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1. 发明申请

WO2006087065A2 LEISTUNGSHALBLEITERBAUGRUPPE 审中-公开
标题翻译：功率半导体组装
公开(公告)号：WO2006087065A2
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/EP2006/000457
申请日：2006-01-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BAYERER, Reinhold , THOBEN, Markus
发明人： BAYERER, Reinhold , THOBEN, Markus
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/24 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
摘要： Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleiterbaugruppe mit einem Träger (50), einem ersten Halbleiterchip (10) und einem zweiten Halbleiterchip (20). Dabei weist der erste Halbleiterchip (10) einen ersten Hauptanschluss (11) und einen zweiten Hauptanschluss (12) auf, die auf einander gegenüberliegenden Seiten des ersten Halbleiterchips (10) angeordnet sind. Der zweite Halbleiterchip (20) weist einen ersten Hauptanschluss (21) und einen zweiten Hauptanschluss (22) auf, die auf einander gegenüberliegenden Seiten des zweiten Halbleiterchips (20) angeordnet sind. Eine erste Seite (51) des Trägers (50) ist mit einer strukturierten Metallisierung (60) versehen, die einen ersten Abschnitt (61) und einen von diesem beabstandeten zweiten Abschnitt (62) aufweist. Der erste Halbleiterchip (10) ist auf der ersten Seite (51) des Trägers (50) angeordnet, und mittels seines zweiten Hauptanschlusses (12) mechanisch und elektrisch leitend mit dem ersten Abschnitt (61) verbunden. Der zweite Halbleiterchip (20) ist auf der ersten Seite (51) des Trägers (50) angeordnet und mittels seines zweiten Hauptanschlusses (22) mechanisch und elektrisch leitend mit dem zweiten Abschnitt (62) verbunden. Der erste Hauptanschluss (11) des ersten Halbleiterchips (10) und der erste Hauptanschluss (21) des zweiten Halbleiterchips (20) sind miteinander sowie mit einem zum Anschluss einer externen Last (100) oder einer externen Versorgungsspannung vorgesehenen ersten Anschlusskontakt (71) elektrisch leitend miteinander verbunden.
摘要翻译：本发明涉及与载体（50），第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的功率半导体器件。这里，第一主端子（11）和第二主端子（12），其被布置在第一半导体芯片（10）的相对侧上的第一半导体芯片（10）。第二半导体芯片（20）具有一个第一主端子（21）和第二主端子（22），其被布置在第二半导体芯片（20）的相对两侧。该载体（50）的第一侧（51）上设置有结构化的金属化（60）具有第一部分（61）和由其（62）间隔开的第二部分。在第一半导体芯片（10）被布置在所述载体（50）的第一侧（51），并通过它的第二主端子（12）机械地和导电地连接到所述第一部分（61）的装置。第二半导体芯片（20）被布置在所述载体（50）的第一侧（51）和通过它的第二主端子（22）机械地和导电地连接到所述第二部分（62）的装置。在第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的第一主端子（21）的第一主端子（11）被提供给彼此和一个外部负载（100）或外部电源第一端子触点（71）的连接导电互联。

2. 发明申请

WO2003001594A2 HOCHSPANNUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：高压模块与方法研究
公开(公告)号：WO2003001594A2
公开(公告)日：2003-01-03
申请号：PCT/EP2002/006199
申请日：2002-06-06
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , BAYERER, Reinhold , GABLER, Volker , LICHT, Thomas
发明人： BAYERER, Reinhold , GABLER, Volker , LICHT, Thomas
IPC分类号： H01L23/18
CPC分类号： H01L23/24 , H01L23/295 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/09701 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H05K1/0254 , H05K1/0306 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Hochspannungsmodul mit einem Gehäuse (9), in welchem sich mindestens ein Bauelement (4, 5) befindet, das auf einem Metall-Keramik-Substrat aus einer Keramikschicht (1) mit einer ersten Hauptseite (11) und einer der ersten Hauptseite gegenüberliegenden zweiten Hauptseite (12), einer oberen Metallschicht (15) auf der ersten Hauptseite (11) und einer unteren Metallschicht (16) auf der zweiten Hauptseite (12) befestigt ist. Erfindungsgemäss weist das Hochspannungsmodul zumindest an den Aussenkanten (14) des Substrats entweder aus einem Verguss aus schwach leitfähigen Partikeln (17) und einem Gel, oder aus einem Verguss aus Partikeln mit hoher Dielektrizitätskonstante im Vergleich zum Vergussgel (17) und einem Gel auf.
摘要翻译：具有壳体（9），其中至少一个部件（4，5）与第一主侧（11）和与第一主面相对的第二主中的一个支撑的陶瓷层（1）的金属陶瓷基片上的高电压模块（12），在所述第一主侧（11）的上金属层（15）和在所述第二主侧（12）的下部金属层（16）附连。根据本发明，高电压模块，至少在从弱导电性颗粒（17）和凝胶从任一个铸造在基板的外边缘（14），或由具有相比Vergussgel（17）的高介电常数粒子的铸造和凝胶。

