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1. 发明申请

WO2019058605A1 SOLAR CELL, MULTIJUNCTION SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE AND SOLAR POWER GENERATION SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2019058605A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/JP2018/010654
申请日：2018-03-16
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： HONISHI, Yuya , SHIBASAKI, Soichiro , YAMAZAKI, Mutsuki , YOSHIO, Sara , NAKAGAWA, Naoyuki , YAMAMOTO, Kazushige
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/0322 , H01L31/0336 , H01L31/0749
摘要： Embodiments provide a solar cell having improved efficiency, a multijunction solar cell, a solar cell module, and a photovoltaic power generation system whose solar cells have improved efficiency. A solar cell of an embodiment includes a first electrode, a light absorption layer, an n-type layer, and a second electrode. The light absorption layer exists between the first electrode and the n-type layer. The n-type layer exists between the light absorption layer and the second electrode. The light absorption layer contains Cu 2 O. The n-type layer contains a sulfide.

2. 发明申请

WO2019058603A1 SOLAR CELL, MULTIJUNCTION SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE AND SOLAR POWER GENERATION SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2019058603A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/JP2018/010652
申请日：2018-03-16
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： YOSHIO, Sara , SHIOKAWA, Miyuki , SHIBASAKI, Soichiro , NAKAGAWA, Naoyuki , MIZUNO, Yukitami , NAKAYAMA, Kohei , YAMAZAKI, Mutsuki , HIRAOKA, Yoshiko , YAMAMOTO, Kazushige
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/0749
摘要： Embodiments provide a solar cell having improved efficiency, a multijunction solar cell, a solar cell module, a photovoltaic power generation system, and a method for producing solar cell whose solar cells have improved efficiency. A solar cell of an embodiment includes a first electrode, a light absorbing layer containing Sn, an n-type layer, and a second electrode. The light absorbing layer being present between the first electrode and the n-type layer. The n-type layer being present between the light absorbing layer and the second electrode. The light absorbing layer having a Sn concentration of 1 × 10 14 (atoms/cm 3 ) or more.

3. 发明申请

WO2017047366A1 太陽電池用ガラス基板及び太陽電池审中-公开
标题翻译：用于太阳能电池的玻璃基板和太阳能电池
公开(公告)号：WO2017047366A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/JP2016/075239
申请日：2016-08-29
申请人：旭硝子株式会社
发明人：川本　泰 , 林　英明 , 滝本　康幸 , 種田　直樹 , 矢田　明
IPC分类号： C03C17/23 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C17/245 , C03C17/36 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC分类号： C03C3/087 , C03C17/23 , C03C17/245 , C03C17/36 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , Y02E10/50
摘要：優れたアルカリ拡散能で発電効率が高い太陽電池用ガラス基板及びそれを用いた太陽電池を提供する。　少なくとも第一の主面にケイ素含有層を備えるガラス基板であって、ケイ素含有層は、全体原子量に対する原子％で、ケイ素を１５％以上４５％以下、かつ炭素を０．４％以上３０％以下有し、ケイ素含有層の表面粗さＲａは０．３ｎｍ以上２ｎｍ未満である、太陽電池用ガラス基板である。
摘要翻译：提供：具有优异的碱扩散能力和高发电效率的太阳能电池用玻璃基板; 以及使用该太阳能电池用玻璃基板的太阳能电池。一种用于太阳能电池的玻璃基板，其在至少第一主表面上设置有含硅层，并且其中：所述含硅层以相对于所述总原子量计为15％至45％（含）硅和0.4〜30％（含）碳; 含硅层的表面粗糙度Ra为0.3nm以上且小于2nm。

