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1. 发明申请

WO2016200499A1 SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：化学气相沉积的系统，方法和装置
公开(公告)号：WO2016200499A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/US2016/029763
申请日：2016-04-28
申请人： SOLARCITY CORPORATION
发明人： CHAE, Yongkee , FU, Jianming
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/67
CPC分类号： H01L31/1868 , C23C16/455 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/03529 , H01L31/03762 , H01L31/074 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： One embodiment of the present invention can provide a system for fabricating a photovoltaic structure. The system can include a combined chemical vapor deposition tool that can include a static deposition module and an inline deposition module. The static deposition module can be configured to deposit a first passivation layer on a first side of a crystalline Si base layer of the photovoltaic structure. The inline deposition module is configured to deposit a second passivation layer on the first passivation layer, and the inline deposition module is coupled to the static deposition module in a way that the photovoltaic structure can be transferred from the static deposition module to the inline deposition module without leaving a common vacuum space.
摘要翻译：本发明的一个实施例可以提供一种用于制造光伏结构的系统。该系统可以包括组合的化学气相沉积工具，其可以包括静电沉积模块和在线沉积模块。静电沉积模块可以配置成在光伏结构的晶体Si基底层的第一侧上沉积第一钝化层。在线沉积模块被配置为在第一钝化层上沉积第二钝化层，并且在线沉积模块以静电沉积模块转移到在线沉积模块的方式耦合到静电沉积模块而不会留下共同的真空空间。

2. 发明申请

WO2016004316A4 VERTICAL PILLAR STRUCTURE PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：垂直柱结构光伏器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016004316A4
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/US2015038999
申请日：2015-07-02
申请人： ZENA TECHNOLOGIES INC
发明人： YU YOUNG-JUNE
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/02167 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Thin substrate photovoltaic and methods for making them are disclosed herein. In an embodiment, a photovoltaic device may include a substrate comprising a semiconductor material, one or more core structures, each extending essentially perpendicularly from a first surface of the substrate such that the core structures and the substrate form a single crystal, a shell layer disposed at least on a portion of a sidewall of the core structures and on the first surface, and a conductive layer disposed between adjacent core structures. The conductive layer forms an ohmic contact with the shell layer disposed on the first surface and between the adjacent core structures.
摘要翻译：本文公开了薄光伏基板及其制造方法。在一个实施例中，光伏器件可以包括衬底，该衬底包括半导体材料，一个或多个核心结构，每个核心结构从衬底的第一表面基本上垂直地延伸，使得核心结构和衬底形成单晶，壳层至少在核心结构的侧壁的一部分上和第一表面上，以及设置在相邻核心结构之间的导电层。导电层与设置在第一表面上和相邻芯结构之间的壳层形成欧姆接触。