3. 发明申请

WO2005027222A3 ASSEMBLY OF AN ELECTRICAL COMPONENT COMPRISING AN ELECTRICAL INSULATION FILM ON A SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAID ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：有电绝缘膜上的基板和方法电气元件的用于生产安排安排
公开(公告)号：WO2005027222A3
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：PCT/EP2004051979
申请日：2004-09-01
申请人： SIEMENS AG , EUPEC GMBH , AUERBACH FRANZ , BAYERER REINHOLD , LICHT THOMAS , WEIDNER KARL
发明人： AUERBACH FRANZ , BAYERER REINHOLD , LICHT THOMAS , WEIDNER KARL
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/3737 , H01L23/3735 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , Y10T428/24355 , Y10T428/24777 , Y10T442/10 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to the assembly of an electrical component (3) on a substrate (2). At least one electrical insulation film (5) is provided to electrically insulate the component and at least one section (52) of the insulation film is connected to the component and the substrate, in such a way that the surface contours (51) of said section of the insulation film are moulded to the surface contours (11) formed by the component and the substrate. The assembly is characterised in that the insulation film (5) has a dielectric strength in relation to an electric field strength of more than 10 kV/mm and preferably more than 50 kV/mm. To produce the assembly, the insulation film is laminated onto the substrate, preferably by means of a vacuum. This ensures that the insulation film and the component are in extremely close contact. The component is in particular a power semiconductor component. The insulation film ensures that no electrical arcing takes place, despite the high electrical voltages used during the operation of components of this type, even on exposed parts of the component, i.e. corners or edges, in which field overshoots can occur.
摘要翻译：本发明涉及一种电气部件（3）的组件的基板（2），其中，至少一个电绝缘膜（5）与组分所规定的部件的电绝缘性和至少一个部分（52）的绝缘膜的与基板连接，使得上是一个由部件，并在绝缘膜的部分的表面轮廓（51）在基板的表面轮廓（11）给定的被示出。该装置的特征在于，具有大于10千伏/毫米的电场强度，并且优选大于50千伏/毫米的电压电阻的绝缘膜（5）。用于制造结构中，绝缘膜被层压。这优选在真空下进行。因此，绝缘膜和所述部件之间的特别紧密的接触得以实现。该组件是特别是功率半导体器件。通过绝缘膜保证了尽管在这样的设备高的电的电压，即使在装置的暴露的位置，即在角部或边缘可能引起过度的场增加的操作所使用的，就没有电弧。

