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1. 发明申请

WO2018022622A1 INFRARED DETECTOR DEVICES AND FOCAL PLANE ARRAYS HAVING A TRANSPARENT COMMON GROUND STRUCTURE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有透明共同接地结构的红外探测器装置和焦平面阵列及其制造方法
公开(公告)号：WO2018022622A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/US2017/043734
申请日：2017-07-25
申请人： L-3 COMMUNICATIONS CINCINNATI ELECTRONICS CORPORTATION , WEI, Yajun , ALLEN, Steven , GARTER, Michael , GREINER, Mark , FORRAI, David , ENDRES, Darrel
发明人： ENDRES, Darrel
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/144
CPC分类号： H01L27/14694 , H01L27/1443 , H01L27/14632 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L27/14678 , H01L31/03046 , H01L31/035236
摘要： Focal plane arrays and infrared detector device having a transparent common ground structure and methods of their fabrication are disclosed. In one embodiment, a front-side illuminated infrared detector device includes a contact layer and a detector structure adjacent to the contact layer. The detector structure is capable of absorbing radiation. The front-side illuminated infrared detector device further includes a common ground structure adjacent the detector structure, wherein the common ground structure is transmissive to radiation having a wavelength is a predetermined spectral band, and the common ground structure has a bandgap that is wider than a bandgap of the detector structure. The front-side illuminated infrared detector device further includes an optical layer adjacent the common ground structure.
摘要翻译：公开了具有透明公共接地结构的焦平面阵列和红外探测器装置及其制造方法。在一个实施例中，前侧照射红外检测器装置包括接触层和与接触层相邻的检测器结构。探测器结构能够吸收辐射。前侧照射红外检测器装置还包括与检测器结构相邻的公共接地结构，其中公共接地结构对于波长为预定光谱带的辐射是透射的，并且公共接地结构具有比探测器结构的带隙。前侧照射式红外探测器装置还包括与公共接地结构相邻的光学层。

2. 发明申请

WO2017077899A1 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS 审中-公开
标题翻译：固态成像装置和电子设备
公开(公告)号：WO2017077899A1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/JP2016/081505
申请日：2016-10-25
申请人： SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人： HATANO Keisuke , NAKAMURA Ryosuke , UESUGI Yuji , KOGA Fumihiko , YAMAGUCHI Tetsuji
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14687
摘要： Imaging devices and electronic apparatuses incorporating imaging devices are provided. An imaging device as disclosed can include a first pixel (2PA, 2PB) and a second pixel (2X). The first and second pixels each have a first electrode (51A, 51B, 51C), a portion of a photoelectric conversion film (81), and a portion of a second electrode (82), where the photoelectric conversion film is between the first electrode and the second electrode. The first electrode (51A, 51B) of the first pixel has a first area, while the first electrode (51C) of the second pixel has a second area that is smaller than the first area. The first pixel can include a light shielding film (52A, 52B). Alternatively or in addition, the first pixel can be divided into first and second portions.
摘要翻译：提供了包含成像装置的成像装置和电子设备。所公开的成像设备可以包括第一像素（2PA，2PB）和第二像素（2X）。第一像素和第二像素分别具有第一电极（51A，51B，51C），光电转换膜（81）的一部分以及第二电极（82）的一部分，其中光电转换膜位于第一电极和第二电极。第一像素的第一电极（51A，51B）具有第一区域，而第二像素的第一电极（51C）具有比第一区域小的第二区域。第一像素可以包括遮光膜（52A，52B）。可选地或另外地，第一像素可以被分成第一部分和第二部分。

