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1. 发明申请

WO2018234154A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018234154A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/EP2018/065842
申请日：2018-06-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VARGHESE, Tansen
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L33/18 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/504 , H01L33/507
摘要： Optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) zur Emission mehrfarbiger Strahlung (R, G, B), mit - einer Vielzahl nebeneinander angeordneter aktiver Bereiche (10a, 10b, 10c), die als Mikro- oder Nanostäbe ausgebildet sind und zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung (B) eingerichtet sind, wobei - einer ersten Gruppe der aktiven Bereiche (10a) in einer Abstrahlrichtung jeweils ein erstes Lumineszenzkonversionselement (21) nachfolgt, das zur Konvertierung der Primärstrahlung (B) in eine erste Sekundärstrahlung (R) geeignet ist, und - einer zweiten Gruppe der aktiven Bereiche (10b) in der Abstrahlrichtung jeweils ein zweites Lumineszenzkonversionselement (22) nachfolgt, das zur Konvertierung der Primärstrahlung (B) in eine zweite Sekundärstrahlung (G) geeignet ist, wobei die Primärstrahlung (B), die erste Sekundärstrahlung (R) und die zweite Sekundärstrahlung (G) verschiedene Farben aufweisen.

2. 发明申请

WO2017153600A1 ÉCRAN ACTIF ET AFFICHEUR TÊTE HAUTE COMPRENANT UN TEL ÉCRAN 审中-公开
标题翻译：包含这种A屏幕的活动屏幕和高头显示器
公开(公告)号：WO2017153600A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/EP2017/055753
申请日：2017-03-10
申请人： VALEO COMFORT AND DRIVING ASSISTANCE
发明人： GRANDCLERC, François , MERMILLOD, Pierre
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/18 , H01L33/24 , G02B27/01 , H01L33/08 , H01L33/50
CPC分类号： G02B27/0101 , B60K35/00 , B60K2370/334 , G02B27/01 , G02B2027/0118 , H01L25/0753 , H01L27/1214 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/50 , H01L33/502
摘要： L'invention concerne un écran actif (220), c'est-à-dire émetteur de lumière, comprenant une matrice de modules (222) formant chacun un pixel, et une matrice (260) d'éléments de commande destinés à adresser respectivement chacun de ces modules. Selon l'invention, chaque module comprend au moins trois sous-modules (224) émetteurs de lumière comportant chacun une structure électroluminescente tridimensionnelle (250), et chaque élément de commande est destiné à adresser individuellement chaque sous-module. Un afficheur tête haute (1) comprenant un tel écran (220), et un dispositif de projection (24) d'images adapté à transmettre en direction d'une lame semi-transparente (10) les images générées par ledit écran, est également décrit.
摘要翻译：本发明涉及一种有源屏幕（220），也就是说光发射器，其包括各自形成像素的模块（222）的矩阵，和用于控制元件的矩阵（260）分别分别对这些模块进行地址分配根据本发明，每个模块包括至少三个光子模块（224），每个子模块具有三维（250）电致发光结构，并且每个控制元件旨在用于发光环境。＆Agrave; 分别寻址每个子模块。包括这种屏幕（220）的高级显示器（1）和适配图像投影设备（24）。＆Agrave; 向半透明板（10）传输由所述屏幕产生的图像也被描述。

3. 发明申请

WO2017046015A1 GESTION DE PUISSANCE D'UNE SOURCE LUMINEUSE LED A MICRO- OU NANO-FILS 审中-公开
标题翻译：用于微型或纳米线LED光源的电源管理
公开(公告)号：WO2017046015A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/EP2016/071375
申请日：2016-09-09
申请人： VALEO VISION
发明人： SEIF, Lothar , ZOJCESKI, Zdravko
IPC分类号： H05B39/06 , H05B33/08 , H01L33/08
CPC分类号： H05B39/06 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/38 , H05B33/0845
摘要： L'invention propose un procédé de gestion de la puissance dissipée par une source lumineuse à électroluminescence comprenant des bâtonnets électroluminescents de dimensions submillimétriques faisant saillie d'un substrat et répartis en une pluralité de groupes identiques. En utilisant les mesures de l'invention, il devient possible de gérer la dissipation de puissance de la source lumineuse face à des variations instantanées de l'intensité du courant électrique qui l'alimente.
摘要翻译：本发明涉及一种用于管理由电致发光光源消散的功率的方法，包括从基板突出并分成多个相同组的亚毫米电致发光棒。使用本发明的措施，可以在电流供应的强度突然变化的情况下管理来自光源的功率消耗。