4. 发明申请

WO2005027222A2 ANORDNUNG EINES ELEKTRISCHEN BAUELEMENTS MIT EINER ELEKTRISCHEN ISOLATIONSFOLIE AUF EINEM SUBSTRAT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DER ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：在基板上安装具有电绝缘箔的电子部件以及制造该装置的方法
公开(公告)号：WO2005027222A2
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/EP2004/051979
申请日：2004-09-01
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , EUPEC GMBH , AUERBACH, Franz , BAYERER, Reinhold , LICHT, Thomas , WEIDNER, Karl
发明人： AUERBACH, Franz , BAYERER, Reinhold , LICHT, Thomas , WEIDNER, Karl
IPC分类号： H01L23/538
CPC分类号： H01L23/3737 , H01L23/3735 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , Y10T428/24355 , Y10T428/24777 , Y10T442/10 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung eines elektrischen Bauelements (3) auf einem Substrat (2), wobei mindestens eine elektrische Isolationsfolie (5) zur elektrischen Isolierung des Bauelements vorhanden ist und zumindest ein Teil (52) der Isolationsfolie mit dem Bauelement und dem Substrat derart verbunden ist, dass eine durch das Bauelement und das Substrat gegebene Oberflächenkontur (11) in einer Oberflächenkontur (51) des Teils der Isolationsfolie abgebildet ist. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsfolie (5) eine Spannungsfestigkeit gegenüber einer elektrischen Feldstärke von mehr als 10 kV/mm und vorzugsweise von mehr als 50 kV/mm aufweist. Zum Herstellen der Anordnung wird die Isolationsfolie auflaminiert. Dies geschieht vorzugsweise unter Vakuum. Dadurch wird ein besonders inniger Kontakt zwischen der Isolationsfolie und dem Bauelement erzielt. Das Bauelement ist insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement. Durch die Isolationsfolie ist gewährleistet, dass es trotz der im Betrieb derartiger Bauelemente verwendeten hohen elektrischen Spannungen auch an exponierten Stellen des Bauelements, also an Ecken oder Kanten, an denen es zu Feldüberhöhungen kommen kann, zu keinen elektrischen Überschlägen kommt.
摘要翻译：
本发明涉及一种电气部件（3）的组件的基板（2），其中，至少一个电绝缘膜（5）设置为所述绝缘膜的所述部件的电绝缘性和至少一个部分（52）上以这样的方式连接到所述部件和所述基板，使得由所述部件和所述基板给出的表面轮廓（11）在所述绝缘膜的所述部分的表面轮廓（51）中成像。该装置的特征在于绝缘薄膜（5）具有相对于大于10kV / mm，优选大于50kV / mm的电场强度的介电强度。为了产生这种排列，绝缘膜被层压。这优选在真空下进行。结果，实现了绝缘膜和部件之间的特别紧密的接触。该组件特别是功率半导体组件。通过绝缘膜GEW＆AUML;确保尽管在这样的设备的操作中使用的高电电压，即使在装置的暴露的位置，即在角部或边缘，其中它字段导航用途可导致无电＆Uuml关系; BERH＆ouml; 即将实现。

5. 发明申请

WO2003001594A3 HOCHSPANNUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2003001594A3
公开(公告)日：2003-01-03
申请号：PCT/EP2002/006199
申请日：2002-06-06
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , BAYERER, Reinhold , GABLER, Volker , LICHT, Thomas
发明人： BAYERER, Reinhold , GABLER, Volker , LICHT, Thomas
IPC分类号： H01L23/18
摘要： Hochspannungsmodul mit einem Gehäuse (9), in welchem sich mindestens ein Bauelement (4, 5) befindet, das auf einem Metall-Keramik-Substrat aus einer Keramikschicht (1) mit einer ersten Hauptseite (11) und einer der ersten Hauptseite gegenüberliegenden zweiten Hauptseite (12), einer oberen Metallschicht (15) auf der ersten Hauptseite (11) und einer unteren Metallschicht (16) auf der zweiten Hauptseite (12) befestigt ist. Erfindungsgemäss weist das Hochspannungsmodul zumindest an den Aussenkanten (14) des Substrats entweder aus einem Verguss aus schwach leitfähigen Partikeln (17) und einem Gel, oder aus einem Verguss aus Partikeln mit hoher Dielektrizitätskonstante im Vergleich zum Vergussgel (17) und einem Gel auf.

6. 发明申请

WO2006087065A3 POWER SEMICONDUCTOR ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：功率半导体组装
公开(公告)号：WO2006087065A3
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/EP2006000457
申请日：2006-01-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BAYERER REINHOLD , THOBEN MARKUS
发明人： BAYERER REINHOLD , THOBEN MARKUS
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/24 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
摘要： The invention relates to a power semiconductor assembly comprising a support (50), a first semiconductor chip (10) and a second semiconductor chip (20). The first semiconductor chip (10) has a first main connection (11) and a second main connection (12) that are disposed on opposite sides of the first semiconductor chip (10). The second semiconductor chip (20) has a first main connection (21) and a second main connection (22) that are disposed on opposite sides of the second semiconductor chip (20). The first side (51) of the carrier (50) is provided with a metallized structure (60) that has a first section (61) and a spaced-apart second section (62). The first semiconductor chip (10) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the first section (61) via its second main connection (12). The second semiconductor chip (20) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the second section (62) via its second main connection (22). The first connection (11) of the semiconductor chip (10) and the first main connection (21) of the second semiconductor chip (20) are electrically connected to each other and to a first connection contact (71) provided for connecting an external load (100) or an external supply voltage.
摘要翻译：本发明涉及与载体（50），第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的功率半导体器件。这里，第一主端子（11）和第二主端子（12），其被布置在第一半导体芯片（10）的相对侧上的第一半导体芯片（10）。第二半导体芯片（20）具有一个第一主端子（21）和第二主端子（22），其被布置在第二半导体芯片（20）的相对两侧。该载体（50）的第一侧（51）上设置有结构化的金属化（60）具有第一部分（61）和由其（62）间隔开的第二部分。在第一半导体芯片（10）被布置在所述载体（50）的第一侧（51），并通过它的第二主端子（12）机械地和导电地连接到所述第一部分（61）的装置。第二半导体芯片（20）被布置在所述载体（50）的第一侧（51）和通过它的第二主端子（22）机械地和导电地连接到所述第二部分（62）的装置。在第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的第一主端子（21）的第一主端子（11）被提供给彼此和一个外部负载（100）或外部电源第一端子触点（71）的连接导电互联。

