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1. 发明申请

WO2020059053A1 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム审中-公开
公开(公告)号：WO2020059053A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：PCT/JP2018/034689
申请日：2018-09-19
申请人：株式会社東芝 , 東芝エネルギーシステムズ株式会社
发明人：山本　和重 , 芝崎　聡一郎 , 山崎　六月 , 中川　直之 , 吉尾　紗良
IPC分类号： H01L31/06
摘要：実施形態は、変換効率が優れた太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システムを提供する。実施形態の太陽電池は、ｐ電極と、ｐ電極と直接的に接したｐ型光吸収層と、ｎ型層と、ｎ電極と、を有する。ｐ型光吸収層とｎ電極との間にｎ型層が配置される。ｐ型吸収層とｐ電極の界面からｎ型層方向に１０ｎｍから１００ｎｍまでの領域はｐ型ドーパントを含むｐ＋型領域を含む。

2. 发明申请

WO2019184576A1 一种太阳能电池审中-公开
公开(公告)号：WO2019184576A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：PCT/CN2019/073059
申请日：2019-01-25
申请人：赵博阳
发明人：赵博阳
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/06
摘要：一种太阳能电池，包括：半导体层（11、111、112）；设置在半导体层上的吸收层（12、121、122）；设置在吸收层背离半导体层一侧的导电层（13）；其中，吸收层为具有光电导性质和与半导体层的正反向势垒均≥1伏特的光子吸收层。该太阳能电池抛弃了太阳能电池传统的PN结结构，极大程度的提高了太阳能电池的开路电压和发电效率。

3. 发明申请

WO2019017522A1 페로브스카이트 태양전지 및 이를 포함하는 탬덤 태양전지 审中-公开
公开(公告)号：WO2019017522A1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：PCT/KR2017/009823
申请日：2017-09-07
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 안세원 , 김성탁 , 이유진 , 정진원
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/0224 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/032 , H01L31/0236
摘要： 본 발명은 페로브스카이트 태양전지 및 이를 포함하는 탠텀 태양전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 신뢰성과 대면적 균일도를 확보할 수 있는 페로브스카이트 태양전지 및 탠덤 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 정공전달층 및 전자전달층으로 각각 p 타입 Si 박막층과 n 타입 Si 박막층을 적용함으로써, 신뢰성과 밴드갭 제어가 용이한 페로브스카이트 태양전지 및 이를 포함하는 탠덤 태양전지를 제공함으로써, 수명과 광변환효율을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

4. 发明申请

WO2019005752A1 WIRE INTERCONNECTION FOR SOLAR CELLS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019005752A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/US2018/039437
申请日：2018-06-26
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： SACHS, Emanuel , BUONASSISI, Tonio , MEYER, Luke, Thomas
IPC分类号： H01L31/00 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/05 , H01L31/06 , H01L31/07
摘要： Embodiments related to solar modules and their manufacture are disclosed. In one embodiment, a solar module may include first and second solar cells with first and second interconnection wires disposed on upper and lower surfaces of one and/or both of the solar cells, and a cross-connect wire disposed between the solar cells and electrically connected to the first and second interconnection wires. A portion of each of the first and second interconnection wires may be removed to electrically isolate the upper surfaces from the lower surfaces of each solar cell while retaining an electrical connection between the upper surface of one cell with the lower surface of the adjoining solar cell through the cross-connect wire. In some embodiments, the first and second interconnection wires may be arranged as a plurality of offset wires located on opposing sides of the solar cells which may reduce stresses applied to the solar cells.

5. 发明申请

WO2018068102A1 A PHOTOVOLTAIC CELL AND A METHOD OF FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL 审中-公开
标题翻译：光伏电池和形成光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2018068102A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：PCT/AU2017/051115
申请日：2017-10-13
申请人： NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人： UDDIN, Ashraf , ELUMALAI, Naveen Kumar
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/032 , H01L31/06 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/043 , H01L31/078 , H01L51/4213 , Y02E10/549
摘要： The present disclosure is directed to a photovoltaic device comprising: a photon receiving surface; a first photon absorbing layer comprising a material that has a perovskite structure and having a first bandgap; and a second photon absorbing layer comprising an inorganic material that has a chalcogenide structure and having a second bandgap; the first photon absorbing layer being positioned at least partially between the photon receiving surface and the second photon absorbing layer. The second photon absorbing layer is arranged to provide encapsulation for at least a portion of the first photon absorbing layer and the photovoltaic device is arranged such that received photons are absorbed by at least one ofthe first and the second photon absorbing layers. In embodiments the perovskite structure is methylammonium lead bromide (CH 3 NH 3 PbBr 3 ) and the chalcogenide structure is antimony selenide (Sb 2 Se 3 ).
摘要翻译：本公开涉及一种光伏装置，其包括：光子接收表面; 第一光子吸收层，其包含具有钙钛矿结构并具有第一带隙的材料; 以及第二光子吸收层，其包含具有硫属化物结构并具有第二带隙的无机材料; 第一光子吸收层至少部分地位于光子接收表面和第二光子吸收层之间。第二光子吸收层被布置成为第一光子吸收层的至少一部分提供封装，并且光伏器件被布置为使得接收到的光子被第一和第二光子吸收层中的至少一个吸收。在实施方案中，钙钛矿结构是溴化甲基铵溴化物（CH 3 = NH 3 PbBr 3），硫属化物结构是硒化锑（Sb _{3 2 硒<子> 3 ）。}