3. 发明申请

WO2015131881A3 BACK-CONTACT SI THIN-FILM SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：背接触式硅薄层太阳能电池
公开(公告)号：WO2015131881A3
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/DE2015100085
申请日：2015-03-04
申请人： HELMHOLTZ ZENTRUM FÜR MATERIALIEN UND EN GMBH
发明人： AMKREUTZ DANIEL , HASCHKE JAN , RECH BERND
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0368 , H01L31/0392 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/03682 , H01L31/0445 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/1872 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a back-contact Si thin-film solar cell, at least comprising a crystalline Si absorber layer and an emitter layer arranged on the crystalline Si absorber layer, the absorber layer and the emitter layer being composed of semiconductor materials of opposite p- and n-type doping, wherein a barrier layer is formed on a glass substrate, which barrier layer has a layer thickness in the range of 50 nm to 1 μm, at least one layer that improves the optical properties and that has a layer thickness of 40 nm to 250 nm is arranged on the barrier layer, on which at least one layer that improves the optical properties a 0.5 nm to 20 nm thin layer containing silicon and/or oxygen is arranged, wherein the crystalline Si absorber layer can be produced by means of liquid-phase crystallization and is n-conducting, has a layer thickness between 200 nm and 40 μm with homogenous doping between 2 ⋅ 1015 cm-3 to 5 ⋅ 1018 cm-3 over the entire thickness, and has monocrystalline Si grains, which are at least as large in the extent thereof as the thickness of the absorber layer, and an SiO2 passivation layer is formed between the layer containing silicon and/or oxygen and the Si absorber layer during the liquid-phase crystallization.
摘要翻译：在背接触硅薄膜太阳能电池，其至少包括一个结晶Si吸收层和一个设置在由相对的p型和n型掺杂的半导体材料的结晶硅吸收体层发射极层上，形成在玻璃基板上的阻挡层，在所述范围内的层厚度从50纳米至1微米的具有被布置在势垒层中的至少一个光学特性改善为40nm至250nm的层厚度层，被设置在0.5至20nm薄的硅和/或含氧层上其中，所述结晶Si吸收层可以通过液相结晶来制备和n型导电性是35⋅1018cm200纳米和40微米与2⋅1015cm-3之间的均匀的掺杂之间的层厚度，以在整个厚度和单晶硅在其范围内具有至少与厚度d一样大的颗粒在硅和/或含氧层与Si吸收层之间，在液相结晶过程中形成SiO 2钝化层。

4. 发明申请

WO2015045242A1 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池，太阳能电池模块和太阳能电池制造方法
公开(公告)号：WO2015045242A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/JP2014/003953
申请日：2014-07-28
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：高濱　豪
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0475 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：　太陽電池７０は、裏面７０ｂ上の第１方向（ｙ方向）にｎ型領域とｐ型領域とが交互に配置される光電変換部と、裏面７０ｂ上に設けられる電極層と、を備える。光電変換部は、第１方向に交差する第２方向（ｘ方向）に並ぶ複数のサブセル７１～７４を有するとともに、隣接するサブセルの境界に設けられる分離領域Ｗ５を有する。電極層は、複数のサブセルのうち一端のサブセル７１におけるｎ型領域上に設けられるｎ側電極１４と、他端のサブセル７４におけるｐ型領域上に設けられるｐ側電極１５と、隣接する二つのサブセルにまたがって設けられるサブ電極２０と、を有する。サブ電極２０は、隣接する二つのサブセルのうち、一方のサブセルに設けられるｎ型領域と、他方のサブセルに設けられるｐ型領域とを接続する。
摘要翻译：太阳能电池（70）包括：在后表面（70b）上沿第一方向（y方向）交替排列n型区域和p型区域的光电转换部分; 以及设置在背面（70b）上的电极层。光电转换部具有：沿与第一方向交叉的第二方向（x方向）排列的多个子电池单元（71〜74）以及设置在相邻子单元的边界处的隔离区域（W5）。电极层具有：设置在位于多个子电池的一端的子电池（71）的n型区域上的n侧电极（14）设置在位于其另一端的子电池（74）的p型区域上的p侧电极（15）以及跨越相邻的两个子单元设置的子电极（20）。子电极（20）连接相邻的两个子单元之一中设置的n型区域和相邻的两个子单元中的另一个中提供的p型区域。

5. 发明申请

WO2015025314A1 PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：光电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2015025314A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/IL2014/050721
申请日：2014-08-11
申请人： RAMOT AT TEL-AVIV UNIVERSITY LTD.
发明人： PATOLSKY, Fernando , KOSLOFF, Alon
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0745 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/028 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02653 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0745 , H01L31/1812 , Y02E10/544
摘要： A photovoltaic cell device is disclosed. The device comprises: an active region having a plurality of spaced-apart elongated nanostructures aligned vertically with respect to an electrically conductive substrate, wherein each elongated nanostructure has at least one p-n junction characterized by a bandgap within the electromagnetic spectrum, and is coated by an electrically conductive layer being electrically isolated from the substrate.
摘要翻译：公开了一种光电池装置。该器件包括：有源区，其具有相对于导电衬底垂直排列的多个间隔开的细长纳米结构，其中每个细长纳米结构具有至少一个pn结，其特征在于电磁光谱内的带隙，并且被导电层与衬底电隔离。