4. 发明申请

WO2016108023A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOFILS OU DE MICROFILS SEMICONDUCTEURS A PIEDS ISOLES 审中-公开
标题翻译：用于制造具有绝缘层的半导体纳米微粒或微波的方法
公开(公告)号：WO2016108023A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/FR2015/053758
申请日：2015-12-24
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： POURQUIER, Eric , GIBERT, Philippe , MARTIN, Brigitte
IPC分类号： H01L33/18 , H01L31/0352 , H01L33/44 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/24 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02E10/543 , Y02E10/544
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (10) comprenant un substrat (14) et des microfils ou nanofils (20) reposant sur le substrat, le procédé comprenant les étapes successives consistant à recouvrir les fils d'une couche isolante (26), à recouvrir la couche isolante d'une couche opaque, à déposer une première couche de résine photosensible s 'étendant sur le substrat entre les fils, à graver la première couche de résine photosensible sur une première épaisseur par photolithographie, à graver la première couche de résine photosensible restante après l'étape précédente sur une deuxième épaisseur par gravure au plasma, à graver la partie de la couche opaque non recouverte de la première couche de résine photosensible restante après l'étape précédente, à graver la partie de la couche isolante non recouverte de la couche opaque, à retirer la première couche de résine photosensible restante après l'étape précédente, et à retirer la couche opaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造电子器件（10）的方法，该电子器件（10）包括衬底（14）和放置在衬底上的微线或纳米线（20），该工艺包括用绝缘层（26）覆盖电线的连续步骤，在用不透明层覆盖绝缘层时，在通过光刻在第一厚度上蚀刻第一光致抗蚀剂层之后，在衬底之间沉积第一光致抗蚀剂层，在第二次蚀刻第一光致抗蚀剂层之后，在前一步骤之后残留的第一光致抗蚀剂层在蚀刻未被不透明层覆盖的绝缘层的部分的蚀刻中，在蚀刻未被前述步骤之后残留的第一光致抗蚀剂层未被覆盖的不透明层的部分，在去除第并且在去除不透明层时。

5. 发明申请

WO2016087509A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT SOWIE OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2016087509A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/078348
申请日：2015-12-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BUTENDEICH, Rainer , STOLL, Ion , MANDL, Martin , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/50 , H01L33/504
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip (12), der im Betrieb ein blau-grünes Licht (4) emittiert und zumindest eine Lichtdurchtrittsflache (12a) aufweist, durch die das im Betrieb emittierte blaugrüne Licht (4) tritt, und ein Konversionselement (3), das Leuchtstoffpartikel (31), insbesondere nur einer Art, umfasst und zumindest stellenweise auf der Lichtdurchtrittsflache (12a) angeordnet ist, wobei die Leuchtstoffpartikel (31) das blau-grüne Licht (4) zumindest teilweise in ein rotes Licht (5) konvertieren und das optoelektronische Bauelement ein weißes Mischlicht (6), das nicht-konvertierte Teile des blau-grünen Lichts (4) und Teile des roten Lichts (5) enthält, emittiert.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件，包括：半导体芯片（12），在（4）和至少一个光通道区域（12A），通过该操作蓝绿光（4）发生期间发出的光的操作发出蓝绿光，和一个转换元件（3）中，磷光体颗粒（31），特别是只有一个类型包括，而在光通过区域（12A）至少局部地被布置，其中，所述磷光体颗粒（31）的蓝 - 绿色光（4）至少部分地（在红光转换5）和光电子器件是白色的混合光（6），蓝 - 绿光（含4）和红色光的部分（5）发射的未转换的部件。

6. 发明申请

WO2015181657A1 ADVANCED ELECTRONIC DEVICE STRUCTURES USING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND SUPERLATTICES 审中-公开
标题翻译：使用半导体结构和超导体的高级电子器件结构
公开(公告)号：WO2015181657A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/IB2015/053203
申请日：2015-05-01
申请人： THE SILANNA GROUP PTY LIMITED
发明人： ATANACKOVIC, Petar , GODFREY, Matthew
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/15 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/14 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要： Semiconductor structures and methods for forming those semiconductor structures are disclosed. For example, a p-type or n-type semiconductor structure is disclosed. The semiconductor structure has a polar crystal structure with a growth axis that is substantially parallel to a spontaneous polarization axis of the polar crystal structure. The semiconductor structure changes in composition from a wider band gap (WBG) material to a narrower band gap (NBG) material or from a NBG material to a WBG material along the growth axis to induce p-type or n- type conductivity.
摘要翻译：公开了用于形成这些半导体结构的半导体结构和方法。例如，公开了p型或n型半导体结构。半导体结构具有极性晶体结构，其生长轴基本上平行于极性晶体结构的自发极化轴。半导体结构从更宽的带隙（WBG）材料到较窄带隙（NBG）材料或从NBG材料沿生长轴向WBG材料的组成变化以诱导p型或n-型导电性。

7. 发明申请

WO2015155437A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET A DIAGRAMME D'EMISSION AMELIORE 审中-公开
标题翻译：具有发光二极管的光电器件和改进的辐射图案
公开(公告)号：WO2015155437A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/FR2015/050810
申请日：2015-03-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： GASSE, Adrien , ANDRE, Bernard , BONO, Hubert , HUGON, Xavier
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/18
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/15 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un support (10) comprenant une face (14) ayant au moins une portion (15) concave ou convexe, l'amplitude de la flèche de ladite portion étant supérieure à 1/20 ème de la corde (C) de ladite portion, et des diodes électroluminescentes (18) reposant sur ladite portion, chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur cylindrique, conique ou tronconique, au contact de ladite portion, l'amplitude de la flèche de la surface de contact entre chaque élément semiconducteur et ladite portion étant inférieure ou égale à 0,5 um.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（5），其具有支撑件（10），该支架（10）包括具有至少一个凹部或凸部（15）的面（14），所述部分的矢状面的振幅高于所述部分的弦（C）和布置在所述部分上的发光二极管（18），每个发光二极管包括与所述部分接触的圆柱形，圆锥形或截头圆锥形或截头圆锥半导体元件，触点的矢状的振幅每个半导体元件和所述部分之间的表面低于或等于0.5μm。

