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    • 3. 发明申请
    • PHOTODETECTOR WITH CONDUCTIVE CHANNEL MADE FROM TWO DIMENSIONAL MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD
    • 具有两维材料导电通道的光电二极管及其制造方法
    • WO2017051068A1
    • 2017-03-30
    • PCT/FI2016/050626
    • 2016-09-12
    • NOKIA TECHNOLOGIES OY
    • BESSONOV, AlexanderROBINSON, AdamCOTTON, DarrylWHITE, Richard
    • H01L31/112H01L31/0236H01L31/028H01L31/0352
    • H01L31/028H01L31/02363H01L31/02366H01L31/035209H01L31/035218H01L31/112Y02E10/547
    • A photodetector (400) has a two dimensional conductive channel (302, 408) with source and drain electrodes (404) configured to enable a flow of electrical current through the two dimensional conductive channel (302, 408); and a quantum dot layer (304, 406) overlying the two dimensional conductive channel (302, 408), the quantum dot layer (304, 406) configured to generate charge on exposure to incident electromagnetic radiation (310), the generated charge producing an electric field which causes a change in electrical current passing through the underlying two dimensional conductive channel (302, 408), the change in electrical current being indicative of one or more of the presence and magnitude of the incident electromagnetic radiation (310); wherein the quantum dot layer (304, 406) is configured to have an incident electromagnetic radiation surface (312) which has a texturing comprising undulations in the surface to provide a surface roughness with an average peak amplitude (308) of the order of between 10nm and 300nm. The surface texture increases the amount of electromagnetic radiation absorbed in the quantum dot layer (304, 406) in comparison to a photodetector having a flat (non-textured) incident electromagnetic radiation surface.
    • 光电检测器(400)具有二维导电通道(302,408),源极和漏极电极(404)被配置为使电流流过二维导电通道(302,408); 以及覆盖所述二维导电通道(302,408)的量子点层(304,406),所述量子点层(304,406)被配置为在暴露于入射电磁辐射(310)时产生电荷,所产生的电荷产生 导致通过下面的二维导电通道(302,408)的电流变化的电场,电流的变化指示入射电磁辐射(310)的存在和大小中的一个或多个; 其中所述量子点层(304,406)被配置为具有入射电磁辐射表面(312),所述入射电磁辐射表面具有在所述表面中包含起伏的纹理,以提供具有10nm量级的平均峰值幅度(308)的表面粗糙度 和300nm。 与具有平坦(非纹理)入射电磁辐射表面的光电检测器相比,表面纹理增加了量子点层(304,406)中吸收的电磁辐射的量。
    • 9. 发明申请
    • PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
    • 制造光伏电池的方法
    • WO2016066570A1
    • 2016-05-06
    • PCT/EP2015/074703
    • 2015-10-26
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
    • LANTERNE, AdelineGALL, SamuelLE PERCHEC, JérômePIROT, Marc
    • H01L31/18H01L31/0236
    • H01L31/068H01L31/02363H01L31/1804H01L31/1864Y02E10/547Y02P70/521
    • Ce procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comprend successivement : - à partir d'un substrat (1) semi-conducteur en silicium cristallin dopé selon un premier type de dopage, et comportant une première face (10) et une deuxième face (11) opposée à ladite première face (10), la réalisation d'une texturation (20) de surface d'au moins la première face (10) du substrat (1); - la réalisation, sur la première face (10) texturée, d'une première zone semiconductrice dopée (12) selon un deuxième type de dopage par implantation (21) de premiers éléments dopants constitués par des atomes de bore dans au moins une partie du substrat (1) et par activation (23) desdits premiers éléments dopants via une irradiation laser (4) de ladite première face (10), - la réalisation d'un recuit thermique (22) du substrat texturé (1) préalablement à l'irradiation laser de la première face (10), ledit recuit thermique préalable (22) étant réalisé à une température comprise entre 600 et 950°C, pendant une durée supérieure à une minute.
    • 本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括:从根据第一类型掺杂掺杂的晶体硅制成的半导体衬底(1),并包括第一表面(10)和第二表面 表面(11)与所述第一表面(10)相对,使所述基底(1)的至少第一表面(10)的表面纹理化(20)。 在所述第一纹理化表面(10)上形成第一半导体区(12),所述第一半导电区(12)根据第二类型的掺杂掺杂,所述掺杂通过在所述衬底的至少一部分中由硼原子注入(21) (1)和通过所述第一表面(10)的激光照射(4)激活(23)所述第一掺杂元件。 在第一表面(10)的激光照射之前,经过纹理化的基板(1)的热退火(22),所述先前的热退火(22)在600℃至950℃的温度下进行一段时间 等一下。