4. 发明申请

WO2017043417A1 化合物系薄膜太陽電池基板用ステンレス鋼およびその製造方法並びに化合物系薄膜太陽電池审中-公开
标题翻译：用于复合薄膜太阳能电池基板的不锈钢，其制造方法和复合薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2017043417A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/JP2016/075720
申请日：2016-09-01
申请人：ソーラーフロンティア株式会社
发明人：秦野　正治 , 山岸　昭仁 , 内田　俊彦 , 浅野　明彦 , 斉藤　雅弘
IPC分类号： C23C8/18 , C22C38/00 , C22C38/38 , C22C38/60 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC分类号： C22C38/00 , C22C38/38 , C22C38/60 , C23C8/18 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要：本発明は、コーティングやメッキの表面処理に頼らなくても、化合物系薄膜太陽電池の基板に好適な耐ガス腐食性を備えたステンレス鋼とその製造方法ならびにそれを基板とした化合物系薄膜太陽電池を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、質量％で、Ｃ：０．０３％以下、Ｓｉ：２％以下、Ｍｎ：２％以下、Ｃｒ：１０～２５％、Ｐ：０．０５％以下、Ｓ：０．０１％以下、Ｎ：０．０３％以下、Ａｌ：０．５～５％を含み、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなり、膜厚１５ｎｍ以下、ＯやＣを除いたカチオンイオン分率のプロファイルにおいて、Ａｌ濃度の極大値が３０質量％以上、かつ表面から２ｎｍ深さにおけるＦｅ濃度が３０質量％以下であるＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ系酸化皮膜を形成することを特徴とする。さらに、Ｓｉ：０．３％以上、Ｔｉ：０．０３～０．５％、Ｍｇ＋Ｇａ＞０．００１％を満たし、表面皮膜中にはＳｉやＴｉを含有すると良い。表面皮膜は、７００～１１００℃の温度範囲で低露点水素ガス中の焼鈍を行い付与する。
摘要翻译：本发明的目的在于提供：不需要表面处理如涂布或电镀的不锈钢，其具有适用于复合薄膜太阳能电池基板的耐气体腐蚀性; 该不锈钢的制造方法; 以及使用该不锈钢作为基板的复合薄膜太阳能电池。为了解决上述问题，本发明的特征在于，形成膜厚为15nm以下的Fe-Cr-Al氧化物膜，以质量％计含有0.03％以下的C 2 1％以下的Si，2％以下的Mn，10〜25％的Cr，0.05％以下的P，0.01％以下的S，0.03％以下的N和0.5〜5％的Al，余量由Fe和不可避免的杂质组成，其中Al浓度的最大值为30质量％以上，离子表面的2nm深度的Fe浓度为30％以下，除了 O和C离子。此外，优选表面膜含有Si和Ti，同时满足：Si为0.3％以上; Ti为0.03〜0.5％。和（Mg + Ga）> 0.001％。通过在低露点氢气中在700-1100℃的温度范围内进行退火获得表面膜。

5. 发明申请

WO2017043396A1 光電変換層を製造する方法及び光電変換素子の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换层的制造方法及制造光电转换元件的方法
公开(公告)号：WO2017043396A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/JP2016/075534
申请日：2016-08-31
申请人：ソーラーフロンティア株式会社
发明人：廣井　誉 , 岩田　恭彰 , 杉本　広紀
IPC分类号： H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0749 , Y02E10/50
摘要：セレンを含まない光電変換層を製造する方法は、Ｉ族元素と、ガリウムと、ガリウム以外のＩＩＩ族元素とを含むプリカーサ膜を、セレン以外のＶＩ族元素を含む雰囲気において、４０～１４０℃／分の範囲の昇温速度で加熱して、プリカーサ膜とＶＩ族元素とを反応させて光電変換層を製造する。
摘要翻译：根据该不含硒的光电转换层的制造方法，通过加热含有I族元素，镓和除了镓以外的III族元素的前体膜，制造光电转换层，加热速度在在含有除硒以外的Ⅵ族元素的气氛中为40-140℃/分钟，由此引起前体膜和VI族元素之间的反应。

