基本信息:
- 专利标题： パワー半導体装置、整流装置および電源装置
- 专利标题（英）：Power semiconductor device, rectifier device, and power source device
- 专利标题（中）：功率半导体器件，整流器器件和电源器件
- 申请号：PCT/JP2013/083109 申请日：2013-12-10
- 公开(公告)号：WO2014092089A1 公开(公告)日：2014-06-19
- 发明人： 恩田 智弘 , 石川 耕一 , 武田 翼
- 申请人： 株式会社 日立パワーデバイス
- 申请人地址： 〒3191221 茨城県日立市大みか町五丁目2番2号 Ibaraki JP
- 专利权人： 株式会社 日立パワーデバイス
- 当前专利权人： 株式会社 日立パワーデバイス
- 当前专利权人地址： 〒3191221 茨城県日立市大みか町五丁目２番２号 Ibaraki JP
- 代理机构： 磯野 道造
- 优先权： JP2012-270550 20121211
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L21/312 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L25/11 ; H01L29/868 ; H02M7/06
摘要：
本発明に係るパワー半導体装置は、ｐ基板型正極素子またはｎ基板型負極素子の半導体チップ（１０）を用いて構成されるが、ｐ基板型正極素子の半導体チップ（１０）の場合、半導体チップ（１０）は、接合材（４１）を介してベース電極体（３０）の上面に、ｐｎ接合部（１３）が近い側の主面が接合され、また、半導体チップ（１０）の他方の主面の上部には、接合材（４０）を介してリード電極体（２０）が接合される。そして、半導体チップ（１０）の端部側面には、絶縁保護膜（５０）が形成され、さらにその外部には、封止樹脂体（６０）が形成されている。
摘要（中）：
该功率半导体装置使用p基板正极元件或n基板负极元件的半导体芯片（10）构成，但是在p基板正极元件的半导体芯片（10）的情况下， 在靠近pn结（13）的一侧的半导体芯片（10）的主表面通过其间的接合材料（41）接合到基底电极体（30）的顶表面，并且引线电极体 （20）之间的接合材料（40）连接到半导体芯片（10）的另一个主表面的顶部。 此外，在半导体芯片（10）的端侧表面形成有绝缘保护膜（50），此外，在其外部形成有密封树脂体（60）。