internal zone (220). Said curves of substantially parallel interconnecting lines may comprise peaks of triangular or rounded shape, additional spatial periods that are smaller than a baseline period, and mappings from one curve to the adjacent curve such as in the case of non-rectangular module devices (100). The device (100) and design method are advantageous to reduce costs and materials to manufacture thin-film optoelectronic module devices (100) while increasing production yield, reliability, aesthetic appearance, and range of applications.
摘要翻译：一种薄膜光电子模块装置（100）和包括至少三个单片互连的单元（104,106,108）的设计方法，其中至少一个单片互连线（250）描绘空间周期性或准周期波，并且其中所述薄膜光电子模块装置（100）的光电子表面呈现具有基本上平行的单片互连线的曲线的至少一组至少三个区域（210,220,230）。边界区域（210,230）的前接触片电阻率低于内部区域（220）的电阻率。基本上平行的互连线的所述曲线可以包括三角形或圆形形状的峰值，小于基线周期的附加空间周期以及从一个曲线到相邻曲线的映射，例如在非矩形模块装置（100）的情况下，。设备（100）和设计方法有利于降低制造薄膜光电子模块设备（100）的成本和材料，同时提高产量，可靠性，美学外观和应用范围。

7. 发明申请

WO2012150177A3 PHOTODETECTOR FOR ULTRAVIOLET RADIATION, HAVING A HIGH SENSITIVITY AND A LOW DARK CURRENT 审中-公开
标题翻译：光检测器具有高灵敏度紫外线辐射和低暗电流
公开(公告)号：WO2012150177A3
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/EP2012057665
申请日：2012-04-26
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV , KNIGGE ANDREA , WEYERS MARKUS , WUERFL HANS-JOACHIM
发明人： KNIGGE ANDREA , WEYERS MARKUS , WUERFL HANS-JOACHIM
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/022466 , H01L31/03048 , H01L31/035209 , H01L31/035281 , H01L31/102 , H01L31/1085 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： The aim of the invention is to specify a UV photodetector that has high sensitivity and a low dark current. According to the invention, the fingers (18) of the first electrode structure (14) and the fingers (24) of the second electrode structure (20) are formed by a cover layer (30) made of a second semiconducting material, wherein the cover layer (30) is arranged on the absorber layer (12) and directly contacts the absorber layer (12) in the region of the fingers (18, 24), and the first semiconducting material and the second semiconducting material are designed in such a way that a two-dimensional electron gas (2DEG) is formed at the boundary layer between the absorber layer (12) and the cover layer (30) in the region of the fingers (18, 24). The design of the fingers (18, 24) of the cover layer (30) can be achieved by the removal of the 2DEG in the region between the fingers by etching. Alternatively, electron mobility at the boundary layer between the cover layer (30) and the absorber layer (12) outside of the regions forming the fingers (18, 24) can be sufficiently reduced by ion implantation.
摘要翻译：本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二半导电材料。根据本发明的覆盖层（30）的所述第二电极结构（20）的指状物（24），所述吸收体层上的覆盖层（30）（12）布置并在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被构造成使得（在吸收器层（12）和顶层之间的边界层30 ）在手指（区域18,24）的二维电子气（2DEG）形成。所述覆盖层（30）的指状物（18，24）的形成可以发生在手指之间的区域中，通过蚀刻，通过去除2DEG。可替换地，电子迁移率可以是在形成覆盖层（30）和吸收层（12）之间的界面，通过离子注入充分降低部手指（18，24）的外侧。

8. 发明申请

WO2013045574A1 PHOTOVOLTAISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光伏半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045574A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/069124
申请日：2012-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein photovoltaischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von elektrischer Energie vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben. Der aktive Bereich (20) ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einem Trägerkörper (5) angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Trägerkörper (5) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet. Der Halbleiterkörper (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich vom Trägerkörper (5) durch die zweite Halbleiterschicht (22) hindurch erstreckt. Zumindest bereichsweise zwischen dem Trägerkörper (5) und dem Halbleiterkörper (2) ist eine erste Anschlussstruktur (31) angeordnet, die in der Ausnehmung (25) mit der ersten Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：它是包含具有与所提供的用于产生电能的有源区域（20）所表示的半导体层序列的半导体主体（2）的光电半导体芯片（1）。第一导电类型的第一半导体层（21）和从所述第二导电型不同的第一导电类型的第二半导体层（22）之间的有源区（20）形成。该半导体主体（2）被布置在载体上（5）。在第一半导体层（21）是在承载体（5）的面对从所述第二半导体层（22）远侧。该半导体主体（2）具有从承载体的至少一个凹部（25）（5）延伸穿过所述第二半导体层（22）穿过其中。至少在所述载体本体（5）和所述半导体主体之间的区域（2）是布置在所述凹部（25）的第一连接结构（31）与所述第一半导体层（21）被导电地连接。