6. 发明申请

WO2015001626A1 太陽電池セルおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2015001626A1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：PCT/JP2013/068206
申请日：2013-07-03
申请人：株式会社日立製作所
发明人：峰　利之 , 孫　偉 , 河村　哲史 , 渡邉　敬司
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　太陽電池セルは、第１導電型の半導体基板（１）の表面（１ａ）内で間隔を空けて形成され、第１導電型の半導体からなる複数のピラー（４）と、複数のピラー（４）の表面を含めて半導体基板（１）の表面（１ａ）上に形成された絶縁膜（６）とを有する。第１導電型がｎ型であるときは、絶縁膜（６）は負の電荷を有し、第１導電型がｐ型であるときは、絶縁膜（６）は正の電荷を有する。ピラー（４）における第１導電型の不純物濃度は、半導体基板（１）における第１導電型の不純物濃度よりも大きい。
摘要翻译：在第一导电型半导体衬底（1）的表面（1a）内形成太阳能电池，留下空间，并且具有包括第一导电型半导体和绝缘膜（6）的多个支柱（4））形成在包括多个柱（4）的表面的半导体衬底（1）的表面（1a）上。当第一导电类型为n型时，绝缘膜（6）具有负电荷，并且当第一导电类型为p型时，具有正电荷。柱（4）中的第一导电类型的杂质浓度大于半导体衬底（1）中第一导电类型的杂质浓度。

7. 发明申请

WO2014179340A3 METHODS AND SYSTEMS FOR CHEMICALLY ENCODING HIGH-RESOLUTION SHAPES IN SILICON NANOWIRES 审中-公开
标题翻译：用于化学修饰硅纳米线的高分辨率形状的方法和系统
公开(公告)号：WO2014179340A3
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/US2014035920
申请日：2014-04-29
申请人： UNIV NORTH CAROLINA
发明人： CAHOON JAMES , CHRISTESEN JOSEPH , PINION CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/0673 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C1/0015 , B81C2201/013 , B81C2201/0171 , B81C2201/0176 , G01Q60/38 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/283 , H01L21/30604 , H01L29/16 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/09 , Y02E10/50
摘要： Methods of chemically encoding high-resolution shapes in silicon nanowires during metal nanoparticle catalyzed vapor-liquid-solid growth or vapor-solid-solid growth are provided. In situ phosphorus or boron doping of the silicon nanowires can be controlled during the growth of the silicon nanowires such that high-resolution shapes can be etched along a growth axis on the silicon nanowires. Nanowires with an encoded morphology can have high-resolution shapes with a size resolution of about 1,000 nm to about 10 nm and comprise geometrical shapes, conical profiles, nanogaps and gratings.
摘要翻译：提供了在金属纳米颗粒催化的气 - 液 - 固 - 固生长或气 - 固 - 固生长期间在硅纳米线中化学编码高分辨率形状的方法。可以在硅纳米线的生长期间控制硅纳米线的原位磷或硼掺杂，使得可以沿硅纳米线上的生长轴蚀刻高分辨率形状。具有编码形态的纳米线可以具有约1000nm至约10nm的尺寸分辨率的高分辨率形状，并且包括几何形状，锥形轮廓，纳米光栅和光栅。