6. 发明申请

WO2016162742A1 THIN-FILM DEVICE WITH ELECTRICAL ISOLATION LAYER 审中-公开
标题翻译：具有电隔离层的薄膜器件
公开(公告)号：WO2016162742A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/IB2016/000434
申请日：2016-04-05
申请人： FLISOM AG
发明人： NETTER, Thomas , OLDRIDGE, John , KERN, Roland
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/049 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic apparatus is provided including a front sheet, a back sheet, and a photovoltaic device disposed between the front sheet and the back sheet. The photovoltaic device includes a first photovoltaic cell and a second photovoltaic cell separated in a first direction. The photovoltaic device further includes a first serial interconnect having a length that extends in a second direction. The first serial interconnect is disposed between the first photovoltaic cell from the second photovoltaic cell. The first photovoltaic cell and the second photovoltaic cell are electrically connected in series by the first interconnect. The photovoltaic apparatus further includes a spacing layer including a first roving disposed between the first interconnect and the back sheet. The first roving has a length that is aligned with the length of first serial interconnect.
摘要翻译：提供一种光电装置，包括前片，背片和设置在前片与背片之间的光电器件。光伏器件包括在第一方向上分离的第一光伏电池和第二光伏电池。光伏器件还包括具有沿第二方向延伸的长度的第一串联互连。第一串行互连设置在来自第二光伏电池的第一光伏电池之间。第一光伏电池和第二光伏电池通过第一互连串联电连接。光电装置还包括间隔层，该间隔层包括设置在第一互连和背板之间的第一粗纱。第一条粗纱的长度与第一串行互连的长度对齐。

7. 发明申请

WO2016108139A1 APPARATUS FOR LASER SCRIBING 审中-公开
标题翻译：用于激光扫描的装置
公开(公告)号：WO2016108139A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/IB2015/059832
申请日：2015-12-21
申请人： FLISOM AG
发明人： ZILTENER, Roger , NETTER, Thomas
IPC分类号： B23K26/03 , B23K26/362 , B23K26/402 , H01L31/0463
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/361 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L31/0463 , H01L31/0749 , H01L31/206 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： A computer-controlled apparatus (1100, 2000) for laser scribing at least one line segment via hole (163, 165, 165', 167) in a thin-film device (200) wherein the apparatus comprising at least one laser source (1110, 1120), at least one mirror (1150, 1151) to form at least one laser spot (7200, 7300, 7400, 7500, 7600, 7700) on the first side of said device, at least one actuator (1115, 1116, 1125, 1126, 1130, 1150, 1151,2140,2150,2260,2265,2280,2285) configured to move at least one laser spot for laser scribing the thin-film device (200) along at least one direction (101, 102), at least one optical sensor (1146, 1160) configured to acquire imaging data, and at least one control system (6000) for processing imaging data, the control system executing image processing instructions (6140, 6146, 6147) for measuring in the imaging data, along a direction (103) that is orthogonal to at least one direction of laser scribing (101, 102): the width of a curl-up (1345) of the back-contact layer (120, 124, 126, 128, 129) and the width of a lip (1355) of conductive alloy resulting from a permanent change in the chemical composition of the semiconductive optoelectronically active layer where the line segment via hole is drilled.
摘要翻译：一种用于在薄膜装置（200）中激光刻划至少一个线段通孔（163,165,165'，167）的计算机控制设备（1100,2000），其中所述装置包括至少一个激光源（1110 ，1120），至少一个反射镜（1150,1151），以在所述装置的第一侧上形成至少一个激光光斑（7200,7300,700,7500,7600,70000），至少一个致动器（1115,1116），其被配置为移动至少一个激光光斑，用于沿着至少一个方向（101,102）激光划线所述薄膜器件（200）），被配置为获取成像数据的至少一个光学传感器（1146,1160）以及用于处理成像数据的至少一个控制系统（6000），所述控制系统执行图像处理指令（6140,614,6147），以在沿着与激光划线（101,102）的至少一个方向正交的方向（103）的成像数据：背接触层（120）的卷曲（1345）的宽度，124,126,128,129）以及导电合金的唇缘（1355）的宽度，其由穿过线段通孔的半导体光电活性层的化学组成的永久变化而产生。