9. 发明申请

WO2012165500A1 光電変換素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012165500A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/JP2012/063978
申请日：2012-05-30
申请人：京セラ株式会社 , 大前智史 , 黒須敬太
发明人：大前　智史 , 黒須　敬太
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/0322 , H01L31/036 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：　【課題】　光電変換効率が高い光電変換素子を安定して得るのが困難であった。　【解決手段】　少なくともＣｕを含むＩｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を有する光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層の一方の表面側に設けられた、該光吸収層とは面方位が異なる、少なくともＣｕを含むＩｂ族元素、Ｃｄ、ＺｎおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素ならびにVIｂ族元素を含む半導体層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層から接合界面を越えて前記半導体層へ向かってＣｕ組成が減少する領域を有する。
摘要翻译： [问题]难以稳定地获得光转换效率高的光电转换元件。在本发明中，光电转换器具有以下：含有能够进行光电转换的化合物半导体的光吸收层，并且包含至少包含Cu，Ibb族元素和VIb族元素的Ib族元素 ; 以及设置在所述光吸收层的一个表面侧并且具有与所述光吸收层的取向不同的取向的半导体层，其中所述半导体层包含至少包含Cu的基团Ib元素，至少一种选自 Cd，Zn和In以及VIb族元素。光电转换元件具有从吸光层通过接合界面朝向半导体层的Cu比降低的区域。

10. 发明申请

WO2010151324A1 IMAGE SENSORS HAVING FRONTSIDE AND BACKSIDE PHOTODETECTORS 审中-公开
标题翻译：具有FRONTSIDE和背光源的图像传感器
公开(公告)号：WO2010151324A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/US2010/001813
申请日：2010-06-24
申请人： EASTMAN KODAK COMPANY , MCCARTEN, John P. , TIVARUS, Christian Alexandru , SUMMA, Joseph R.
发明人： MCCARTEN, John P. , TIVARUS, Christian Alexandru , SUMMA, Joseph R.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14647 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/035272
摘要： A back-illuminated image sensor ( 306) includes a sensor layer (702) of a first conductivity type having a frontside (704) and a backside (706) opposite the frontside. One or more frontside regions (726, 728, 730) of a second conductivity type are formed in at least a portion of the frontside of the sensor layer. A backside region (740) of the second conductivity type is formed in the backside (706) of the sensor layer. A plurality of frontside photodetectors (718f, 72Of, 722f ) of the first conductivity type is disposed in the sensor layer. A distinct plurality of backside photodetectors (718b, 720b, 722b) of the first conductivity type separate from the plurality of frontside photodetectors are formed in the sensor layer contiguous to portions of the region of the second conductivity type. A voltage terminal (732) is disposed on the frontside of the sensor layer. One or more connecting regions (742, 744) of the second conductivity type are disposed in respective portions of the sensor layer between the voltage terminal and the backside region for electrically connecting the voltage terminal to the backside region.
摘要翻译：背照式图像传感器（306）包括具有前侧（704）的第一导电类型的传感器层（702）和与前侧相对的背面（706）。在传感器层的前侧的至少一部分中形成有第二导电类型的一个或多个前侧区域（726,728,730）。第二导电类型的背面区域（740）形成在传感器层的背面（706）中。第一导电类型的多个前端光电探测器（718f，720f，722f）设置在传感器层中。在与第二导电类型的区域的部分相邻的传感器层中形成与多个前端光电检测器分离的第一导电类型的不同的多个背面光电检测器（718b，720b，722b）。电压端子（732）设置在传感器层的前侧。第二导电类型的一个或多个连接区域（742,744）设置在电压端子和背面区域之间的传感器层的相应部分中，用于将电压端子电连接到背面区域。

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