7. 发明申请

WO2006069878A1 ELEKTRISCHE BAUGRUPPE MIT INEINANDER ANGEORDNETEN SCHALTUNGSTRÄGERN 审中-公开
标题翻译：网眼ARRANGED电路载体电单元
公开(公告)号：WO2006069878A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/EP2005/056322
申请日：2005-11-29
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BAYERER, Reinhold , GUCKENBERGER, Herbert , KENNEY, Richard , THOMPSON, Kenneth
发明人： BAYERER, Reinhold , GUCKENBERGER, Herbert , KENNEY, Richard , THOMPSON, Kenneth
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/16
CPC分类号： H05K1/141 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/2402 , H01L2224/82039 , H01L2224/83801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K1/0306 , H05K1/182 , H05K3/3442 , H05K2201/09072 , H05K2201/10477
摘要： Die Erfindung betrifft eine elektrische Baugruppe (1), aufweisend einen Schaltungsträger (2, 23) mit mindestens einem elektrischen Stromkreis (21), der mindestens ein auf einem Oberflächenabschnitt (237) des Schaltungsträgers angeordnetes elektrischen Bauelement (22, 221) aufweist, und mindestens einen weiteren Schaltungsträger (3, 33) mit mindestens einem weiteren elektrischen Stromkreis (31), wobei der weitere Schaltungsträger eine Ausnehmung (331) aufweist und der Schaltungsträger und der weitere Schaltungsträger derart aneinander angeordnet sind, dass der Stromkreis und der weitere Stromkreis über mindestens eine elektrische Verbindungsleitung (4) elektrisch leitend miteinander verbunden sind und das auf dem Oberflächenabschnitt des Schaltungsträgers angeordnete Bauelement des Stromkreises in die Ausnehmung des weiteren Schaltungsträgers ragt. Es resultiert eine elektrische Baugruppe mit einem kompakten, Platz sparenden Aufbau. Besonders eignet sich die Erfindung für die elektrische Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls, bei dem die auf dem Schaltungsträger, z.B. DCB-Substrat, angeordneten Leistungshalbleiterbauelemente planar und großflächig kontaktiert sind. Auf dem DCB-Substrat lassen sich einfach elektrische Anschlussstellen (236) realisieren, die mit elektrischen Anschlussstellen des weiteren Schaltungsträgers, beispielsweise ein PCB-Substrat, verlötet werden und so die elektrische Verbindungsleitung zwischen den Stromkreisen bilden. Somit kann auf ein so genanntes ,,Lead Frame" zur elektrischen Kontaktierung der Leistungshalbleiterbauelemente des DCB-Substrats verzichtet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种设置在至少一个在电路载体电元件（22，221）的表面部分（237）的电组件（1）包括具有至少一个电气电路（21）的电路载体（2，23），和至少进一步的电路载体（3，33）与至少一个另外的电路（31），其特征在于，具有凹部（331）和电路载体和进一步电路载体的进一步电路载体被布置成彼此，使得电路和通过至少一个其他的电路电连接线（4）导电连接到彼此并且布置在电路项目的电路载体部件的表面部分到所述另外的电路载体的凹部中。这导致电气装置具有结构紧凑，节省空间的设计。具体地说，本发明的功率半导体模块的电接触是合适的，其中在电路载体上，例如 DCB衬底，布置功率半导体器件是平面的，大面积的接触。在DCB衬底电连接点（236）能够容易地实现，其被焊接到所述另一电路载体的电连接点，例如PCB基板，从而形成所述电路之间的电连接线。因此，它可以用一个所谓的引线框,,“用于电接触DCB衬底的功率半导体元件被分配。