8. 发明申请

WO2016101097A1 METHOD FOR PRODUCING A LAYER SYSTEM FOR THIN-FILM SOLAR CELLS HAVING A SODIUM INDIUM SULFIDE BUFFER LAYER 审中-公开
标题翻译：用于制造具有钠阳极缓冲层的薄膜太阳能电池的层系统的方法
公开(公告)号：WO2016101097A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/CN2014/094506
申请日：2014-12-22
申请人： BENGBU DESIGN & RESEARCH INSTITUTE FOR GLASS INDUSTRY
发明人： PALM, Jorg , POHLNER, Stephan , HAPP, Thomas , DALIBOR, Thomas , JOST, Stefan , DIETMUELLER, Roland , VERMA, Rajneesh
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/36
CPC分类号： H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： The invention relates to a method for producing a layer system (1) for thin-film solar cells (100), wherein a) an absorber layer (4) is produced, and b) a buffer layer (5) is produced on the absorber layer (4), wherein the buffer layer (5) contains sodium indium sulfide according to the formula Na x In y-x/3 S with 0.063 ≤ x ≤ 0.625 and 0.681 ≤ y ≤1.50, and wherein the buffer layer (5) is produced, without deposition of indium sulfide, based on at least one sodium thioindate compound.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产薄膜太阳能电池（100）的层系统（1）的方法，其中a）制造吸收层（4），并且b）在吸收体上产生缓冲层（5）层（4），其中缓冲层（5）含有根据式NaxIny-x / 3S的硫化铟钠，其中0.063≤x≤0.625,0.681≤y≤1.50，并且其中制备缓冲层（5），没有基于至少一种硫代硫酸钠化合物沉积硫化铟。

9. 发明申请

WO2016087330A1 A PHOTOVOLTAIC MODULE AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：一种光伏组件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016087330A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/077941
申请日：2015-11-27
申请人： SOLIBRO RESEARCH AB
发明人： LUNDBERG, Olle
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0465
CPC分类号： H01L31/0465 , H01L31/02021 , H01L31/0504 , H01L31/0749 , H01L31/1876 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic module and a method for producing such modules is presented in which the resistance of the interconnects between neighboring photovoltaic cells is minimized and the dead-area is also minimized. This is achieved by routing the interconnects, in form of a finger, from a top contact of a first photovoltaic cell to a bottom contact of a second photovoltaic cell. The interconnect is isolated from the bottom contact of the first photovoltaic cell by means of the photovoltaic stack and the interconnect is connected to the bottom contact of the second photovoltaic cell in an opening of the photovoltaic stack.
摘要翻译：提出了一种用于制造这种模块的光伏模块和方法，其中相邻光伏电池之间的互连的电阻被最小化并且死区也被最小化。这通过将手指形式的互连从第一光伏电池的顶部接触路由到第二光伏电池的底部接触来实现。互连通过光伏堆叠与第一光伏电池的底部接触隔离，并且互连件连接到光伏堆叠的开口中的第二光伏电池的底部接触。

10. 发明申请

WO2016001971A1 電子デバイス作製用金属基板及びパネル审中-公开
标题翻译：用于制造电子设备的金属基板和面板
公开(公告)号：WO2016001971A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2014/067378
申请日：2014-06-30
申请人：新日鉄住金マテリアルズ株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：山田　紀子 , 山口　左和子
IPC分类号： C23C28/00 , B32B15/04 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC分类号： B32B15/04 , C23C28/00 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L51/50 , H05B33/02 , Y02E10/50
摘要：　この電子デバイス作製用金属基板は、Ａｌ＋Ｓｉの合計含有量が０．５～１８．０質量％である鋼材と；厚さが０．２μｍ～２．０μｍである第一の絶縁性皮膜と；厚さが０．３μｍ～５．０μｍである第二の絶縁性皮膜と；を備え、前記第一の絶縁性皮膜と前記第二の絶縁性皮膜との合計厚さが２．０μｍ～７．０μｍであり、前記第一の絶縁性皮膜は、Ａｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２の少なくとも一方を含有する熱酸化皮膜であり、前記第二の絶縁性皮膜は、シリカ系無機有機ハイブリッド材料から形成される。
摘要翻译：该用于制造电子器件的金属基板包括：总Al和Si含量为0.5％-18.0质量％的钢材; 第一绝缘涂膜，其厚度为0.2-2.0μm; 以及厚度为0.3-5.0μm的第二绝缘涂膜。第一绝缘涂膜和第二绝缘涂膜的总厚度为2.0-7.0μm。第一绝缘涂膜是至少含有Al 2 O 3或SiO 2的热氧化涂膜。第二绝缘涂膜由二氧化硅基无机混合材料形成。

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