6. 发明申请

WO2017219082A1 A COPPER-BASED CHALCOGENIDE PHOTOVOLTAIC DEVICE AND A METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：一种基于铜的硫化锌光伏器件及其制备方法
公开(公告)号：WO2017219082A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/AU2017/050630
申请日：2017-06-21
申请人： NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人： HAO, Xiaojing , LIU, Fangyang , HUANG, Jialiang , YAN, Chang , SUN, Kaiwen , GREEN, Martin Andrew
IPC分类号： H01L31/06 , H01L21/36 , H01L21/477 , H01L31/0264 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/073 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： A method for forming a photovoltaic device comprising the steps of: providing a first conductive material on a substrate; depositing a continuous layer of a dielectric material less than 10 nm thick on the first conductive material; annealing the first conductive material and the layer of dielectric material; forming a chalcogenide light-absorbing material on the layer of dielectric material; and depositing a second material on the light-absorbing material such that the second material is electrically coupled to the light-absorbing material; wherein the first conductive material and the dielectric material are selected such that, during the step of annealing, a portion of the first conductive material undergoes a chemical reaction to form: a layer of a metal chalcogenide material at the interface between first conductive material and the dielectric material; and a plurality of openings in the layer of dielectric material; the openings being such to allow electrical coupling between the light-absorbing material and the layer of a metal chalcogenide material. Additionally contemplated is a photovoltaic device formed by this method.
摘要翻译：一种用于形成光伏器件的方法，包括以下步骤：在衬底上提供第一导电材料; 在第一导电材料上沉积小于10nm厚的介电材料的连续层; 退火第一导电材料和介电材料层; 在电介质材料层上形成硫属化物光吸收材料; 以及在所述光吸收材料上沉积第二材料，使得所述第二材料电耦合到所述光吸收材料; 其中选择所述第一导电材料和所述电介质材料使得在所述退火步骤期间，所述第一导电材料的一部分经历化学反应以形成：在所述第一导电材料和所述第二导电材料之间的界面处的金属硫族化物材料层; 电介质材料; 以及介电材料层中的多个开口; 该开口使得能够在光吸收材料和金属硫族化物材料层之间进行电耦合。另外考虑的是通过这种方法形成的光伏器件。

7. 发明申请

WO2017065916A1 INDENTATION APPROACHES FOR FOIL-BASED METALLIZATION OF SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：太阳电池箔基金属化的发展途径
公开(公告)号：WO2017065916A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/US2016/051789
申请日：2016-09-14
申请人： SUNPOWER CORPORATION , TOTAL MARKETING SERVICES
发明人： SEWELL, Richard Hamilton , HARDER, Nils-Peter
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/0745 , H01L31/1876 , Y02E10/50
摘要： Indentation approaches for foil-based metallization of solar cells, and the resulting solar cells, are described. For example, a method of fabricating a solar cell includes forming a plurality of alternating N-type and P-type semiconductor regions in or above a substrate. The method also includes locating a metal foil above the alternating N-type and P-type semiconductor regions. The method also includes forming a plurality of indentations through only a portion of the metal foil, the plurality of indentations formed at regions corresponding to locations between the alternating N-type and P-type semiconductor regions. The method also includes, subsequent to forming the plurality of indentations, isolating regions of the remaining metal foil corresponding to the alternating N-type and P-type semiconductor regions.
摘要翻译：描述了用于太阳能电池的箔基金属化的缩进方法以及所得到的太阳能电池。例如，制造太阳能电池的方法包括在衬底中或上方形成多个交替的N型和P型半导体区域。该方法还包括将金属箔定位在交替的N型和P型半导体区域上方。该方法还包括仅通过金属箔的一部分形成多个压痕，多个压痕形成在与交替的N型和P型半导体区域之间的位置对应的区域处。该方法还包括，在形成多个压痕之后，隔离与交替的N型和P型半导体区对应的剩余金属箔的区域。