3. 发明申请

WO2016153585A1 APPARATUS AND METHOD USING A DUAL GATE TFT STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：装置和使用双栅TFT结构的方法
公开(公告)号：WO2016153585A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/US2016/014019
申请日：2016-01-20
申请人： CARESTREAM HEALTH, INC.
发明人： MRUTHYUNJAYA, Ravi
IPC分类号： H04N5/32 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14609 , G01T1/247 , H01L27/14614 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14658 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H04N5/32 , H04N5/3741
摘要： A detector having an array of pixels arranged in columns and rows. Each of the pixels has a photosensor and a switch device. The switch devices in each pair of row-adjacent pixels are connected to a common data line and a common bottom gate line. A pair of top gate lines are each connected to one of the pair of row-adjacent pixels.
摘要翻译：具有以列和行排列的像素阵列的检测器。每个像素具有光电传感器和开关装置。每对行相邻像素中的开关器件连接到公共数据线和公共底栅线。一对顶栅线各自连接到一对行相邻像素中的一个。

4. 发明申请

WO2016117123A1 撮像装置、および内視鏡审中-公开
标题翻译：图像捕获设备和内窥镜
公开(公告)号：WO2016117123A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：PCT/JP2015/051884
申请日：2015-01-23
申请人：オリンパス株式会社
发明人：前江田　和也 , 川除　昌一郎
IPC分类号： H04N5/225 , A61B1/04 , H01L27/14 , H04N5/369
CPC分类号： A61B1/051 , A61B1/0011 , A61B1/00114 , A61B1/00124 , A61B1/005 , A61B1/04 , H01L24/16 , H01L27/14 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L2224/16227 , H04N5/2256 , H04N2005/2255
摘要：撮像装置１は、傾斜面１０ＳＳに複数の電極パッド１３が列設されている撮像素子１０と、第１の端部４０Ｓ１に複数の電極パッド１３のそれぞれと第１の半田バンプ５４を介して接合されている複数の第１の接合電極４４が列設されており、第２の端部４０Ｓ２に複数の第２の接合電極４６が列設されている配線板４０と、複数の第２の接合電極４６のそれぞれと第２の半田バンプ５６を介して接合されている信号ケーブル５０と、を具備する撮像装置１であって、第１の端部４０Ｓ１を覆う第１の保護膜４２と、第２の端部４０Ｓ２を覆う、第１の保護膜４２の厚さおよび第２の半田バンプ５６の高さよりも厚い、第２の保護膜４３と、を配線板４０が有する。
摘要翻译：图像捕获装置1设置有图像捕获元件10，其中多个电极焊盘13并置在倾斜平面10SS上，布线板40上，多个第一连接电极44连接到多个第一连接电极电极焊盘13经由焊料凸块54并置在第一端部40S1处，并且多个第二接合电极46并置在第二端部40S2处，并且信号电缆50通过多个第二接合电极46中的每一个连接到多个第二接合电极46 焊料凸块56，其中布线板40具有覆盖第一端部40S1的第一保护膜42和覆盖第二端部40S2的第二保护膜43，第二保护膜43的厚度大于第一保护层膜42和第二焊料凸块56的高度。

5. 发明申请

WO2016082391A1 光电二极管及其制备方法、X射线探测器及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016082391A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/CN2015/075030
申请日：2015-03-25
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：赵磊 , 郭炜
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/105 , G01T1/241 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L31/115 , H01L31/18 , H01L31/1864
摘要：一种PIN光电二极管，包括第一掺杂层（6）、第二掺杂层（8）以及位于第一和第二掺杂层之间的本征层（7），第一掺杂层设置在X射线探测器的薄膜晶体管的源/漏电极层（5）上，第二掺杂层中设置有掺杂浓度比第二掺杂层的掺杂浓度更大的重掺杂区（9），重掺杂区与PIN光电二极管的阴极（11）电连接。