8. 发明申请

WO2006056555A2 STROMRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：电力转换装置
公开(公告)号：WO2006056555A2
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/EP2005/056078
申请日：2005-11-18
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , INFINEON TECHNOLOGIES AG , BAUDELOT, Eric , BAYERER, Reinhold , KENNEY, Richard , LEIBOLD, Herbert , THOMPSON, Kenneth
发明人： BAUDELOT, Eric , BAYERER, Reinhold , KENNEY, Richard , LEIBOLD, Herbert , THOMPSON, Kenneth
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/074 , H01L24/24 , H01L24/72 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267
摘要： Die Erfindung betrifft eine Stromrichteranordnung (1) mit mindestens einem Stromrichter(2) und mindestens einem Stromrichtergehäuse (3), wobei der Stromrichter eine Leistungskomponente (21) mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (22) aufweist, das Stromrichtergehäuse einen Innenraum (31) aufweist, in dem das Leistungshalbleiterbauelement der Leistungskomponente des Stromrichters angeordnet ist, im Innenraum des Stromrichtergehäuses mindestens eine weitere Leistungskomponente (81) des Stromrichters angeordnet ist und eine elektrische Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements und die weitere Leistungskomponente des Stromrichters mit Hilfe einer auf dem Leistungshalbleiterbauelement angeordneten elektrischen Isolationsfolie (7) elektrisch voneinander isoliert sind. Die Leistungskomponente ist beispielsweise ein Leistungsschalter. Der Leistungsschalter wird ungehäust im Stromrichtergehäuse angeordnet. Ein Verguss des Leistungsschalters mit Silikon ist nicht notwendig. Es resultiert ein einfacher und kompakter Aufbau.
摘要翻译：
本发明涉及一种功率转换器装置（1）具有至少一个功率转换器（2）和至少一个Stromrichtergeh BEAR使用（3），其中，所述转换器包括一功率器件（21）与至少一个功率半导体部件（22），所述Stromrichtergeh BEAR使用的内部（31），其中，所述功率转换器的功率器件的功率半导体元件被布置在Stromrichtergeh BEAR的内部使用至少一个功率转换器的其它动力部件（81）被布置与功率半导体元件和所述另外的电Kontaktfl BEAR表面借助于布置在功率半导体部件电绝缘膜（7）上的功率转换器的功率部件彼此电隔离。功率部件例如是断路器。断路器无阻碍地放置在变频器外壳中。没有必要使用硅树脂铸造断路器。结果是一个简单而紧凑的结构。

9. 发明申请

WO0188983A3 POWER SEMICONDUCTOR MODULE 审中-公开
标题翻译：半导体功率模块
公开(公告)号：WO0188983A3
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：PCT/DE0101870
申请日：2001-05-17
申请人： EUPEC GMBH & CO KG , SIEMENS AG , BAYERER REINHOLD , DILLIG REINHOLD , KISTNER MICHAEL , LODDENKOETTER MANFRED , RAITH SEBASTIAN
发明人： BAYERER REINHOLD , DILLIG REINHOLD , KISTNER MICHAEL , LODDENKOETTER MANFRED , RAITH SEBASTIAN
IPC分类号： H01L23/34 , H01L25/16
CPC分类号： H01L25/162 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a power semiconductor module comprising a power component (1) and a sensor component (1), wherein the sensor component (2) is electrically and/or mechanically insulated from the power component (1) disposed on a substrate (7) by means of an individual, additional substrate (7).
摘要翻译：本发明涉及一种具有功率元件（1）和传感器构件（2），其中所述传感器部件（2）由一个附加的，单独的衬底（7）提供了由一个衬底（3）功率组件上的功率半导体模块，（1）是电和/ 或机械地隔离。

10. 发明申请

WO2005106954A2 POWER SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND METHOD FOR PRODUCING A POWER SEMICONDUCTOR CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：电力半导体电路及其制造方法的电力半导体电路
公开(公告)号：WO2005106954A2
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/EP2005002708
申请日：2005-03-14
申请人： EUPEC GMBH & CO KG , BAYERER REINHOLD
发明人： BAYERER REINHOLD
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/05554 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/49 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： The power semiconductor circuit comprises a power semiconductor module (2) provided in the form of a flat module. In order to utilize the design possibilities resulting therefrom and to provide a power semiconductor circuit that is characterized by having an automatable production and a particularly space-saving design. To this end, the flat module, with its substrate (11), is glued by means of a heat conducting adhesive (20) directly onto a heat conducting base plate (1) that acts as a cooling element (5).
摘要翻译：所述功率半导体电路包括Leistungschalbleitermodul（2），其被设计为平坦的组件。为了使用所得到的伊甸从而设计方案，并提供一种电力半导体电路，其特点是一个自动化的生产和特别节省空间的设计，它提供的是，平坦组件与其底物（11）由导热性粘接剂（20）直接连接到一个装置（作为冷却元件 5）作用wärmleitende底板（1）被胶合。

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