8. 发明申请

WO2017037693A1 HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：异位光电器件
公开(公告)号：WO2017037693A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/IL2016/050919
申请日：2016-08-24
申请人： TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED
发明人： TESSLER, Nir
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/04
CPC分类号： H01L51/4253 , H01L2251/552 , Y02E10/549
摘要： A photovoltaic device comprising a light absorbing structure having a general energy gap level of light absorbing material and being located between first and second electrodes configured for collection of positive and negative charge carriers therefrom respectively. The light absorbing structure is configured to provide at least one of the following: valence band energy levels being reduced by 10% -50% of the energy gap within a range of 10-lOOnm from an interface of the absorbing structure and the first electrode; and conduction band energy levels being raised by 10%-50% of the energy gap within a range of 10-lOOnm from an interface of the absorbing structure and the second electrode.
摘要翻译：一种光电器件，包括具有光吸收材料的一般能隙水平的光吸收结构，并且位于第一和第二电极之间，分别用于收集正负电荷载流子。光吸收结构被配置为提供以下中的至少一个：价带能量水平从吸收结构和第一电极的界面在10-100nm的范围内减少10％-50％的能隙; 并且导带能级从吸收结构和第二电极的界面在10-100nm的范围内提高10％-50％的能隙。

9. 发明申请

WO2015083259A1 太陽電池セルの製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法
公开(公告)号：WO2015083259A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/JP2013/082624
申请日：2013-12-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：唐木田　昇市
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：　第１導電型の半導体基板における受光面側となる一面側に第２導電型の不純物拡散層を形成する第１工程と、前記半導体基板の他面側にマスクパターンを形成する第２工程と、前記マスクパターンの厚みよりも薄い膜厚のパッシベーション膜を前記半導体基板の他面側に形成して、前記マスクパターンの側面の一部が露出するように前記マスクパターンを前記パッシベーション膜に埋設する第３工程と、前記パッシベーション膜を除去することにより前記パッシベーション膜を膜厚方向に貫通して前記半導体基板の他面側を露出させる開口部を形成する第４工程と、前記半導体基板の他面側に電気的に接続する裏面側電極を前記開口部内に埋設する第５工程と、前記不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を前記半導体基板の一面側に形成する第６工程と、を含む。
摘要翻译：该太阳能电池制造方法包括：第一步骤，其中在第一导电型半导体衬底的一个表面侧上形成第二导电型杂质扩散层，所述一个表面侧为光接收表面侧; 第二步骤，其中在半导体衬底的另一表面侧上形成掩模图案; 第三步骤，其中在半导体衬底的另一表面侧上形成具有小于掩模图案的厚度的膜厚度的钝化膜，并且将掩模图案嵌入钝化膜中，使得侧面的一部分掩模图案的表面露出; 第四步骤，其中通过去除钝化膜形成开口，所述开口在膜厚度方向上穿透钝化膜，并暴露半导体衬底的另一表面侧; 第五步骤，其中将与半导体衬底的另一表面侧电连接的后表面侧电极嵌入在开口中; 以及第六步骤，其中在半导体衬底的一个表面侧上形成与杂质扩散层电连接的光接收表面侧电极。

10. 发明申请

WO2015066213A1 PRE-EQUILIBRIUM SYSTEM AND METHOD USING SOLID-STATE DEVICES AS ENERGY CONVERTERS USING NANO-ENGINEERED POROUS NETWORK MATERIALS 审中-公开
标题翻译：使用纳米工程的多孔网络材料作为能量转换器的预均衡系统和使用固态器件的方法
公开(公告)号：WO2015066213A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/US2014/062961
申请日：2014-10-29
申请人： QUSWAMI, INC.
发明人： GIDWANI, Jawahar M. , LAM, Andrew , HORVATH, Attila
IPC分类号： H01M4/86 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/024 , H01L31/06 , H01L29/00 , H01M14/00 , H01M8/22 , H01M4/90 , H01M4/92
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/052 , H01L41/113 , H01M4/8605 , H01M4/8626 , H01M4/8647 , H01M4/8652 , H01M4/8657 , H01M4/9025 , H01M4/9075 , H01M4/92 , H01M4/925 , H01M8/04067 , H01M8/22 , H01M8/225 , H01M14/00 , H02N2/18 , H02S40/42
摘要： An energy conversion device for conversion of various energy forms into electricity. The energy forms may be chemical, photovoltaic or thermal gradients. The energy conversion device has a first and second electrode. A substrate is present that has a porous semiconductor or dielectric layer placed thereover. The substrate itself can be planar, two-dimensional, or three-dimensional, and possess internal and external surfaces. These substrates may be rigid, flexible and/or foldable. The porous semiconductor or dielectric layer can be a nano-engineered structure. A porous conductor material is placed on at least a portion of the porous semiconductor or dielectric layer such that at least some of the porous conductor material enters the nano-engineered structure of the porous semiconductor or dielectric layer, thereby forming an intertwining region.
摘要翻译：一种用于将各种能量形式转换成电能的能量转换装置。能量形式可能是化学，光伏或热梯度。能量转换装置具有第一和第二电极。存在具有放置在其上的多孔半导体或介电层的衬底。衬底本身可以是平面的，二维的或三维的，并且具有内部和外部表面。这些基材可以是刚性的，柔性的和/或可折叠的。多孔半导体或电介质层可以是纳米工程结构。多孔导体材料放置在多孔半导体或电介质层的至少一部分上，使得多孔导体材料中的至少一些进入多孔半导体或电介质层的纳米工程结构，由此形成缠结区域。

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