8. 发明申请

WO2014140000A2 LATERAL SINGLE-PHOTON AVALANCHE DIODE AND METHOD OF PRODUCING A LATERAL SINGLE-PHOTON AVALANCHE DIODE 审中-公开
标题翻译：横向单光子半导体二极管及其制造方法单向光电二极管
公开(公告)号：WO2014140000A2
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/EP2014/054684
申请日：2014-03-11
申请人： AMS AG
发明人： TEVA, Jordi , ROGER, Frederic , STÜCKLER, Ewald , JESSENIG, Stefan , MINIXHOFER, Rainer , WACHMANN, Ewald , SCHREMS, Martin , KOPPITSCH, Günther
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/022408 , H01L31/03529 , H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/50
摘要： The lateral single-photon avalanche diode comprises a semiconductor body (1, 2) comprising a semiconductor material of a first type of electric conductivity, a trench (3) in the semiconductor body, and anode and cathode terminals (5, 6). A junction region (14) of the first type of electric conductivity is located near the sidewall (38) of the trench, and the electric conductivity is higher in the junction region than at a farther distance from the sidewall. A semiconductor layer (4) of an opposite second type of electric conductivity is arranged at the sidewall of the trench adjacent to the junction region. The anode and cathode terminals are electrically connected with the semiconductor layer and with the junction region, respectively. The junction region (14) may be formed by a sidewall implantation.
摘要翻译：横向单光子雪崩二极管包括半导体本体（1,2），其包括第一导电类型的半导体材料，半导体主体中的沟槽（3）以及阳极和阴极端子（5,6）。第一类型导电性的结区域（14）位于沟槽的侧壁（38）附近，并且在结区域中的电导率高于距离侧壁更远的距离。具有相反的第二导电类型的半导体层（4）布置在与结区相邻的沟槽的侧壁处。阳极和阴极端子分别与半导体层和结区域电连接。接合区域（14）可以通过侧壁注入形成。

9. 发明申请

WO2014136691A1 光電変換装置及び同装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2014136691A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/JP2014/055147
申请日：2014-02-28
申请人：尾崎順康
发明人：尾崎　順康
IPC分类号： H01L31/07 , H01L31/0216 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/07 , H01L31/0216 , H01L31/03529 , H01L31/055 , H01L31/1864 , Y02E10/52
摘要：本発明の光電変換装置（１００）は、互いにショットキー接合される第１層（１１）と第２層（１２）とを有する光電変換部（１０）と、ショットキー界面（Ｓ）に沿って移動する光キャリアを取り出すための第１電極（２０）及び第２電極（３０）と、所定波長帯域の光を表面プラズモン共鳴により効果的に吸収させるための金属ナノ構造（４０）とを備える。第２電極（３０）は、第１層（１１）に対し電気的に接触することなく形成されている。金属ナノ構造（４０）は、サブミクロン又はナノオーダの突起（４１）が第１層（１１）の表面に周期的又はランダムに形成されている。
摘要翻译：本发明的光电转换装置（100）具有：具有彼此形成肖特基结的第一层（11）和第二层（12）的光电转换部（10）用于提取沿着肖特基界面（S）移动的光载流子的第一电极（20）和第二电极（30）; 和通过表面等离子体共振有效地吸收预定波长范围内的光的金属纳米结构（40）。第二电极（30）形成为不与第一层（11）电接触。金属纳米结构（40）由在第一层（11）的表面上周期性或随机形成的亚微米级或纳米级突起（41）构成。

10. 发明申请

WO2014102514A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A MICROFILS OU NANOFILS 审中-公开
标题翻译：包含微波或纳米级的光电器件
公开(公告)号：WO2014102514A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/FR2013/053274
申请日：2013-12-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： DUSSAIGNE, Amélie , MILLION, Alain , BAVENCOVE, Anne-Laure
IPC分类号： H01L33/08 , B82Y20/00 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L33/325 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035236 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0693 , H01L31/075 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (30) comprenant des microfils ou nanofils dont chacun comprend une alternance de portions passivées (32, 36, 40, 44) et de portions actives (34, 38, 42), les portions actives étant entourées d'une couche active (35, 39, 43), les couches actives ne s 'étendant pas sur les portions passivées.
摘要翻译：本发明涉及一种包括微线或纳米线的光电子器件（30），每个具有交替钝化部分（32,36,40,44）和有源部分（34,38,42），所述有源部分被有源层（ 35,39,43），有源层不延伸越过钝化部分。

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