8. 发明申请

WO2015146069A1 発光ダイオード素子审中-公开
标题翻译：发光二极管元件
公开(公告)号：WO2015146069A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2015/001467
申请日：2015-03-17
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：長谷川　義晃 , 丹治　佑介 , 福久　敏哉 , 道盛　方紀 , 西郷　正康 , 久納　康光 , 粂　雅博 , 川口　靖利 , 狩野　隆司
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要：　ＧａＮ基板の積層面をＣ面としても、発光効率の低下を抑制することにより高品質が得られる発光ダイオード素子を提供する。発光ダイオード素子（１０）は、Ｃ面を積層面としたＧａＮ基板（２０）と、ＧａＮ基板（２０）に積層され、第１ｎ型ＧａＮ層（３１）、ｎ型中間層（３２）および第２ｎ型ＧａＮ層（３３）からなるｎ型ＧａＮ層（３０）と、ｎ型ＧａＮ層（３０）に積層されたＡｌＧａＮ歪調整層（４０）とを備える。さらにＡｌＧａＮ歪調整層（４０）に積層され、ＡｌＧａＮ歪調整層（４０）よりａ軸方向の格子定数が大きいＩｎＧａＮにより形成された井戸層（５１）および障壁層（５２）による多重量子井戸構造と、を有する発光層（５０）と、発光層（５０）に積層されたｐ型ＡｌＧａＮクラッド層（６０）とを備えている。ＡｌＧａＮ歪調整層（４０）は、層厚が２ｎｍ～１０ｎｍに形成され、発光層（５０）は、井戸層（５１）が６層積層されている。
摘要翻译：提供了一种发光二极管元件，由此即使GaN衬底的层叠表面是C平面，也可以通过抑制发光效率劣化来获得高质量。发光二极管元件（10）具有：具有C面作为层叠表面的GaN衬底（20）; 层叠在GaN衬底（20）上并由第一n型GaN层（31），n型中间层（32）和第二n型GaN层（30）构成的n型GaN层（30） n型GaN层（33）; 和层叠在n型GaN层（30）上的AlGaN畸变调整层（40）。此外，发光二极管元件设置有层叠在AlGaN畸变调整层（40）上的发光层（50），其具有具有阱层（51）和阻挡层（51）的多量子阱结构（52），其由具有比所述AlGaN畸变调整层（40）的a轴方向的晶格常数的InGaN形成; 和层叠在发光层（50）上的p型AlGaN覆盖层（60）。 AlGaN畸变调整层（40）形成为具有2-10nm的层厚度，并且发光层（50）具有层压在其中的六个阱层（51）。

9. 发明申请

WO2015138102A1 LED DEVICE WITH EMBEDDED NANOWIRE LEDS 审中-公开
标题翻译：带嵌入式纳米LED的LED器件
公开(公告)号：WO2015138102A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/US2015/016696
申请日：2015-02-19
申请人： LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION
发明人： HU, Hsin-Hua , BIBL, Andreas
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/153 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24
摘要： A nanowire device (250) and a method of forming a nanowire device that is poised for pick up and transfer to a receiving substrate are described. In an embodiment, the nanowire device (250) includes a base layer (208) and a plurality of nanowires on and protruding away from a first surface of the base layer. An encapsulation material (234) laterally surrounds the plurality of nanowires in the nanowire device, such that the nanowires are embedded within the encapsulation material.
摘要翻译：描述了纳米线器件（250）和形成用于拾取和转移到接收衬底的纳米线器件的方法。在一个实施例中，纳米线器件（250）包括基底层（208）和在基底层的第一表面上并远离基底层突出的多个纳米线。封装材料（234）横向地围绕纳米线装置中的多个纳米线，使得纳米线嵌入封装材料内。

10. 发明申请

WO2015109968A1 晶圆级半导体器件及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015109968A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/CN2015/070836
申请日：2015-01-16
申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人：蔡勇 , 张亦斌 , 徐飞
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/642 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/94
摘要：一种晶圆级半导体器件及其制备方法。该晶圆级半导体器件包括晶圆级基片（11）；形成于该基片（11）表面且并联设置的多个串联组（b），每一串联组（b）包括串联设置的多个并联组（a），每一并联组（a）包括并联设置的多个单胞（20），其中每一单胞（20）均是由直接生长于该基片（11）表面的半导体层加工形成的独立功能单元；以及，导线（40），其至少电性连接于每一串联组（b）中的两个选定并联组（a）之间，用以使所有串联组（b）的导通电压基本一致。该器件结构简单，且其制程简单便捷、成本低，良品率高，适于规模化制造和应用。

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