6. 发明申请

WO2016002626A1 撮像パネル、及びそれを備えたＸ線撮像装置审中-公开
标题翻译：成像面板和X射线成像装置
公开(公告)号：WO2016002626A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2015/068356
申请日：2015-06-25
申请人：シャープ株式会社
发明人：冨安　一秀 , 森　重恭
IPC分类号： H04N5/32 , G01T1/20 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14663 , G01N23/04 , G01T1/20 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H04N5/32
摘要：　撮像パネルにおける開口率を向上させる技術を提供する。撮像パネルは、被写体を透過したＸ線をシンチレータで変換したシンチレーション光を撮像する。撮像パネルは、複数のゲート線１１と複数のデータ線１２とを備える。撮像パネルは、各画素１３において、シンチレーション光を電荷に変換する変換素子１５と、ゲート線１１と、データ線１２と、変換素子１５とに接続された薄膜トランジスタ１４と、変換素子１５と接続され、変換素子１５にバイアス電圧を供給する金属配線１６とを備える。金属配線１６は、変換素子１５におけるゲート線１１の延伸方向の略中央より、薄膜トランジスタ１４と接続されたデータ線１１側に、データ線１１と略平行に配置されている。
摘要翻译：提供了一种用于增加成像面板中的开口率的技术。该成像面板通过闪烁体从通过成像靶的X射线照射闪烁。成像面板设置有多条栅极线（11）和多条数据线（12）。在每个像素（13）中，成像面板设置有将闪烁转换为电荷的转换元件（15），连接到栅极线（11）的薄膜晶体管（14），数据线（12））和转换元件（15）以及连接到转换元件（15）并向所述转换元件（15）提供偏置电压的金属布线（16）。金属配线（16）大致平行于数据线（12）配置，相对于转换元件（15）在栅极线（11）的延伸方向上的大致中心，配置在连接到薄膜晶体管（14）的数据线（12）。

7. 发明申请

WO2015111419A3 IMAGE SENSOR HAVING IMPROVED DICING PROPERTIES, MANUFACTURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有改进性能的图像传感器，制造装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2015111419A3
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/JP2015000329
申请日：2015-01-26
申请人： SONY CORP
发明人： YAMAMOTO ATSUSHI , MIYAZAWA SHINJI , OOKA YUTAKA , MAEDA KENSAKU , MORIYA YUSUKE , OGAWA NAOKI , FUJII NOBUTOSHI , FURUSE SHUNSUKE , NAGATA MASAYA , YAMAMOTO YUICHI
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L2224/11
摘要： The present technology relates to techniques of preventing intrusion of moisture into a chip. Various illustrative embodiments include image sensors that include: a substrate; a plurality of layers stacked on the substrate; the plurality of layers including a photodiode layer having a plurality of photodiodes formed on a surface of the photodiode layer; the plurality of layers including at least one layer having a groove formed such that a portion of the at least one layer is excavated; and a transparent resin layer formed above the photodiode layer and formed in the groove. The present technology can be applied to, for example, an image sensor.
摘要翻译：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施例包括图像传感器，其包括：基板; 层叠在所述基板上的多个层; 所述多个层包括在所述光电二极管层的表面上形成有多个光电二极管的光电二极管层; 所述多个层包括至少一个具有形成为使得所述至少一个层的一部分被挖出的凹槽的层; 以及在光电二极管层的上方形成并形成在沟槽内的透明树脂层。本技术可以应用于例如图像传感器。

8. 发明申请

WO2015142677A1 AN IMAGE SENSOR, AN INSPECTION SYSTEM AND A METHOD OF INSPECTING AN ARTICLE 审中-公开
标题翻译：图像传感器，检查系统和检查方法
公开(公告)号：WO2015142677A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/US2015/020610
申请日：2015-03-13
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION
发明人： CHUANG, Yung-Ho Alex , ZHANG, Jingjing , FIELDEN, John
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/66
CPC分类号： H01L27/14632 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2201/061 , G01N2201/0638 , G01N2201/12 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14681 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L27/14825 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804
摘要： A high sensitivity image sensor comprises an epitaxial layer of silicon that is intrinsic or lightly p doped (such as a doping level less than about 1013 cm-3). CMOS or CCD circuits are fabricated on the front-side of the epitaxial layer. Epitaxial p and n type layers are grown on the backside of the epitaxial layer. A pure boron layer is deposited on the n-type epitaxial layer. Some boron is driven a few nm into the n-type epitaxial layer from the backside during the boron deposition process. An anti-reflection coating may be applied to the pure boron layer. During operation of the sensor a negative bias voltage of several tens to a few hundred volts is applied to the boron layer to accelerate photo-electrons away from the backside surface and create additional electrons by an avalanche effect. Grounded p-wells protect active circuits as needed from the reversed biased epitaxial layer.
摘要翻译：高灵敏度图像传感器包括硅的外延层，其是固有的或轻掺杂的（例如掺杂水平小于约1013cm-3）。 CMOS或CCD电路制造在外延层的前侧。外延p和n型层生长在外延层的背面。在n型外延层上沉积纯硼层。在硼沉积过程中，一些硼从背面被驱动到几nm的n型外延层中。可以将抗反射涂层施加到纯硼层。在传感器的操作期间，将数十至几百伏的负偏压施加到硼层，以加速光电子远离背面，并通过雪崩效应产生额外的电子。接地的p阱可以根据需要从反向偏置的外延层保护有源电路。

9. 发明申请

WO2015115537A1 樹脂組成物、樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び固体撮像素子审中-公开
标题翻译：树脂组合物，使用树脂组合物制造半导体器件的方法和固态成像元件
公开(公告)号：WO2015115537A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/JP2015/052505
申请日：2015-01-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：加藤　禎明 , 木村　美華 , 池田　綾 , 藤井　真二郎
IPC分类号： C08L33/08 , C09J4/00 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J133/14 , H01L27/14
CPC分类号： C09J133/14 , C08F220/18 , C08F220/32 , C08F220/34 , C08F2220/325 , C09J4/06 , C09J133/06 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , C08F2220/1825 , C08F2220/1875 , C08F2220/1858 , C08F220/44
摘要：　（ａ）アクリル重合体、（ｂ）少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物、及び（ｃ）重合開始剤を含有する樹脂組成物であって、（ａ）アクリル重合体と（ｂ）少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物との１００℃における屈折率差の絶対値が０．０３１以下である樹脂組成物。
摘要翻译：一种树脂组合物，其含有（a）丙烯酸类聚合物，（b）具有至少一个（甲基）丙烯酰基的化合物和（c）聚合引发剂，在100℃下的折射率差异的绝对值（a）丙烯酸类聚合物和（b）具有至少一个（甲基）丙烯酰基的化合物为0.031以下。

10. 发明申请

WO2015104965A1 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产半导体外延波形的方法，半导体外延波形以及制造固态成像元件的方法
公开(公告)号：WO2015104965A1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：PCT/JP2014/083315
申请日：2014-12-10
申请人：株式会社SUMCO
发明人：奥山　亮輔
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14698 , H01L21/26566 , H01L21/3221 , H01L27/146 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/14692
摘要：本発明の半導体エピタキシャルウェーハ１００の製造方法は、半導体ウェーハ１０の表面１０Ａにクラスターイオン１２を照射して、該半導体ウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層１４を形成する第１工程と、前記半導体ウェーハの改質層１４上にエピタキシャル層１８を形成する第２工程と、を有し、前記第１工程は、前記改質層１４における厚み方向の一部がアモルファス層１６となり、かつ、該アモルファス層１６の前記半導体ウェーハ表面側の表面１６Ａの平均深さが前記半導体ウェーハ表面１０Ａから２０ｎｍ以上となるように行うことを特徴とする。
摘要翻译：该半导体外延晶片（100）的制造方法的特征在于，包括：第一工序，其中用聚簇离子（12）照射半导体晶片（10）的表面（10A），使得修饰层（14）在在半导体晶片的表面部分形成簇离子的构成元素，以及第二步骤，其中在所述半导体晶片的所述改性层（14）上形成外延层（18）。用于制造半导体外延晶片（100）的方法的特征还在于，第一步骤被执行，使得部分改性层（14）在厚度方向上形成非晶层（16），并且平均深度非晶层（16）的半导体晶片表面侧表面（16A）距离半导体晶片表面（10A）为20nm以上。

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